SANYO ECH8304

ECH8304
注文コード No. N 8 2 5 5
ECH8304
P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
特長
・ロードスイッチング用途に最適。
・低オン抵抗。
・1.8V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流
(DC)
記号
VDSS
VGSS
ID
ドレイン電流
(パルス)
許容損失
IDP
PD
チャネル温度
保存周囲温度
Tch
Tstg
条件
定格値
− 12
unit
V
±9
− 9.5
V
A
− 40
1.6
A
W
150
− 55 ∼+ 150
℃
℃
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID= − 1mA, VGS=0
VDS= − 12V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
VGS= ± 7.2V, VDS=0
VDS= − 6V, ID= − 1mA
順伝達アドミタンス
yfs
RDS(on)1
VDS= − 6V, ID= − 4.5A
ID= − 4.5A, VGS= − 4.5V
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
ID= − 2A, VGS= − 2.5V
ID= − 1A, VGS= − 1.8V
ドレイン・ソース間オン抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
条件
min
定格値
typ
max
− 12
− 10
V
µA
± 10
− 1.0
µA
V
20
12
16
S
mΩ
18
27
26
39
mΩ
mΩ
− 0.3
12
unit
VDS= − 6V, f=1MHz
VDS= − 6V, f=1MHz
3180
970
pF
pF
VDS= − 6V, f=1MHz
指定回路において
920
26
pF
ns
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
Crss
td(on)
tr
td(off)
指定回路において
指定回路において
234
280
ns
ns
下降時間
tf
指定回路において
295
ns
単体品名表示: JF
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本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途(生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
32505PE TS IM ◎川浦 TA-100939 No.8255-1/4
ECH8304
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項目
記号
定格値
条件
min
総ゲート電荷量
Qg
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
Qgs
Qgd
VDS= − 6V, VGS= − 4.5V, ID= − 9.5A
VDS= − 6V, VGS= − 4.5V, ID= − 9.5A
VDS= − 6V, VGS= − 4.5V, ID= − 9.5A
ダイオード順電圧
VSD
IS= − 9.5A, VGS=0
外形図
unit : mm
typ
33
max
nC
5.3
9.4
− 0.82
unit
nC
nC
− 1.2
V
電気的接続図
2222A
0.25
8
5
2.3
8
1
5
1 : Source
2 : Source
3 : Source
4 : Gate
5 : Drain
6 : Drain
7 : Drain
8 : Drain
0.15
0.25
4
0.65
6
2.8
0.3
7
1
2.9
2
3
4
Top view
0.07
0.9
1 : Source
2 : Source
3 : Source
4 : Gate
5 : Drain
6 : Drain
7 : Drain
8 : Drain
SANYO : ECH8
スイッチングタイム測定回路図
VDD= --6V
VIN
0V
--4.5V
ID= --4.5A
RL=1.3Ω
VOUT
VIN
D
PW=10µs
D.C.≦1%
G
ECH8304
P.G
50Ω
S
No.8255-2/4
ECH8304
ID -- VDS
--9
--8
--4
--3
--4
--3
25°
C
--2
VGS= --1.0V
--1
--1
0
0
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7 --0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
--2.0A
Ta=25°C
50
--4.5A
ID= --1.0A
30
20
10
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
--7
--1.2
--1.4
--1.6
IT09370
40
V
= --1.8
A, V GS
30
1.0
I D= --
20
.0A
I D= --2
, V GS=
--2.5V
V = --4.5V
ID= --4.5A, GS
10
0
--60 --40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
IT09372
IF -- VSD
VGS=0
3
2
°C
75
Ta
2
°C
25
1.0
7
5
3
3
2
C
-4
=-
3
--1.0
7
5
--25°
C
0°
25°
C
順電流, IF -- A
10
7
5
--0.1
7
5
3
2
2
0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
--0.01
--0.3
5 7 --10
IT09373
ドレイン電流, ID -- A
SW Time -- ID
VDD= --6V
VGS= --4.5V
tf
tr
7
5
td(on)
3
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
IT09374
f=1MHz
Ciss
3
2
Coss
1000
Crss
2
10
--0.1
--0.6
5
2
100
--0.5
Ciss, Coss, Crss -- VDS
7
td(off)
3
--0.4
ダイオード順電圧, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- pF
5
--1.0
RDS(on) -- Ta
50
--10
7
5
VDS= --6V
2
7
--0.8
周囲温度, Ta -- °C
3
1000
--0.6
IT09371
yfs -- ID
7
5
--0.4
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
Ta
=75
°C
40
--0.2
IT09369
RDS(on) -- VGS
60
0
--0.9 --1.0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
--0.1 --0.2
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
--5
--25°
C
--5
--6
75 °
C
--6
--7
Ta=
--3.0
ドレイン電流, ID -- A
V
--6.0V
ドレイン電流, ID -- A
--7
--2
順伝達アドミタンス, yfs -- S
VDS= --6V
--9
--8
スイッチングタイム, SW Time -- ns
ID -- VGS
--10
-1
.5
V
--4.5V
--2.5V
--1.8
V
--10
7
5
2
3
5
7
--1.0
2
ドレイン電流, ID -- A
3
5
7
--10
IT09375
0
--2
--4
--6
--8
--10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
--12
IT09376
No.8255-3/4
ECH8304
VGS -- Qg
--4.5
--4.0
--3.5
ドレイン電流, ID -- A
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
--100
7
5
3
2
VDS= --6V
ID= --9.5A
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
0
5
10
15
20
25
35
30
総ゲート電荷量, Qg -- nC
IT09377
PD -- Ta
1.8
--10
7
5
3
2
ASO
ID= --9.5A
10
ms
10
0m
DC
s
op
er
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
<10µs
1m
s
IDP= --40A
ati
on
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
--0.01
--0.01 2 3
5 7--0.1
2 3
5 7--1.0
2 3
5 7 --10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2 3
5
IT09378
1.6
セ
ラ
許容損失, PD -- W
1.4
ミ
ッ
ク
1.2
基
板
(9
1.0
00
m
0.8
m2
×
0.
8m
m
0.6
)装
着
0.4
時
0.2
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT09379
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PS No.8255-4/4