BH6020FV コミュニケーション IC 携帯電話用システム電源 BH6020FV BH6020FV は携帯電話に必要な、CMOS タイプ・バイポーラタイプの 2 種類のレギュレータ、遅延時間をコントロー ルできるディテクタ、バイブレータ用レギュレータ、音量切り換え可能な 3ch の N-MOS で構成されています。 バイブレータ用ドライバは、外部に抵抗を付けることで出力電圧を可変できます。 用途 !用途 PDC、PHS、携帯機器 特長 !特長 1) CMOS タイプのレギュレータを 2ch、バイポーラタイプを 1ch 内蔵。 2) 遅延時間を外付けコンデンサで可変できるディテクタ回路 2ch 内蔵。 3) バイブレータ用ドライバ内蔵。 4) リンガー用として N-MOS トランジスタを 3ch 内蔵し、音量切り換えが可能。 5) 150°C で動作するサーマルシャットダウン回路内蔵。 6) SSOP-B24 パッケージ。 絶対最大定格 (Ta=25°C) !絶対最大定格 Parameter 電源電圧 Unit VBAT Limits -0.3∼+7.0 Pd 630* mW 動作温度範囲 Topr -25∼+75 °C 保存温度範囲 Tstg -55∼-125 °C 許容損失 Symbol V * Ta=25°C 以上で使用する場合は,1°C につき 6.3mW を減じる。 推奨動作条件 (Ta=25°C) !推奨動作条件 Parameter 電源電圧 * ディテクタ部は、1.5∼5.5V。 Symbol VBAT Min. * 3.2 Typ. Max. Unit - 5.5 V BH6020FV コミュニケーション IC ブロックダイアグラム !ブロックダイアグラム COLLECT 1 VIB 1V 24 OUT1 23 VBAT 22 OUT2 21 REG2 ON 20 VIB ON 19 GND 18 BASE 17 OUT3 16 REG3 ON 15 TR1 ON 14 TR2 ON 13 TR3 ON REG1 ＋ − VIB OUT 2 30k VBAT NF REG2 3 100k DELAY1 IN (VBAT) 4 2.5M DET1 DET OUT1 5 Vref DET OUT2 400k 6 GND DET2 DET IN2 7 REG3 DELAY2 REG2 8 TSD POW GND 9 TR1 OUT 10 VIB OUT1 2M POW GND 400k TR2 OUT 11 400k TR3 OUT 12 400k BH6020FV コミュニケーション IC 電気的特性 (特に指定のない限り Ta=25°C, VBAT=3.6V, BPF=20∼20kHz) !電気的特性 Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit [回路電流] Conditions 回路電流 1 IQ1 - 20 40 µA REG1 のみ ON REG2∼3, VIB=OFF REG は無負荷 回路電流 2 IQ2 - 35 80 µA REG1, REG2=ON REG3, VIB=OFF REG は無負荷 回路電流 3 IQ3 - 40 80 µA REG1, REG3=ON REG2, VIB=OFF REG は無負荷 回路電流 4 IQ4 - 6.5 12 mA REG1, VIB=ON REG2, REG3=OFF REG は無負荷 [レギュレータ部] (内蔵 MOS タイプ) <REG1> (内蔵 MOS, 常時 ON) 出力電圧 VOUT1 2.94 3.0 3.06 V 最大出力電流 IOMAX1 100 - - mA 入出力電圧差 A VDIF1A - 0.05 - V VBAT=2.8V, Io=20mA 入出力電圧差 B VDIF1B - 0.15 0.3 V VBAT=2.8V, Io=60mA 負荷安定度 ∆VO1L - 5 40 mV 入力安定度 ∆VO1I - 0 20 mV VBAT=3.3∼5.5V, Io=30mA リップルリジェクション RR1 45 57 - dB ∆VO/∆T - ±100 - ppm/°C VBAT=3.6V, Io=30mA VRR=-20dBV, fRR=1kHZ Io=30mA ILMT1 - - 450 mA 3.0 3.06 V 出力電圧温度係数 出力電流制限値 Io=30mA Vo1≤VOUT -0.1V Io=1∼80Ma Ta=-25∼+75°C <REG2> (内蔵 MOS, コントロール端子付) 出力電圧 VOUT2 2.94 最大出力電流 IOMAX2 100 - - mA 入出力電圧差 A VDIF2A - 0.05 - V Vo2≤VOUT2 -0.1V VBAT=2.8V, Io=20mA 入出力電圧差 B VDIF2B - 0.15 0.3 V VBAT=2.8V, Io=60mA 負荷安定度 ∆VO2L - 5 40 mV Io=1∼80mA 入力安定度 ∆VO2I - 0 20 mV VBAT=3.3∼5.5V, Io=30mA リップルリジェクション RR2 45 57 - dB 出力電圧温度係数 ∆VO/∆T - ±100 - ppm/°C VBAT=3.6V, Io=30mA VRR=-20dBV, fRR=1kHZ Io=30mA コントロール端子 RCONT2 1.5 2.5 4 MΩ Io=30mA プルダウン抵抗 コントロール端子 動作 VC2H 2.0 - - V 制御電圧 非動作 VC2L -0.3 - 0.3 V ILMT2 - - 450 mA 出力電流制限値 * 耐放射線設計はしておりません。 Ta=-25∼+75°C BH6020FV コミュニケーション IC Parameter Symbol [レギュレータ部] (PNP 外付けタイプ) Min. Typ. Max. Unit Conditions <REG3> (PNP 外付け､コントロール端子付) 出力電圧 VOUT3 2.925 3.0 3.075 V 最大出力電流 IOMAX3 250 - - mA 入出力電圧差 VDIF3 - 0.1 0.2 V 負荷安定度 ∆VO3L - 10 100 mV 入力安定度 ∆VO3I - 2 20 mV VBAT=3.3∼5.5V, Io=100mA リップルリジェクション RR3 45 57 - dB VBAT=3.6V, Io=100mA VRR=20dBV, fRR=1kHZ Io=100mA 出力電圧温度係数 ∆VO/∆T - ±100 - ppm/°C コントロール端子 RCONT3 1 2 4 MΩ Io=100mA Vo3≤VOUT3-0.1V VBAT=2.8V, Io=100mA Io=1∼200mA プルアップ抵抗 コントロール端子 動作 VC3H - - 0.25 V 制御電圧 非動作 VC3L OUT1 -0.3 - OUT1 +0.3 V OUT1 端子(24pin)基準 検出電圧 VDET1 3.136 3.2 3.264 V 検出電圧: “H”→“L” 検出解除ヒステリシス幅 VHIS1 64 128 192 mV IT1 0.6 1.2 2.4 時定数端子スレッショルド電圧 VT1 1.1 1.2 1.3 µA V 遅延時間 DT1 - 1 - ms ∆VD/∆T - ±100 - ppm/°C <DET2> 検出電圧 VDET2 2.646 2.70 2.754 V 検出解除ヒステリシス幅 VHIS2 54 108 163 mV [ディテクタ部] <DET1> (VBAT 検出) 時定数端子流出電流 “L”→“H”検知後の遅延 CDELAY=1000pF 検出電圧温度係数 検出端子流入電流 IIN2 - 0.8 2.0 µA 時定数端子流出電流 IT2 0.6 1.2 2.4 µA 時定数端子スレッショルド電圧 VT2 1.1 1.2 1.3 V 遅延時間 DT2 - 20 - ms ∆VD/∆T - ±100 - ppm/°C 検出電圧: “H”→“L” VIN=3V “L”→“H”検知後の遅延 CDELAY=0.02µF 検出電圧温度係数 * 耐放射線設計はしておりません。 BH6020FV コミュニケーション IC Parameter [バイブレータドライバ部] Symbol Min. Typ. Max. Unit 出力電圧 VOUT4 1.20 1.30 1.40 V 最大出力電流 IOMAX4 250 - - mA Vo4≤VOUT4-0.2V 負荷安定度 ∆VO4L - 25 150 mV Io=10∼200mA 入力安定度 ∆VO4I RCONT4 - 5 60 mV VBAT=3.3∼5.5V, Io=100mA 250 400 700 kΩ コントロール端子 Conditions Io=100mA プルダウン抵抗 コントロール端子 動作 VC4H 2.0 - - V 制御電圧 非動作 VC4L -0.3 - 0.3 V VON VOFF 2.5 -0.3 - 0.2 V V RCONT 250 400 700 kΩ Vsat1 - 0.1 0.3 V Io=50mA, VON=3.0V µA mA Vsat≤0.5V, VON=3.0V Io=50mA, VON=3.0V [MOS トランジスタ部] ON/OFF 端子 制御電圧 ON OFF コントロール端子 プルダウン抵抗 駆動時出力電圧 TR1 TR2 TR3 OFF 時リーク電流 ILEAK1 - 0 5 最大出力電流 IOMAX1 150 - - 駆動時出力電圧 Vsat2 - 0.1 0.3 V OFF 時リーク電流 ILEAK2 - 0 5 最大出力電流 IOMAX2 150 - - µA mA 駆動時出力電圧 Vsat3 - 0.1 0.3 V µA mA OFF 時リーク電流 ILEAK3 - 0 5 最大出力電流 IOMAX3 150 - - * 耐放射線設計はしておりません。 