S-82B1Aシリーズ 充放電制御機能付き 1セル用バッテリー保護IC www.sii-ic.com Rev.1.1_00 © SII Semiconductor Corporation, 2016 Ｓ-82B1Aシリーズは、高精度電圧検出回路と遅延回路を内蔵したリチウムイオン / リチウムポリマー二次電池保護用ICで す。1セルリチウムイオン / リチウムポリマー二次電池パックの過充電、過放電、過電流の保護に最適なICです。 充放電制御信号入力端子を備えており、外部信号による充放電制御が可能です。 特長 ・高精度電圧検出回路 過充電検出電圧 3.5 V ~ 4.6 V (5 mVステップ) *1 過充電解除電圧 3.1 V ~ 4.6 V 過放電検出電圧 2.0 V ~ 3.0 V (10 mVステップ) 精度±20 mV 精度±50 mV *2 精度±50 mV 精度±100 mV 過放電解除電圧 2.0 V ~ 3.4 V 放電過電流検出電圧1 0.010 V ~ 0.100 V (1 mVステップ) 精度±3 mV 放電過電流検出電圧2 0.030 V ~ 0.200 V (1 mVステップ) 精度±5 mV 負荷短絡検出電圧 0.050 V ~ 0.500 V (5 mVステップ) 精度±20 mV 充電過電流検出電圧 −0.100 V ~ −0.010 V (1 mVステップ) 精度±3 mV ・各種検出遅延時間は内蔵回路のみで実現 (外付け容量は不要) ・充放電制御機能 CTL端子の制御論理を選択可能 CTL端子の内部抵抗接続を選択可能 CTL端子の内部抵抗値を選択可能 ・0 V電池への充電機能を選択可能 : アクティブ "H"、アクティブ "L" : プルアップ、プルダウン : 1.0 MΩ、2.0 MΩ、3.0 MΩ、4.0 MΩ、5.0 MΩ : 可能、禁止 ・パワーダウン機能を選択可能 : あり、なし ・放電過電流状態の解除条件を選択可能 ・放電過電流状態の解除電圧を選択可能 ・高耐圧 : 負荷開放、充電器接続 : 放電過電流検出電圧1 (VDIOV1)、 放電過電流解除電圧 (VRIOV) = VDD × 0.8 (typ.) : VM端子およびCO端子 : 絶対最大定格28 V ・広動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C ・低消費電流 動作時 : 2.0 μA typ., 4.0 μA max. (Ta = +25°C) パワーダウン時 : 50 nA max. (Ta = +25°C) 過放電時 : 500 nA max. (Ta = +25°C) ・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー *1. 過充電解除電圧 = 過充電検出電圧 − 過充電ヒステリシス電圧 *2. 過放電解除電圧 = 過放電検出電圧 + 過放電ヒステリシス電圧 (過充電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.4 Vの範囲内にて50 mVステップで選択可能) (過放電ヒステリシス電圧は、0 Vまたは0.1 V ~ 0.7 Vの範囲内にて100 mVステップで選択可能) 用途 ・リチウムイオン二次電池パック ・リチウムポリマー二次電池パック パッケージ ・SNT-6A 1 充放電制御機能付き S-82B1Aシリーズ 1セル用バッテリー保護IC Rev.1.1_00 ブロック図 VDD 過放電検出 コンパレータ DO 過充電検出 コンパレータ VSS 放電過電流検出1 コンパレータ 制御ロジック 放電過電流検出2 コンパレータ 遅延回路 発振回路 負荷短絡検出 コンパレータ 充電過電流検出 コンパレータ VM CTL プルアップ / プルダウン 選択回路 図1 2 CO 充放電制御機能付き Rev.1.1_00 1セル用バッテリー保護IC S-82B1Aシリーズ 品目コードの構成 1. 製品名 S-82B1A xx - I6T1 U 環境コード U : 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー パッケージ略号とICの梱包仕様*1 I6T1 : SNT-6A、テープ品 追番*2 AA ~ ZZまで順次設定 *1. *2. 2. テープ図面を参照してください。 "3. 製品名リスト" を参照してください。 パッケージ 表1 パッケージ名 SNT-6A 3. パッケージ図面コード 外形寸法図面 テープ図面 リール図面 ランド図面 PG006-A-P-SD PG006-A-C-SD PG006-A-R-SD PG006-A-L-SD 製品名リスト 3. 1 SNT-6A 表2 (1 / 2) 製品名 S-82B1AAA-I6T1U S-82B1AAB-I6T1U 過充電 検出電圧 [VCU] 過充電 解除電圧 [VCL] 過放電 検出電圧 [VDL] 過放電 解除電圧 [VDU] 遅延時間の 組み合わせ*1 機能の 組み合わせ*2 4.475 V 4.375 V 4.275 V 4.175 V 2.500 V 2.500 V 2.900 V 2.900 V (1) (2) (1) (2) 表2 (2 / 2) 製品名 放電過電流検出電圧1 [VDIOV1] 放電過電流検出電圧2 [VDIOV2] S-82B1AAA-I6T1U 0.060 V 0.080 V S-82B1AAB-I6T1U 0.050 V − *1. 遅延時間の組み合わせの詳細については、表3を参照してください。 *2. 機能の組み合わせの詳細については、表5を参照してください。 備考 負荷短絡検出電圧 [VSHORT] 充電過電流検出電圧 [VCIOV] 0.200 V 0.100 V −0.040 V −0.050 V 上記検出電圧値以外の製品をご希望の場合は、弊社営業部までお問い合わせください。 3 充放電制御機能付き S-82B1Aシリーズ 1セル用バッテリー保護IC Rev.1.1_00 表3 過充電検出 過放電検出 放電過電流検出 放電過電流検出 負荷短絡検出 充電過電流検出 充放電禁止 遅延時間 遅延時間 遅延時間1 遅延時間2 遅延時間 遅延時間 遅延時間 [tCU] [tDL] [tDIOV1] [tDIOV2] [tSHORT] [tCIOV] [tCTL] (1) 1.0 s 64 ms 4.0 s 32 ms 280 μs 8 ms 32 ms (2) 1.0 s 64 ms 8 ms − 280 μs 8 ms 32 ms 遅延時間の 組み合わせ 備考 下記範囲内で遅延時間の変更も可能です。弊社営業部までお問い合わせください。 表4 遅延時間 記号 選択範囲 備考 過充電検出遅延時間 tCU 256 ms 512 ms 1.0 s − − − 左記から選択 過放電検出遅延時間 tDL 32 ms 64 ms 128 ms 256 ms 4 ms 8 ms 16 ms 32 ms − − 左記から選択 64 ms 128 ms 256 ms 512 ms 1.0 s 2.0 s 4.0 s − 放電過電流検出遅延時間1 tDIOV1 放電過電流検出遅延時間2 tDIOV2 4 ms 8 ms 16 ms 32 ms 64 ms 128 ms 左記から選択 負荷短絡検出遅延時間 tSHORT 280 μs 530 μs − − − − 左記から選択 充電過電流検出遅延時間 tCIOV 4 ms 8 ms 16 ms 32 ms 64 ms 128 ms 左記から選択 充放電禁止遅延時間 tCTL 32 ms 64 ms 128 ms 256 ms − − 左記から選択 左記から選択 表5 CTL端子 機能の 組み合わせ 制御論理*1 内部抵抗接続*2 内部抵抗値*3 0 V電池への 充電機能 パワーダウン *4 機能 *5 放電過電流状態 の解除電圧 (1) アクティブ "H" プルアップ 5.0 MΩ 可能 なし 負荷開放 VRIOV (2) アクティブ "H" プルアップ 5.0 MΩ 可能 あり 負荷開放 VRIOV CTL端子の制御論理をアクティブ "H"、アクティブ "L" から選択可能 *2. CTL端子の内部抵抗接続を "プルアップ"、"プルダウン" から選択可能 *3. CTL端子の内部抵抗値を1.0 MΩ、2.0 MΩ、3.0 MΩ、4.0 MΩ、5.0 MΩから選択可能 *4. 