Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules DD 800 S 33 K2 Datenblatt datasheet Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Tj = 25°C Tj = -25°C Dauergleichstrom DC forward current VR 3300 3300 V IF 800 A IFRM 1600 A 2 I t 222.200 A2 s Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP = 1 ms Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C Spitzenverlustleistung der Diode maximum power dissipation diode Tj = 125°C PRQM 800 kW Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 6.000 V Teilentladungs-Aussetzspannung partial discharge extinction voltage RMS, f = 50 Hz, Q PD ≤ 10 pC (acc. to IEC 1287) VISOL 2.600 V Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. - 2,80 3,50 - 2,80 3,50 V - 0,01 1,6 mA - 4 20 mA - 650 - A - 700 - A - 500 - µAs - 900 - µAs - 490 - mWs - 1000 - mWs LsCE - 25 - nH RCC’+EE’ - 0,34 - mΩ Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage Sperrstrom reverse current Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 800 A, V GE = 0V, Tvj = 25°C VF IF = 800 A, V GE = 0V, Tvj = 125°C VCE = 3300V, T vj = 25°C IR VCE = 3300V, T vj = 125°C IF = 800 A, - diF/dt = 2500 A/µsec VR = 1800V, VGE = -10V, T vj = 25°C IRM VR = 1800V, VGE = -10V, T vj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 800 A, - diF/dt = 2500 A/µsec VR = 1800V, VGE = -10V, T vj = 25°C Qr VR = 1800V, VGE = -10V, T vj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy V IF = 800 A, - diF/dt = 2500 A/µsec VR = 1800V, VGE = -10V, T vj = 25°C Erec VR = 1800V, VGE = -10V, T vj = 125°C Modulinduktivität stray inductance module pro Diode / per diode Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip lead resistance, terminals - chip T = 25°C, pro Diode / per diode prepared by: Jürgen Göttert date of publication : 08.06.99 approved by: Chr. Lübke: 04.10.99 revision: 2 1 (6) Datenblatt DD 800 S 33 K2 04.10.99 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules DD 800 S 33 K2 Datenblatt datasheet Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. - - 0,026 K/W - - 0,013 K/W RthCK - 0,006 - K/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj - - 150 °C Betriebstemperatur operation temperature Top -40 - 125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 125 °C pro Diode / per diode Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Modul / per module Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module λPaste = 1 W/m*K / λgrease = 1 W/m*K RthJC Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Material Modulgrundplatte material of module baseplate AlSiC Innere Isolation internal insulation AlN Kriechstrecke creepage distance 32,2 mm Luftstrecke clearance 19,1 mm CTI comperative tracking index > 400 M1 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque terminals M4 Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque M2 terminals M8 Gewicht weight G 5 Nm 2 Nm 8 .. 10 Nm 1000 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 2 (6) Datenblatt DD 800 S 33 K2 04.10.99 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules DD 800 S 33 K2 Datenblatt datasheet Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) IF = f (VF) 1600 1500 1400 Tj = 25°C Tj = 125°C 1300 1200 1100 IF [A] 1000 900 800 700 600 500 400 300 200 100 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VF [V] 3 (6) Datenblatt DD 800 S 33 K2 04.10.99 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules DD 800 S 33 K2 Datenblatt datasheet Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA) safe operation area Diode (SOA) T vj= 125°C 1700 1600 1500 1400 1300 1200 1100 1000 900 IR [A] 800 700 600 500 400 300 200 100 0 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 VR [V] 4 (6) Datenblatt DD 800 S 33 K2 04.10.99 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules DD 800 S 33 K2 Datenblatt datasheet Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z thJC = f (t) 0,1 Zth:Diode ZthJC [K / W] 0,01 0,001 0,0001 0,001 0,01 0,1 1 10 t [sec] i ri [K/kW] : Diode τi [sec] : Diode 1 2 3 4 4,76 12,98 3,86 4,40 0,0068 0,0642 0,3209 2,0212 5 (6) Datenblatt DD 800 S 33 K2 04.10.99 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules DD 800 S 33 K2 Datenblatt datasheet Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 0 VFUHZLQJGHSWK PD[ & & . . VFUHZLQJGHSWK PD[ ( ( $ $ '' & & & * & & ( ( ( )' ( ( & & ( ( & GHHS * ( & * GHHS 0 ( H[WHUQDOFRQQHFWLRQ WREHGRQH IH4 )= 6 (6) Datenblatt DD 800 S 33 K2 04.10.99