European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D 849 N ø36 6 16 26 3,5 Kathode Cathode Anode ø36 +0,1 ø3,5 x 3,5 tief / depth beidseitig / on both sides 25 57 .7 max 4 VW K July 1996 D 849 N Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C... t vj max VRSM = V RRM Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current IFRMSM Dauergrenzstrom mean forward current tvj = -40°C... t vj max tc = 100 °C VRRM 2800, 3200 V 3600, 4000 * V + 100 V 1790 A IFAVM tc = 64 °C Stoßstrom-Grenzwert surge forward current tvj = 25°C, t p = 10 ms IFSM tvj = t vj max , tp = 10 ms Grenzlastintegral 2 I t-value tvj = 25°C, t p = 10 ms 2 I t tvj = t vj max , tp = 10 ms Charakteristische Werte Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t vj max , iF = 3,5 kA VT Schleusenspannung threshold voltage tvj = t vj max VT(TO) Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t vj max rT Sperrstrom reverse current tvj = t vj max , V R = V RRM iR Thermische Eigenschaften Thermal properties Innerer Widerstand thermal resistance, junction beidseitig/two-sided, Θ =180° sin R thJC to case Übergangs-Wärmewiderstand max. max. 850 A 1140 A 15,4 kA 12,8 kA 1186 kA 2s 819 kA 2s 2,62 V 0,84 V 0,485 mΩ 50 mA max. 0,038 °C/W beidseitig/two sided, DC max. 0,035 °C/W Anode/anode, Θ =180° sin max. 0,064 °C/W Anode/anode, DC max. 0,061 °C/W Kathode/cathode, Θ =180° sin max. 0,085 °C/W Kathode/cathode, DC max. 0,082 °C/W max. 0,005 °C/W max. 0,010 °C/W thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided R thCK einseitig /single-sided Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 160 °C Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+150 °C Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften Mechanical properties Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact ∅ = 38 mm Anpreßkraft clamping force Gehäuseform/case design T 10...24 kN Gewicht weight 280 g Kriechstrecke creepage distance 36 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz Maßbild outline * Bitte Liefertermin erfragen /Delivery on request F G typ. C 50 Seite/page m/s 2 D 849 N ⌠i²dt ⌡ (normiert) i F [kA] 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 1 3,5 2 3 4 5 6 7 v F [V] 8 9 10 tp [ms] Bild/Fig. 1 Grenzdurchlaßkennlinie Limiting forward characteristic F =i f (vF) Bild / Fig. 2 Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t ∫i²dt = f(tp) tvj = 160 °C tvj = 25 °C IF(0V)M IF(0V)M vR vR IF(0V)M IF(0V)M [kA] [kA] 1a 2a 1b 1a 1c 1c 1b 2a 2b 2c 2b 2c 0,1 0,2 0,3 t [s] Bild / Fig. 3 F(0V)M Grenzstrom / Maximum overload forward current I = f(t) 1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C 2 - IFAV(vor) = 850 A; C t = 100 °C; vjt = 160 °C a - vR ≤ 50 V b - vR = 0,5 VRRM c - vR = 0,8 VRRM 0,1 0,3 0,2 t [s] Bild / Fig. 4 F(0V)M Grenzstrom / Maximum overload forward current I = f(t) 1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C 2 - IFAV(vor) = 850 A; C t = 100 °C; vjt = 160 °C a - vR ≤ 50 V b - vR = 0,5 VRRM c - vR = 0,8 VRRM D 849 N 10 4 9 i FM [A] 1600 8 Θ 800 400 7 T ∆R thJC [°C/W ] 6 Qr [µAs] 200 5 100 4 Θ 50 3 T 2 Θ 10 3 T 60 90 120 150 180 10 1 0,1 100 -di F /dt [A/µs] Θ [°el] Bild / Fig. 5 Differenz zwischen den W ärmewiderständen für Pulsstrom und DC Difference between the values of thermal resistance for pulse current and DC Parameter: Stromkurvenform / Current waveform Bild / Fig. 6 r =Q Sperrverzögerungsladung / Recovered charge f(-diF/dt) tvj = tvjmax; vR ≤ 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM Beschaltung / Snubber: C = 1 µF; R = 3,9 Ω Parameter: Durchlaßstrom / Forward current i FM Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z t hJC für DC Analytical elements of transient thermal impedanceZthJC for DC 3 Z (th)JC [°C/W ] Kühlg. Cooling 1 2 2 3 Pos. n 1 2 3 4 5 R thn °C/W 0,00123 0,00397 0,0041 0,0153 0,0104 τn [s] 0,251 1,79 0,00152 0,00932 0,0708 R thn °C/W 0,00134 0,00466 0,0174 0,0376 τn [s] 6,25 0,00159 0,0113 0,177 R thn °C/W 0,00133 0,00457 0,0165 0,0596 τn [s] 7,31 0,00159 0,0111 0,169 1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 1 2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling 3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling Analytische Funktion / Analytical function nmax ZthJC = Σ Rthn(1-EXP(-t/τn)) n=1 -3 10 -2 10-1 10 0 1 t [s]10 t [s] Bild / Fig. 7 Transienter innerer Wärmewiderstand Transient thermal impedancethJC Z = f(t), DC 1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling 3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling 10 2 6 7