0 V電池への充電機能を "可能"、"禁止" から選択可能 *5. パワーダウン機能を "あり"、"なし" から選択可能 *6. 放電過電流状態の解除条件を "負荷開放"、"充電器接続" から選択可能 *7. 放電過電流状態の解除電圧をVDIOV1、VRIOV = VDD × 0.8 (typ.) から選択可能 4 の解除条件 *6 [RCTL] *1. 備考 放電過電流状態 上記機能の組み合わせ以外の製品をご希望の場合は、弊社営業部までお問い合わせください。 *7 充放電制御機能付き Rev.1.1_00 1セル用バッテリー保護IC S-82B1Aシリーズ ピン配置図 1. SNT-6A 表6 端子番号 Top view 1 2 3 6 5 4 図2 端子記号 1 VM 2 CO 3 DO 4 VSS 端子内容 過電流検出端子 充電制御用FETゲート接続端子 (CMOS出力) 放電制御用FETゲート接続端子 (CMOS出力) 負電源入力端子 5 VDD 正電源入力端子 6 CTL 充放電制御信号入力端子 5 充放電制御機能付き S-82B1Aシリーズ 1セル用バッテリー保護IC Rev.1.1_00 絶対最大定格 表7 (特記なき場合 : Ta = +25°C) 項目 記号 適用端子 絶対最大定格 単位 VSS − 0.3 ~ VSS + 6 V VDD端子 − VSS端子間入力電圧 VDS VDD CTL入力端子電圧 VCTL CTL VDD − 6 ~ VDD + 0.3 V VM入力端子電圧 VVM VM VDD − 28 ~ VDD + 0.3 V DO出力端子電圧 VDO DO VSS − 0.3 ~ VDD + 0.3 V CO出力端子電圧 VCO CO VVM − 0.3 ~ VDD + 0.3 V 許容損失 PD − 400*1 mW 動作周囲温度 Topr − −40 ~ +85 °C 保存温度 Tstg − −55 ~ +125 °C *1. 基板実装時 [実装基板] (1) 基板サイズ : 114.3 mm × 76.2 mm × t1.6 mm (2) 名称 注意 : JEDEC STANDARD51-7 絶対最大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格値を越えると、製品の劣 化などの物理的な損傷を与える可能性があります。 700 許容損失 (PD) [mW] 600 500 400 300 200 100 0 0 50 100 150 周囲温度 (Ta) [°C] 図3 6 パッケージ許容損失 (基板実装時) 充放電制御機能付き Rev.1.1_00 1セル用バッテリー保護IC S-82B1Aシリーズ 電気的特性 1. Ta = +25°C 表8 項目 記号 条件 (特記なき場合 : Ta = +25°C) 測定 Max. 単位 回路 Min. Typ. VCU − 0.020 VCU − 0.025 VCU VCU VCU + 0.020 VCU + 0.025 V V 1 1 VCL − 0.050 VCL VCL + 0.050 V 1 VCL − 0.025 VDL − 0.050 VDU − 0.100 VCL VDL VDU VCL + 0.020 VDL + 0.050 VDU + 0.100 V V V 1 2 2 V V V V V V 2 2 2 2 2 2 検出電圧 過充電検出電圧 VCU 過充電解除電圧 VCL 過放電検出電圧 VDL 過放電解除電圧 VDU 放電過電流検出電圧1 放電過電流検出電圧2 負荷短絡検出電圧 充電過電流検出電圧 放電過電流解除電圧 0 V電池への充電機能 0 V電池充電開始充電器電圧 0 V電池充電禁止電池電圧 内部抵抗 VDD端子 − VM端子間抵抗 VM端子 − VSS端子間抵抗 CTL端子内部抵抗 入力電圧 VDD端子 − VSS端子間 動作電圧 VDD端子 − VM端子間 動作電圧 CTL端子電圧 "H" CTL端子電圧 "L" 入力電流 動作時消費電流 パワーダウン時消費電流 過放電時消費電流 出力抵抗 CO端子抵抗 "H" CO端子抵抗 "L" DO端子抵抗 "H" DO端子抵抗 "L" − Ta = −10°C ~ +60°C VCL ≠ VCU *1 VCL = VCU − VDL ≠ VDU VDL = VDU VDIOV1 VDIOV2 VSHORT VCIOV VRIOV VDD = 3.4 V − − − − V0CHA V0INH 0 V電池への充電機能 "可能" 0 V電池への充電機能 "禁止" RVMD RVMS RCTL VDD = 1.8 V, VVM = 0 V VDD = 3.4 V, VVM = 1.0 V − VDU − 0.050 VDU VDU + 0.050 VDIOV1 − 0.003 VDIOV1 VDIOV1 + 0.003 VDIOV2 − 0.005 VDIOV2 VDIOV2 + 0.005 VSHORT − 0.020 VSHORT VSHORT + 0.020 VCIOV − 0.003 VCIOV VCIOV + 0.003 VDD × 0.77 VDD × 0.8 VDD × 0.83 0.0 0.9 0.7 1.2 1.0 1.5 V V 2 2 500 5 RCTL × 0.5 1000 10 RCTL 2000 15 RCTL × 2.0 kΩ kΩ MΩ 3 3 3 VDSOP1 − 1.5 − 6.0 V − VDSOP2 − 1.5 − 28 V − VCTLH VCTLL − − − VDD × 0.1 − − VDD × 0.9 − V V 2 2 − − − 2.0 − − 4.0 0.05 0.5 μA μA μA 3 3 3 IOPE IPDN IOPED VDD = 3.4 V, VVM = 0 V VDD = VVM = 1.5 V VDD = VVM = 1.5 V RCOH RCOL RDOH − − − 5 5 5 10 10 10 20 20 20 kΩ kΩ kΩ RDOL − 5 10 20 kΩ 4 4 4 4 過充電検出遅延時間 tCU − tCU × 0.7 tCU tCU × 1.3 − 5 過放電検出遅延時間 tDL − tDL × 0.7 tDL tDL × 1.3 − 5 放電過電流検出遅延時間1 tDIOV1 − tDIOV1 × 0.7 tDIOV1 tDIOV1 × 1.3 − 5 放電過電流検出遅延時間2 tDIOV2 − tDIOV2 × 0.7 tDIOV2 tDIOV2 × 1.3 − 5 負荷短絡検出遅延時間 tSHORT − tSHORT × 0.7 tSHORT tSHORT × 1.3 − 5 充電過電流検出遅延時間 tCIOV − tCIOV × 0.7 tCIOV tCIOV × 1.3 − 5 充放電禁止遅延時間 tCTL − tCTL × 0.7 tCTL tCTL × 1.3 − 5 遅延時間 *1. 高温および低温での選別はしておりませんので、この温度範囲での規格は設計保証とします。 7 充放電制御機能付き S-82B1Aシリーズ 2. 1セル用バッテリー保護IC Rev.1.1_00 Ta = −40°C ~ +85°C*1 表9 項目 検出電圧 過充電検出電圧 記号 VCU 過充電解除電圧 VCL 過放電検出電圧 VDL 条件 Min. − VCU − 0.045 VCL − 0.080 VCU VCL VCU + 0.030 VCL + 0.060 V V 1 1 VCL − 0.050 VDL − 0.080 VDU − 0.130 VCL VDL VDU VCL + 0.030 VDL + 0.060 VDU + 0.110 V V V 1 2 2 V V V V V V 2 2 2 2 2 2 VCL ≠ VCU VCL = VCU − VDL ≠ VDU 過放電解除電圧 VDU 放電過電流検出電圧1 放電過電流検出電圧2 負荷短絡検出電圧 充電過電流検出電圧 放電過電流解除電圧 0 V電池への充電機能 0 V電池充電開始充電器電圧 0 V電池充電禁止電池電圧 内部抵抗 VDD端子 − VM端子間抵抗 VM端子 − VSS端子間抵抗 CTL端子内部抵抗 入力電圧 VDD端子 − VSS端子間 動作電圧 VDD端子 − VM端子間 動作電圧 CTL端子電圧 "H" CTL端子電圧 "L" 入力電流 動作時消費電流 パワーダウン時消費電流 過放電時消費電流 出力抵抗 CO端子抵抗 "H" CO端子抵抗 "L" DO端子抵抗 "H" DO端子抵抗 "L" VDIOV1 VDIOV2 VSHORT VCIOV VRIOV VDD = 3.4 V (特記なき場合 : Ta = −40°C ~ +85°C*1) 測定 Typ. Max. 