S-8205A/B系列
4节 / 5节电池串联用电池保护IC
www.sii-ic.com
Rev.1.3_00
© Seiko Instruments Inc., 2010-2011
S-8205A/B 系列内置有高精度电压检测电路和延迟电路，可单品监视 4 节或 5 节串联锂离子可充电电池的状态。
S-8205A/B 系列最适合于锂离子可充电电池的过充电、过放电和过电流的保护。
特点
·针对各节电池的高精度电压检测功能
过充电检测电压n (n = 1 ~ 5)
3.55 V ~ 4.40 V*1 (进阶单位为50 mV)
精度 ±25 mV
过充电解除电压n (n = 1 ~ 5)
3.30 V ~ 4.40 V*2
精度 ±50 mV
过放电检测电压n (n = 1 ~ 5)
2.0 V ~ 3.2 V*1 (进阶单位为100 mV)
精度 ±80 mV
过放电解除电压n (n = 1 ~ 5)
2.0 V ~ 3.4 V*3
精度 ±100 mV
·2段的放电过电流检测功能
放电过电流检测电压
0.05 V ~ 0.30 V*4 (进阶单位为50 mV)
精度 ±15 mV
负载短路检测电压
0.50 V ~ 1.0 V*4 (进阶单位为100 mV)
精度 ±100 mV
·充电过电流检测功能
充电过电流检测电压
−0.30 V ~ −0.05 V (进阶单位为50 mV)
精度 ±30 mV
·通过外接电容可设置过充电检测延迟时间、过放电检测延迟时间、放电过电流检测延迟时间、充电过电流检测延迟时
间 (负载短路检测延迟时间为内部固定)
·S-8205A系列 : 4节串联用、S-8205B系列 : 5节串联用
·通过控制充电控制用端子和放电控制用端子可单独控制充/放电
·可以选择 "有" / "无" 休眠功能
·采用耐高压元件
绝对最大额定值 28 V
·宽工作电压范围
2 V ~ 24 V
·宽工作温度范围
Ta = −40°C ~ +85°C
·低消耗电流
工作时
40 µA (最大值) (Ta = +25°C)
休眠时
0.1 µA (最大值) (Ta = +25°C)
·无铅 (Sn 100%)、无卤素*5
*1. 过充电检测电压n (n = 1 ~ 5) 和过放电检测电压n (n = 1 ~ 5) 的电压差不可选择0.6 V以下。
*2. 过充电滞后电压n (n = 1 ~ 5) 为0 V或者在0.1 V ~ 0.4 V的范围内以50 mV为进阶单位来选择。
(过充电滞后电压 = 过充电检测电压−过充电解除电压)
*3. 过放电滞后电压n (n = 1 ~ 5) 为0 V或者在0.2 V ~ 0.7 V的范围内以100 mV为进阶单位来选择。
(过放电滞后电压 = 过放电解除电压−过放电检测电压)
*4. 放电过电流检测电压和负载短路检测电压的电压差不可选择0.3 V以下。
*5. 详情请参阅 " 产品型号的构成"。
用途
·锂离子可充电电池组
封装
· 16-Pin TSSOP
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1
4节 / 5节电池串联用电池保护IC
S-8205A/B系列
Rev.1.3_00
框图
1.
S-8205A系列
控制电路
RVMD
VM
RVMS
延迟电路
VDD
延迟电路
延迟电路
延迟电路
延迟电路
VC1
过充电 1
−
+
过放电 1
+
−
VC2
CO
过充电 2
−
+
过放电 2
+
−
DO
VINI
+
−
放电过电流
+
−
负载短路
+
−
充电过电流
VC3
过充电 3
−
+
过放电 3
+
−
过充电 4
−
+
过放电 4
+
−
VC4
VC5
RCTLC
CTLC
RCTLD
VSS
CTLD
CCT
CIT
CDT
备注
图中所指的二极管为寄生二极管。
图1
2
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S-8205A/B系列
Rev.1.3_00
2.
S-8205B系列
控制电路
RVMD
VM
RVMS
延迟电路
VDD
延迟电路
延迟电路
延迟电路
延迟电路
VC1
过充电 1
−
+
过放电 1
+
−
VC2
CO
过充电 2
−
+
过放电 2
+
−
DO
VINI
+
−
放电过电流
+
−
负载短路
+
−
充电过电流
VC3
过充电 3
−
+
过放电 3
+
−
过充电 4
−
+
过放电 4
+
−
VC4
过充电 5−
+
过放电 5
+
−
RCTLC
VC5
CTLC
RCTLD
VSS
CTLD
CCT
CIT
CDT
备注
图中所指的二极管为寄生二极管。
图2
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3
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S-8205A/B系列
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产品型号的构成
1.
产品名
S-8205
x
xx
−
TCT1
U
环保标记
U : 无铅 (Sn 100%)、无卤素
封装简称和 IC 的包装规格*1
TCT1 : 16-Pin TSSOP、卷带产品
序列号*2
按 AA ~ ZZ 顺序设置
产品系列名
A:4节
B:5节
2.
*1.
请参阅卷带图。
*2.
请参阅 "3. 产品名目录"。
封装
表1
封装名
16-Pin TSSOP
4
封装图纸号码
外形尺寸图
卷带图
带卷图
FT016-A-P-SD
FT016-A-C-SD
FT016-A-R-S1
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S-8205A/B系列
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3.
