Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 600 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Tvj = 25°C VCES 1700 V TC = 80 °C IC,nom. 600 A TC = 25 °C IC 975 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current tp = 1 ms, T C=80°C ICRM 1200 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC=25°C, Transistor Ptot 4,8 kW VGES +/- 20V V IF 600 A IFRM 1200 A I2t 100 kA2s VISOL 4 kV Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp = 1 ms Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. - 2,6 3,1 V - 3,1 3,6 V VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage IC = 600A, V GE = 15V, Tvj = 25°C VCE sat IC = 600A, V GE = 15V, Tvj = 125°C max. Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC = 40mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung gate charge VGE = -15V ... +15V QG - 7,2 - µC Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, VGE = 0V Cies - 40 - nF Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, VGE = 0V Cres Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C ICES - - 5 mA Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IGES - - 400 nA prepared by: Alfons Wiesenthal date of publication: 05.07.2001 approved by: Christoph Lübke; 13.07.2001 revision: 1 (preliminary) 1(8) 2 nF FF600R17KF6CB2_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 600 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. - 0,3 - µs - 0,3 - µs - 0,17 - µs - 0,17 - µs - 1,1 - µs - 1,1 - µs - 0,11 - µs - 0,12 - µs Eon - 270 - mWs Eoff - 220 - mWs ISC - 2400 - A LsCE - 20 - nH Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC = 600A, V CE = 900V VGE = ±15V, R G = 2,4W, Tvj = 25°C td,on VGE = ±15V, R G = 2,4W, Tvj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 600A, V CE = 900V VGE = ±15V, R G = 2,4W, Tvj = 25°C tr VGE = ±15V, R G = 2,4W, Tvj = 125°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 600A, V CE = 900V VGE = ±15V, R G = 2,4W, Tvj = 25°C td,off VGE = ±15V, R G = 2,4W, Tvj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 600A, V CE = 900V VGE = ±15V, R G = 2,4W, Tvj = 25°C tf VGE = ±15V, R G = 2,4W, Tvj = 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse IC = 600A, V CE = 900V, VGE = 15V Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse IC = 600A, V CE = 900V, VGE = 15V Kurzschlußverhalten SC Data tP £ 10µsec, V GE £ 15V, RG = 2,4W RG = 2,4W, Tvj = 125°C, LS = 60nH RG = 2,4W, Tvj = 125°C, LS = 60nH TVj£125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip pro Zweig / per arm RCC´+EE´ mW 0,16 Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 600A, V GE = 0V, Tvj = 25°C VF IF = 600A, V GE = 0V, Tvj = 125°C VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25°C IRM max. 2,1 2,5 V - 2,1 2,5 V - 430 - A - 520 - A IF = 600A, - diF/dt = 3500A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25°C Qr VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy typ. - IF = 600A, - diF/dt = 3500A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge min. - 110 - µAs - 200 - µAs IF = 600A, - diF/dt = 3500A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125°C 2(8) Erec - 60 - mWs - 110 - mWs FF600R17KF6CB2_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 600 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten preliminary data Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Transistor / transistor, DC RthJC Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature max. - - 0,026 K/W - - 0,05 K/W RthCK RthCK - 0,016 0,008 Tvj - - 150 °C Tvj op -40 - 125 °C Tstg -40 - 125 °C Diode/Diode, DC pro Zweig / per arm pro Modul / per module lPaste = 1 W/m*K / lgrease = 1 W/m*K typ. K/W K/W Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation AlN Kriechstrecke creepage distance 15 mm Luftstrecke clearance 10 mm CTI comperative tracking index 275 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque M1 terminals M4 5 Nm 2 Nm 8 - 10 Nm M2 terminals M8 Gewicht weight G 1050 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) FF600R17KF6CB2_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 600 R 17 KF6C B2 Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) vorläufige Daten preliminary data IC = f (VCE) V GE = 15V 1200 1000 IC [A] 800 Tvj = 25°C 600 Tvj = 125°C 400 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 4,5 5,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) IC = f (VCE) T vj = 125°C 1200 vGE = 20V vGE = 15V 1000 vGE = 12V vGE = 10V vGE = 9V IC [A] 800 vGE = 8V 600 400 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE [V] 4(8) FF600R17KF6CB2_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 600 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten preliminary data Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) I c = f (VGE) VCE = 20V 1200 1000 Tj = 25°C Tj = 125°C IC [A] 800 600 400 200 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) IF = f (VF) 1200 1000 Tvj = 25°C Tvj = 125°C IF [A] 800 600 400 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 5(8) FF600R17KF6CB2_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 600 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten preliminary data Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) Switching losses (typical) Rgon = R goff =2,4 9, V CE = 900V, T j = 125°C 800 700 Eon Eoff Erec E [mJ] 600 500 400 300 200 100 0 0 200 400 600 800 1000 1200 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) IC = 600A , V CE = 900V , T j = 125°C 1200 Eon 1000 Eoff Erec E [mJ] 800 600 400 200 0 0 4 8 12 16 20 RG [9 9] 6(8) FF600R17KF6CB2_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 600 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten preliminary data Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) 0,01 Zth:Diode Zth:IGBT 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [sec] 1 2 3 4 i ri [K/kW] : IGBT Ji [sec] : IGBT 2,5 12,3 5,2 6 0,003 0,05 0,1 0,95 ri [K/kW] : Diode Ji [sec] : Diode 4,92 26,8 9,14 9,14 0,003 0,045 0,45 0,75 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) Rg = 2,4 Ohm, T vj= 125°C 1200 1000 IC,Modul IC,Chip IC [A] ZthJC [K / W] 0,1 800 600 400 200 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] 7(8) FF600R17KF6CB2_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 600 R 17 KF6C B2 11,5 Äußere Abmessungen / external dimensions 8(8) FF600R17KF6CB2_V.xls