単位 回路 VDL = VDU − − − − V0CHA V0INH 0 V電池への充電機能 "可能" 0 V電池への充電機能 "禁止" RVMD RVMS RCTL VDD = 1.8 V, VVM = 0 V VDD = 3.4 V, VVM = 1.0 V − VDU − 0.080 VDU VDU + 0.060 VDIOV1 − 0.003 VDIOV1 VDIOV1 + 0.003 VDIOV2 − 0.005 VDIOV2 VDIOV2 + 0.005 VSHORT − 0.020 VSHORT VSHORT + 0.020 VCIOV − 0.003 VCIOV VCIOV + 0.003 VDD × 0.77 VDD × 0.8 VDD × 0.83 0.0 0.7 0.7 1.2 1.5 1.7 V V 2 2 250 3.5 RCTL × 0.25 1000 10 RCTL 3000 20 RCTL × 3.0 kΩ kΩ MΩ 3 3 3 VDSOP1 − 1.5 − 6.0 V − VDSOP2 − 1.5 − 28 V − VCTLH VCTLL − − − VDD × 0.05 − − VDD × 0.95 − V V 2 2 − − − 2.0 − − 5.0 0.1 1.0 μA μA μA 3 3 3 IOPE IPDN IOPED VDD = 3.4 V, VVM = 0 V VDD = VVM = 1.5 V VDD = VVM = 1.5 V RCOH RCOL RDOH − − − 2.5 2.5 2.5 10 10 10 30 30 30 kΩ kΩ kΩ RDOL − 2.5 10 30 kΩ 4 4 4 4 過充電検出遅延時間 tCU − tCU × 0.4 tCU tCU × 2.5 − 5 過放電検出遅延時間 tDL − tDL × 0.4 tDL tDL × 2.5 − 5 放電過電流検出遅延時間1 tDIOV1 − tDIOV1 × 0.4 tDIOV1 tDIOV1 × 2.5 − 5 放電過電流検出遅延時間2 tDIOV2 − tDIOV2 × 0.4 tDIOV2 tDIOV2 × 2.5 − 5 負荷短絡検出遅延時間 tSHORT − tSHORT × 0.4 tSHORT tSHORT × 2.5 − 5 充電過電流検出遅延時間 tCIOV − tCIOV × 0.4 tCIOV tCIOV × 2.5 − 5 充放電禁止遅延時間 tCTL − tCTL × 0.4 tCTL tCTL × 2.5 − 5 遅延時間 *1. 8 高温および低温での選別はしておりませんので、この温度範囲での規格は設計保証とします。 充放電制御機能付き Rev.1.1_00 1セル用バッテリー保護IC S-82B1Aシリーズ 測定回路 CTL端子制御論理アクティブ "H" はSW1とSW3をオフ、SW2とSW4をオンに設定してください。CTL端子制御論理ア クティブ "L" はSW1とSW3をオン、SW2とSW4をオフに設定してください。 注意 特に記述していない場合のCO端子の出力電圧 (VCO), DO端子の出力電圧 (VDO) の "H", "L" の判定は、Nch FETのしきい値電圧 (1.0 V) とします。このとき、CO端子はVVM基準、DO端子はVSS基準で判定してください。 1. 過充電検出電圧、過充電解除電圧 (測定回路1) V1 = 3.4 Vに設定した状態からV1を徐々に上げ、VCO = "H" → "L" となるV1の電圧を過充電検出電圧 (VCU) としま す。その後、V1を徐々に下げ、VCO = "L" → "H" となるV1の電圧を過充電解除電圧 (VCL) とします。VCUとVCLと の差を過充電ヒステリシス電圧 (VHC) とします。 2. 過放電検出電圧、過放電解除電圧 (測定回路2) V1 = 3.4 V, V2 = V5 = 0 Vに設定した状態からV1を徐々に下げ、VDO = "H" → "L" となるV1の電圧を過放電検出電 圧 (VDL) とします。その後、V2 = 0.01 V, V5 = 0 Vとし、V1を徐々に上げ、VDO = "L" → "H" となるV1の電圧を過 放電解除電圧 (VDU) とします。VDUとVDLとの差を過放電ヒステリシス電圧 (VHD) とします。 3. 放電過電流検出電圧1、放電過電流解除電圧 (測定回路2) 3. 1 放電過電流状態の解除電圧 "VDIOV1" V1 = 3.4 V, V2 = V5 = 0 Vに設定した状態でV2を上昇させてから、VDO = "H" → "L" となるまでの遅延時間が、 放電過電流検出遅延時間1 (tDIOV1) であるV2の電圧を放電過電流検出電圧1 (VDIOV1) とします。その後、V2 = 3.4 Vに設定し、V2を徐々に下げ、V2 = VDIOV1 typ.以下になるとVDO = "L" → "H" となります。 3. 2 放電過電流状態の解除電圧 "VRIOV" V1 = 3.4 V, V2 = V5 = 0 Vに設定した状態でV2を上昇させてから、VDO = "H" → "L" となるまでの遅延時間が、 tDIOV1であるV2の電圧をVDIOV1とします。その後、V2 = 3.4 Vに設定し、V2を徐々に下げ、VDO = "L" → "H" と なるV2の電圧を放電過電流解除電圧 (VRIOV) とします。 4. 放電過電流検出電圧2 (測定回路2) V1 = 3.4 V, V2 = V5 = 0 Vに設定した状態でV2を上昇させてから、VDO = "H" → "L" となるまでの遅延時間が、放 電過電流検出遅延時間2 (tDIOV2) であるV2の電圧を放電過電流検出電圧2 (VDIOV2) とします。 5. 負荷短絡検出電圧 (測定回路2) V1 = 3.4 V, V2 = V5 = 0 Vに設定した状態でV2を上昇させてから、VDO = "H" → "L" となるまでの遅延時間が、負荷 短絡検出遅延時間 (tSHORT) であるV2の電圧を負荷短絡検出電圧 (VSHORT) とします。 6. 充電過電流検出電圧 (測定回路2) V1 = 3.4 V, V2 = V5 = 0 Vに設定した状態でV2を下降させてから、VCO = "H" → "L" となるまでの遅延時間が、充電 過電流検出遅延時間 (tCIOV) であるV2の電圧を充電過電流検出電圧 (VCIOV) とします。 9 充放電制御機能付き S-82B1Aシリーズ 7. 1セル用バッテリー保護IC Rev.1.1_00 動作時消費電流 (測定回路3) V1 = 3.4 V, V2 = V5 = 0 Vに設定した状態において、VDD端子に流れる電流 (IDD) を動作時消費電流 (IOPE) としま す。ただし、CTL端子の内部抵抗に流れる電流は除きます。 8. パワーダウン時消費電流、過放電時消費電流 (測定回路3) 8. 1 パワーダウン機能 "あり" V1 = V2 = 1.5 V, V5 = 0 Vに設定した状態において、IDDをパワーダウン時消費電流 (IPDN) とします。 8. 2 パワーダウン機能 "なし" V1 = V2 = 1.5 V, V5 = 0 Vに設定した状態において、IDDを過放電時消費電流 (IOPED) とします。 9. VDD端子 − VM端子間抵抗 (測定回路3) V1 = 1.8 V, V2 = V5 = 0 Vに設定した状態において、VDD端子 − VM端子間抵抗をRVMDとします。 10. VM端子 − VSS端子間抵抗 (放電過電流状態の解除条件 "負荷開放") (測定回路3) V1 = 3.4 V, V2 = 1.0 V, V5 = 0 Vに設定した状態において、VM端子 − VSS端子間抵抗をRVMSとします。 11. CTL端子内部抵抗 (測定回路3) 11. 1 CTL端子制御論理アクティブ "H"、CTL端子内部抵抗接続 "プルアップ" V1 = 3.4 V、V2 = V5 = 0 Vに設定した状態において、CTL端子 − VDD端子間抵抗をRCTLとします。 