Technische Information / Technical Information Dioden-Module Diode-Modules DD 600 S 65 K1 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Tvj=125°C Tvj=25°C Tvj=-40°C Dauergleichstrom DC forward current VCES 6500 6300 5800 V IF 600 A IFRM 1200 A I2t 165 k A2s Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP = 1 ms Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode VR = 0V, tp = 10ms, T Vj = 125°C Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 10,2 kV Teilentladungs Aussetzspannung partial discharge extinction voltage RMS, f = 50 Hz, QPD typ. 10pC (acc. To IEC 1287) VISOL 5,1 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung forward voltage Sperrstrom reverse current Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 600A, Tvj = 25°C VF VR = 6300V, Tvj = 25°C IR VR = 6500V, Tvj = 125°C max. 3,0 3,8 4,6 V 3,9 4,7 V - 0,2 - mA - 20 - mA - 800 - A - 1000 - A - 550 - µC - 1050 - µC - 660 - mJ - 1600 - mJ IF = 600A, - diF/dt = 2000A/µs VR = 3600V, Tvj = 25°C IRM IF = 600A, - diF/dt = 2000A/µs VR = 3600V, Tvj = 25°C Qr VR = 3600V, Tvj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy typ. IF = 600A, Tvj = 125°C VR = 3600V, Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge min. IF = 600A, - diF/dt = 2000A/µs VR = 3600V, Tvj = 25°C Erec VR = 3600V, Tvj = 125°C Modulinduktivität stray inductance module pro Zweig / per arm LsCE - 25 - nH Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip pro Zweig / per arm RCC´+EE´ - 0,37 - mΩ prepared by: Dr. Oliver Schilling date of publication: 2002-07-05 approved by: Dr. Schütze 2002-07-05 revision/Status: Series 1 1 DD 600 S65 K1 (final 1).xls Technische Information / Technical Information Dioden-Module Diode-Modules DD 600 S 65 K1 Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC RthJC - - 0,021 K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module λPaste ≤ 1 W/m*K / λgrease ≤ 1 W/m*K RthCK - 0,008 - K/W Tvj, max - - 150 °C Tvj,op -40 - 125 °C Tstg -40 - 125 °C Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur Sperrschicht junction operation temperature Schaltvorgänge Diode(SOA) switching operation Diode(SOA) Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation AlN Kriechstrecke creepage distance 56 mm Luftstrecke clearance 26 mm CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque >600 Schraube /screw M6 M 5 Nm Anschlüsse / terminals M8 M 8 - 10 Nm Gewicht weight G 1000 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 2 DD 600 S65 K1 (final 1).xls Technische Information / Technical Information DD 600 S 65 K1 Dioden-Module Diode-Modules Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) IF = f (VF) 1300 1200 1100 25°C 1000 125°C 900 800 700 IF [A] 600 500 400 300 200 100 0 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 VF [V] Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA) safe operation area Diode (SOA) Pmax = 1800kW ; Tvj= 125°C 1200 1000 IR [A] 800 600 400 200 0 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 VR [V] (at auxiliary terminals) 3 DD 600 S65 K1 (final 1).xls Technische Information / Technical Information DD 600 S 65 K1 Dioden-Module Diode-Modules Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) ZthJC [K / W] 0,1 0,01 Zth:Diode 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [s] i 1 2 3 4 ri [K/kW] : Diode 9,45 5,25 1,26 5,04 τi [s] : Diode 0,030 0,10 0,30 1,0 4 DD 600 S65 K1 (final 1).xls Technische Information / Technical Information Dioden-Module Diode-Modules DD 600 S 65 K1 Äußere Abmessungen / extenal dimensions Anschlüsse / Terminals 1 -- 2 -- 3 -- 4,6 Anode / anode 5,7 Kathode / cathode 5 DD 600 S65 K1 (final 1).xls