BA5821FP 光ディスク IC CD / DVD 用 4ch ドライバ BA5821FP BA5821FP は、4 チャンネルの CD、CD-ROM、および DVD 用パワードライバ IC です。CH1 に出力電圧を制限する リミッタ回路を内蔵しており、セットに応じて出力電圧にリミットをかけることができます。また、汎用オペアンプを 内蔵しています。 !用途 用途 CD、CD-ROM、DVD 用 !特長 特長 1) 4 チャンネルの BTL ドライバ。 2) HSOP28 パワーパッケージを採用。 3) ダイナミックレンジが広い。 4) サーマルシャットダウン回路を内蔵。 5) PreVcc、PowVcc、 （CH1, CH2, CH3 / 4）を独立にしており、効率の良いドライブが可能。 6) ミュートは CH1, CH2, CH3 / 4 で独立。 7) 全チャンネルミュートでスタンバイモード可能。 !絶対最大定格 絶対最大定格（Ta=25°C） 絶対最大定格 Parameter 電源電圧 Symbol Limits Unit PreVCC, PowVCC V Pd 13.5 1.7∗1 最大出力電流 Iomax 1∗2 A 動作温度範囲 Topr −35~+85 °C 保存温度範囲 Tstg −55~+150 °C 許容損失 W ∗1 70mm×70mm、厚さ1.6mm、銅箔占有率3%未満、ガラスエポキシ基板実装時。 Ta=25°C以上で使用する場合は、1°Cにつき13.6mWを減じる。 ∗2 許容損失、ASOを超えない範囲で規定。 !推奨動作条件 推奨動作条件（電源電圧に関しては、許容損失を考慮の上設定してください。 ） 推奨動作条件 Parameter 電源電圧 Symbol Min. Typ. Max. PreVCC 4.5 − 13.2 PowVCC 4.5 − PreVCC Unit V BA5821FP 光ディスク IC !ブロックダイアグラム ブロックダイアグラム 25 24 23 22 21 20 19 18 10k + − ミュート CH3,4 10k 10k − + レベルシフト レベルシフト レベルシフト 20k + − レベルシフト 10k 10k 10k Pre GND Pow GND Pow VCC Pow VCC 5 6 7 8 9 10 10k 4 CH2 11 + − ミュート CH1 + − ミュート CH2 10k 10k + − 10k 3 10k 10k − + 10k 2 10k 10k + − 1 15 CH4 10k 10k 10k 16 10k 10k + − Pre VCC Pow VCC + − Pow GND 17 CH3 + − 26 10k 10k 12 + − 27 + − 28 CH1 13 10k 14 抵抗値の単位は[Ω] !各端子説明 各端子説明 Pin No. Pin name バイアスアンプ入力端子 15 VO4 (+) ドライバCH4 正出力 IN1 CH1入力端子 16 VO4 (−) ドライバCH4 負出力 IN2 CH2入力端子 17 VO3 (+) ドライバCH3 正出力 CH1リミット端子 18 VO3 (−) ドライバCH3 負出力 MUTE2 CH2ミュートコントロール端子 19 PowVCC3 6 MUTE1 CH1ミュートコントロール端子 20 MUTE3 7 PREGND PreGND 21 GND 8 GND PowGND 22 OPOUT オペアンプ出力端子 9 PowVCC1 PowVCC (CH1) 23 OPIN(−) オペアンプ反転入力端子 10 PowVCC2 PowVCC (CH2) 24 OPIN(+) オペアンプ非反転入力端子 11 VO2 (−) ドライバCH2負出力 25 IN3' CH3 ゲイン調整端子 12 VO2 (+) ドライバCH2正出力 26 IN3 CH3 入力端子 13 VO1 (−) ドライバCH1負出力 27 IN4 CH4 入力端子 14 VO1 (+) ドライバCH1正出力 28 PreVCC Pin No. Pin name 1 BIAS IN 2 3 4 LIMIT 5 Functions 注 : ドライバの正出力、負出力は入力に対する極性 Functions PowVCC（CH3, 4） CH3, 4ミュートコントロール端子 PowGND PreVCC BA5821FP 光ディスク IC 10k ミュート バイアス !入出力回路図 入出力回路図 1pin 5, 6, 20pin 30k 50k 50k 50k 50k 60k 正出力 12, 14, 15, 17pin 10k ドライバ出力 ドライバ入力 2, 3, 26, 27pin 10k 10k 25pin リミット 23pin 24pin オペアンプ出力 オペアンプ入力 10k 負出力 11, 13, 16, 18pin 22pin 4pin 抵抗値の単位は[Ω] BA5821FP 光ディスク IC !電気的特性 電気的特性（特に指定のない限り Ta=25°C, PreVCC=12V, PowVCC1/2=12V, PowVCC3=5V, VBIAS=1.65V, RL=8Ω） 電気的特性 Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Measuring circuit Fig.1 Conditions IQ − 20 30 mA 無負荷時 IQST − − 1 mA 無負荷時（PreのみのIQ） 出力オフセット電圧 VOOF −50 0 50 mV 最大出力振幅1 VOM1 3.6 4.0 − V VIN=VBIAS±1.65V Fig.1 最大出力振幅2 VOM2 7.5 9.0 − V VIN=VBIAS±VCC/2, VBIAS=VCC / 2 ∗ Fig.1 最大出力振幅3 VOM3 8.5 9.5 − V VIN=VBIAS±1.65V, RL=10Ω ∗ Fig.1 電圧利得1 GVC1 10 12 14 dB CH2,3,4 VIN=VBIAS±0.5V Fig.1 電圧利得2 GVC2 16 18.3 20 dB CH1 VIN=VBIAS±0.3V ∗ Fig.1 GVL 11 12 13 dB CH1のみVLIMT≥1V Fig.1 CH1のみ Fig.1 入力方形波100kHz, 2Vp-p Fig.1 無信号時消費電流 スタンバイ時回路電流 Fig.1 〈ドライバ〉 電圧リミット入出力ゲイン Fig.1 VBVL − − 300 nA スルーレート SRDRV − 2 − V / µs ミュートON電圧 VSTON − − 0.5 V Fig.1 ミュートOFF電圧 VSTOFF 2.0 − − V Fig.1 バイアス降下ミュートON電圧 VBMON − − 0.7 V Fig.1 バイアス降下ミュートOFF電圧 VBMOFF 1.3 − − V Fig.1 電圧リミット入力バイアス電流 〈汎用オペアンプ〉 バッファ使用時入力範囲 入力オフセット電圧 VICM 0 − 9 V Fig.1 VOFOP −6 0 6 mV Fig.1 VBOP − − 300 nA ハイレベル出力電圧 VOHOP −6 0 6 mV IL=+450µA, VIN=5V Fig.1 ローレベル出力電圧 VOLOP − 0.1 0.3 V IL=−1mA, VIN=GND Fig.1 SROP − 2 − V / µs 入力方形波100kHz, 2Vp-p Fig.1 入力バイアス電圧 スルーレート ◎耐放射線設計はしておりません。 Fig.1 ∗ PowVCC=12V BA5821FP 光ディスク IC !測定回路図 測定回路図 V 14 RL 15 RL 8Ω 10Ω V 13 VO 16 VO RL V 12 17 RL 8Ω 8Ω V 18 11 19 10 VO VO 0.1µF 23 OPIN+ 24 0.1µF 12V 7 VMT1 6 OPIN− 12V 8 BA5821FP 22 21 VMT3 OPOUT 0.1µF 9 20 5V VMT2 5 1M V VBVL 3 2 INS VIN 3 2 1 2 3 26 INS 27 1 VIN VLIMIT 4 25 VIN3' 1 2 3 INS VIN 1 INS 2 1 28 3 VIN 12V VBIAS 0.1µF OPIN− VBOP− VIOF V NF 1M 2 OPRL 1 1 V VDROP VOOP V 1.65V 3 50 1 VBOP+ V 450µA V 2 OPB 3 OPOUT 1.65V OPIN+ A 2 1mA VINOP 抵抗値の単位は[Ω] Fig.1 3 4 25 Pow GND 8 Pre GND 7 10k 10k Pow GND 21 0.1µF ミュート CH3,4 9 10 Pow VCC Pow VCC Pow VCC 19 0.1µF 20 18 10k 10k 10k レベルシフト 11 10k 16 10k 10k 10k 10k 10k 10k 17 レベルシフト + − 6 ミュート CH1 10k 10k 22 レベルシフト レベルシフト 13 10k 10k 12 10k 10k 10k 15 + − 23 + − − + H-ENABLE L-MUTE 5 ミュート CH2 20k 10k 24 + − Sled motor Tray motor H-ENABLE L-MUTE SLED BIAS 2 10k 10k 26 − + 1 Pre VCC 27 + − − + 28 Focus coil − + 12V + − M H-ENABLE L-MUTE + − FOCUS Tracking coil 14 10k − + M 5V (for ch3, 4) + − TRACKING BA5821FP 光ディスク IC !