11. 2 CTL端子制御論理アクティブ "H"、CTL端子内部抵抗接続 "プルダウン" V1 = V5 = 3.4 V、V2 = 0 Vに設定した状態において、CTL端子 − VSS端子間抵抗をRCTLとします。 11. 3 CTL端子制御論理アクティブ "L"、CTL端子内部抵抗接続 プルアップ" V1 = V5 = 3.4 V、V2 = 0 Vに設定した状態において、CTL端子 − VDD端子間抵抗をRCTLとします。 11. 4 CTL端子制御論理アクティブ "L"、CTL端子内部抵抗接続 プルダウン" V1 = 3.4 V、V2 = V5 = 0 Vに設定した状態において、CTL端子 − VSS端子間抵抗をRCTLとします。 12. CO端子抵抗 "H" (測定回路4) V1 = 3.4 V, V2 = V5 = 0 V, V3 = 3.0 Vに設定した状態において、VDD端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "H" (RCOH) とします。 13. CO端子抵抗 "L" (測定回路4) V1 = 4.7 V, V2 = V5 = 0 V, V3 = 0.4 Vに設定した状態において、VM端子 − CO端子間抵抗をCO端子抵抗 "L" (RCOL) とします。 10 充放電制御機能付き Rev.1.1_00 14. 1セル用バッテリー保護IC S-82B1Aシリーズ DO端子抵抗 "H" (測定回路4) V1 = 3.4 V, V2 = V5 = 0 V, V4 = 3.0 Vに設定した状態において、VDD端子 − DO端子間抵抗をDO端子抵抗 "H" (RDOH) とします。 15. DO端子抵抗 "L" (測定回路4) V1 = 1.8 V, V2 = V5 = 0 V, V4 = 0.4 Vに設定した状態において、VSS端子 − DO端子間抵抗をDO端子抵抗 "L" (RDOL) とします。 16. CTL端子電圧 "H"、CTL端子電圧 "L" (測定回路2) 16. 1 CTL端子制御論理アクティブ "H" V1 = 3.4, V2 = V5 = 0 Vに設定した状態からV5を徐々に上げ、VCO = "H" → "L" かつVDO = "H" → "L" となる V5の電圧をCTL端子電圧 "H" (VCTLH) とします。その後、V5を徐々に下げ、VCO = "L" → "H" かつVDO = "L" → "H" となるV5の電圧をCTL端子電圧 "L" (VCTLL) とします。 16. 2 CTL端子制御論理アクティブ "L" V1 = 3.4 V, V2 = V5 = 0 Vに設定した状態からV5を徐々に上げ、VCO = "H" → "L" かつVDO = "H" → "L" とな るV5の電圧とV1の電圧の差 (V1 – V5) をCTL端子電圧 "L" (VCTLL) とします。その後、V5を徐々に下げ、 VCO = "L" → "H" かつVDO = "L" → "H" となるV1 – V5をCTL端子電圧 "H" (VCTLH) とします。 17. 過充電検出遅延時間 (測定回路5) V1 = 3.4 V, V2 = V5 = 0 Vに設定した状態からV1を上昇させ、V1がVCUを上回ってからVCO = "L" となるまでの時 間を過充電検出遅延時間 (tCU) とします。 18. 過放電検出遅延時間 (測定回路5) V1 = 3.4 V, V2 = V5 = 0 Vに設定した状態からV1を下降させ、V1がVDLを下回ってからVDO = "L" となるまでの時 間を過放電検出遅延時間 (tDL) とします。 19. 放電過電流検出遅延時間1 (測定回路5) V1 = 3.4 V, V2 = V5 = 0 Vに設定した状態からV2を上昇させ、V2がVDIOV1を上回ってからVDO = "L" となるまでの 時間を放電過電流検出遅延時間1 (tDIOV1) とします。 20. 放電過電流検出遅延時間2 (測定回路5) V1 = 3.4 V, V2 = V5 = 0 Vに設定した状態からV2を上昇させ、V2がVDIOV2を上回ってからVDO = "L" となるまでの 時間を放電過電流検出遅延時間2 (tDIOV2) とします。 21. 負荷短絡検出遅延時間 (測定回路5) V1 = 3.4 V, V2 = V5 = 0 Vに設定した状態からV2を上昇させ、V2がVSHORTを上回ってからVDO = "L" となるまでの 時間を負荷短絡検出遅延時間 (tSHORT) とします。 11 充放電制御機能付き S-82B1Aシリーズ 22. 1セル用バッテリー保護IC Rev.1.1_00 充電過電流検出遅延時間 (測定回路5) V1 = 3.4 V, V2 = V5 = 0 Vに設定した状態からV2を下降させ、V2がVCIOVを下回ってからVCO = "L" となるまでの時 間を充電過電流検出遅延時間 (tCIOV) とします。 23. 充放電禁止遅延時間 (測定回路5) 23. 1 CTL端子制御論理アクティブ "H" V1 = 3.4 V、V2 = V5 = 0 Vに設定した状態からV5を上昇させ、V5がVCTLHを上回ってからVCO = "L" かつVDO = "L" となるまでの時間を充放電禁止遅延時間 (tCTL) とします。 23. 2 CTL端子制御論理アクティブ "L" V1 = 3.4 V、V2 = V5 = 0 Vに設定した状態からV5を上昇させ、V1 − V5がVCTLLを下回ってからVCO = "L" かつ VDO = "L" となるまでの時間を充放電禁止遅延時間 (tCTL) とします。 24. 0 V電池充電開始充電器電圧 (0 V電池への充電機能 "可能") (測定回路2) V1 = V2 = V5 = 0 Vに設定した状態において､V2を徐々に下げ､VCO = "H" (VCO = VDD) となるV2の電圧の絶対値を 0 V電池充電開始充電器電圧 (V0CHA) とします。 25. 0 V電池充電禁止電池電圧 (0 V電池への充電機能 "禁止") (測定回路2) V1 = 1.9 V, V2 = −2.0 V, V5 = 0 Vに設定した状態からV1を徐々に下げ、VCO = "L" (VCO = VVM) となるV1の電圧を 0 V電池充電禁止電池電圧 (V0INH) とします。 12 1セル用バッテリー保護IC S-82B1Aシリーズ 充放電制御機能付き Rev.1.1_00 R1 = 330 Ω SW1 CTL VDD SW2 S-82B1Aシリーズ V1 VSS C1 = 0.1 μF DO S-82B1Aシリーズ V2 V VCO COM 図4 測定回路1 CTL VDD S-82B1Aシリーズ VSS 図5 ICTL SW4 SW1 A V5 SW3 VM DO CO CTL VDD V1 SW2 SW2 S-82B1Aシリーズ VSS VM DO IVM A COM 測定回路2 SW1 V2 CO A IDO A ICO V4 V3 V2 COM 図6 測定回路3 図7 SW4 測定回路4 SW1 CTL VDD V1 SW2 CO V VDO V VCO SW3 VM DO CO COM V1 V5 VSS VM V VDO IDD A VDD V1 SW4 SW1 CTL V5 S-82B1Aシリーズ VSS SW3 VM DO SW2 CO オシロスコープ オシロスコープ V2 COM 図8 測定回路5 13 充放電制御機能付き S-82B1Aシリーズ 1セル用バッテリー保護IC Rev.1.1_00 動作説明 備考 " バッテリー保護ICの接続例" を参照してください。 1. 通常状態 S-82B1Aシリーズは、VDD端子 − VSS端子間に接続された電池電圧やVM端子 − VSS端子間電圧、CTL端子 − VSS端 子間電圧を監視し、充電と放電を制御します。 1. 1 CTL端子制御論理アクティブ "H" 電池電圧が過放電検出電圧 (VDL) 以上かつ過充電検出電圧 (VCU) 以下の範囲内であり、VM端子電圧が充電過電 流検出電圧 (VCIOV) 以上かつ放電過電流検出電圧1 (VDIOV1) 以下の範囲内であり、CTL端子電圧がCTL端子電圧 "L" (VCTLL) 以下の場合、充電制御用FETと放電制御用FETの両方をオンします。この状態を通常状態と言い、充 放電は自由に行えます。 