华晶分立器件 3DD2553 低频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 3DD2553 硅 NPN 型高反压大功率晶体管 主要用作 29 英寸彩电行输出 该产品采用台面结构 其特点如下 击穿电压高 漏电流小 开关速度快 饱和压降低 电流特性好 封装形式 TO-3P(H)IS 15.5max 4.5 2 电特性 额定值 600 1700 5 8 3.5 50 150 -55 150 Ptot Tj Tstg 单位 V V V A 26.5max 符号 VCE0 VCB0 VEB0 IC 标 记 17max 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 集电极-发射极电压 集电极-基 极电压 发射极-基 极电压 集电极电流 Ta=25 耗散功率 Tc=25 结温 贮存温度 5.5max 3max 3.6 2max 0.75max 3.3min W 5.45 5.45 0.9max 2.2 电参数 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 集电极-发射极饱和电压 基 极-发射极饱和电压 ICB0 IEB0 VCB=1700V, IE=0 VEB=5V, IC=0 hFEa VCE=5V, IC=1A VCEsata VBEsata 下降时间 tf 特征频率 fT a:脉冲测试 tp 300 s, 测 试 条 件 IC=6A, IB=1.2A IC=6A, IB=1.2A VCC=120V, IC=6A 2IB1=-IB2=1.5A VCE=10V, IC=100mA f=0.3MHz 规 范 值 最小 典型 最大 1 66 200 8 单位 mA mA 28 5 1.5 0.7 1 V V s MHz 2% 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5800360 华晶分立器件 3 3DD2553 特性曲线 安全工作区(直流) IC (A) Ptot-T 关系曲线 Ptot (W) Tcase=25 40 1 Ptot-Tcase 30 20 0.1 10 Ptot-Tamb 0.01 1 10 100 VCE(V) 0 0 hFE-IC 关系曲线 50 100 T VBEsat-IC 关系曲线 hFE VBEsat (V) Tamb=25 VCE=5V Tamb=25 IC/IB=5 1.2 10 0.8 0.4 1 0.01 0.1 0.1 IC (A) 1 VCEsat-IC 关系曲线 Tamb=25 IC/IB=5 VCEsat (V) 1 0.1 0.01 0.1 1 IC (A) 第 2 页 共 2 页 1 IC (A)