广东肇庆风华新谷微电子有限公司 广东省肇庆市风华路 18 号风华电子工业城三号楼一楼 TEL:0758-2865088 2865091 FAX:0758-2849749 High Voltage Transistors 高压三极管 PNP Silicon (FHTA92) MAXIMUM RATINGS 最大额定值 Characteristic 特性参数 Symbol 符号 Collector-Emitter Voltage 集电极-发射极电压 V CEO Collector-Base Voltage 集电极-基极电压 V CBO Emitter-Base Voltage 发射极-基极电压 V EBO Collector Current—Continuous 集电极电流-连续 Ic Rating 额定值 -300 -300 -5.0 -500 Unit 单位 Vdc Vdc Vdc mAdc THERMAL CHARACTERISTICS 热特性 Characteristic 特性 Symbol 符号 Total Device Dissipation 总耗散功率 FR-5 Board(1) PD TA=25℃ 环境温度 25℃ Derate above 25℃ 超过 25℃递减 Thermal Resistance Junction to Ambient 热阻 RΘJA Total Device Dissipation 总耗散功率 PD Alumina Substrate 氧化铝衬底,(2) TA=25℃ Derate above 25℃超过 25℃递减 Thermal Resistance Junction to Ambient 热阻 RΘJA Junction and Storage Temperature 结温和储存温度 TJ,Tstg Max 最大值 225 1.8 556 300 Unit 单位 mW mW/℃ ℃/W mW 2.4 mW/℃ 417 ℃/W 150℃，-55 to +150℃ DEVICE MARKING 打标 FHTA92=2D ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为 25℃) Characteristic 特性 Symbol 符号 Min 最小值 Max 最大值 Unit 单位 OFF CHARACTERISTICS 截止电特性 Collector-Emitter Breakdown Voltage (3) V(BR)CEO 集电极-发射极击穿电压(Ic=-1.0 mAdc, IB=0) Collector-Base Breakdown Voltage V(BR)CBO 集电极-基极击穿电压(Ic=-100μAdc, IE=0) Emitter-Base Breakdown Voltage V(BR)EBO 发射极-基极击穿电压(IE=-100 μAdc, IC=0) Emitte Cutoff Current IEBO 发射极截止电流(VEB=-3.0Vdc, IC=0) Collector Cutoff Current ICBO 集电极截止电流(VCB =-200Vdc, IE=0) Vdc -300 — -300 — Vdc Vdc -5.0 — μAdc — -0.1 μAdc — -0.25 1. FR-5=1.0×0.75×0.062 in. 2. Alumina=0.4×0.3×0.024 in. 99.5% alumina. 3. Pulse Width≤300μs; Duty Cycle≤2.0%. Page 0 of 4 *2005 年第 2 版* All Rights Reserved 广东肇庆风华新谷微电子有限公司 广东省肇庆市风华路 18 号风华电子工业城三号楼一楼 TEL:0758-2865088 2865091 FAX:0758-2849749 FHTA92 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如无特别说明，环境温度为 25℃) (Continued 继续) Characteristic 特性 Symbol 符号 Min 最小值 Max 最大值 Unit 单位 ON CHARACTERISTICS 导通电特性 DC Current Gain 直流电流增益 (Ic=-10mAdc,VCE=-10Vdc) (Ic=-30mAdc,VCE=-10Vdc) hFE —— 40 25 Collector-Emitter Saturation Voltage V CE(sat) 集电极-发射极饱和压降(Ic=-20mAdc,IB=--2.0mAdc) Base-Emitter Saturation Voltage V BE(sat) 基极-发射极饱和压降(Ic=-20mAdc,IB=--2.0mAdc) —— — Vdc —— -0.5 — -0.9 Vdc SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS 小信号特性 Current-Gain-Bandwidth Product 电流增益-带宽乘积 fT (Ic=-10mAdc,VCE=-20Vdc,f=100MHz) Output Capacitance 输出电容 Cobo (VCB=-20.0Vdc,IE=0,f=1.0MHz) 50 —— —— MHz pF 6.0 Page 1 of 4 *2005 年第 2 版* All Rights Reserved 广东肇庆风华新谷微电子有限公司 广东省肇庆市风华路 18 号风华电子工业城三号楼一楼 TEL:0758-2865088 2865091 FAX:0758-2849749 SOT-23 封装外形尺寸（SOT-23 DIMENSION） Page 2 of 4 *2005 年第 2 版* All Rights Reserved