Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS50R06YL4 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Tvj= 25°C VCES 600 V Tc= 55°C IC,nom. 50 Tc= 25°C IC 55 A A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tp= 1ms, Tc= 55°C ICRM 100 A Gesamt Verlustleistung total power dissipation Tc= 25°C, Transistor Ptot 202 W VGES +20 V IF 50 A IFRM 100 A I²t 630 A²s VISOL 2,5 kV Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current tp= 1ms Grenzlastintegral I²t value VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C Isolations Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter saturation voltage VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom min. typ. max. - 1,95 2,55 V - 2,20 - V VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V VCEsat Gate Schwellenspannung gate threshold voltage VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC= 1mA Gateladung gate charge VGE= -15V...+15V QG - 0,3 - µC Eingangskapazität input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies - 2,2 - nF Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres - 0,2 - nF Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C ICES - - 5 mA Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C IGES - - 400 nA prepared by: P. Kanschat date of publication: 2002-11-25 approved: R. Keggenhoff revision: 2.1 1 (9) Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS50R06YL4 vorläufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter min. typ. max. - 42 - ns - 43 - ns - 11 - ns - 12 - ns - 120 - ns - 130 - ns - 20 - ns - 30 - ns Eon - 0,5 - mJ Eoff - 1,35 - mJ ISC - 225 - A LσCE - 35 - nH RCC´/EE´ - 4 - mΩ - 1,25 1,7 V - 1,20 - V - 88 - A - 94 - A - 3,2 - µC - 5,4 - µC - 1,05 - mJ - 1,50 - mJ IC= 50A, VCC= 300V Einschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 25°C td,on VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C IC= 50A, VCC= 300V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 25°C tr VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C IC= 50A, VCC= 300V Abschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 25°C td,off VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C IC= 50A, VCC= 300V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 25°C tf VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse IC= 50A, VCC= 300V, VGE= 15V Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse IC= 50A, VCC= 300V, VGE= 15V Kurzschlussverhalten SC data tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, Tvj= 125°C, RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C, Lσ= 15nH RG= 3,3Ω, Tvj= 125°C, Lσ= 15nH VCC=360V, VCEmax=VCES -LσCE ·|di/dt| Modulinduktivität stray inductance module Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip Tc= 25°C Charakteristische Werte / characteristic values Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlassspannung forward voltage IF= 50A, VGE= 0V, Tvj= 25°C IF= 50A, VGE= 0V, Tvj= 125°C VF IF= 50A, -diF/dt= 2600 A/µs Rückstromspitze peak reverse recovery current VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C IRM VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C IF= 50A, -diF/dt= 2600 A/µs Sperrverzögerungsladung recovered charge VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C Qr VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C IF= 50A, -diF/dt= 2600 A/µs Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C 2 (9) Erec Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS50R06YL4 vorläufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / characteristic values NTC-Widerstand / NTC-thermistor Nennwiderstand rated resistance Tc= 25°C Abweichung von R100 deviation of R100 Tc= 100°C, R100= 493Ω Verlustleistung power dissipation Tc= 25°C B-Wert B-value R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] min. typ. max. R25 - 5 - kΩ ∆R/R -5 - 5 % P25 - - 20 mW B25/50 - 3375 - K - - 0,62 K/W - - 1,20 K/W Thermische Eigenschaften / thermal properties Innerer Wärmewiderstand; DC thermal resistance, juncton to case; DC Transistor Wechelr. / transistor inverter Wärmewiderstand; DC Transistor Wechelr. / transistor inverter thermal resistance, junction