产品名目录
表2 S-8205A系列 (4节串联用)
过充电 过充电 过放电 过放电
放电过
负载短路 充电过电流 向0 V
休眠 延迟
检测
检测
解除
电流
解除
产品名
检测电压 检测电压
电池
*1
电压
电压
电压
电压
检测电压
功能 时间
［VSHORT］ ［VCIOV］ 充电功能
［VCU］ ［VCL］ ［VDL］ ［VDU］ ［VDIOV］
可能
有
(1)
S-8205AAA-TCT1U
4.225 V 4.125 V 2.30 V 3.00 V
0.15 V
0.50 V
−0.10 V
可能
有
(1)
S-8205AAB-TCT1U
4.225 V 4.075 V 2.30 V 3.00 V
0.20 V
0.50 V
−0.10 V
*1. 延迟时间是通过外接电容来设置的。
放电过电流检测延迟时间 (tDIOV) 和放电过电流解除延迟时间 (tDIOVR) 可通过充电过电流检测延迟时间 (tCIOV) 和充电
过电流解除延迟时间 (tCIOVR)，按如下公式计算。1 [ms] (典型值) 是S-8205A系列内部的延迟时间。
(1) tDIOVR = tDIOV × 10 + 1 [ms] (典型值)、tCIOVR = tCIOV × 10 + 1 [ms] (典型值)
(2) tDIOVR = tDIOV × 0.05 + 1 [ms] (典型值)、tCIOVR = tCIOV × 0.05 + 1 [ms] (典型值)
另外，延迟时间的计算方法请参照 "■ 工作说明" 的 "8. 延迟时间的设定"。
备注
需要上述检测电压值以外的产品时，请向本公司的营业部门咨询。
表3
产品名
S-8205B系列 (5节串联用)
过充电 过充电 过放电 过放电
放电过
负载短路 充电过电流 向0 V
检测
检测
解除
电流
解除
检测电压 检测电压
电池
电压
电压
电压
电压
检测电压
［VSHORT］ ［VCIOV］ 充电功能
［VCU］ ［VCL］ ［VDL］ ［VDU］ ［VDIOV］
休眠
功能
延迟
时间*1
S-8205BAA-TCT1U
4.225 V 4.125 V
2.30 V
3.00 V
0.15 V
0.50 V
−0.10 V
可能
有
(1)
S-8205BAB-TCT1U
4.225 V 4.075 V
2.30 V
3.00 V
0.20 V
0.50 V
−0.10 V
可能
有
(1)
S-8205BAC-TCT1U
4.200 V 4.100 V
2.50 V
3.20 V
0.10 V
0.80 V
−0.10 V
可能
有
(1)
S-8205BAD-TCT1U
4.200 V 4.000 V
2.70 V
3.00 V
0.15 V
1.00 V
−0.10 V
可能
有
(1)
S-8205BAE-TCT1U
4.200 V 4.100 V
2.50 V
3.20 V
0.15 V
0.50 V
−0.10 V
可能
有
(1)
有
(1)
S-8205BAF-TCT1U
4.200 V 4.050 V
2.70 V
3.00 V
0.20 V
0.50 V
−0.20 V
可能
S-8205BAG-TCT1U
4.250 V 4.150 V
2.70 V
3.00 V
0.20 V
0.50 V
−0.20 V
可能
有
(1)
S-8205BAH-TCT1U
4.250 V 4.050 V
2.00 V
2.50 V
0.15 V
0.50 V
−0.10 V
可能
有
(1)
有
(1)
S-8205BAI-TCT1U
4.225 V 4.075 V
2.30 V
3.00 V
0.10 V
0.50 V
−0.05 V
禁止
S-8205BAJ-TCT1U
4.200 V 4.100 V
2.50 V
3.20 V
0.10 V
0.80 V
−0.10 V
可能
有
(2)
S-8205BAK-TCT1U
4.200 V 4.000 V
2.70 V
3.00 V
0.15 V
1.00 V
−0.10 V
可能
有
(2)
S-8205BAL-TCT1U
4.250 V 4.100 V
2.30 V
3.00 V
0.15 V
0.50 V
−0.10 V
可能
无
(2)
S-8205BAP-TCT1U
4.200 V 4.100 V
2.50 V
3.20 V
0.10 V
0.80 V
−0.10 V
可能
无
(2)
0.50 V
−0.15 V
可能
有
(1)
S-8205BAQ-TCT1U
*1.
3.900 V 3.750 V
2.00 V
2.70 V
0.20 V
延迟时间是通过外接电容来设置的。
放电过电流检测延迟时间 (tDIOV) 和放电过电流解除延迟时间 (tDIOVR) 可通过充电过电流检测延迟时间 (tCIOV) 和充电
过电流解除延迟时间 (tCIOVR)，按如下公式计算。1 [ms] (典型值) 是S-8205B系列内部的延迟时间。
(1) tDIOVR = tDIOV × 10 + 1 [ms] (典型值)、tCIOVR = tCIOV × 10 + 1 [ms] (典型值)
(2) tDIOVR = tDIOV × 0.05 + 1 [ms] (典型值)、tCIOVR = tCIOV × 0.05 + 1 [ms] (典型值)
另外，延迟时间的计算方法请参照 "■ 工作说明" 的 "8. 延迟时间的设定"。
备注
需要上述检测电压值以外的产品时，请向本公司的营业部门咨询。
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S-8205A/B系列
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引脚排列图
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
图3
表4
6
引脚号
符号
描述
1
VM
2
CO
3
DO
放电控制用FET门极连接端子 (CMOS输出)
4
VINI
VSS − VINI间的电压检测端子
5
CTLC
充电用FET控制端子
6
CTLD
放电用FET控制端子
7
CCT
过充电检测延迟用的电容连接端子
8
CDT
过放电检测延迟用的电容连接端子
9
CIT
放电过电流检测延迟和充电过电流检测延迟的电容连接端子
10
VSS
负电源输入端子、电池5的负电压连接端子
11
VC5
电池4的负电压、电池5的正电压连接端子
12
VC4
电池3的负电压、电池4的正电压连接端子
13
VC3
电池2的负电压、电池3的正电压连接端子
14
VC2
电池1的负电压、电池2的正电压连接端子
15
VC1
电池1的正电压连接端子
16
VDD
正电源输入端子、电池1的正电压连接端子
VSS − VM间的电压检测端子
充电控制用FET门极连接端子 (P沟道开路漏极输出)
VSS − CO间的电压检测端子
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绝对最大额定值
表5
(除特殊注明以外 : Ta = +25°C)
项目
VDD–VSS间输入电压
VDS
输入端子1电压
VIN1
输入端子2电压
DO输出端子电压
CO输入输出端子电压
容许功耗
工作环境温度
保存温度
VIN2
VDO
VCO
PD
Topr
Tstg
*1.
