European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D 749 N ø36 6 16 26 3,5 Kathode Cathode Anode ø36 +0,1 ø3,5 x 3,5 tief / depth beidseitig / on both sides 25 57 .7 max 4 VW K July 1996 D 749 N Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C... t vj max VRSM = V RRM Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current tvj = -40°C... t vj max tc = 100 °C VRRM 3600, 4000 V 4400, 4800 * V + 100 V IFRMSM 1540 A IFAVM 750 A 980 A 14 kA 11 kA 980 kA 2s 605 kA 2s 2,94 V 0,85 V 0,65 mΩ 70 mA tc = 67 °C Stoßstrom-Grenzwert surge forward current tvj = 25°C, t p = 10 ms IFSM tvj = t vj max , tp = 10 ms Grenzlastintegral 2 I t-value tvj = 25°C, t p = 10 ms 2 I t tvj = t vj max , tp = 10 ms Charakteristische Werte Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t vj max , iF = 3 kA VT Schleusenspannung threshold voltage tvj = t vj max VT(TO) Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t vj max rT Sperrstrom reverse current tvj = t vj max , V R = V RRM iR Thermische Eigenschaften Thermal properties Innerer Widerstand thermal resistance, junction beidseitig/two-sided, Θ =180° sin R thJC to case Übergangs-Wärmewiderstand max. max. max. 0,039 °C/W beidseitig/two sided, DC max. 0,036 °C/W Anode/anode, Θ =180° sin max. 0,066 °C/W Anode/anode, DC max. 0,063 °C/W Kathode/cathode, Θ =180° sin max. 0,087 °C/W Kathode/cathode, DC max. 0,084 °C/W max. 0,005 °C/W max. 0,010 °C/W thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided R thCK einseitig /single-sided Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 160 °C Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+150 °C Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften Mechanical properties Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact ∅ = 38 mm Anpreßkraft clamping force Gehäuseform/case design T 10...24 kN Gewicht weight 280 g Kriechstrecke creepage distance 36 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz Maßbild outline * Bitte Liefertermin erfragen /Delivery on request F G typ. C 50 Seite/page m/s 2 D 749 N 4000 0,9 i F [A] ⌠i²dt ⌡ (normiert) 3000 0,7 2000 1000 0,5 0 0,5 1,0 1,5 2,0 D749N_1 2,5 v F [V] 3,0 0 3,5 1 2 3 4 5 6 7 9 10 tp [ms] D749N_4 Bild/Fig. 1 Grenzdurchlaßkennlinie Limiting forward characteristic iF = f (vF) tvj = 160 °C tvj = 25 °C 8 Bild / Fig. 2 Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t ∫i²dt = f(tp) IF(0V)M IF(0V)M vR vR 14 16 IF(0V)M 12 IF(0V)M [kA] 14 [kA] 10 12 1a 8 10 1a 8 2a 2a 1b 1c 6 1b 6 2c 2b 4 2b 4 1c 2 2c 0 0,1 0,3 0,2 0 0 t [s] D749N_5 Bild / Fig. 3 Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t) 1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C 2 - IFAV(vor) = 750 A; tC = 100 °C; tvj = 160 °C a - vR ≤ 50 V b - vR = 0,5 VRRM c - vR = 0,8 VRRM 0,1 0,3 0,2 t [s] D749N_6 Bild / Fig. 4 Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t) 1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C 2 - IFAV(vor) = 750 A; tC = 100 °C; tvj = 160 °C a - vR ≤ 50 V b - vR = 0,5 VRRM c - vR = 0,8 VRRM D 749 N 10 4 9 i FM [A] 1600 800 8 Θ 400 7 T ∆ R thJC Qr [µAs] [°C/W] 200 6 5 100 0,010 4 Θ T 50 3 0,005 2 Θ 0 30 10 3 0,1 T 60 90 120 150 180 Θ [°el] D749N_3 10 1 D749N_7 Bild / Fig. 5 Differenz zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC Difference between the values of thermal resistance for pulse current and DC Parameter: Stromkurvenform / Current waveform 100 -di F /dt [A/µs] Bild / Fig. 6 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q r = f(-diF/dt) tvj = tvjmax; vR ≤ 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM Beschaltung / Snubber: C = 1 µF; R = 3,9 Ω Parameter: Durchlaßstrom / Forward current iFM 0,10 Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC 3 Kühlg. Cooling 0,08 Z (th)JC [°C/W] 0,06 Pos. n 1 2 3 4 5 1 Rthn °C/W 0,000950 0,005110 0,01574 0,0142 2 Rthn °C/W 0,000910 0,004690 0,01790 0,03950 3 Rthn °C/W 0,00810 0,004440 0,01680 0,00750 0,05445 2 τn [s] τn [s] τn [s] 0,001470 0,01120 0,1740 0,001460 0,00985 0,1740 0,001380 0,00877 0,1570 1,31 6,360 4,11 8,38 1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 0,04 2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling 1 0,02 3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling Analytische Funktion / Analytical function nmax ZthJC = Σ Rthn(1-EXP(-t/τn)) n=1 0 10 -3 10-2 10-1 100 101 t [s] D749N_2 Bild / Fig. 7 Transienter innerer Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f(t), DC 1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling 3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling 102 6 7