to heatsink, DC Diode Wechselrichter / diode inverter Diode Wechselrichter / diode inverter RthJC - 0,95 - K/W - 1,50 - K/W - 0,35 - K/W - 0,45 - K/W Tvjmax - - 150 °C Betriebstemperatur operation temperature Top -40 - 125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 125 °C RthJH λ Paste = 1 W / m*K / λ grease = 1 W / m*K Übergangs-Wärmewiderstand, DC thermal resistance, case to heatsink; DC Transistor Wechelr. / transistor inverter Diode Wechselrichter / diode inverter RthCH λ Paste = 1 W / m*K / λ grease = 1 W / m*K Höchstzulässige Sperrschichttemp. maximum junction temperature Mechanische Eigenschaften / mechanical properties Innere Isolation internal insulation Al2O3 CTI comperative tracking index 225 Anpresskraft pro Feder mounting force per clamp F 40..80 N Gewicht weight G 36 g 13,5 mm 5,0 mm 12,0 mm 5,0 mm Kriechstrecke creepage distance Anschluss - Kühlkörper terminal to heatsink Anschluss - Anschluss terminal to terminal Luftstrecke clearance distance Anschluss - Kühlkörper terminal to heatsink Anschluss - Anschluss terminal to terminal 3 (9) Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS50R06YL4 vorläufige Daten preliminary data Ausgangskennlinie (typisch) IC= f(VCE) output characteristic (typical) VGE= 15V 100 Tvj = 25°C 90 Tvj = 125°C 80 70 IC [A] 60 50 40 30 20 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC= f(VCE) output characteristic (typical) Tvj= 125°C 100 90 VGE = 20V 80 VGE = 12V VGE = 15V VGE = 10V 70 VGE = 9V VGE = 8V IC [A] 60 50 40 30 20 10 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VCE [V] 4 (9) 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS50R06YL4 vorläufige Daten preliminary data Übertragungscharakteristik (typisch) IC= f(VGE) transfer characteristic (typical) VCE= 20V 100 Tvj = 25°C 90 Tvj = 125°C 80 70 IC [A] 60 50 40 30 20 10 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 1,4 1,6 VGE [V] IF= f(VF) Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) forward characteristic of inverse diode (typical) 100 90 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 80 70 IF [A] 60 50 40 30 20 10 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 VF [V] 5 (9) 1,0 1,2 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS50R06YL4 vorläufige Daten preliminary data Schaltverluste (typisch) switching losses (typical) 3 Eon = f(IC), Eoff = f(IC), Erec = f(IC) VGE= ±15V, RG= 3,3Ω, VCE= 300V, Tvj= 125°C Eon Eoff Erec 2,5 E [mJ] 2 1,5 1 0,5 0 0 10 20 30 40 Schaltverluste (typisch) switching losses (typical) 3 50 IC [A] 60 70 80 90 100 Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE= ±15V, IC= 50A, VCE= 300V, Tvj= 125°C Eon Eoff Erec E [mJ] 2 1 0 0 5 10 15 20 RG [Ω] 6 (9) 25 30 35 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS50R06YL4 vorläufige Daten preliminary data Transienter Wärmewiderstand transient thermal impedance ZthJH = f (t) ZthJH(K/W) 1,0000E+01 1,0000E+00 1,0000E-01 1,0000E-02 0,001 i ri [K/kW]: IGBT τi [s]: IGBT ri [K/kW]: Diode τi [s]: Diode 0,01 1 57,0 0,00075 75,0 0,00056 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) reverse bias safe operation area (RBSOA) Zth:IGBT Zth:Diode 1 0,1 t (s) 2 190,0 0,02088 210,0 0,01240 3 532,0 0,14800 885,0 0,12800 10 4 171,0 0,25430 330,0 0,25430 VGE= ±15V, Tj=125°C 120 100 IC,Chip IC [A] 80 IC, Modul 60 40 20 0 0 200 400 VCE [V] 7 (9) 600 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS50R06YL4 vorläufige Daten preliminary data Schaltbild circuit diagram ϑ Gehäusemaße package outline Bohrplan drilling layout 8 (9) Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS50R06YL4 vorläufige Daten preliminary data Gehäusemaße Fortsetzung package outline contd. Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. 9 (9) Terms & Conditions of Usage Attention The present product data is exclusively subscribed to technically experienced staff. This Data Sheet is describing the specification of the products for which a warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its specifications. Changes to the Data Sheet are reserved. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. 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