符号
适用端子
绝对最大额定值
单位
VDD
VC1, VC2, VC3, VC4, VC5,
CTLC, CTLD, CCT, CDT, CIT,
VM, VINI
DO
CO
−
−
−
VSS − 0.3 ~ VSS + 28
V
VSS − 0.3 ~ VDD + 0.3
V
VDD − 28 ~ VDD + 0.3
VSS − 0.3 ~ VDD + 0.3
VDD − 28 ~ VDD + 0.3
1100 *1
−40 ~ +85
−40 ~ +125
V
V
V
mW
°C
°C
基板安装时
[安装基板]
114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm
(2) 名称 :
JEDEC STANDARD51-7
绝对最大额定值是指无论在任何条件下都不能超过的额定值。万一超过此额定值，有可能造成产品劣化等物理
性损伤。
1200
1000
容许功耗 (PD) [mW]
注意
(1) 基板尺寸 :
800
600
400
200
0
0
50
100
150
环境温度 (Ta) [°C]
图4 封装容许功耗 (基板安装时)
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电气特性
表6 (1 / 2)
(除特殊注明以外 : Ta = +25°C)
项目
符号
条件
最小值
典型值
最大值
单位
测定电路
V
2
V
2
V
2
V
2
V
2
V
2
V
2
[检测电压]
过充电检测电压n
(n = 1, 2, 3, 4, 5)
VCUn
V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = VCU − 0.05 V
过充电解除电压n
(n = 1, 2, 3, 4, 5)
VCLn
−
过放电检测电压n
(n = 1, 2, 3, 4, 5)
VDLn
−
过放电解除电压n
(n = 1, 2, 3, 4, 5)
VDUn
−
放电过电流检测电压
VDIOV
−
负载短路检测电压
VSHORT
−
充电过电流检测电压
VCIOV
−
温度系数1
*2
温度系数2
*3
[延迟时间功能]
TCOE1
TCOE2
*1
VCU
− 0.025
VCL
− 0.05
VDL
− 0.08
VDU
− 0.10
VDIOV
− 0.015
VSHORT
− 0.10
VCIOV
− 0.03
VCU
VCL
VDL
VDU
VDIOV
VSHORT
VDIOV
VCU
+ 0.025
VCL
+ 0.05
VDL
+ 0.08
VDU
+ 0.10
VDIOV
+ 0.015
VSHORT
+ 0.10
VCIOV
+ 0.03
Ta = 0°C ~ 50°C
*4
−1.0
0
1.0
mV/°C
−
Ta = 0°C ~ 50°C
*4
−0.5
0
0.5
mV/°C
−
*1
6.15
8.31
10.2
MΩ
3
*1
615
831
1020
kΩ
3
123
166
204
kΩ
3
V
3
V
3
V
3
*5
CCT端子内部电阻
RCCT
CDT端子内部电阻
RCDT
CIT端子内部电阻
RCIT
CCT端子检测电压
VCCT
CDT端子检测电压
VCDT
CIT端子检测电压
VCIT
负载短路检测延迟时间
tSHORT
CTLC端子应答时间
CTLD端子应答时间
V1 = 4.5 V,
V2 = V3 = V4 = V5 = 3.5 V
V1 = 1.5 V,
V2 = V3 = V4 = V5 = 3.5 V
−
V1 = 4.5 V,
VDS
VDS
VDS
× 0.68
× 0.70
× 0.72
VDS
VDS
VDS
× 0.68
× 0.70
× 0.72
VDS
VDS
VDS
× 0.68
× 0.70
× 0.72
−
100
300
600
µs
2
tCTLC
−
−
−
2.5
ms
2
tCTLD
−
−
−
2.5
ms
2
−
0.8
1.5
V
4
0.4
0.7
1.1
V
2
7
10
13
MΩ
5
*1
V2 = V3 = V4 = V5 = 3.5 V
V1 = 1.5 V,
*1
V2 = V3 = V4 = V5 = 3.5 V
V6 = VDIOV + 0.015 V
[向0 V电池充电功能]
开始向0 V电池充电充电器电压
V0CHA
禁止向0 V电池充电电池电压
V0INH
向0 V电池充电功能 "可能"
*1
V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 0 V
向0 V电池充电功能 "禁止"
[内部电阻]
CTLC端子内部电阻
CTLD端子内部电阻
VM − VDD间电阻
VM − VSS间电阻
8
*6
RCTLC
RCTLD
RVMD
RVMS
−
−
*1
V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 1.8 V
−
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7
10
13
MΩ
5
450
900
1800
kΩ
5
250
500
750
kΩ
5
4节 / 5节电池串联用电池保护IC
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表6 (2 / 2)
(除特殊注明以外 : Ta = +25°C)
项目
符号
条件
最小值
典型值
最大值
单位
测定电路
2
−
24
V
−
[输入电压]
VDD − VSS间工作电压
*7
VDSOP
确定DO、CO输出电压
CTLC反转电压
*7
VCTLC
−
2.1
3.0
4.0
V
2
CTLD反转电压
*7
VCTLD
−
2.1
3.0
4.0
V
2
−
20
40
µA
1
[输入电流]
−
IOPE
工作时消耗电流
*6
*1
−
−
0.1
µA
1
VC1端子电流
IVC1
−
0
1.5
3.0
µA
5
VC2端子电流
IVC2
−
−1.0
0
1.0
µA
5
VC3端子电流
IVC3
−
−1.0
0
1.0
µA
5
VC4端子电流
IVC4
−
−1.0
0
1.0
µA
5
VC5端子电流
IVC5
S-8205A系列
−3.0
−1.5
0
µA
5
S-8205B系列
−1.0
0
1.0
µA
5
V13 = 0.5 V
S-8205A系列
V1 = V2 = V3 = V4 = 6 V
S-8205B系列
V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 4.8 V
10
−
−
µA
5
−
−
0.1
µA
5
V14 = 0.5 V
10
−
−
µA
5
休眠时消耗电流
IPDN
V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 1.5 V
[输出电流]
CO端子源极电流
ICOH
CO端子泄露电流
ICOL
DO端子源极电流
IDOH
µA
5
−
−
−10
V15 = 0.5 V
IDOL
因S-8205A系列是4节串联用电池保护IC，所以没有V5。
电压温度系数1表示为过充电检测电压。
电压温度系数2表示为放电过电流检测电压。
并没有在高温以及低温的条件下进行筛选，因此只保证在此温度范围下的设计规格。
有关延迟时间功能的详情请参阅 " 工作说明"。
"有" 休眠功能的产品
当VDD–VSS间工作电压 (VDSOP) 低于CTLC反转电压 (VCTLC) 和CTLD反转电压 (VCTLD) 时，就无法进行检测工作。
DO端子吸收电流
*1.
*2.
*3.
*4.
*5.
*6.
*7.
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4节 / 5节电池串联用电池保护IC
S-8205A/B系列
Rev.1.3_00
测定电路
1. 工作时消耗电流、休眠时消耗电流 (测定电路1)
把S1和S2设置为OFF。
1. 1 工作时消耗电流 (IOPE)
把电压设置为V1 = V2 = V3 = V4 = 3.5 V (S-8205A系列)、V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 3.5 V (S-8205B系列)，把S2
设置为ON后，此时的ISS即为工作时消耗电流 (IOPE)。
1. 2 休眠时消耗电流 (IPDN) ("有" 休眠功能的产品)
把电压设置为V1 = V2 = V3 = V4 = 1.5 V (S-8205A系列)、V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 1.5 V (S-8205B系列)，把S1
设置为ON后，此时的ISS即为休眠时消耗电流 (IPDN)。
2. 过充电检测电压、过充电解除电压、过放电检测电压、过放电解除电压、放电过电流检测电压、负载短路
检测电压、充电过电流检测电压、CTLC反转电压、CTLD反转电压、负载短路检测延迟时间、CTLC端子
应答时间、CTLD端子应答时间 (测定电路2)
把S3设置为OFF。
把电压设置为V1 = V2 = V3 = V4 = 3.5 V (S-8205A系列)、V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 3.5 V (S-8205B系列)、V6 = V7 =
V8 = 0 V后，并确认VCO以及VDO为 "H" (VDS × 0.9 V以上的电压) (以下记载为初始状态1)。
2. 1
过充电检测电压 (VCU1)、过充电解除电压 (VCL1)
从初始状态1开始，把电压设置为V1 = V2 = V3 = V4 = VCU − 0.05 V (S-8205A系列)、V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = VCU
− 0.05 V (S-8205B系列)后，缓慢提升V1的电压，当VCO变为 "L" (VDS × 0.1 V以下的电压) 时，V1的电压即为过充
电检测电压 (VCU1)。随之，把电压设置为V2 = V3 = V4 = 3.5 V (S-8205A系列)、V2 = V3 = V4 = V5 = 3.5 V (S-8205B
系列) 后，缓慢降低V1的电压，当VCO变为 "H" 时，V1的电压即为过充电解除电压 (VCL1)。
2. 2
过放电检测电压 (VDL1)、过放电解除电压 (VDU1)
从初始状态1开始缓慢降低V1的电压，当VDO变为 "L" 时，V1的电压即为过放电检测电压 (VDL1)。随之，缓慢提升
V1的电压，当VDO变为 "H" 时，V1的电压即为过放电解除电压 (VDU1)。
只要改变Vn (n = 2 ~ 4 (S-8205A系列)、n = 2 ~ 5 (S-8205B系列))的电压，与n = 1时相同，可以计算出过充电检测
电压 (VCUn)、过充电解除电压(VCLn)、过放电检测电压 (VDLn) 以及过放电解除电压 (VDUn)。
2. 3
放电过电流检测电压 (VDIOV)
从初始状态1开始缓慢提升V6的电压，当VDO变为 "L" 时，V6即为放电过电流检测电压(VDIOV)。
2. 4
负载短路检测电压 (VSHORT)
从初始状态1开始，将S3设置为ON，并缓慢提升V6电压，当VDO变为 "L" 时，V6即为负载短路检测电压 (VSHORT)。
2. 5
充电过电流检测电压 (VCIOV)
从初始状态1开始缓慢降低V6的电压，当VCO变为 "L" 时，V6即为放电过电流检测电压(VCIOV)。
2. 6
CTLC反转电压 (VCTLC)
从初始状态1开始缓慢提升V7的电压，当VCO变为 "L" 时，V7即为CTLC反转电压 (VCTLC)。
2. 7
CTLD反转电压 (VCTLD)
从初始状态1开始缓慢提升V8的电压，当VDO变为 "L" 时，V8即为CTLD反转电压 (VCTLD)。
10
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2. 8 负载短路检测延迟时间 (tSHORT)
从初始状态1开始，把S3设置为ON，并把V6瞬间变为V6 = 1.5 V后，至VDO变为 "L" 的时间即为负载短路检测延迟
时间 (tSHORT)。
2. 9
CTLC端子应答时间 (tCTLC)
从初始状态1开始，把V7瞬间变为V7 = VDS后，至VCO变为 "L" 的时间即为CTLC端子应答时间 (tCTLC)。
2. 10
CTLD端子应答时间 (tCTLD)
从初始状态1开始，把V8瞬间变为V8 = VDS后，至VDO变为 "L" 的时间即为CTLC端子应答时间 (tCTLD)。
3. CCT端子内部电阻、CDT端子内部电阻、CIT端子内部电阻、CCT端子检测电压、CDT端子检测电压、CIT
端子检测电压 (测定电路3)
把电压设置为V1 = V2 = V3 = V4 = 3.5 V (S-8205A系列)、V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 3.5 V (S-8205B系列)、V6 = V9 =
V10 = V11 = 0 V后，并确认VCO以及VDO为 "H" (以下记载为初始状态)。
3. 1
CCT端子内部电阻 (RCCT)
从初始状态2开始，把V1电压设置为V1 = 4.5 V后，利用此时的ICCT，通过RCCT = VDS / ICCT可求出CCT端子内部电阻
(RCCT)。
3. 2
CDT端子内部电阻 (RCDT)
从初始状态2开始，把V1电压设置为V1 = 1.5 V后，利用此时的ICDT，通过RCDT = VDS / ICDT可求出CDT端子内部电阻
(RCDT)。
3. 3
CIT端子内部电阻 (RCIT)
从初始状态2开始，把V6电压设置为V6 = VDIOV + 0.015 V后，利用此时的ICIT，通过RCIT = VDS / ICIT可求出CIT端子
内部电阻 (RCIT)。
3. 4
CCT端子检测电压 (VCCT)
从初始状态2开始，把V1电压设置为V1 = 4.5 V后，缓慢提升V9的电压，当VCO变为 "L" 时，V9即为CCT端子检测
电压 (VCCT)。
3. 5
CDT端子检测电压 (VCDT)
从初始状态2开始，把V1电压设置为V1 = 1.5 V后，缓慢提升V10的电压，当VDO变为 "L" 时，V10即为CDT端子检测
电压 (VCDT)。
3. 6
CIT端子检测电压 (VCIT)
从初始状态2开始，把V6电压设置为V6 = VDIOV + 0.015 V后，缓慢提升V11的电压，当VDO变为 "L" 时，V11即为
CIT端子检测电压 (VCIT)。
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4. 开始向0 V电池充电充电器电压 (向0 V电池充电功能 "可能" 的产品) (测定电路 4)、禁止向0 V电池充电
电池电压 (向0 V电池充电功能 "禁止" 的产品) (测定电路 2)
4. 1
向0 V电池充电开始充电器电压 (V0CHA) (向0 V电池充电功能为 "可能" 的产品)
把电压设置为V1 = V2 = V3 = V4 = 0 V (S-8205A系列)、V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 0 V (S-8205B系列)、V12 = 0 V
后，缓慢提升V12的电压，当VCO变为0.1 V以上的电压时，V12即为开始向0 V电池充电的充电器电压 (V0CHA)。
4. 2
禁止向0 V电池充电的电池电压 (V0INH) (向0 V电池充电功能为 "禁止" 的产品)
从初始状态1开始，缓慢降低V1的电压，当VCO变为 "L" 时，V1即为禁止向0 V电池充电的电池电压 (V0INH)。
5. CTLC端子内部电阻、CTLD端子内部电阻 (测定电路 3)、VM − VDD间电阻、VM − VSS间电阻、VC1端
子电流、VC2端子电流、VC3端子电流、VC4端子电流、VC5端子电流、CO端子源极电流、CO端子泄露
电流、DO端子源极电流、DO端子吸收电流 (测定电路 5)
把S1、S5、S6和S7设置为OFF，S2和S4设置为ON。
把电压设置为V1 = V2 = V3 = V4 = 3.5 V (S-8205A系列)、V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 3.5 V (S-8205B系列)、V6 = V13
= V14 = V15 = V16 = 0 V。(以下记载为初始状态3)。
5. 1
CTLC端子内部电阻 (RCTLC)
利用初始状态3时的ICTLC，通过RCTLC = VDS / ICTLC可求出CTLC端子内部电阻 (RCTLC)。
5. 2
CTLD端子内部电阻 (RCTLD)
利用初始状态3时的ICTLD，通过RCTLD = VDS / ICTLD可求出CTLD端子内部电阻 (RCTLD)。