応用例 応用例 12V (for ch2) 12V (for ch1) 0.1µF Tray 0.1µF DIGITAL SERVO 抵抗値の単位は[Ω] BA5821FP 光ディスク IC !使用上の注意 使用上の注意 1. BA5821FP では、サーマルシャットダウン回路を内蔵しています。 チップ温度が 175°C (Typ.) になると出力電流がミュートされ、再びチップ温度が 150°C (Typ.) になるとドライバ部 回路が立ち上がります。 2. バイアス端子 (1pin) は、0.7V 以下になるとミュートがかかります。 通常状態では、1.3V 以上にしてください。 3. 電源電圧が 3.8V (Typ.)以下まで低下すると内部回路が OFF し、再び 4.0V (Typ.)まで上昇すると立ち上がります。 4. サーマルシャットダウン、バイアス端子電圧の低下、および、電源電圧の低下で、全てのチャンネルの回路にミュ ートがかかりますが、その際、出力端子は、内部バイアス電圧 (VCC/2) になります。 5. ミュート端子電圧をオープン、または 0.5V 以下にすると、その対象のチャンネルの回路がミュート状態になります。 通常使用状態では、ミュート端子を 2V 以上にプルアップしてください。 6. 3 つのミュート端子を共にオープン、または、0.5V 以下に下げると、回路電流をスタンバイ状態にすることができ ます。なお、切り替わりのスレッショルドは、約 1.4V です。 7. プリ部の VCC は、パワー部の VCC と同じもしくは、高い高圧を供給してください。 8. 供給電源間には、この IC の根元にパスコン (0.1µF 程度) を付けてください。 9. IC の GND は、ピン電圧のなかで最低電位にしてください。 10. 放熱フィンは、パッケージ内部で PowGND につながっていますが、外部の GND とつないでください。 11. 出力 pin―PowVCC 間ショート（天絡） 、出力 pin―GND 間ショート（地絡） 、および出力 pin 間ショート（負荷シ ョート）は避けてください。また、IC を基板に装着する際は、IC の向きに十分ご注意ください。IC が破損し、 場合によっては発煙する恐れがあります。 !電気的特性曲線 電気的特性曲線 2 1 0 0 25 50 75 100 125 150 AMBIENT TEMPERATURE : Ta (°C) Fig.2 熱軽減率曲線 175 50 VCC=PVCC=Sweep BIAS=1.65V RL=8Ω+47µH LIMIT=2V 40 30 CH1 OUTPUT VOLTAGE : VO (V) 70mm×70mm 厚さ : 1.6mm 銅箔占有率3%未満 ガラスエポキシ基板実装時 OUTPUT OFFSET VOLTAGE : VCC (mV) POWER DISSIPATION : Pd (W) 3 20 10 CH2 CH4 CH3 CH1 0 −10 −20 −30 −40 −50 0 5 10 15 SUPPLY VOLTAGE : VCC (V) Fig.3 電源電圧−ドライバ出力オフセット電圧 VCC=12 PVCC1.2=12V, PVCC3=5V BIAS=1.65V, Vin=3.3V, 0V RL=8Ω+47µH 10 0 1.0 2.0 3.0 2.0 3.0 −10 0 LIMIT INPUT VOLTAGE : VIN (V) Fig.4 CH1 電圧リミット入出力ゲイン BA5821FP 光ディスク IC ∞ 5 −1.0 VCC=12V PVCC1,2=12V, PVCC3=5V BIAS=6V 20Ω+47µH 12Ω+47µH 8Ω+47µH 10 OUTPUT VOLTAGE : VO (V) OUTPUT VOLTAGE : VO (V) VCC=12V PVCC1.2=12V, PVCC3=5V BIAS=1.65V 0 1.0 −5 −10 5 20Ω+47µH 12Ω+47µH 8Ω+47µH 4 3 2 1 −1.0 0 1.0 −1 −2 −3 −4 −5 INPUT VOLTAGE : VIN (V) Fig.7 CH3,4入出力特性 !外形寸法図 外形寸法図（Units : mm） 外形寸法図 18.5±0.2 0.5±0.2 9.9±0.3 15 7.5±0.2 28 1 14 5.15±0.1 2.2±0.1 −1.0 0 1.0 −5 Fig.6 CH2入出力特性 ∞ 0.11 −2.0 INPUT VOLTAGE : VIN (V) Fig.5 CH1入出力特性 OUTPUT VOLTAGE : VO (V) 5 −10 INPUT VOLTAGE : VIN (V) VCC=12V PVCC1.2=12V, PVCC3=5V BIAS=1.65V ∞ 20Ω+47µH 12Ω+47µH 8Ω+47µH 10 0.8 0.35±0.1 0.08 M 16.0±0.2 HSOP-M28 0.25±0.1 0.1 S 2.0