通常状態において、VDD端子 − VM端子間抵抗 (RVMD)、およびVM端子 − VSS端子間抵抗 (RVMS) は接続されてい ません。 1. 2 CTL端子制御論理アクティブ "L" 電池電圧が過放電検出電圧 (VDL) 以上かつ過充電検出電圧 (VCU) 以下の範囲内であり、VM端子電圧が充電過電 流検出電圧 (VCIOV) 以上かつ放電過電流検出電圧1 (VDIOV1) 以下の範囲内であり、CTL端子電圧がCTL端子電圧 "H" (VCTLH) 以上の場合、充電制御用FETと放電制御用FETの両方をオンします。この状態を通常状態と言い、充 放電は自由に行えます。 通常状態において、VDD端子 − VM端子間抵抗 (RVMD)、およびVM端子 − VSS端子間抵抗 (RVMS) は接続されてい ません。 注意 最初に電池を接続する際、放電可能ではない場合があります。この場合、VM端子とVSS端子をショートする か、あるいは充電器を接続することによりVM端子電圧をVCIOV以上かつVDIOV1以下にすると通常状態になりま す。 2. 過充電状態 2. 1 VCL ≠ VCU (過充電解除電圧と過充電検出電圧が異なる製品) 通常状態の電池電圧が充電中にVCUを越え、その状態を過充電検出遅延時間 (tCU) 以上保持した場合、充電制御用 FETをオフし充電を停止させます。この状態を過充電状態と言います。 過充電状態の解除には、以下の2通りの場合があります。 (1) VM端子電圧が0.35 V typ.未満であれば、電池電圧が過充電解除電圧 (VCL) 以下まで下がった場合に過充電状 態を解除します。 (2) VM端子電圧が0.35 V typ.以上であれば、電池電圧がVCU以下まで下がった場合に過充電状態を解除します。 過充電検出後に負荷を接続し放電を開始した場合は、放電電流が充電制御用FETの内部寄生ダイオードを通って流 れるため、VM端子電圧はVSS端子電圧よりも内部寄生ダイオードのVf電圧だけ上昇します。このときのVM端子電 圧が0.35 V typ.以上であれば、電池電圧がVCU以下で過充電状態を解除します。 注意 VCUを越えて充電された電池で、重い負荷を接続しても電池電圧がVCU以下に下がらない場合、電池電圧が VCUを下回るまで、放電過電流検出および負荷短絡検出は機能しません。ただし、実際の電池では内部イン ピーダンスが数十mΩありますので、過電流を発生させるような重い負荷が接続された場合には、電池電圧 はただちに低下するため、放電過電流検出および負荷短絡検出は機能します。 14 充放電制御機能付き Rev.1.1_00 2. 2 1セル用バッテリー保護IC S-82B1Aシリーズ VCL = VCU (過充電解除電圧と過充電検出電圧が同じ製品) 通常状態の電池電圧が充電中にVCUを越え、その状態を過充電検出遅延時間 (tCU) 以上保持した場合、充電制御用 FETをオフし充電を停止させます。この状態を過充電状態と言います。 VM端子電圧が0.35 V typ.以上で、かつ電池電圧がVCU以下まで下がった場合に過充電状態を解除します。 過充電検出後に負荷を接続し放電を開始した場合は、放電電流が充電制御用FETの内部寄生ダイオードを通って流 れるため、VM端子電圧はVSS端子電圧よりも内部寄生ダイオードのVf電圧だけ上昇します。このときのVM端子電 圧が0.35 V typ.以上であれば、電池電圧がVCU以下で過充電状態を解除します。 注意 1. VCUを越えて充電された電池で、重い負荷を接続しても電池電圧がVCU以下に下がらない場合、電池電圧 がVCUを下回るまで、放電過電流検出および負荷短絡検出は機能しません。ただし、実際の電池では内部 インピーダンスが数十mΩありますので、過電流を発生させるような重い負荷が接続された場合には、電 池電圧はただちに低下するため、放電過電流検出および負荷短絡検出は機能します。 2. 過充電検出後に充電器を接続した場合、電池電圧がVCLを下回っても、過充電状態は解除しません。充電 器を開放し、放電電流が流れてVM端子電圧が0.35 V typ.を上回った場合、過充電状態を解除します。 3. 過放電状態 通常状態の電池電圧が放電中にVDLを下回り、その状態を過放電検出遅延時間 (tDL) 以上保持した場合、放電制御用 FETをオフし放電を停止させます。この状態を過放電状態といいます。 過放電状態では、S-82B1Aシリーズ内部でVDD端子 − VM端子間をRVMDによってショートしています。VM端子はRVMD によってプルアップされます。 過放電状態で充電器を接続したときにVM端子電圧が0 V typ.を下回っている場合は、電池電圧がVDL以上で過放電状 態を解除します。 VM端子電圧が0 V typ.を下回っていない場合は、電池電圧が過放電解除電圧 (VDU) 以上で過放電状態を解除します。 過放電状態において、RVMSは接続されていません。 3. 1 パワーダウン機能 "あり" 過放電状態でVDD端子 − VM端子間電圧差が0.8 V typ.以下になると、パワーダウン機能が働き、消費電流をパワー ダウン時消費電流 (IPDN) まで減らします。パワーダウン機能の解除は、充電器を接続し、VM端子電圧が0.7 V typ. 以下になることで行われます。 ・充電器を接続せず、VM端子電圧≧0.7 V typ.の場合は、電池電圧がVDU以上でも過放電状態を維持します。 ・充電器を接続し、0.7 V typ.＞VM端子電圧＞0 V typ.の場合は、電池電圧がVDU以上で過放電状態を解除します。 ・充電器を接続し、0 V typ.≧VM端子電圧の場合は、電池電圧がVDL以上で過放電状態を解除します。 3. 2 パワーダウン機能 "なし" 過放電状態でVDD端子 − VM端子間電圧差が0.8 V typ.以下になっても、パワーダウン機能は働きません。 ・充電器を接続せず、VM端子電圧≧0.7 V typ.の場合は、電池電圧がVDU以上で過放電状態を解除します。 ・充電器を接続し、0.7 V typ.＞VM端子電圧＞0 V typ.の場合は、電池電圧がVDU以上で過放電状態を解除します。 ・充電器を接続し、0 V typ.≧VM端子電圧の場合は、電池電圧がVDL以上で過放電状態を解除します。 15 充放電制御機能付き S-82B1Aシリーズ 4. 1セル用バッテリー保護IC Rev.1.1_00 放電過電流状態 (放電過電流1、放電過電流2、負荷短絡) 通常状態の電池において、放電電流が所定値以上になることによって、VM端子電圧がVDIOV1以上となる状態が放電 過電流検出遅延時間1 (tDIOV1) 以上続いた場合、放電制御用FETをオフし放電を停止させます。この状態を放電過電 流状態と言います。 4. 1 放電過電流状態の解除条件 "負荷開放" かつ放電過電流状態の解除電圧 "VDIOV1" 放電過電流状態では、S-82B1Aシリーズ内部でVM端子 − VSS端子間をRVMSによってショートしています。ただ し、負荷が接続されている間は、VM端子電圧は負荷によってVDD端子電圧となっています。負荷を切り離すと VM端子電圧はVSS端子電圧に戻ります。VM端子電圧がVDIOV1以下に戻れば、放電過電流状態を解除します。 放電過電流状態において、RVMDは接続されていません。 4. 2 放電過電流状態の解除条件 "負荷開放" かつ放電過電流状態の解除電圧 "VRIOV" 放電過電流状態では、S-82B1Aシリーズ内部でVM端子 − VSS端子間をRVMSによってショートしています。ただ し、負荷が接続されている間は、VM端子電圧は負荷によってVDD端子電圧となっています。負荷を切り離すと VM端子電圧はVSS端子電圧に戻ります。VM端子電圧がVRIOV以下に戻れば、放電過電流状態を解除します。 放電過電流状態において、RVMDは接続されていません。 4. 3 放電過電流状態の解除条件 "充電器接続" 放電過電流状態では、S-82B1Aシリーズ内部でVDD端子 − VM端子間をRVMDによってショートしています。 充電器を接続し、VM端子電圧がVDIOV1以下に戻れば、放電過電流状態を解除します。 放電過電流状態において、RVMSは接続されていません。 5. 充電過電流状態 通常状態の電池において、充電電流が所定値以上になることによって、VM端子電圧がVCIOV以下となる状態が充電過 電流検出遅延時間 (tCIOV) 以上続いた場合、充電制御用FETをオフし充電を停止させます。