TechnischeInformation/technicalinformation FF400R33KF2C IGBT-Wechselrichter/IGBT-inverter VorläufigeDaten/Preliminarydata HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Tvj = -25°C VCES 3300 3300 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj = 150°C TC = 25°C, Tvj = 150°C IC nom IC 400 660 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 800 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj = 150°C Ptot 4,80 kW Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A A typ. max. 3,40 4,30 4,25 5,00 V V 4,2 5,1 6,0 V QG 8,00 µC Tvj = 25°C RGint 1,3 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 50,0 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,70 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 3300 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 400 A, VGE = 15 V IC = 400 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 40,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 1800V InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGon = 2,7 Ω, CGE = 68,0 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 0,28 0,28 µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGon = 2,7 Ω, CGE = 68,0 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr 0,18 0,20 µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGoff = 3,6 Ω, CGE = 68,0 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off 1,55 1,70 µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGoff = 3,6 Ω, CGE = 68,0 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf 0,20 0,20 µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 1800 V, LS = 60 nH VGE = ±15 V RGon = 2,7 Ω, CGE = 68,0 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon 470 730 mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 1800 V, LS = 60 nH VGE = ±15 V RGoff = 3,6 Ω, CGE = 68,0 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff 430 510 mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 2500 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase pro IGBT / per IGBT RthJC RthCH 18,0 Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper pro IGBT / per IGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste = 1 W/(m·K) / tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C λgrease = 1 W/(m·K) preparedby:SB dateofpublication:2013-02-11 approvedby:DTS revision:2.1 1 2000 A 26,0 K/kW K/kW TechnischeInformation/technicalinformation FF400R33KF2C VorläufigeDaten Preliminarydata Diode-Wechselrichter/Diode-inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Tvj = -25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM 3300 3300 V IF 400 A IFRM 800 A I²t 55,5 kA²s Tvj = 125°C PRQM 800 kW ton min 10,0 µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,80 2,80 3,50 3,50 V V 550 650 A A Qr 235 440 µC µC IF = 400 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec 245 515 mJ mJ pro Diode / per diode RthJC RthCH 36,0 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 400 A, VGE = 0 V IF = 400 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 400 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 400 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper pro Diode / per diode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste = 1 W/(m·K) / λgrease = 1 W/(m·K) preparedby:SB dateofpublication:2013-02-11 approvedby:DTS revision:2.1 2 51,0 K/kW K/kW TechnischeInformation/technicalinformation FF400R33KF2C VorläufigeDaten Preliminarydata Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 6,0 kV Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC (acc. to IEC 1287) VISOL 2,6 kV Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability Tvj = 25°C, 100 fit VCE D 1800 V MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate AlSiC InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140) basic insulation (class 1, IEC 61140) AlN Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal 32,2 32,2 mm Luftstrecke Clearance Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal 19,1 19,1 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 400 min. typ. RthCH 6,00 LsCE 25 nH RCC'+EE' 0,37 mΩ Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper Tvj max 150 °C TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper Tvj op -40 125 °C Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 125 °C Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note screw M6 - mounting according to valid application note M 4,25 - 5,75 Nm Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note screw M4 - mounting according to valid application note Schraube M8 - Montage gem. gültiger Applikation Note screw M8 - mounting according to valid application note 1,8 - 2,1 Nm M 8,0 - 10 Nm Gewicht Weight G 1100 g preparedby:SB dateofpublication:2013-02-11 approvedby:DTS revision:2.1 Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper pro Modul / per module Thermalresistance,casetoheatsink λPaste = 1 W/(m·K) / λgrease = 1 W/(m·K) Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC = 25°C, pro Schalter / per switch HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature 3 max. K/kW TechnischeInformation/technicalinformation FF400R33KF2C VorläufigeDaten Preliminarydata AusgangskennlinieIGBT-Wechselr.(typisch) outputcharacteristicIGBT-inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT-Wechselr.