华晶分立器件 3DD13009 低频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 3DD13009 硅 NPN 型功率开关晶体管 主要用于电子节能灯 电子镇流器及计算机开关电源 其特点如下 击穿电压高 反向漏电流小 饱和压降低 电流特性好 开关速度快 高温特性好 4.8max 10.4max 封装形式 TO-220F 2.7max 2.7 2 电特性 符号 VCE0 VCB0 VEB0 IC 额定值 400 700 9 12 2 100 150 -55 150 Ptot Tj Tstg 单位 V V V A 15.5max 3.2 1.2 12.7min 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-发射极电压 集电极-基 极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 Ta=25 耗散功率 Tc=25 结温 贮存温度 0.6 2.3 0.6 2.54 2.54 W B C E 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 小电流下 hFE1 与大电流下 hFE2 比值 集电极-发射极饱和电压 基 极-发射极饱和电压 下降时间 贮存时间 ICB0 IEB0 VCB=700V, IE=0 VEB=9V, IC=0 hFEa VCE=5V, IC=3A hFE1/ hFE2 VCE sata VBE sata tf ts 特征频率 fT a: 脉冲测试 tp 300 s, 测 试 条 件 hFE1 VCE=5V,IC=5mA hFE2 VCE=5V,IC=3A IC=8A, IB=1.6A IC=8A, IB=1.6A VCC=125V, IC=8A IB1=-IB2=1.6A VCE=10V, IC=500mA f=1MHz 规 范 值 最小 典型 最大 0.1 0.1 8 0.75 单位 mA mA 40 0.9 1.5 1.6 0.9 4 4 V V s s MHz 2% 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3DD13009 3 特性曲线 安全工作区(直流) IC (A) 10 Ptot – T 关系曲线 Ptot (W) Tcase=25 100 Ptot-Tcase 75 1 50 0.1 25 Ptot-Tamb 0 10 1 50 100 T( ) VCEsat - IC 关系曲线 hFE - IC 关系曲线 hFE 0 VCE (V) 100 VCEsat (V) Tamb=25 VCE=5V Tamb=25 IC/IB=5 1 10 0.1 0.01 1 0.1 1 1 IC (A) 10 VBEsat - IC 关系曲线 Tamb=25 IC/IB=5 VBEsat (V) 1.6 0.8 0 1 10 IC (A) 第 2 页 共 2 页 10 IC (A)