この状態を充電過電流状 態と言います。 充電器を開放し、放電電流が流れてVM端子電圧が0.35 V typ.以上になると、充電過電流状態を解除します。 過放電状態においては、充電過電流検出は機能しません。 6. 充放電禁止状態 6. 1 CTL端子制御論理アクティブ "H" CTL端子電圧がCTL端子電圧 "H" (VCTLH) 以上となる状態が充放電禁止遅延時間 (tCTL) 以上続いた場合、充電 制御用FETと放電制御用FETの両方をオフし充放電を停止させます。 この状態を充放電禁止状態と言います。 CTL端子電圧がCTL端子電圧 "L" (VCTLL) 以下になると充放電禁止状態を解除します。 6. 2 CTL端子制御論理アクティブ "L" CTL端子電圧がCTL端子電圧 "L" (VCTLL) 以下となる状態が充放電禁止遅延時間 (tCTL) 以上続いた場合、充電制 御用FETと放電制御用FETの両方をオフし充放電を停止させます。 この状態を充放電禁止状態と言います。 CTL端子電圧がCTL端子電圧 "H" (VCTLH) 以上になると充放電禁止状態を解除します。 放電過電流状態中に充放電禁止状態にした場合、充放電禁止状態を解除すると通常状態に戻ります。 CTL端子はS-82B1Aシリーズ内部でCTL端子内部抵抗 (RCTL) によってVDD端子またはVSS端子にショートしていま す。RCTLは過放電状態になると切断され、CTL端子の入出力電流を遮断します。 過放電状態においては、CTL端子による充放電制御は機能しません。 16 1セル用バッテリー保護IC S-82B1Aシリーズ 充放電制御機能付き Rev.1.1_00 7. 0 V電池への充電機能 "可能" 接続された電池電圧が、自己放電により0 Vになった状態から充電を可能とする機能です。0 V電池充電開始充電器電 圧 (V0CHA) 以上の電圧の充電器をEB+端子とEB−端子間に接続すると、充電制御用FETのゲートをVDD端子電圧に固 定します。充電器電圧によって充電制御用FETのゲートソース間電圧がしきい値電圧以上になると、充電制御用FET がオンし充電が開始されます。このとき放電制御用FETはオフしており､充電電流は放電制御用FETの内部寄生ダイ オードを通って流れます。電池電圧がVDL以上になると通常状態になります。 注意 1. 完全放電された電池を再度充電することを推奨しないリチウムイオン二次電池もあります。使用するリチ ウムイオン二次電池の特性に依存しますので、0 V電池への充電機能 "可能"、"禁止" を決定する際は、詳 細を電池メーカーに確認してください。 2. 0 V電池への充電機能は、充電過電流検出機能に対して優先されます。したがって、0 V電池への充電機能 "可能" の製品は、電池電圧がVDLよりも低い間は強制的に充電可能となってしまい、充電過電流を検出す ることができません。 8. 0 V電池への充電機能 "禁止" 内部ショートの電池 (0 V電池) が接続された場合に、充電を禁止する機能です。電池電圧が0 V電池充電禁止電池電 圧 (V0INH) 以下のときは、充電制御用FETのゲートをEB−端子電圧に固定し、充電を禁止します。電池電圧がV0INH 以上の場合は、充電を行うことができます。 注意 完全放電された電池を再度充電することを推奨しないリチウムイオン二次電池もあります。使用するリチウ ムイオン二次電池の特性に依存しますので、0 V電池への充電機能 "可能"、"禁止" を決定する際は、詳細を 電池メーカーに確認してください。 9. 遅延回路 各種検出遅延時間は、約4 kHzのクロックをカウンターで分周して算出しています。 備考 tDIOV1, tDIOV2, tSHORTの開始は、VDIOV1を検出した時です。したがって、VDIOV1を検出してからtDIOV2, tSHORTを越 えてVDIOV2, VSHORTを検出した場合、それぞれ検出した時点から、tDIOV2, tSHORT以内に放電制御用FETをオフ します。 VDD DO端子電圧 tD VSS 0≦tD≦tSHORT Time tSHORT VDD VSHORT VM端子電圧 VDIOV1 VSS Time 図9 17 充放電制御機能付き S-82B1Aシリーズ 1セル用バッテリー保護IC Rev.1.1_00 タイミングチャート 1. 過充電検出、過放電検出 VCU VCL (VCU − VHC) 電池電圧 VDU (VDL + VHD) VDL VDD DO端子電圧 VSS VDD CO端子電圧 VSS VEB− VDD VM端子電圧 0.35 V typ. VSS VCIOV VEB− 充電器接続 負荷接続 状態 *1 過充電検出遅延時間 (tCU) 過放電検出遅延時間 (tDL) (1) (1) (2) *1. (1) : 通常状態 (2) : 過充電状態 (3) : 過放電状態 備考 定電流での充電を想定しています。 図10 18 (3) (1) 充放電制御機能付き Rev.1.1_00 2. 1セル用バッテリー保護IC S-82B1Aシリーズ 放電過電流検出 2. 1 放電過電流状態の解除条件 "負荷開放" VCU VCL (VCU − VHC) 電池電圧 VDU (VDL + VHD) VDL VDD DO端子電圧 VSS VDD CO端子電圧 VSS VM端子電圧 VDD VRIOV VSHORT VDIOV2 VDIOV1 VSS 負荷接続 放電過電流検出遅延時間1 (tDIOV1) 状態 *1 (1) (2) 放電過電流検出遅延時間2 (tDIOV2) 負荷短絡検出遅延時間 (tSHORT) (1) (2) (1) (2) (1) *1. (1) : 通常状態 (2) : 放電過電流状態 備考 定電流での充電を想定しています。 図11 19 充放電制御機能付き S-82B1Aシリーズ 2. 2 1セル用バッテリー保護IC Rev.1.1_00 放電過電流状態の解除条件 "充電器接続" VCU VCL (VCU − VHC) 電池電圧 VDU (VDL + VHD) VDL VDD DO端子電圧 VSS VDD CO端子電圧 VSS VDD VM端子電圧 VSHORT VDIOV2 VDIOV1 VSS VCIOV VEB- 充電器接続 負荷接続 放電過電流検出遅延時間1 (tDIOV1) 状態 *1 (1) (2) 放電過電流検出遅延時間 2 (tDIOV2) (1) (2) *1. (1) : 通常状態 (2) : 放電過電流状態 備考 定電流での充電を想定しています。 図12 20 負荷短絡検出遅延時間 (tSHORT) (1) (2) (1) 充放電制御機能付き Rev.1.1_00 3. 1セル用バッテリー保護IC S-82B1Aシリーズ 充電過電流検出 VCU VCL (VCU − VHC) 電池電圧 VDU (VDL + VHD) VDL VDD DO端子電圧 VSS VDD CO端子電圧 VSS VEB− VDD VM端子電圧 0.35 V typ. VDIOV1 VSS VCIOV VEB− 充電器接続 負荷接続 状態 *1 充電過電流検出遅延時間 (tCIOV) (2) (1) 過放電検出遅延時間 (tDL) 充電過電流検出遅延時間 (tCIOV) (1) (3) (1) (2) *1. (1) : 通常状態 (2) : 充電過電流状態 (3) : 過放電状態 備考 定電流での充電を想定しています。 図13 21 充放電制御機能付き S-82B1Aシリーズ 4. 1セル用バッテリー保護IC Rev.1.1_00 充放電禁止動作 VCU VCL (VCU − VHC) 電池電圧 VDU (VDL + VHD) VDL VDD DO端子電圧 VSS VDD CO端子電圧 VSS VEB− VDD VM端子電圧 VDIOV1 VSS VCIOV VEB− VDD VCTLH CTL端子電圧 (アクティブ "H") VCTLL VSS VDD VCTLH CTL端子電圧 (アクティブ "L") VCTLL VSS 充電器接続 負荷接続 充放電禁止遅延時間 (tCTL) 状態 *1 (1) (2) 過放電検出遅延時間 (tDL) (1) *1. (1) : 通常状態 (2) : 充放電禁止状態 (3) : 過放電状態 備考 定電流での充電を想定しています。 