INFINEON FF400R33KF2C

TechnischeInformation/technicalinformation
FF400R33KF2C
IGBT-Wechselrichter/IGBT-inverter
VorläufigeDaten/Preliminarydata
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Tvj = -25°C
VCES
3300
3300
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj = 150°C
TC = 25°C, Tvj = 150°C
IC nom
IC
400
660
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
800
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj = 150°C
Ptot
4,80
kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A
A
typ.
max.
3,40
4,30
4,25
5,00
V
V
4,2
5,1
6,0
V
QG
8,00
µC
Tvj = 25°C
RGint
1,3
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
50,0
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
2,70
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 3300 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 400 A, VGE = 15 V
IC = 400 A, VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 40,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGEth
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 1800V
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VCE sat
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 1800 V
VGE = ±15 V
RGon = 2,7 Ω, CGE = 68,0 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,28
0,28
µs
µs
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 1800 V
VGE = ±15 V
RGon = 2,7 Ω, CGE = 68,0 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,18
0,20
µs
µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 1800 V
VGE = ±15 V
RGoff = 3,6 Ω, CGE = 68,0 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
1,55
1,70
µs
µs
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 1800 V
VGE = ±15 V
RGoff = 3,6 Ω, CGE = 68,0 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,20
0,20
µs
µs
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 400 A, VCE = 1800 V, LS = 60 nH
VGE = ±15 V
RGon = 2,7 Ω, CGE = 68,0 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
470
730
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 400 A, VCE = 1800 V, LS = 60 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 3,6 Ω, CGE = 68,0 nF
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
430
510
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 2500 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
pro IGBT / per IGBT
RthJC
RthCH
18,0
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper pro IGBT / per IGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste = 1 W/(m·K) /
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
λgrease = 1 W/(m·K)
preparedby:SB
dateofpublication:2013-02-11
approvedby:DTS
revision:2.1
1
2000
A
26,0 K/kW
K/kW
TechnischeInformation/technicalinformation
FF400R33KF2C
VorläufigeDaten
Preliminarydata
Diode-Wechselrichter/Diode-inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Tvj = -25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
Spitzenverlustleistung
Maximumpowerdissipation
Mindesteinschaltdauer
Minimumturn-ontime
VRRM 3300
3300
V
IF
400
A
IFRM
800
A
I²t
55,5
kA²s
Tvj = 125°C
PRQM 800
kW
ton min 10,0
µs
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
2,80
2,80
3,50
3,50
V
V
550
650
A
A
Qr
235
440
µC
µC
IF = 400 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Erec
245
515
mJ
mJ
pro Diode / per diode
RthJC
RthCH
36,0
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 400 A, VGE = 0 V
IF = 400 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 400 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
IRM
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 400 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper pro Diode / per diode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste = 1 W/(m·K) / λgrease = 1 W/(m·K)
preparedby:SB
dateofpublication:2013-02-11
approvedby:DTS
revision:2.1
2
51,0 K/kW
K/kW
TechnischeInformation/technicalinformation
FF400R33KF2C
VorläufigeDaten
Preliminarydata
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL 6,0
kV
Teilentladungs-Aussetzspannung
Partialdischargeextinctionvoltage
RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC (acc. to IEC 1287)
VISOL 2,6
kV
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
DCstability
Tvj = 25°C, 100 fit
VCE D 1800
V
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
AlSiC
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)
basic insulation (class 1, IEC 61140)
AlN
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
32,2
32,2
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
19,1
19,1
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 400
min.
typ.
RthCH
6,00
LsCE
25
nH
RCC'+EE'
0,37
mΩ
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter,
Brake-Chopper
Tvj max
150
°C
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter,
Brake-Chopper
Tvj op
-40
125
°C
Lagertemperatur
Storagetemperature
Tstg
-40
125
°C
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M6 - mounting according to valid application note
M
4,25
-
5,75
Nm
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M4 - mounting according to valid application note
Schraube M8 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M8 - mounting according to valid application note
1,8
-
2,1
Nm
M
8,0
-
10
Nm
Gewicht
Weight
G
1100
g
preparedby:SB
dateofpublication:2013-02-11
approvedby:DTS
revision:2.1
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper pro Modul / per module
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste = 1 W/(m·K) / λgrease = 1 W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC = 25°C, pro Schalter / per switch
HöchstzulässigeSperrschichttemperatur
Maximumjunctiontemperature
3
max.
