European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG 1,1 ø 23 Kathode Cathode 8,5 4 14 ø 23 1,1 Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D 758 N Anode ø3,5 +0.1 x 2 tief / depth beidseitig / on both sides 41 19,5 .7 max 2 VW K July 1996 D 758 N Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C... t vj max VRSM = V RRM Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current tvj = -40°C... t vj max tc = 115 °C VRRM 200, 400 V 600, 800 * V + 50 V IFRMSM 1195 A IFAVM 760 A 1) 630 A 10,3 kA 8,8 kA 530,45 kA 2s 387,2 kA 2s 1,45 V 0,70 V 0,31 mΩ 20 mA tc = 130 °C Stoßstrom-Grenzwert surge forward current tvj = 25°C, t p = 10 ms IFSM tvj = t vj max , tp = 10 ms Grenzlastintegral 2 I t-value tvj = 25°C, t p = 10 ms 2 I t tvj = t vj max , tp = 10 ms Charakteristische Werte Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t vj max , iF = 2,3 kA VT Schleusenspannung threshold voltage tvj = t vj max VT(TO) Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t vj max rT Sperrstrom reverse current tvj = t vj max , V R = V RRM iR Thermische Eigenschaften Thermal properties Innerer Widerstand thermal resistance, junction beidseitig/two-sided, Θ =180° sin R thJC to case Übergangs-Wärmewiderstand max. max. max. 0,067 °C/W beidseitig/two sided, DC max. 0,063 °C/W Anode/anode, Θ =180° sin max. 0,104 °C/W Anode/anode, DC max. 0,100 °C/W Kathode/cathode, Θ =180° sin max. 0,174 °C/W Kathode/cathode, DC max. 0,170 °C/W max. 0,015 °C/W max. 0,030 °C/W thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided R thCK einseitig /single-sided Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 180 °C Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+150 °C Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften Mechanical properties Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact ∅ = 21 mm Anpreßkraft clamping force Gehäuseform/case design T 3,8...7,6 kN Gewicht weight 75 g Kriechstrecke creepage distance 25 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz Maßbild outline * Bitte Liefertermin erfragen /Delivery on request F G typ. C 50 Seite/page m/s 2 D 758 N 1,0 3,0 2,5 ⌠i²dt ⌡ i F [kA] 0,8 (normiert) 2,0 0,6 1,5 0,4 1,0 0,2 0,5 0 0 0,5 1,0 0 0 2,0 1,5 v F [V] D758N_1 1 2 3 Bild/Fig. 1 Grenzdurchlaßkennlinie Limiting forward characteristic F =i f (vF) tvj = 180 °C tvj = 25 °C 5 7 6 8 9 10 tp [ms] Bild / Fig. 2 Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t ∫i²dt = f(tp ) IF(0V)M 10 4 D758N_4 IF(0V)M vR vR 10 IF(0V)M 9 IF(0V)M [kA] [kA] 9 8 8 7 1a +1b 1c 6 7 1a 2a 2a 6 1b 1c 2b 5 5 2b 2c 4 2c 4 3 0 D758N_5 0,1 0,2 0,3 t [s] Bild / Fig. 3 Grenzstrom / Maximum overload forward current I = f(t) F(0V)M 1 - IFAV(vor) = 0 A; vt j = tC = 25 °C 2 - IFAV(vor) = 760 A; Ct = 115 °C; vjt = 180 °C a - vR ≤ 50 V b - vR = 0,5 VRRM c - vR = 0,8 VRRM 3 0 0,1 D758N_6 0,2 0,3 t [s] Bild / Fig. 4 Grenzstrom / Maximum overload forward current I = f(t) F(0V)M 1 - IFAV(vor) = 0 A; vt j = tC = 25 °C 2 - IFAV(vor) = 760 A; Ct = 115 °C; vjt = 180 °C a - vR ≤ 50 V b - vR = 0,5 VRRM c - vR = 0,8 VRRM D 758 N 2 i FM [A] Θ ∆ RthJC 10 Qr [µAs] T [°C/W ] 800 400 3 0,08 9 8 200 7 100 6 50 5 25 4 0,06 Θ 3 T 2 0,04 2 10 0,02 9 8 7 Θ 6 T 0 30 60 90 120 150 5 0,1 180 Θ [°el] D758N_3 1 10 100 -diF /dt [A/µ s] D758N_7 Bild / Fig. 6 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q F/dt) r = f(-di tvj = tvjmax; vR ≤ 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM Beschaltung / Snubber: C = 1 µF; R = Ω 3,9 Parameter: Durchlaßstrom / Forward current FM i Bild / Fig. 5 Differenz zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC Difference between the values of thermal resistance for pulse current and DC Parameter: Stromkurvenform / Current waveform 0,20 3 Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes für DC thJC Z Analytical elements of transient thermal impedance for DC thJC Z Kühlg. Cooling 0,15 1 Z (th)JC [°C/W] 2 2 0,10 3 Pos. n 1 2 4 3 5 τn [s] 0,00002 0,000245 0,00181 0,0569 Rthn °C/W 0,000096 0,0018 τn [s] 0,006464 0,0118 0,000017 0,000243 0,0014 0,0278 0,377 0,03744 0,0213 0,103 0,00929 0,113 τn [s] 0,556 0,000009 0,00024 0,00172 0,0543 2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling Analytische Funktion / Analytical function 0 10-3 D758N_2 nmax ZthJC = Σ Rthn(1-EXP(-t/τn)) n=1 10 -2 10-1 10 0 10 1 t [s] Bild / Fig. 7 Transienter innerer Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z = f(t), DC thJC 1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling 3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling 102 1,26 Rthn °C/W 0,000048 0,002232 0,00673 0,0387 3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling 0,05 7 Rthn °C/W 0,000110 0,00193 0,00751 0,03415 0,0193 1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 1 6 3,41 0,0211 5,2