(typisch) outputcharacteristicIGBT-inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 800 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 700 600 600 500 500 IC [A] IC [A] 700 400 400 300 300 200 200 100 100 0 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 VCE [V] VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT-Wechselr.(typisch) transfercharacteristicIGBT-inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V SchaltverlusteIGBT-Wechselr.(typisch) switchinglossesIGBT-inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=2.7Ω,RGoff=3.6Ω,VCE=1800V, CGE=68nF 800 3000 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 700 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 2500 600 2000 E [mJ] IC [A] 500 400 1500 300 1000 200 500 100 0 5 6 7 8 9 10 11 12 0 13 VGE [V] 0 100 200 300 400 IC [A] preparedby:SB dateofpublication:2013-02-11 approvedby:DTS revision:2.1 4 500 600 700 800 TechnischeInformation/technicalinformation FF400R33KF2C VorläufigeDaten Preliminarydata SchaltverlusteIGBT-Wechselr.(typisch) switchinglossesIGBT-Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=400A,VCE=1800V,CGE=68nF TransienterWärmewiderstandIGBT-Wechselr. transientthermalimpedanceIGBT-inverter ZthJC=f(t) 4000 100 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 3500 ZthJC : IGBT 3000 10 ZthJC [K/kW] E [mJ] 2500 2000 1500 1 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 11,7 6,5 1,56 6,24 τi[s]: 0,03 0,1 0,3 1 500 0 0,1 0,001 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 0,01 0,1 RG [Ω] 1 10 t [s] SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT-Wr.(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT-inv.(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=3.6Ω,Tvj=125°C,CGE=68nF DurchlasskennliniederDiode-Wechselr.(typisch) forwardcharacteristicofdiode-inverter(typical) IF=f(VF) 900 800 IC, Modul IC, Chip 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 700 700 600 600 500 IF [A] IC [A] 500 400 400 300 300 200 200 100 100 0 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 0 3500 VCE [V] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VF [V] preparedby:SB dateofpublication:2013-02-11 approvedby:DTS revision:2.1 5 2,5 3,0 3,5 4,0 TechnischeInformation/technicalinformation FF400R33KF2C VorläufigeDaten Preliminarydata SchaltverlusteDiode-Wechselr.(typisch) switchinglossesdiode-inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=2.7Ω,VCE=1800V SchaltverlusteDiode-Wechselr.(typisch) switchinglossesdiode-inverter(typical) Erec=f(RG) IF=400A,VCE=1800V 800 800 Erec, Tvj = 125°C 700 700 600 600 500 500 E [mJ] E [mJ] Erec, Tvj = 125°C 400 400 300 300 200 200 100 100 0 0 100 200 300 400 500 600 700 0 800 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 IF [A] RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode-Wechselr. transientthermalimpedancediode-inverter ZthJC=f(t) SichererArbeitsbereichDiode-Wechselr.(SOA) safeoperationareadiode-inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=125°C 100 1000 ZthJC : Diode IR, Modul 900 800 700 10 IR [A] ZthJC [K/kW] 600 500 400 1 300 200 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 22,95 12,75 3,06 12,24 τi[s]: 0,03 0,1 0,3 1 0,1 0,001 0,01 0,1 1 100 0 10 t [s] 0 500 1000 1500 2000 VR [V] preparedby:SB dateofpublication:2013-02-11 approvedby:DTS revision:2.1 6 2500 3000 3500 TechnischeInformation/technicalinformation FF400R33KF2C VorläufigeDaten Preliminarydata Schaltplan/circuitdiagram Gehäuseabmessungen/packageoutlines preparedby:SB dateofpublication:2013-02-11 approvedby:DTS revision:2.1 7 TechnischeInformation/technicalinformation FF400R33KF2C VorläufigeDaten Preliminarydata Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.Die BeurteilungderEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestellten ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistung übernehmen.EinesolcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenen Bestimmungen.GarantienjeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngaben indengültigenAnwendungs-undMontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenund insbesondereeinespezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSie zuständigenVertriebsbüroinVerbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplication Notesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragen zudenindiesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigen VertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoder lebenserhaltendenAnwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnical departmentswillhavetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproduct datawithrespecttosuchapplication. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyis grantedexclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindforthe productanditscharacteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecific applicationofourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com,sales&contact). Forthosethatarespecificallyinterestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionplease contactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,please notify.Pleasenote,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey, andthatwemaymakedeliverydependedontherealization ofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:SB dateofpublication:2013-02-11 approvedby:DTS revision:2.1 8