ETC 3DD13009

华晶分立器件
3DD13009
低频放大管壳额定双极型晶体管
1 概述与特点
3DD13009 硅 NPN 型功率开关晶体管 主要用于电子节能灯 电子镇流器及计算机开关电源
其特点如下
击穿电压高 反向漏电流小
饱和压降低 电流特性好
开关速度快
高温特性好
4.8max
10.4max
封装形式 TO-220F
2.7max
2.7
2 电特性
符号
VCE0
VCB0
VEB0
IC
额定值
400
700
9
12
2
100
150
-55 150
Ptot
Tj
Tstg
单位
V
V
V
A
15.5max
3.2
1.2
12.7min
2.1 极限值
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
集电极-发射极电压
集电极-基 极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
Ta=25
耗散功率
Tc=25
结温
贮存温度
0.6
2.3
0.6
2.54 2.54
W
B
C
E
2.2 电参数
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符 号
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极正向电流传输比
的静态值
小电流下 hFE1 与大电流下
hFE2 比值
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
下降时间
贮存时间
ICB0
IEB0
VCB=700V, IE=0
VEB=9V, IC=0
hFEa
VCE=5V, IC=3A
hFE1/
hFE2
VCE sata
VBE sata
tf
ts
特征频率
fT
a: 脉冲测试 tp 300 s,
测 试 条 件
hFE1 VCE=5V,IC=5mA
hFE2 VCE=5V,IC=3A
IC=8A, IB=1.6A
IC=8A, IB=1.6A
VCC=125V, IC=8A
IB1=-IB2=1.6A
VCE=10V, IC=500mA
f=1MHz
规 范 值
最小 典型 最大
0.1
0.1
8
0.75
单位
mA
mA
40
0.9
1.5
1.6
0.9
4
4
V
V
s
s
MHz
2%
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华晶分立器件
3DD13009
3 特性曲线
安全工作区(直流)
IC (A)
10
Ptot – T 关系曲线
Ptot (W)
Tcase=25
100
Ptot-Tcase
75
1
50
0.1
25
Ptot-Tamb
0
10
1
50
100
T( )
VCEsat - IC 关系曲线
hFE - IC 关系曲线
hFE
0
VCE (V)
100
VCEsat (V)
Tamb=25
VCE=5V
Tamb=25
IC/IB=5
1
10
0.1
0.01
1
0.1
1
1
IC (A)
10
VBEsat - IC 关系曲线
Tamb=25
IC/IB=5
VBEsat (V)
1.6
0.8
0
1
10
IC (A)
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IC (A)