K/kW
TechnischeInformation/technicalinformation
FF400R33KF2C
VorläufigeDaten
Preliminarydata
AusgangskennlinieIGBT-Wechselr.(typisch)
outputcharacteristicIGBT-inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT-Wechselr.(typisch)
outputcharacteristicIGBT-inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
800
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
700
600
600
500
500
IC [A]
IC [A]
700
400
400
300
300
200
200
100
100
0
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
VCE [V]
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT-Wechselr.(typisch)
transfercharacteristicIGBT-inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
SchaltverlusteIGBT-Wechselr.(typisch)
switchinglossesIGBT-inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=2.7Ω,RGoff=3.6Ω,VCE=1800V,
CGE=68nF
800
3000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
700
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
2500
600
2000
E [mJ]
IC [A]
500
400
1500
300
1000
200
500
100
0
5
6
7
8
9
10
11
12
0
13
VGE [V]
0
100
200
300
400
IC [A]
preparedby:SB
dateofpublication:2013-02-11
approvedby:DTS
revision:2.1
4
500
600
700
800
TechnischeInformation/technicalinformation
FF400R33KF2C
VorläufigeDaten
Preliminarydata
SchaltverlusteIGBT-Wechselr.(typisch)
switchinglossesIGBT-Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=400A,VCE=1800V,CGE=68nF
TransienterWärmewiderstandIGBT-Wechselr.
transientthermalimpedanceIGBT-inverter
ZthJC=f(t)
4000
100
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
3500
ZthJC : IGBT
3000
10
ZthJC [K/kW]
E [mJ]
2500
2000
1500
1
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 11,7 6,5 1,56 6,24
τi[s]:
0,03 0,1 0,3 1
500
0
0,1
0,001
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36
0,01
0,1
RG [Ω]
1
10
t [s]
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT-Wr.(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT-inv.(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=3.6Ω,Tvj=125°C,CGE=68nF
DurchlasskennliniederDiode-Wechselr.(typisch)
forwardcharacteristicofdiode-inverter(typical)
IF=f(VF)
900
800
IC, Modul
IC, Chip
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
700
700
600
600
500
IF [A]
IC [A]
500
400
400
300
300
200
200
100
100
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
3500
VCE [V]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VF [V]
preparedby:SB
dateofpublication:2013-02-11
approvedby:DTS
revision:2.1
5
2,5
3,0
3,5
4,0
TechnischeInformation/technicalinformation
FF400R33KF2C
VorläufigeDaten
Preliminarydata
SchaltverlusteDiode-Wechselr.(typisch)
switchinglossesdiode-inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=2.7Ω,VCE=1800V
SchaltverlusteDiode-Wechselr.(typisch)
switchinglossesdiode-inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=400A,VCE=1800V
800
800
Erec, Tvj = 125°C
700
700
600
600
500
500
E [mJ]
E [mJ]
Erec, Tvj = 125°C
400
400
300
300
200
200
100
100
0
0
100
200
300
400
500
600
700
0
800
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36
IF [A]
RG [Ω]
TransienterWärmewiderstandDiode-Wechselr.
transientthermalimpedancediode-inverter
ZthJC=f(t)
SichererArbeitsbereichDiode-Wechselr.(SOA)
safeoperationareadiode-inverter(SOA)
IR=f(VR)
Tvj=125°C
100
1000
ZthJC : Diode
IR, Modul
900
800
700
10
IR [A]
ZthJC [K/kW]
600
500
400
1
300
200
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 22,95 12,75 3,06 12,24
τi[s]:
0,03 0,1
0,3 1
0,1
0,001
0,01
0,1
1
100
0
10
t [s]
0
500
1000
1500
2000
VR [V]
preparedby:SB
dateofpublication:2013-02-11
approvedby:DTS
revision:2.1
6
2500
3000
3500
TechnischeInformation/technicalinformation
FF400R33KF2C
VorläufigeDaten
Preliminarydata
Schaltplan/circuitdiagram
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
preparedby:SB
dateofpublication:2013-02-11
approvedby:DTS
revision:2.1
7
TechnischeInformation/technicalinformation
FF400R33KF2C
VorläufigeDaten
Preliminarydata
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.Die
BeurteilungderEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestellten
ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistung
übernehmen.EinesolcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenen
Bestimmungen.GarantienjeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngaben
indengültigenAnwendungs-undMontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenund
insbesondereeinespezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSie
zuständigenVertriebsbüroinVerbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplication
Notesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragen
zudenindiesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigen
VertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoder
lebenserhaltendenAnwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
Terms&Conditionsofusage
Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnical
departmentswillhavetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproduct
datawithrespecttosuchapplication.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyis
grantedexclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindforthe
productanditscharacteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecific
applicationofourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com,sales&contact).
Forthosethatarespecificallyinterestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionplease
contactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,please
notify.Pleasenote,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,
andthatwemaymakedeliverydependedontherealization
ofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:SB
dateofpublication:2013-02-11
approvedby:DTS
revision:2.1
8