図14 22 (3) 充放電禁止遅延時間 (tCTL) (1) (2) 充放電制御機能付き Rev.1.1_00 1セル用バッテリー保護IC S-82B1Aシリーズ バッテリー保護ICの接続例 EB+ R1 電池 VDD CTL C1 R3 外部入力 S-82B1Aシリーズ VSS DO CO FET1 VM R2 FET2 EB− 図15 表10 記号 FET1 FET2 部品 Nch MOS FET Nch MOS FET R1 抵抗 C1 容量 R2 抵抗 R3 抵抗 外付け部品定数 Min. Typ. Max. 放電制御 − − − しきい値電圧≦過放電検出電圧 *1 充電制御 − − − しきい値電圧≦過放電検出電圧 *1 270 Ω 330 Ω 1 kΩ 目的 ESD対策、 電源変動対策 電源変動対策 ESD対策、 充電器逆接続対策 CTL端子入力保護 0.068 μF 0.1 μF 1.0 μF 備考 VDIOV1≦30 mV、VCIOV≧−30 mVに設定する 場合は注意が必要です。 *2 VDIOV1≦30 mV、VCIOV≧−30 mVに設定する 場合は注意が必要です。 300 Ω 1 kΩ 1.5 kΩ − − 1 kΩ − − *2 *1. しきい値電圧が過放電検出電圧以上のFETを用いた場合、過放電検出する前に放電を止めてしまう場合があります。 *2. 電源変動対策のため、VDIOV1≦30 mV、VCIOV≧−30 mVに設定する場合は、R1 × C1≧100 μF • Ωとなるように設定し てください。 注意 1. 2. 上記定数は予告なく変更することがあります。 上記接続例以外の回路においては、動作確認されていません。また、上記接続例および定数は、動作を保証する ものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定数を設定してください。 23 充放電制御機能付き S-82B1Aシリーズ 1セル用バッテリー保護IC Rev.1.1_00 注意事項 ・IC内での損失がパッケージの許容損失を越えないように、入出力電圧、負荷電流の使用条件に注意してください。 ・本ICは静電気に対する保護回路が内蔵されていますが、保護回路の性能を越える過大静電気がICに印加されないよう にしてください。 ・弊社ICを使用して製品を作る場合には、その製品での当ICの使い方や製品の仕様また、出荷先の国などによって当IC を含めた製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。 24 1セル用バッテリー保護IC S-82B1Aシリーズ 充放電制御機能付き Rev.1.1_00 諸特性データ (Typicalデータ) 消費電流 IOPE − Ta IPDN − Ta 1. 2 5.0 0.100 4.0 0.075 IPDN [μA] IOPE [μA] 1. 1 3.0 2.0 1.0 0.0 −40 −25 0 25 Ta [°C] 50 75 85 0 25 Ta [°C] 50 75 85 0.050 0.025 0.000 −40 −25 0 25 Ta [°C] 50 75 85 IOPED − Ta 1. 3 IOPED [μA] 1.00 0.75 0.50 0.25 0.00 −40 −25 IOPE − VDD 1. 4. 1 パワーダウン機能 "あり" 1. 4. 2 5.0 5.0 4.0 4.0 IOPE [A] 1. 4 IOPE [A] 1. 3.0 2.0 1.0 パワーダウン機能 "なし" 3.0 2.0 1.0 0.0 0.0 0 1 2 3 VDD [V] 4 5 6 0 1 2 3 VDD [V] 4 5 6 25 充放電制御機能付き S-82B1Aシリーズ Rev.1.1_00 検出電圧 VCU − Ta VCU [V] 2. 1 2. 2 VCL − Ta 4.52 4.34 4.50 4.31 4.48 4.28 VCL [V] 2. 1セル用バッテリー保護IC 4.46 4.44 4.42 4.22 −40 −25 0 25 Ta [°C] 50 4.19 75 85 VDL − Ta 2. 4 2.56 3.01 2.52 2.95 2.48 2.44 2.40 VDIOV2 [V] 2. 7 26 −40 −25 0 25 Ta [°C] 50 25 Ta [°C] 50 75 85 0 25 Ta [°C] 50 75 85 0 25 Ta [°C] 50 75 85 0 25 Ta [°C] 50 75 85 2.89 2.77 75 85 VDIOV1 − VDD 2. 6 0.062 0.062 VDIOV1 [V] 0.064 0.060 0.058 2.4 2.8 3.2 3.6 VDD [V] 4.0 0.060 0.058 0.056 4.4 VDIOV2 − VDD 2. 8 0.090 0.085 0.085 0.080 0.075 0.075 0.070 0.070 2.4 2.8 3.2 3.6 VDD [V] 4.0 4.4 −40 −25 VDIOV2 − Ta 0.090 0.080 −40 −25 VDIOV1 − Ta 0.064 0.056 0 2.83 VDIOV2 [V] VDIOV1 [V] 2. 5 −40 −25 VDU − Ta VDU [V] VDL [V] 2. 3 4.25 −40 −25 充放電制御機能付き Rev.1.1_00 VSHORT − VDD 0.22 0.22 0.21 0.21 0.20 0.19 0.18 2.4 2.8 3.2 3.6 VDD [V] 4.0 VCIOV − VDD 0.20 0.19 0.18 4.4 2. 12 −40 −25 −0.036 −0.038 −0.038 −0.040 −0.042 −0.044 2.4 2.8 3.2 3.6 VDD [V] 4.0 4.4 0 25 Ta [°C] 50 75 85 0 25 Ta [°C] 50 75 85 VCIOV − Ta −0.036 VCIOV [V] VCIOV [V] 2. 11 VSHORT − Ta 2. 10 VSHORT [V] VSHORT [V] 2. 9 1セル用バッテリー保護IC S-82B1Aシリーズ −0.040 −0.042 −0.044 −40 −25 27 充放電制御機能付き S-82B1Aシリーズ Rev.1.1_00 遅延時間 tCU [s] 3. 1 tCU − Ta 3. 2 tDL − Ta 2.5 160 2.0 120 tDL [ms] 3. 1セル用バッテリー保護IC 1.5 1.0 80 40 0.5 0.0 0 0 25 Ta [C] 50 75 85 tDIOV1 − VDD 3. 4 10.0 10.0 8.0 8.0 6.0 4.0 2.0 0.0 3. 7 2.4 2.8 3.2 3.6 VDD [V] 4.0 3. 6 75 85 0 25 Ta [°C] 50 75 85 0 25 Ta [°C] 50 75 85 0 25 Ta [°C] 50 75 85 4.0 80 80 60 60 40 20 2.4 2.8 3.2 3.6 VDD [V] 4.0 tSHORT − VDD 3. 8 −40 −25 40 20 0 4.4 −40 −25 tSHORT − Ta 700 tSHORT [μs] tSHORT [s] 50 tDIOV2 − Ta 700 500 300 100 2.4 28 25 Ta [C] 6.0 0.0 4.4 tDIOV2 − VDD 0 0 2.0 tDIOV2 [ms] tDIOV2 [ms] 3. 5 40 25 tDIOV1 − Ta tDIOV1 [s] tDIOV1 [s] 3. 3 40 25 2.8 3.2 3.6 VDD [V] 4.0 4.4 500 300 100 −40 −25 充放電制御機能付き Rev.1.1_00 tCIOV − VDD 20 20 15 15 10 5 0 3.2 3.6 VDD [V] 4.0 5 0 4.4 80 60 60 40 20 2.4 2.8 3.2 3.6 VDD [V] 4.0 −40 −25 0 25 Ta [°C] 50 75 85 tCTL − Ta 3. 12 tCTL [ms] tCTL [ms] 2.8 10 80 0 40 20 0 4.4 −40 −25 0 25 Ta [°C] 50 75 85 出力抵抗 RCOH − VCO 4. 