5. 3
VM − VDD间电阻 (RVMD) ( "有" 休眠功能的产品)
从初始状态3开始，把电压设置为V1 = V2 = V3 = V4 = 1.8 V (S-8205A系列)、V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 1.8 V
(S-8205B系列) 后，利用此时的IVM，通过RVMD = VDS / IVM可求出VM − VDD间电阻 (RVMD)。
5. 4
VM − VSS间电阻 (RVMS)
从初始状态3开始，把V6的电压设置为V6 = 1.5 V、S2设置为OFF、S1设置为ON后，利用此时的IVM，通过RVMS = VDS
/ IVM可求出VM − VSS间电阻 (RVMS)。
5. 5
VC1端子电流 (IVC1)、VC2端子电流 (IVC2)、VC3端子电流 (IVC3)、VC4端子电流 (IVC4)、VC5端子电流 (IVC5)
在初始状态3时，I1即为VC1端子电流 (IVC1)，I2即为VC2端子电流 (IVC2)，I3即为VC3端子电流 (IVC3)，I4即为VC4端
子电流 (IVC4)，I5即为VC5端子电流 (IVC5)。
5. 6
CO端子源极电流 (ICOH)、CO端子泄露电流 (ICOL)
从初始状态3开始，把V13的电压设置为V13 = 0.5 V后，此时的ICO即为CO端子吸收电流 (ICOH)。随之，把电压设置
为V1 = V2 = V3 = V4 = 6 V (S-8205A系列)、V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 4.8 V (S-8205B系列)、S4设置为OFF、S5
设置为ON后，此时的ICO即为CO端子泄漏电流 (ICOL)。
5. 7
DO端子源极电流 (IDOH)、DO端子吸收电流 (IDOL)
从初始状态3开始，把V14的电压设置为V14 = 0.5 V， S6设置为ON后，此时的IDO即为DO端子源极电流 (IDOH)。
随之，把电压设置为V1 = V2 = V3 = V4 = 1.8 V (S-8205A系列)、V1 = V2 = V3 = V4 = V5 = 1.8 V (S-8205B系列)、
V15 = 0.5 V，S6设置为OFF、S7设置为ON后，此时的IDO即为DO端子吸收电流 (IDOL)。
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S-8205A
S1
1
2
3
4
5
6
7
8
S2
VM
CO
DO
VINI
CTLC
CTLD
CCT
CDT
VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
CIT
S-8205B
S1
16
15
14
13
12
V1
V2
V3
V4
11
10
9
1
2
3
4
5
6
7
8
S2
A
ISS
VM
CO
DO
VINI
CTLC
CTLD
CCT
CDT
VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
CIT
16
15
14
13
12
11
10
9
A
ISS
C1 =
0.1 µF
C1 =
0.1 µF
图5
测定电路1
S-8205A
1
2
3
4
5
6
7
8
R1 = 1 MΩ
VCO
V
VDO
V
V6
V7
VM
CO
DO
VINI
CTLC
CTLD
CCT
CDT
VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
CIT
S-8205B
16
15
14
13
12
V1
V2
V3
V4
11
10
9
V8
1
2
3
4
5
6
7
8
R1 = 1 MΩ
VCO
V
VDO
V
V6
V7
图6
VCO
R1 = 1 MΩ
V
V
VDO
A
V6
ICCT
A
V9
ICDT
V10
VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
CIT
VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
CIT
16
15
14
13
12
V1
V2
V3
V4
V5
11
10
9
C1 =
0.1 µF
S3
测定电路2
S-8205A
VM
CO
DO
VINI
CTLC
CTLD
CCT
CDT
VM
CO
DO
VINI
CTLC
CTLD
CCT
CDT
V8
C1 =
0.1 µF
S3
1
2
3
4
5
6
7
8
V1
V2
V3
V4
V5
S-8205B
16
15
14
13
12
V1
V2
V3
V4
11
10
9
VCO
R1 = 1 MΩ
V
V
VDO
ICIT
V6
A
V11
A
C1 =
0.1 µF
ICCT
A
V9
ICDT
V10
图7
1
2
3
4
5
6
7
8
VM
CO
DO
VINI
CTLC
CTLD
CCT
CDT
VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
CIT
16
15
14
13
12
V1
V2
V3
V4
V5
11
10
9
ICIT
A
V11
C1 =
0.1 µF
测定电路3
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S-8205A
V12
VCO
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V
R1 = 1 MΩ
1
2
3
4
5
6
7
8
VM
CO
DO
VINI
CTLC
CTLD
CCT
CDT
VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
CIT
S-8205B
V12
16
15
14
13
12
VCO
V1
V2
V3
V4
11
10
9
V
R1 = 1 MΩ
1
2
3
4
5
6
7
8
VM
CO
DO
VINI
CTLC
CTLD
CCT
CDT
VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
CIT
16
15
14
13
12
V1
V2
V3
V4
V5
11
10
9
C1 =
0.1 µF
C1 =
0.1 µF
图8
S1
S4
S6
V13 V14
IVM
A
ICO
A
IDO
A
V15
ICTLC
A
V6
S2
A
S5
ICTLD
S7
S1
S-8205A
1
2
3
4
5
6
7
8
VM
CO
DO
VINI
CTLC
CTLD
CCT
CDT
VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
CIT
16
15
14
13
12
11
10
9
I1
I2
I3
I4
I5
A
A
A
A
A
V1
V2
V3
V4
C1 =
0.1 µF
图9
14
测定电路4
S4
S6
V13 V14
IVM
A
ICO
A
IDO
A
V15
ICTLC
A
V6
S2
A
S5
ICTLD
S7
测定电路5
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S-8205B
1
2
3
4
5
6
7
8
VM
CO
DO
VINI
CTLC
CTLD
CCT
CDT
VDD
VC1
VC2
VC3
VC4
VC5
VSS
CIT
16
15
14
13
12
11
10
9
I1
I2
I3
I4
I5
A
A
A
A
A
C1 =
0.1 µF
V1
V2
V3
V4
V5
4节 / 5节电池串联用电池保护IC
S-8205A/B系列
Rev.1.3_00
工作说明
备注
1.
请参阅 " 电池保护IC的连接示例"。
通常状态
S-8205A/B系列的所有电池电压均在过放电检测电压 (VDLn) 与过充电检测电压 (VCUn) 之间。VINI端子电压位于充
电过电流检测电压 (VCIOV) 与放电过电流检测电压 (VDIOV) 之间时，CO端子、DO端子均变为VDD电位。这种状态称
为通常状态。此时，充电用FET以及放电用FET变为ON。
2.
过充电状态
S-8205A/B系列的任意一个电池电压高于VCUn时，CO端子变为高阻抗。这种状态称为过充电状态。此时，CO端子
通过外接电阻下拉为EB−，因此充电用FET变为OFF, 并停止充电。
过充电状态在满足下述2个条件时会被解除。
(1) CO端子电压在1 / 50 × VDS以下，且VCUn以上的电池电压在过充电解除电压 (VCLn) 以下时。
(2) CO端子电压在1 / 50 × VDS以上，且全部电池电压在VCUn以下时。
3.
过放电状态
S-8205A/B系列的任意一个电池电压低于VDLn时，DO端子的电压在VSS电位。这种状态称为过放电状态。此时，放
电用FET变为OFF, 并停止充电。
过放电状态在满足下述2个条件时会被解除。
(1) VM端子电压低于VSS电位，且全部电池电压在VDLn以上时。
(2) VM端子电压在VDS / 5 (典型值) 以下，且VM端子电压高于VSS电位、VDLn以下的电池电压在过放电解除电压
(VDUn) 以上时。
4.