VOUT=3.6V VOUT=3.6V Vsat≤0.5V, VON=3.0V Io=50mA,VON=3.0V VOUT=3.6V Vsat≤0.5V, VON=3.0V BH6020FV コミュニケーション IC 測定回路図 !測定回路図 B VM24 10 SW名 → SW1 デフォルト設定→ (A) A 1V 24 1Ω 4.7μ SW3 (OFF) REG2 Is22 22 3 1Ω 30k 3M A SW23 (A) B C C Vs5 21 Vs21 A B Vs4 SW4 (A) IN (VBAT) 4 300k SW22 (OFF) VBAT SW21 (A) 100k A 23 2 VBAT Is24 VM22 130k SW2 (A) Vs2 A − B A C C REG1 VRR ＋ B B VIB SW24 (A) 4.7μ C Is2 1 B A SW20 (OFF) C DET1 20 5 Is5 Vref Is6 A C B SW6 (A) 6 GND Is18 SW5 (A) 470k 19 A DET2 7 Vs7 SW7 (A) 3M 18 SW18 (A) 200 C B B 100k A 470k REG3 VM17 OUT1 2M 9 C 2MΩ POW GND 16 B 11 14 SW14 (OFF) 12 13 B A A SW12 (A) B Is12 SW15 (OFF) 15 C 10 SW13 (OFF) A Vs11 SW11 (A) Is11 B SW10 (A) Is10 1M A C Vs10 1M Vs16 C VIB TSD Is17 1Ω 17 SW17 (OFF) B Vs8 SW8 (A) 300k REG2 SW16 (A) A 4.7μ 8 C 1M Vs12 Fig.1 BH6020FV コミュニケーション IC 応用例 !応用例 10Ω COLLECT 1 1V VIB 24 OUT1 4.7μ REG1 ＋ 1Ω − VIB OUT 30k モータ VBAT NF VBAT 23 2 REG2 22 3 RB521S-30 OUT2 4.7μ 100k 1Ω DELAY1 IN 4 21 REG2 ON （VBAT） 1000pF 2.5M DET1 DET OUT1 20 5 VIB ON Vref DET OUT2 400k 19 6 GND GND DET2 DET IN2 100k 18 7 BASE REG3 DELAY2 VBAT REG2 8 0.02μF VIB TSD POW GND TR1 OUT ON / OFF 9 17 OUT3 4.7μ OUT1 1Ω 2M POW GND 16 REG3 ON 15 10 TR1 ON 400k TR2 OUT 14 11 TR2 ON 400k TR3 OUT 13 12 TR3 ON 400k Fig.2 BH6020FV コミュニケーション IC 外付け部品の説明 !外付け部品の説明 (1) バイブレータ用レギュレータ出力電圧変更 1) VIB OUT 現状設定について 約1V 出力電圧（VIBOUT）は、 R1＋R2 V O＝ ×基準電圧（1V） R2 30k＋100k ＝ × 1 100k ＝1.3V ＋ VIBOUT − 2 R1＝30k 3 NF R2＝100k 2) 出力電圧変換について 約1V ＋ 外付け抵抗 − 2 RA 出力電圧（VIBOUT）は、 （RA//R1）＋（RB//R2） VO＝ × 1V （RB//R2） R1＝30k ここで RA＜＜R1 のとき RB＜＜R2 RA＋RB VO≒ × 1V となります。 RB 3 NF RB R2＝100k 〈数値例、RA＝5kΩ、RB＝4.3kΩ〉 （5k//30k）＋（4.3k//100k） VO＝ × 1 （4.3k//100k） ≒2.04V 3) 出力電圧範囲について 内部回路 Vsat COLLECT 1 VBAT1 内部回路構成上Max.値は ＝VBAT1−Vsat−VF VOUT（Max） （0.2V） （0.7V） ＝VBAT1−0.9V VIBOUT 2 VF NF 30kΩ （R1） 3 100kΩ （R2） ただし、これは回路設計上のMax.