Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current VCES 1200 V T C = 80 °C IC,nom. 35 A T C = 25 °C IC 75 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP = 1 ms, T C = 80°C ICRM 70 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation T C=25°C, Transistor Ptot 310 W VGES +/- 20V V IF 35 A IFRM 70 A I2t 400 A2s VISOL 2,5 kV Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP = 1 ms Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode VR = 0V, tp = 10ms, T Vj = 125°C Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. Charakteristische Werte / Characteristic values min. Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage IC = 35A, VGE = 15V, Tvj = 25°C VCE sat typ. max. 2,6 - 2,1 - 2,4 VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V IC = 35A, VGE = 15V, Tvj = 125°C V V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC = 1,2mA, VCE = VGE, T vj = 25°C Gateladung gate charge VGE = -15V...+15V QG - 0,35 - µC Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies - 2 - nF Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cres - t.b.d. - nF VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 25°C ICES 500 Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 125°C Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C prepared by: Mark Münzer date of publication: 15.5.1999 approved by: revision: 1 1(8) IGES - 5 - 250 - - µA µA 400 nA Datenblatt_BSM35GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. - 0,05 - µs - 0,06 - µs - 0,05 - µs - 0,05 - µs - 0,25 - µs - 0,3 - µs - 0,03 - µs - 0,07 - µs Eon - 4,5 - mWs Eoff - 4,3 - mWs ISC - 320 - A LsCE - 40 - nH RCC‘+EE‘ - 1,2 - mΩ min. typ. max. 2,3 Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC = 35A, VCE = 600V VGE = ±15V, RG = 22Ω, T vj = 25°C td,on VGE = ±15V, RG = 22Ω, T vj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 35A, VCE = 600V VGE = ±15V, RG = 22Ω, T vj = 25°C tr VGE = ±15V, RG = 22Ω, T vj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 35A, VCE = 600V VGE = ±15V, RG = 22Ω, T vj = 25°C td,off VGE = ±15V, RG = 22Ω, T vj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 35A, VCE = 600V VGE = ±15V, RG = 22Ω, T vj = 25°C tf VGE = ±15V, RG = 22Ω, T vj = 125°C IC = 35A, VCE = 600V, VGE = 15V Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse RG = 22Ω, T vj = 125°C, LS = 120nH Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse RG = 22Ω, T vj = 125°C, LS = 120nH Kurzschlußverhalten SC Data T Vj≤125°C, VCC=900V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt IC = 35A, VCE = 600V, VGE = 15V tP ≤ 10µsec, V GE ≤ 15V, RG = 22Ω Modulinduktivität stray inductance module Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip module lead resistance, terminals – chip T C=25°C Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 35A, VGE = 0V, Tvj = 25°C VF IF = 35A, VGE = 0V, Tvj = 125°C IRM V - 36 - A - 45 - A V IF = 35A, - diF/dt = 900A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C Qr VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy 1,8 1,7 IF = 35A, - diF/dt = 900A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge - - 3,6 - µAs - 7,6 - µAs - 1,3 - mWs - 2,8 - mWs IF = 35A, - diF/dt = 900A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C 2(8) Erec Datenblatt_BSM35GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. - - 0,4 K/W - - 0,7 K/W RthCK - 0,05 - K/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature T vj - - 150 °C Betriebstemperatur operation temperature T op -40 - 125 °C Lagertemperatur storage temperature T stg -40 - 150 °C Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module λΠαστε = 1 W/m * K / λgrease = 1 W/m * K RthJC Diode/Diode, DC Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation AL2O3 Kriechstrecke creepage distance 20 mm Luftstrecke clearance 11 mm CTI comperative tracking index 275 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque terminals M6 M1 3 6 Nm Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque terminals M5 M2 2,5 5 Nm Gewicht weight G 250 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) Datenblatt_BSM35GB120DLC.xls g Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GB120DLC Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) vorläufige Daten preliminary data IC = f (VCE) VGE = 15V 70 63 Tj = 25°C 56 Tj = 125°C IC [A] 49 42 35 28 21 14 7 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) IC = f (VCE) Tvj = 125°C 70 63 VGE = 17V 56 VGE = 15V VGE = 13V IC [A] 49 VGE = 11V VGE = 9V 42 VGE = 7V 35 28 21 14 7 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4(8) Datenblatt_BSM35GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) IC = f (VGE) VCE = 20V 70 63 Tj = 25°C 56 Tj = 125°C IC [A] 49 42 35 28 21 14 7 0 5 6 7 8 9 10 11 12 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) IF = f (VF) 70 63 Tj = 25°C 56 Tj = 125°C IF [A] 49 42 35 28 21 14 7 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 5(8) Datenblatt_BSM35GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) Switching losses (typical) VGE=15V, Rgon = Rgoff =22 Ω, VCE = 600V, Tj = 125°C 12 Eoff 10 Eon Erec E [mJ] 8 6 4 2 0 0 10 20 30 40 50 60 70 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE=15V , IC = 35A , VCE = 600V , Tj = 125°C 21 Eoff 18 Eon Erec E [mJ] 15 12 9 6 3 0 0 30 60 90 120 150 180 210 RG [Ω] 6(8) Datenblatt_BSM35GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GB120DLC vorläufige Daten Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) preliminary data 1 ZthJC [K / W] 0,1 Zth:Diode Zth:IGBT 0,01 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [sec] i ri [K/kW] : IGBT τi [sec] : IGBT ri [K/kW] : Diode τi [sec] : Diode 1 2 3 4 78,07 262,83 20,86 38,24 0,009 0,045 0,073 0,229 41,47 305,3 271,51 81,72 0,003 0,022 0,064 0,344 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE = 15V, Rg = 22 Ohm, Tvj= 125°C 80 70 IC [A] 60 50 IC,Modul IC,Chip 40 30 20 10 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 VCE [V] 7(8) Datenblatt_BSM35GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GB120DLC vorläufige Daten preliminary data 8(8) Datenblatt_BSM35GB120DLC.xls