休眠状态 ("有" 休眠功能的产品)
S-8205A/B系列变为过放电状态后，VM端子被VM − VDD端子电阻 (RVMD) 上拉至VDD电位。VM端子电压在VDS / 5
(典型值) 以上，且CO端子的电压在VDS / 5 (典型值) 以上时，几乎所有的电路都停止工作，消耗电流降到休眠时消
耗电流 (IPDN) 以下。这种状态称为休眠状态。
休眠状态在满足下述的条件时被解除。
(1) VM端子电压在VDS / 5 (典型值) 以下时。
(2) CO端子的电压在VDS / 5 (典型值) 以下时。
5.
放电过电流状态
当S-8205A/B系列的放电电流达到所定值以上、且VINI端子电压达到VDIOV以上时，DO端子的电压将变为VSS电位。
这种状态称为放电过电流状态。此时放电控制用FET变为OFF，并停止放电。在放电过电流状态下，CO端子变为高
阻抗。因VM − VSS间的电阻 (RVMS)，VM端子被RVMS下拉至VSS电位。
S-8205A/B系列备有2种放电过电流检测电位 (VDIOV 以及VSHORT)。对负载短路检测电压 (VSHORT) 的操作也与对
VDIOV的操作相同。
放电过电流状态在满足下述的条件时被解除。
(1) VM端子电压在VDS / 10 (典型值) 以下时。
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6.
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充电过电流状态
S-8205A/B系列当充电电流达到所定值以上、且VINI端子电压降到VCIOV以下时，CO端子将变为高阻抗。这种状态称
为充电过电流状态。此时充电控制用FET变为OFF，并停止充电。在充电过电流状态时，DO端子的电压在VSS电位
上。因VM − VDD间的电阻 (RVMD)，VM端子被RVMD上拉至VDD电位。
充电过电流状态在满足下述的条件时被解除。
(1) CO端子电压在1 / 50 × VDS (典型值) 以上时。
7.
向0 V电池充电功能
S-8205A/B系列对自我放电电池 (0 V电池) 的充电，可以从2个功能中选择一个。
(1) 允许向0 V电池充电。
充电器电压高于开始向0 V电池充电电压 (V0CHA) 时，0 V电池被充电。
(2) 禁止向0 V电池充电。
任意一个电池电压低于禁止向0 V电池充电电压 (V0INH) 时，不进行充电。
注意
8.
当VDD端子的电压低于VDD − VSS间的工作电压 (VDSOP) 的最小值时，不保证S-8205A/B系列的工作。
延迟时间的设置
S-8205A/B系列可以从检测到任意一个电池电压或者VINI端子的电压变化开始到向CO端子、DO端子进行输出之间，
设置延迟时间。各种延迟时间由IC内部的电阻与外接电容决定。
在过充电检测状态下，当任意一个电池电压在VCUn以上时，通过CCT端子内部电阻 (RCCT) 可向CCT端子电容 (CCCT)
进行充电。经过一段时间，当CCT端子电压达到CCT端子检测电压 (VCCT) 后，则CO端子变为高阻抗。经过的时间
即为过充电检测延迟时间 (tCU)。
tCU可以通过下列公式算出。(VDS = V1 + V2 + V3 + V4 + V5)
tCU [s] = −In (1 − VCCT / VDS) × CCCT [µF] × RCCT [MΩ] (典型值)
= −In (1 − 0.7 (典型值)) × CCCT [µF] × 8.31 [MΩ] (典型值)
= 10.0 [MΩ] (典型值) × CCCT [µF]
同样，放电过检测延迟时间 (tDL)、放电过电流检测延迟时间 (tDIOV)、充电过电流检测延迟时间 (tCIOV) 可以通过下
列公式算出。
tDL [ms] = −In (1 − VCDT / VDS) × CCDT [µF] × RCDT [kΩ]
tDIOV [ms] = −In (1 − VCIT / VDS) × CCIT [µF] × RCIT [kΩ]
tCIOV [ms] = −In (1 − VCIT / VDS) × CCIT [µF] × RCIT [kΩ]
当CCCT = CCDT = CCIT = 0.1 [µF]时，各延迟时间tCU、tDL、tDIOV、tCIOV可由下列公式算出。
tCU [s] = 10.0 [MΩ] (典型值) × 0.1 [µF] = 1.0 [s] (典型值)
tDL [ms] = 1000 [kΩ] (典型值) × 0.1 [µF] = 100 [ms] (典型值)
tDIOV [ms] = 200 [kΩ] (典型值) × 0.1 [µF] = 20 [ms] (典型值)
tCIOV [ms] = 200 [kΩ] (典型值) × 0.1 [µF] = 20 [ms] (典型值)
负载短路检测延迟时间 (tSHORT) 在内部被固定。
16
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9.
关于CTLC端子以及CTLD端子
S-8205A/B系列备有2个控制端子。
CTLC端子用于控制CO端子、CTLD端子用于控制DO端子。通过CTLC端子以及CTLD端子可以单独控制CO端子与DO
端子。并且，这些控制优先用于电池保护电路。
表7
通过CTLC端子设置的状态
CTLC端子
CO端子
CTLC端子电压 ≥ VCTLC
高阻抗
Open*1
高阻抗
CTLC端子电压 < VCTLC
通常状态*2
*1.
CTLC端子为开路状态时，被RCTLC上拉。
*2.
状态由电压检测电路来控制。
表8
通过CTLD端子设置的状态
CTLD端子
DO端子
CTLD端子电压 ≥ VCTLD
VSS电位
Open
*1
VSS电位
CTLD端子电压 < VCTLD
通常状态*2
*1.
CTLD端子为开路状态时，被RCTLD上拉。
*2.
状态由电压检测电路来控制。
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S-8205A/B系列
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时序图
1.
过充电检测、过放电检测
VCUn
VCLn
电池电压
VDLn
(n = 1 ~ 5)
VDD
DO 端子电压
VSS
VDD
High-Z
CO 端子电压
VEB-
VDD
VM 端子电压 1 / 5 × VDD
VSS
VEB充电器连接
负载连接
过充电检测延迟时间 (tCU)
*1
状态
("有" 休眠功能的产品)
*1
状态
("无" 休眠功能的产品)
*1.
<1>
<2>
<1>
<1>
<2>
<1>
<1> : 通常状态
<2> : 过充电状态
<3> : 过放电状态
<4> : 休眠状态
备注
假设为恒定电流下的充电。VEB-表示充电器的开路电压。
图10
18
过放电检测延迟时间 (tDL)
精工电子有限公司
<3>
<4>
<1>
<3>
<1>
4节 / 5节电池串联用电池保护IC
S-8205A/B系列
Rev.1.3_00
2.