2 RCOL − VCO 30 30 25 25 20 20 RCOL [kΩ] RCOH [kΩ] 4. 1 15 10 5 0 15 10 5 0 1 2 3 VCO [V] 4 0 5 RDOH − VDO 4. 4 30 30 25 25 20 20 15 10 5 0 0 1 2 3 VCO [V] 4 5 1 2 3 VDO [V] 4 5 RDOL − VDO RDOL [kΩ] 4. 3 RDOH [kΩ] 4. 2.4 tCTL − VDD 3. 11 tCIOV − Ta 3. 10 tCIOV [ms] tCIOV [ms] 3. 9 1セル用バッテリー保護IC S-82B1Aシリーズ 15 10 5 0 1 2 3 VDO [V] 4 5 0 0 29 1セル用バッテリー保護IC 充放電制御機能付き S-82B1Aシリーズ Rev.1.1_00 マーキング仕様 1. SNT-6A Top view 6 5 4 (1) ~ (3) : 製品略号 (製品名と製品略号の対照表を参照) (4) ~ (6) : ロットナンバー (1) (2) (3) (4) (5) (6) 1 2 3 製品名と製品略号の対照表 (1) 製品略号 (2) (3) S-82B1AAA-I6T1U 6 D A S-82B1AAB-I6T1U 6 D B 製品名 30 1.57±0.03 6 1 5 4 2 3 +0.05 0.08 -0.02 0.5 0.48±0.02 0.2±0.05 No. PG006-A-P-SD-2.1 TITLE SNT-6A-A-PKG Dimensions No. PG006-A-P-SD-2.1 ANGLE UNIT mm SII Semiconductor Corporation +0.1 ø1.5 -0 4.0±0.1 2.0±0.05 0.25±0.05 +0.1 1.85±0.05 5° ø0.5 -0 4.0±0.1 0.65±0.05 3 2 1 4 5 6 Feed direction No. PG006-A-C-SD-1.0 TITLE SNT-6A-A-Carrier Tape No. PG006-A-C-SD-1.0 ANGLE UNIT mm SII Semiconductor Corporation 12.5max. 9.0±0.3 Enlarged drawing in the central part ø13±0.2 (60°) (60°) No. PG006-A-R-SD-1.0 SNT-6A-A-Reel TITLE No. PG006-A-R-SD-1.0 ANGLE QTY. UNIT 5,000 mm SII Semiconductor Corporation 0.52 1.36 2 0.52 0.2 0.3 1. 2. 1 (0.25 mm min. / 0.30 mm typ.) (1.30 mm ~ 1.40 mm) 0.03 mm SNT 1. Pay attention to the land pattern width (0.25 mm min. / 0.30 mm typ.). 2. Do not widen the land pattern to the center of the package ( 1.30 mm ~ 1.40 mm ). Caution 1. Do not do silkscreen printing and solder printing under the mold resin of the package. 2. The thickness of the solder resist on the wire pattern under the package should be 0.03 mm or less from the land pattern surface. 3. Match the mask aperture size and aperture position with the land pattern. 4. Refer to "SNT Package User's Guide" for details. 1. 2. (0.25 mm min. / 0.30 mm typ.) (1.30 mm ~ 1.40 mm) No. PG006-A-L-SD-4.1 TITLE SNT-6A-A -Land Recommendation No. PG006-A-L-SD-4.1 ANGLE UNIT mm SII Semiconductor Corporation 免責事項 (取り扱い上の注意) 1. 本資料に記載のすべての情報 (製品データ、仕様、図、表、プログラム、アルゴリズム、応用回路例等) は本資料発 行時点のものであり、予告なく変更することがあります。 2. 本資料に記載の回路例、使用方法は参考情報であり、量産設計を保証するものではありません。 本資料に記載の情報を使用したことによる、製品に起因しない損害や第三者の知的財産権等の権利に対する侵害に関 し、弊社はその責任を負いません。 3. 本資料に記載の内容に記述の誤りがあり、それに起因する損害が生じた場合において、弊社はその責任を負いません。 4. 本資料に記載の範囲内の条件、特に絶対最大定格、動作電圧範囲、電気的特性等に注意して製品を使用してください。 本資料に記載の範囲外の条件での使用による故障や事故等に関する損害等について、弊社はその責任を負いません。 5. 本資料に記載の製品の使用にあたっては、用途および使用する地域、国に対応する法規制、および用途への適合性、 安全性等を確認、試験してください。 6. 本資料に記載の製品を輸出する場合は、外国為替および外国貿易法、その他輸出関連法令を遵守し、関連する必要な 手続きを行ってください。 7. 本資料に記載の製品を大量破壊兵器の開発や軍事利用の目的で使用および、提供 (輸出) することは固くお断りしま す。核兵器、生物兵器、化学兵器およびミサイルの開発、製造、使用もしくは貯蔵、またはその他の軍事用途を目的 とする者へ提供 (輸出) した場合、弊社はその責任を負いません。 8. 本資料に記載の製品は、身体、生命および財産に損害を及ぼすおそれのある機器または装置の部品 (医療機器、防災 機器、防犯機器、燃焼制御機器、インフラ制御機器、車両機器、交通機器、車載機器、航空機器、宇宙機器、および 原子力機器等) として設計されたものではありません。ただし、弊社が車載用等の用途を指定する場合を除きます。 弊社の書面による許可なくして使用しないでください。 特に、生命維持装置、人体に埋め込んで使用する機器等、直接人命に影響を与える機器には使用できません。 これらの用途への利用を検討の際には、必ず事前に弊社営業部にご相談ください。 また、弊社指定の用途以外に使用されたことにより発生した損害等について、弊社はその責任を負いません。 9. 半導体製品はある確率で故障、誤動作する場合があります。 弊社製品の故障や誤動作が生じた場合でも人身事故、火災、社会的損害等発生しないように、お客様の責任において 冗長設計、延焼対策、誤動作防止等の安全設計をしてください。 また、システム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。 10. 本資料に記載の製品は、耐放射線設計しておりません。お客様の用途に応じて、お客様の製品設計において放射線対 策を行ってください。 11. 本資料に記載の製品は、通常使用における健康への影響はありませんが、化学物質、重金属を含有しているため、口 中には入れないようにしてください。また、ウエハ、チップの破断面は鋭利な場合がありますので、素手で接触の際 は怪我等に注意してください。 12. 本資料に記載の製品を廃棄する場合には、使用する地域、国に対応する法令を遵守し、適切に処理してください。 13. 本資料は、弊社の著作権、ノウハウに係わる内容も含まれております。 本資料中の記載内容について、弊社または第三者の知的財産権、その他の権利の実施、使用を許諾または保証するも のではありません。これら著作物の一部を弊社の許可なく転載、複製し、第三者に開示することは固くお断りします。 14. 本資料の内容の詳細については、弊社営業部までお問い合わせください。 1.0-2016.01 www.sii-ic.com