Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM150GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current VCES 1200 V TC = 80 °C IC,nom. 150 A TC = 25 °C IC 300 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 300 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC=25°C, Transistor Ptot 1,2 kW VGES +/- 20V V IF 150 A IFRM 300 A 2 I t - kA2s VISOL 2,5 kV Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP = 1 ms Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. - 2,1 2,6 - 2,4 VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage IC = 150A, V GE = 15V, Tvj = 25°C VCE sat IC = 150A, V GE = 15V, Tvj = 125°C V V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC = 6mA, V CE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung gate charge VGE = -15V...+15V QG - - - µC Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V Cies - 11 - nF Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V Cres - - - nF VCE = 1200V, V GE = 0V, Tvj = 25°C ICES 0,5 mA Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VCE = 1200V, V GE = 0V, Tvj = 125°C Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE = 0V, V GE = 20V, Tvj = 25°C prepared by: Mark Münzer date of publication: 02.12.1998 approved by: Jens Thurau revision: 1a 1(8) IGES - 0,01 - 0,5 - - mA 400 nA DB_BSM150GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM150GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / Characteristic values min. Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 5,6Ω, Tvj = 25°C td,on VGE = ±15V, RG = 5,6Ω, Tvj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 150A, V CE = 600V Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 150A, V CE = 600V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 150A, V CE = 600V VGE = ±15V, RG = 5,6Ω, Tvj = 25°C tr VGE = ±15V, RG = 5,6Ω, Tvj = 125°C VGE = ±15V, RG = 5,6Ω, Tvj = 25°C td,off VGE = ±15V, RG = 5,6Ω, Tvj = 125°C VGE = ±15V, RG = 5,6Ω, Tvj = 25°C tf Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse IC = 150A, V CE = 600V, V GE = 15V Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse IC = 150A, V CE = 600V, V GE = 15V RG = 5,6Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH RG = 5,6Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH - 0,05 - µs - 0,06 - µs - 0,05 - µs - 0,07 - µs - 0,57 - µs - 0,57 - µs - 0,04 - µs 0,05 - µs Eon - 17 - mWs Eoff - 18 - mWs ISC - 950 - A LsCE - 25 - nH RCC‘+EE‘ - 0,6 - mΩ min. typ. max. 2,3 tP ≤ 10µsec, V GE ≤ 15V, R G = 5,6Ω TVj≤125°C, V CC=900V, V CEmax=VCES -LsCE ·dI/dt Modulinduktivität stray inductance module Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip module lead resistance, terminals – chip max. - VGE = ±15V, RG = 5,6Ω, Tvj = 125°C Kurzschlußverhalten SC Data typ. IC = 150A, V CE = 600V TC=25°C Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage IF = 150A, V GE = 0V, Tvj = 25°C Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 150A, - di F/dt = 3100A/µsec VF IF = 150A, V GE = 0V, Tvj = 125°C VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 25°C IRM VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge 1,8 1,7 V - 180 - A - 220 - A - 17 - µAs - 32 - µAs - 4 - mWs - 10 - mWs V IF = 150A, - di F/dt = 3100A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 25°C Qr VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy - IF = 150A, - di F/dt = 3100A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 25°C VR = 600V, VGE = -15V, T vj = 125°C 2(8) Erec DB_BSM150GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM150GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. - - 0,1 K/W - - 0,25 K/W RthCK - 0,01 - K/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj - - 150 °C Betriebstemperatur operation temperature Top -40 - 125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 150 °C Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module λΠαστε = 1 W/m * K / λgrease = 1 W/m * K RthJC Diode/Diode, DC max. Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation AL2O3 Kriechstrecke creepage distance 20 mm Luftstrecke clearance 11 mm CTI comperative tracking index 275 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque terminals M6 Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight M1 3 6 Nm M2 2,5 5 Nm G 420 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) DB_BSM150GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM150GB120DLC Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) vorläufige Daten preliminary data IC = f (VCE) V GE = 15V 300 250 Tj = 25°C Tj = 125°C IC [A] 200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) IC = f (VCE) T vj = 125°C 300 250 VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V 200 IC [A] VGE = 9V VGE = 7V 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4(8) DB_BSM150GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM150GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) IC = f (VGE) VCE = 20V 300 250 Tj = 25°C Tj = 125°C IC [A] 200 150 100 50 0 5 6 7 8 9 10 11 12 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) IF = f (VF) 300 250 Tj = 25°C Tj = 125°C IF [A] 200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 5(8) DB_BSM150GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM150GB120DLC vorläufige Daten preliminary data Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) Switching losses (typical) VGE=15V, Rgon = Rgoff =5,6 Ω, VCE = 600V, T j = 125°C 50 45 Eoff Eon 40 Erec E [mJ] 35 30 25 20 15 10 5 0 0 50 100 150 200 250 300 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE=15V , I C = 150A , V CE = 600V , T j = 125°C 80 Eoff 70 Eon Erec 60 E [mJ] 50 40 30 20 10 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 RG [Ω] 6(8) DB_BSM150GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM150GB120DLC vorläufige Daten Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) preliminary data 1 ZthJC [K / W] 0,1 Zth:Diode Zth:IGBT 0,01 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [sec] i ri [K/kW] : IGBT τi [sec] : IGBT ri [K/kW] : Diode τi [sec] : Diode 1 2 3 4 44,54 33,9 21,52 0,04 0,006 0,029 0,043 1,014 68,24 101,68 52,66 27,42 0,006 0,035 0,033 0,997 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE = 15V, R g = 5,6 Ohm, T vj= 125°C 350 300 IC [A] 250 IC,Modul 200 IC,Chip 150 100 50 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 VCE [V] 7(8) DB_BSM150GB120DLC.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM150GB120DLC vorläufige Daten preliminary data 8(8) DB_BSM150GB120DLC.xls