放电过电路检测
VHC
VCUn
VCLn
电池电压
VDUn
VDLn
VHD
(n = 1 ~ 5)
VDD
DO 端子电压
VSS
VDD
High-Z
CO 端子电压
High-Z
VEBVDD
VM 端子电压
VSS
VDD
VSHORT
VINI 端子电压
VDIOV
VSS
负载连接
放电过电流检测延迟时间 (tDIOV)
状态
*1.
*1
<1>
负载短路检测延迟时间 (tSHORT)
<2>
<1>
<2>
<1>
<1> : 通常状态
<2> : 放电过电流状态
备注
假设为恒定电流下的充电。VEB-表示充电器的开路电压。
图11
精工电子有限公司
19
4节 / 5节电池串联用电池保护IC
S-8205A/B系列
3.
Rev.1.3_00
充电过电流检测
VHC
VCUn
VCLn
VHD
电池电压
VDUn
VDLn
(n = 1 ~ 5)
VDD
DO 端子电压
VSS
VDD
High-Z
CO 端子电压
High-Z
VEBVDD
VM 端子电压
VSS
VEBVDD
VINI 端子電圧
VDIOV
VSS
VCIOV
充电器连接
负载连接
*1
状态
("有" 休眠功能的产品)
*1
状态
("无" 休眠功能的产品)
*1.
充电过电流检测延迟时间 (tCIOV)
充电过电流检测延迟时间 (tCIOV)
<4> <3>
<3>
<1>
<2>
<1>
<2>
<1>
<1>
<2>
<1>
<2>
<1>
<1> : 通常状态
<2> : 充电过电流状态
<3> : 过放电状态
<4> : 休眠状态
备注 假设为恒定电流下的充电。VEB-表示充电器的开路电压。
图12
20
精工电子有限公司
4节 / 5节电池串联用电池保护IC
S-8205A/B系列
Rev.1.3_00
电池保护IC的连接示例
1.
S-8205A系列 (4节串联)
EB+
1 VM
VDD 16
2 CO
VC1 15
3 DO
VC2 14
RVDD
CVDD
CVC1
RVM
RDO
VC3 13
S-8205A
5 CTLC
VC4 12
RVINI
RCTLC
RCTLD
CCCT
6 CTLD
VC5 11
7 CCT
VSS 10
8 CDT
CIT 9
CCDT
RVC2
RVC3
CVC2
4 VINI
RVC1
RVC4
CVC3
RVC5
CVC4
CCIT
RCO
EB−
RSENSE
充电用 FET
放电用 FET
图13
2.
S-8205B系列 (5节串联)
EB+
RVM
RDO
1 VM
VDD 16
2 CO
VC1 15
3 DO
VC2 14
4 VINI
VC3 13
RVDD
CVDD
CVC1
CVC2
S-8205B
5 CTLC
VC4 12
RVINI
RCTLC
RCTLD
CCCT
6 CTLD
VC5 11
7 CCT
VSS 10
8 CDT
CIT 9
CCDT
CVC3
CVC4
RVC1
RVC2
RVC3
RVC4
RVC5
CVC5
CCIT
RCO
EB−
RSENSE
充电用 FET
放电用 FET
图14
精工电子有限公司
21
4节 / 5节电池串联用电池保护IC
S-8205A/B系列
Rev.1.3_00
应用电路示例
EB+
RVM
RDO
1 VM
VDD 16
2 CO
VC1 15
3 DO
VC2 14
4 VINI
VC3 13
CVDD
CVC1
CVC2
S-8205B
5 CTLC
VC4 12
RVINI
PTCCTLC
PTCCTLD
CCCT
6 CTLD
VC5 11
7 CCT
VSS 10
8 CDT
CIT 9
CCDT
RCO
EB−
RSENSE
充电用 FET 放电用 FET
图 15 通过 PTC 进行过热保护
【有关PTC的咨询处】
Murata Manufacturing Co., Ltd.
Thermistor Products Department
Nagaokakyo-shi, Kyoto 617-8555 Japan
TEL +81-75-955-6863
Contact Us: http://www.murata.com/contact/index.html
22
RVDD
精工电子有限公司
CVC3
CVC4
CVC5
CCIT
RVC1
RVC2
RVC3
RVC4
RVC5
4节 / 5节电池串联用电池保护IC
S-8205A/B系列
Rev.1.3_00
表9
符号
RVC1
单位
0.47 ~ 1
*1
kΩ
*1
kΩ
RVC2
1
0.47 ~ 1
RVC3
1
0.47 ~ 1*1
kΩ
RVC4
1
0.47 ~ 1
*1
kΩ
RVC5
1
0.47 ~ 1
*1
RDO
5.1
1 ~ 10
kΩ
RCO
1
0.1 ~ 1
MΩ
RVM
5.1
3 ~ 10
kΩ
1
0.1 ~ 1
kΩ
kΩ
RCTLD
1
0.1 ~ 1
kΩ
RVINI
1
0.1 ~ 1
kΩ
−
0~
RSENSE
mΩ
*1
Ω
RVDD
100
43 ~ 100
CVC1
0.1
0.068 ~ 1*1
µF
CVC2
0.1
0.068 ~ 1*1
µF
CVC3
0.1
0.068 ~ 1*1
µF
0.1
0.068 ~ 1
*1
µF
0.068 ~ 1
*1
CVC4
µF
CVC5
0.1
CCCT
0.1
0.01 ~
µF
CCDT
0.1
0.01 ~
µF
CCIT
0.1
0.02 ~
µF
CVDD
1
0 ~ 10*1
µF
*1.
2.
范围
1
RCTLC
注意1.
外接元器件的参数
参数
请将过滤器参数设为RVDD × CVDD = 68 µF • Ω以上，并且RVC1 × CVC1 = RVC2 × CVC2 = RVC3 × CVC3
= RVC4 × CVC4 = RVC5 × CVC5 = RVDD × CVDD。
上述连接例的参数有可能不经预告而作更改。
VDD − VSS间的滤波器参数推荐为100 µF•Ω左右。
例
CVDD × RVDD = 1.0 µF × 100 Ω = 100 µF•Ω
在设定VDD − VSS间的滤波器参数时，请通过实际的应用电路对瞬态电源变动以及过电流保护功能予以充分实测。
如需要将VDD − VSS间的滤波器参数设定在100 µF•Ω 范围以外时，请向本公司的营业部门咨询。
3.