値で バラツキ、温度特性を含めると VOUT（Max.） ＝VBAT1−1.5V 位が適当な値です。 4) 出力電圧変更時の注意点 出力電圧設定は内部の R1、R2 から決定されています。 変更される場合、R1、R2 のどちらかにパラレルに接続することで設定できますが、内部抵抗と外付け抵抗の相対バラ ツキが大きくなります。 そこで、内部の R1(30kΩ)、R2(100kΩ)より 1∼2 桁小さい抵抗値を R1、R2 それぞれにパラレルに接続すると相対バラ ツキを低減することができます。 以上、設定を変更される際は十分評価の上セットうえで、問題ないことを確認していただきますようよろしくお願いし ます。 BH6020FV コミュニケーション IC 使用上の注意 !使用上の注意 応用例は推奨すべきものと確信しておりますが、ご使用にあたっては特性の確認を十分にお願いします。 その他、外付け回路定数を変更してご使用になる時は、静特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び当社 IC の バラツキ等を考慮して十分なマージンを見て決定してください。 本 IC はモノリシック IC であり、Fig.8 のように、P 基板（サブストレート）と、各素子間に P+アイソレーションを有 しています。この P 層と各素子の N 層とで P−N 接合が形成され、電位関係が、 ・ GND>VOUT、GND>VIN のとき P-N 接合が寄生ダイオードとして ・ VOUT>GND>VIN のとき P-N 接合が寄生トランジスタとして動作します。 寄生素子は、IC の構造上必然的にできるものです。寄生素子の動作は、回路間の相互干渉を引き起こし、誤動作、ひ いては破壊の原因ともなります。したがって、入力端子に GND(Ｐ基板)より低い電圧を印加するなど、寄生素子が動 作するような使い方をしないよう十分に注意してください。 抵抗 トランジスタ （OUT） C B E （GND） IN N P＋ P＋ P P N N P基板（サブストレート） OUT 寄生素子 IN C B E GND Fig.8 モノリシックICの簡易構造 P＋ BH6020FV コミュニケーション IC 電気的特性曲線 !電気的特性曲線 4.0 60 40 20 0 0 1 2 3 5 4 6 7 3.0 2.0 1.0 0 0 8 4.0 ・VBAT＝3.6V REG2 OUTPUT VOLTAGE: VOUT2 (V) ・REG1＝ON ・REG2∼3, VIB＝OFF ・REG無負荷 REG1 OUTPUT VOLTAGE: VOUT1 (V) QUIESCENT CURRENT: IQ (μA) 80 100 300 200 3.0 2.0 1.0 0 0 400 Fig.4 REG1ロードレギュレーション Fig.5 REG2ロードレギュレーション ・VBAT＝3.6V ・VRR＝−20dBV REG3 （Io＝100mA） 50 100 300 1k 3k 10k 30k 100k Fig.6 リップルリジェクション周波数特性 6 DET2 OUTPUT VOLTAGE: VDET2 (V) REG1（Io＝30mA） REG2 （Io＝30mA） DET1 OUTPUT VOLTAGE: VDET1 (V) REPPLE REJECTION：RR［dB］ 400 Fig.3 消費電流−電源電圧特性 20 4.5 3 1.5 0 0 1 3 2 4 4.5 3 1.5 0 0 1 2 INPUT VOLTAGE: VIN2 (V) Fig.7 DET1検出・解除電圧 Fig.8 DET2検出・解除電圧 200 100 7.8±0.2 13 7.6±0.3 5.6±0.2 24 Fig.9 N-MOSトランジスタドライブ能力 1 0.65 0.15±0.1 200 1.15±0.1 0.1 100 OUTPUT CURRENT: IOTR (mA) 3 POWER SUPPLY VOLTAGE: VBAT (V) 外形寸法図 (unit : mm) !外形寸法図 300 0 0 300 REG2 OUTPUT CURRENT: IO2 (mA) FREQUENCY：fRR［Hz］ OUTPUT VOLTAGE: VOTR (mV) 200 REG1 OUTPUT CURRENT: IO1 (mA) 60 0 20 100 POWER SUPPLY VOLTAGE: VBAT (V) 6 40 ・VBAT＝3.6V 12 0.22±0.1 0.3Min. 0.1 SSOP-B24 4