华润华晶分立器件 R ○ 硅 NPN 低频放大双极型晶体管 3DG3020A1 1 产品概述： 3DG3020A1 是硅 NPN 型功率开关晶体管，该产品采用平面工艺， 特征参数 VCEO 分压环终端结构和少子寿命控制技术，集成了有源抗饱和网络，提高 IC 了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。 Ptot （Ta=25℃） 产品封装形式：TO-92，符合 RoHS 指令要求。 2 产品特点： 450 V 1.5 A 0.8 W TO-92 ● 开关损耗低 ● 反向漏电流小 ● 高温特性好 1 2 ● 开关损耗低 3 1. B 2. C 3. E ● 可靠性高 内部等效电原理图 3 主要用途： C 主要用于紧凑型电子节能灯、电子充电器、计算机辅助电源等功率 开关电路，是该类电子产品的核心部件。 B VD E 产品中有毒有害物质或元素的名称及含量 有害物质或元素 部件名称 铅 汞 镉 （Pb） （Hg） （Cd） （Cr(VI)） (PBB) （PBDE） （含量要求） ≤0.1% ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% 引线框 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 塑封树脂 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 管 芯 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 焊 料 ○ ○ ○ ○ ○ ○ 说 明 六 价 铬 多溴联苯 多溴二苯醚 ○：表示该有毒有害物质的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。 ×：表示该有毒有害物质的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。 无锡华润华晶微电子有限公司 第 1 页 共 5 页 2010 版 华润华晶分立器件 3DG3020A1 R ○ 4 电特性 极限值 除非另有规定，Ta= 25℃ 参 数 名 称 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 耗散功率 结温 贮存温度 符 号 VCBO VCEO VEBO IC Ptot Tj Tstg 额定值 800 450 9 1.5 0.8 150 -55～150 单 位 V V V A W ℃ ℃ 电参数 除非另有规定，Ta= 25℃ 参 数 名 称 符 号 集电极-基 极截止电流 集电极-发射极截止电流 发射极-基 极截止电流 集电极-基 极电压 集电极-发射极电压 发射极-基 极电压 共发射极正向电流传输比 的静态值 小电流下hFE1 与大电流下 hFE2比值 *-集电极-发射极饱和电压 基 极-发射极饱和电压 贮存时间 上升时间 下降时间 ICBO ICEO IEBO VCBO VCEO VEBO VCB=800V, IE=0 VCE=450V, IB=0 VEB=9V, IC=0 IC=0.1mA IC=1mA IE=0.1mA 800 450 9 hFEa VCE=5V, IC=0.2A 20 hFE1/ hFE2 VCE sata VBE sata ts tr tf 特征频率 fT 测 试 条 件 最小 B hFE1:VCE=5V, IC=5mA hFE2:VCE=5V, IC=0.2A IC=0.5A, IB=0.1A IC=0.5A, IB=0.1A 规 范 值 典型 最大 0.1 0.1 0.1 0.9 0.4 1 B 2 UI9600，IC=0.1A VCE=10V, IC=0.1A f=1MHz 0.8 1.5 5 1 1 5 第 2 页 V V μs μs μs MHz a: 脉冲测试 tp≤300μs,δ≤2% 无锡华润华晶微电子有限公司 mA mA mA V V V 35 0.75 B 单位 共 5 页 2010 版 华润华晶分立器件 R ○ 3DG3020A1 5 特性曲线 图 2 Ptot – T关系曲线 图 1 安全工作区(直流) IC (A) Ptot (W) Ta=25℃ 0.8 1 0.6 0.1 Ptot-Ta 0.4 0.01 0.2 0.001 0.1 1 10 100 0 0 VCE (V) 图 3 输出特性曲线（IC -VCE） 50 T(℃) 100 图 4 hFE - IC关系曲线 Ic(A) Ic(A) hFE FE VCE=5V Ta=125℃ Ta=25℃ Ta=25℃ 0.25 10 Ta=-55℃ IB=2mA 0 5 无锡华润华晶微电子有限公司 VCE(V) Vce(V) 1 0.01 0.1 第 3 页 共5 页 1 Ic(A) 2010 版 华润华晶分立器件 图 5 VCEsat - IC关系曲线 图 6 VBEsat - IC关系曲线 10 VCEsat(V) 1 3DG3020A1 R ○ VBEsat1.5 (V) Ta=125℃ Ta=25℃ 1 Ta=25℃ 0.1 Ta=125℃ IC/IB=5 IC/IB=5 B 0.01 0.01 0.1 1 B 10 Ic(A) 0.5 0.01 0.1 1 共 5 页 2010 版 图 7 ts-Ic关系曲线 (UI9600) ts(μs6) Ta=25℃ 5 4 3 2 1 0 0 0.2 0.4 无锡华润华晶微电子有限公司 0.6 Ic(A) 第 4 页 Ic(A) 10 华润华晶分立器件 R ○ 3DG3020A1 6 外形图 E C B 7 说明 7-1 包装说明： 1）产品的小包装，采用 1000 只/包的塑料袋包装； 2）产品的中包装，采用 10 包/盒的中号纸盒包装； 3）产品的大包装，采用 8 盒/箱的大号纸板箱包装。 7-2 注意事项： 1）凡华润华晶出厂的产品，,均符合相应规格书的电参数要求和外形尺寸；对于客户有特殊要 求的产品,双方应签订相关技术协议。 2）建议在最大额定值的 80% 以下使用；在安装时，要注意减少机械应力的产生，防止由此引 起的产品失效；避免靠近发热元件；焊接上锡时要注意温度和时间。 3) 本规格书由华润华晶公司制作，并不断更新，更新时不再专门通知。 8 通讯联络方式： 无锡华润华晶微电子有限公司 公司地址：中国江苏无锡市梁溪路 14 号 市场营销部 应用服务 无锡华润华晶微电子有限公司 邮编：214061 网址：http://www. crhj.com.cn 电话：0510-85807228 传真：0510-85800864 邮编：214061 电话：0510-81805227 81805336 E-mail：[email protected] 传真：0510-85800360 邮编：214061 电话：0510-81805243 E-mail：[email protected] 传真：0510-81805110 第 5 页 共 5 页 2010 版