ETC 3DD13002B1

华晶分立器件
3DD13002 B1
低频放大环境额定双极型晶体管
1 概述与特点
1.5
3DD13002 B1 硅 NPN 型功率开关晶体管 主要用于电子节能灯 电子镇流器及手机充电器的
功率开关电路 其特点如下
击穿电压高 反向漏电流小
开关速度快
饱和压降低 电流特性好
高温性能好
封装形式 TO-92
5.2max
符号
VCB0
VCE0
VEB0
IC
Ptot
Tj
Tstg
额定值
600
400
9
0.5
0.8
150
-55 150
单位
V
V
V
A
W
12.7min
2.1 极限值
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
耗散功率 Ta=25
结温
贮存温度
4.2max
5.0max
2 电特性
0.45max
0.45max
1.27
1.27
E C B
2.2 电参数
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符 号
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极正向电流传输比
的静态值
小电流下 hFE1 与大电流下
hFE2 比值
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
下降时间
贮存时间
ICB0
IEB0
VCB=600V, IE=0
VEB=9V, IC=0
hFEa
VCE=5V, IC=200mA
10
hFE1/
hFE2
VCE sata
VBE sata
tf
ts
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=200mA
0.75
特征频率
fT
a: 脉冲测试 tp 300 s,
测 试 条 件
最小
规 范 值
典型 最大
100
100
A
A
40
0.9
IC=200mA, IB=40mA
IC=200mA, IB=40mA
VCC=60V, IC=0.3A
IB1=-IB2=0.1A
VCE=10V, IC=50mA
f=1MHz
单位
0.5
1.2
0.5
2.5
5
V
V
s
s
MHz
2%
无锡华晶微电子股份有限公司
地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号
电话
0510 5807228-2268 2299
第 1 页
共 2 页
传真
0510 5800360
华晶分立器件
3DD13002 B1
3 特性曲线
hFE - IC 关系曲线
hFE
VBEsat - IC 关系曲线
Tamb=25
VCE=5V
10
VBEsat (V)
Tamb=25
IC/IB=5
1.6
1.2
0.8
1
0.01
0.1
1
IC (A)
0.1
VCEsat - IC 关系曲线
VCEsat (V)
Tamb=25
IC/IB=5
1
0.1
0.1
1
IC(A)
第 2 页
共 2 页
1
IC (A)