European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG Marketing Information D 8019 N ø 65 Cathode Anode ø 65 ø 3,5+0,1 x 3,5 deep on both sides May 1998 D 8019 N Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Periodische Spitzensperrspannung Maximum rated values repetitive peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert Dauergrenzstrom non-repetitive peak reverse voltage RMS forward current mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I2 t-value Charakteristische Werte Durchlaßspannung Schleusenspannung Ersatzwiderstand Sperrstrom Characteristic values on-state voltage threshold voltage slope resistance reverse current Thermische Eigenschaften Innerer Widerstand Thermal properties thermal resistance, junction to case tvj = -25°C... T vj max VRRM 200, 400 600 V tvj = +25°C... T vj max VRSM IFRMSM IFAVM 250 450 650 13,3 8,02 8,74 Tc = 56°C Tc = 46°C Tvj = 25°C, t p = 10 ms Tvj = Tvj max, tp = 10 ms Tvj = 25°C, t p = 10 ms Tvj = Tvj max, tp = 10 ms beidseitig / two-sided, Q thermal resistance,case to heatsink Höchstzul.Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur max. junction temperature operating temperature storage temperature Mechanische Eigenschaften Anpreßkraft Gewicht Kriechstrecke Schwingfestigkeit Mechanical properties clamping force weight creepage distance vibration resistance =180° sin VF VT(TO) rT iR max. RthJC max. max. max. max. max. max. max. max. beidseitig / two sided, DC Anode / anode, Q =180° sin Kathode / cathode, DC beidseitig / two-sided einseitig / single-sided 103 95 6 53 · 10 6 45 · 10 I2 t Tvj = Tvj max, iF = 10 kA Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max, VR = VRRM Anode / anode, DC Kathode / cathode, Q Übergangs-Wärmewiderstand IFSM =180° sin RthCK Tvj max Tc op Tstg F G max. 0,98 0,70 0,027 100 V kA kA kA kA kA A2s A2s V V mW mA 0,0125 °C/W 0,0117 °C/W 0,0232 °C/W 0,0225 °C/W 0,0250 °C/W 0,0245 °C/W 0,003 °C/W 180 °C -40...+180 °C -40...+150 °C typ. f = 50 Hz Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the corresponding technical notes. 40...80 kN 900 g mm 2 50 m/s D 8019 N 35 30 iF 25 [kA] 20 15 10 5 0 0,5 1,0 1,5 D 8019 N / 1 Bild / Fig. 1 Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic, iF = f(vF), tvj = 180 °C tvj = 180 °C 2,0 vF [V]