对上述连接示例以外的电路未做操作确认。上述连接示例以及参数并不作为保证电路工作的依据。请在实际的
应用电路上进行充分的实测后再设定参数。
精工电子有限公司
23
4节 / 5节电池串联用电池保护IC
S-8205A/B系列
Rev.1.3_00
注意事项
·请注意输入输出电压、负载电流的使用条件，使IC内的功耗不超过封装的容许功耗。
·电池的连接顺序并无特别要求，连接电池时有可能发生不能放电的情况。在这种情况下，应把VM端子与VSS
端子短路连接，或者连接充电器就可以恢复到通常状态。
·过充电电池和过放电电池同时存在时，变为过充电状态与过放电状态，充电和放电都无法进行。
·本IC虽内置防静电保护电路，但请不要对IC施加超过保护电路性能的过大静电。
·使用本公司的IC生产产品时，如因其产品中对该IC的使用方法或产品的规格、或因进口国等原因使包括本IC产
品在内的制品发生专利纠纷时，本公司概不承担相应责任。
24
精工电子有限公司
4节 / 5节电池串联用电池保护IC
S-8205A/B系列
Rev.1.3_00
各种特性数据 (典型数据)
消耗电流
1. 3
IOPE − VDS
1. 2
IOPE [µA]
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
VDS [V]
25
30
IPDN − VDS
0.10
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
1. 4
IPDN [µA]
IOPE [µA]
1. 1
IPDN [µA]
1.
0
5
10
15
20
VDS [V]
25
30
精工电子有限公司
IOPE − Ta
40
35
30
25
20
15
10
5
0
−40 −25
0
25
Ta [°C]
50
75 85
0
25
Ta [°C]
50
75 85
IPDN − Ta
0.10
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
−40 −25
25
4节 / 5节电池串联用电池保护IC
S-8205A/B系列
过充电检测 / 解除电压、过放电检测 / 解除电压、放电过电流检测电压、负载短路检测电压、充电过电
流检测电压
VDL [V]
2. 3
2. 5
VCU − Ta
4.250
4.245
4.240
4.235
4.230
4.225
4.220
4.215
4.210
4.205
4.200
−40 −25
2. 2
VCL [V]
VCU [V]
2. 1
0
25
Ta [°C]
50
75 85
VDL − Ta
2.380
2.360
2.340
2.320
2.300
2.280
2.260
2.240
2.220
2. 4
VDU [V]
2.
Rev.1.3_00
−40 −25
0
25
Ta [°C]
50
75 85
VDIOV − Ta
2. 6
0.165
0.155
VSHORT [V]
VDIOV [V]
0.160
0.150
0.145
0.140
0.135
−40 −25
2. 7
0
25
Ta [°C]
50
75 85
0
25
Ta [°C]
50
75 85
VCIOV − Ta
−0.070
VCIOV [V]
−0.080
−0.090
−0.100
−0.110
−0.120
−0.130
−40 −25
26
精工电子有限公司
VCL − Ta
4.175
4.165
4.155
4.145
4.135
4.125
4.115
4.105
4.095
4.085
4.075
−40 −25
0
25
Ta [°C]
50
75 85
VDU − Ta
3.100
3.080
3.060
3.040
3.020
3.000
2.980
2.960
2.940
2.920
2.900
−40 −25
0
25
Ta [°C]
50
75 85
0
25
Ta [°C]
50
75 85
VSHORT − Ta
0.600
0.580
0.560
0.540
0.520
0.500
0.480
0.460
0.440
0.420
0.400
−40 −25
4节 / 5节电池串联用电池保护IC
S-8205A/B系列
Rev.1.3_00
3. CCT 端子内部电阻 / 检测电压、CDT 端子内部电阻 / 检测电压、CIT 端子内部电阻 / 检测电压、负载短
路检测延迟时间
3. 1
RCCT − Ta
3. 2
12.0
10.0
VCCT [V]
RCCT [MΩ]
11.0
9.0
8.0
7.0
6.0
−40 −25
3. 3
0
25
Ta [°C]
50
−40 −25
3. 4
1200
1000
VCDT [V]
RCDT [kΩ]
1100
900
800
700
600
3. 5
0
25
Ta [°C]
50
240
200
VCIT [V]
RCIT [kΩ]
220
180
160
140
120
3. 7
0
25
Ta [°C]
50
75 85
0
25
Ta [°C]
50
75 85
25
Ta [°C]
50
75 85
25
Ta [°C]
50
75 85
25
Ta [°C]
50
75 85
11.2
11.1
11.0
10.9
10.8
10.7
10.6
10.5
−40 −25
3. 6
0
VCDT − Ta (VDS = 15.5 V)
75 85
RCIT − Ta
−40 −25
13.3
13.2
13.1
13.0
12.9
12.8
12.7
12.6
75 85
RCDT − Ta
−40 −25
VCCT − Ta (VDS = 18.5 V)
0
VCIT − Ta (VDS = 17.5 V)
12.6
12.5
12.4
12.3
12.2
12.1
12.0
11.9
−40 −25
0
tSHORT − Ta
600.0
tSHORT [µs]
500.0
400.0
300.0
200.0
100.0
−40 −25
精工电子有限公司
27
4节 / 5节电池串联用电池保护IC
S-8205A/B系列
CO端子源极 / 泄漏电流、DO端子源极 / 吸收电流
IDOH [mA]
4. 3
28
ICOH − VCO
14
12
10
8
6
4
2
0
4. 2
0.08
0.06
0.04
0.02
0
5
10
VCO [V]
15
0
20
IDOH − VDO
14
12
10
8
6
4
2
0
ICOL − VCO
0.10
ICOL [µA]
ICOH [mA]
4. 1
4. 4
IDOL [mA]
4.
Rev.1.3_00
0
5
10
VDO [V]
15
20
精工电子有限公司
0
5
10
15
20
VCO [V]
25
30
8
10
IDOL − VDO
0
−1
−2
−3
−4
−5
−6
−7
0
2
4
6
VDO [V]
5.1±0.2
0.65
16
9
1
8
0.17±0.05
0.22±0.08
No. FT016-A-P-SD-1.1
TITLE
TSSOP16-A-PKG Dimensions
No.
FT016-A-P-SD-1.1
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
+0.1
4.0±0.1
ø1.5 -0
0.3±0.05
2.0±0.1
8.0±0.1
1.5±0.1
ø1.6±0.1
(7.2)
4.2±0.2
+0.4
6.5 -0.2
1
16
8
9
Feed direction
No. FT016-A-C-SD-1.1
TITLE
TSSOP16-A-Carrier Tape
FT016-A-C-SD-1.1
No.
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
21.4±1.0
17.4±1.0
+2.0
17.4 -1.5
Enlarged drawing in the central part
ø21±0.8
2±0.5
ø13±0.2
No. FT016-A-R-S1-1.0
TITLE
TSSOP16-A- Reel
No.
FT016-A-R-S1-1.0
SCALE
UNIT
QTY.
4,000
mm
Seiko Instruments Inc.
www.sii-ic.com
•
•
•
•
•
•
本资料内容，随着产品的改进，可能会有未经预告的更改。
本资料所记载的设计图等因第三者的工业所有权而引发之诸问题，本公司不承担其责任。另外，应用电路示例为产品的代
表性应用说明，并非保证批量生产的设计。
本资料所记载产品，如属外汇交易及外国贸易法中规定的限制货物（或劳务）时，基于该法律规定，需得到日本国政府的
出口许可。
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器械及车载器械等对人体产生影响的器械或装置部件使用。
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生的人身事故、火灾事故、社会性损害等，请注意冗长设计、火势蔓延对策设计、防止误工作设计等安全设计。