FE2A ... FE2G FE2A ... FE2G Superfast Switching Silicon-Rectifiers Superschnelle Silizium-Gleichrichter Version 2005-11-08 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung ±0.05 50...400 V Plastic case Kunststoffgehäuse 6.3 ±0.1 Type Ø3 62.5±0.5 2A DO-15 (DO-204AC) Weight approx. Gewicht ca. 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Ø 0.8±0.05 Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at/bei IF = 2 A FE2A 50 50 < 0.95 FE2B 100 100 < 0.95 FE2D 200 200 < 0.95 FE2F 300 300 < 0.95 FE2G 400 400 < 1.25 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C IFAV 2A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 20 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 50/55 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 12.5 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 FE2A ... FE2G Characteristics Kennwerte Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A IR < 2 µA trr < 50 ns Thermal resistance junction to ambien air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 45 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 15 K/W 120 VR = VRRM 102 [%] FE2A... FE2F [A] FE2G 100 10 80 Tj = 125°C 1 60 40 Tj = 25°C -1 10 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 2 50a-(2a-0.95/1.25v) -2 10 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG