SANYO 2SK2632LS

注文コード No. N 5 5 3 1 B
2SK2632LS
No. N 5 5 3 1 B
N2000
新
半導体ニューズ No.N5531A とさしかえてください。
2SK2632LS
特長
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・低オン抵抗。
・低 Qg 化。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
VDSS
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流(DC)
VGSS
ID
ドレイン電流(パルス)
許容損失
IDP
PD
800
unit
V
± 30
2.5
V
A
PW ≦ 1µs, duty cycle ≦ 1%
7.5
2.0
A
W
Tc=25℃
W
℃
チャネル温度
Tch
25
150
保存周囲温度
Tstg
− 55 ∼+ 150
℃
min
800
max
unit
V
1.0
± 100
mA
nA
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0
ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS
VDS=800V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
IGSS
VGS= ± 30V, VDS=0
typ
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=1.3A
3.5
0.7
ドレイン・ソース間オン抵抗
入力容量
RDS(on)
Ciss
ID=1.3A, VGS=15V
VDS=20V, f=1MHz
3.6
550
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
150
70
5.5
V
S
4.8
Ω
pF
1.4
pF
pF
次ページへ続く。
外形図 2078B
(unit : mm)
4.5
10.0
16.0
0.6
16.1
14.0
0.75
1
2 3
0.7
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
2.4
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
0.9
1.2
3.6
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途(生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
2.8
3.5
7.2
3.2
2.55
2.55
SANYO : TO-220FI-LS
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
N2000 TS IM IDP 変 TA-3034 / 90799 SI IM ◎祝田 TA-2380
61096 yK 寿◎丹野
62797GI/寿◎小野田
BX-0698 No.5531-1/4
2SK2632LS
前ページより続く。
min
typ
max
unit
総ゲート電荷量
Qg
VDS=200V, ID=2.5A
VGS=10V
15
nC
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
td(on)
tr
指定回路において
〃
15
15
ns
ns
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(off)
tf
〃
〃
45
23
ns
ns
ダイオード順電圧
VSD
IS=2.5A, VGS=0
0.84
1.2
V
単体品名表示:K2632
スイッチングタイム測定回路図
VDD=200V
ID=1.3A
RL=154Ω
VGS=15V
PW=1µs
D.C.≦0.5%
D
VOUT
G
2SK2632LS
RGS
50Ω
P.G
S
ID -- VDS
6
ID -- VGS
4.0
15V
VDS=10V
Tc= --25°C
3.5
10V
ドレイン電流, ID -- A
ドレイン電流, ID -- A
5
4
8V
3
2
7V
3.0
25°C
2.5
2.0
75°C
1.5
1.0
1
0.5
VGS=6V
0
0
20
30
40
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
50
RDS(on) -- VGS
10
Tc=25°C
9
8
7
6
5
ID =2.5A
4
1.3A
3
0.5A
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
5
0
18
20
IT00745
15
10
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT00743
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
10
0
20
IT00744
RDS(on) -- Tc
10
9
8
7
0V
6
,V
=1
ID
4
5V
=1
S
, VG
.3A
5
=1
GS
.3A
=1
ID
3
2
1
0
--50
--25
0
25
50
75
ケース温度, Tc -- °C
100
125
150
IT00746
No.5531-2/4
2SK2632LS
yfs -- ID
--25
°C
1.0
7
°C
25
5
75°
C
3
2
0.1
0.1
2
3
5
7
2
1.0
3
5
スイッチングタイム, SW Time -- ns
ドレイン電流, ID -- A
5
4
3
2
1
0
--50
7
10
IT00747
3
2
td(off)
tf
3
2
td(on)
10
7
5
tr
3
2
1.0
0.1
2
3
5
7
2
1.0
3
5
ドレイン電流, ID -- A
7 10
IT00749
0
100
Crss
ドレイン電流, ID -- A
Ciss, Coss, Crss -- pF
2
7
5
3
2
10
15
20
25
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
30
<10µs
10
0µ
10
m
DC 100 s
op ms
er
ati
on
1.0
7
5
3
2
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
0.1
7
5
s
s
Tc=25°C
5 7 10
2
3
5 7 100
2
3
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
5 7 1000
IT00752
PD -- Tc
30
2.5
25
許容損失, PD -- W
許容損失, PD -- W
1.2
IT00750
1m
IT00751
PD -- Ta
3.0
1.0
ID=2.5A
3
2
0.01 1パルス
2 3
1.0
10
5
0.8
IDP=7.5A
3
2
0
0.6
Forward Bias A S O
10
7
5
Ciss
Coss
0.4
2
5
3
0.2
ダイオード順電圧, VSD -- V
f=1MHz
7
150
IT00748
VGS=0
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0.001
Ciss, Coss, Crss -- VDS
1000
100
IF -- VSD
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
VDD=200V
VGS=15V
100
7
5
50
ケース温度, Tc -- °C
SW Time -- ID
1000
7
5
0
C
=
Tc
2
6
--25°
3
VDS=10V
ID=1mA
75°
C
25°C
5
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
7
Tc=
VDS=10V
VGS(off) -- Tc
7
ゲート・ソースしゃ断電圧, VGS(off) -- V
10
2.0
1.5
1.0
0.5
20
15
10
5
0
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT00754
0
20
40
60
80
100
ケース温度, Tc -- °C
120
140
160
IT00753
No.5531-3/4
2SK2632LS
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保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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PS No.5531-4/4