ETC 3DD5004

华晶分立器件
3DD5004
低频放大管壳额定双极型晶体管
1 概述与特点
3DD5004 硅 NPN 型高反压大功率晶体管 主要用作 29 英寸彩电行输出(无阻尼管 使用时要
求外接快恢复阻尼二极管) 该产品采用台面结构 其特点如下
击穿电压高 漏电流小
开关速度快
饱和压降低
电流特性好
封装形式 TO-3P(H)IS
5.5max
3max
15.5max
4.5
2 电特性
额定值
600
1500
5
8
3.5
50
150
-55 150
Ptot
Tj
Tstg
单位
V
V
V
A
26.5max
符号
VCE0
VCB0
VEB0
IC
标 记
17max
2.1 极限值
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
集电极-发射极电压
集电极-基 极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
Ta=25
耗散功率
Tc=25
结温
贮存温度
3.6
2max
0.75max
3.3min
5.45 5.45
W
B
C
0.9max
E
2.2 电参数
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符 号
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极正向电流传输比
的静态值
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
ICB0
IEB0
VCB=1500V IE=0
VEB=5V IC=0
hFEa
VCE=5V IC=1A
VCEsata
VBEsata
下降时间
tf
特征频率
fT
a
脉冲测试 tp 300 s,
测 试 条 件
IC=5A IB=1.3A
IC=5A IB=1.3A
VCC=100V IC=5A
2IB1=-IB2=1.3A
VCE=10V IC=100mA
f=0.3MHz
规 范 值
最小 典型 最大
1
10
10
单位
mA
A
40
5
1.3
1
1
V
V
s
MHz
2%
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电话
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传真
0510 5800360
华晶分立器件
3DD5004
3 特性曲线
安全工作区(直流)
Ptot (W)
IC (A)
Ptot-T 关系曲线
Tcase=25
40
Ptot-Tcase
1
30
20
0.1
10
Ptot-Tamb
0.01
1
10
100
0
VCE (V)
0
hFE-IC 关系曲线
hFE
50
100
T( )
VCEsat-IC 关系曲线
Tamb=25
VCE=5V
VCEsat (V)
Tamb=25
Ic/IB=4
1
10
0.1
1
0.01
0.1
IC (A)
1
0.01
0.1
VBEsat-IC 关系曲线
V
BEsat
(V)
Tamb=25
Ic/IB=4
1.2
0.8
0.4
0.1
1
IC (A)
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IC (A)