GaAs Hall Element HG-0113（暫定） Shipped in packet-tape reel(5,000pcs per reel) HG0113は超小型QFN型GaAsホール素子です。 高抵抗なため、 定電圧駆動時は低消費電力、 定電流駆動時 には高感度になります。 標準はテーピングリール供給です。 （5000pcs.／Reel） Notice : It is requested to read and accept "IMPORTANT NOTICE" written on the back of the front cover of this catalogue. 注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログの表紙裏の「重要注意事項」を 良くお読みください。 ●最大定格 Absolute Maximum Ratings 項 目 Item 記号 Symbol 定 格 Limit 単 位 Unit 制 御 電 圧 Max. Input Voltage Vin 12 V PD 許 容 損 失 Max.Input Power 150 mW 動 作 温 度 Operating Temp. Range Topr. −40 ∼ ＋125 ℃ 保 存 温 度 Storage Temp. Range Tstg. −40 ∼ ＋150 ℃ ●外形寸法図 Dimensional Drawing (Unit : mm) 標準 Typ. 最大 Max. 単位 Unit 102 mV ホ ール出力電圧 Output Hall Voltage VH B=50mT, Vc=6V 入 力 抵 抗 Input Resistance Rin B=0mT,Ⅰc=0.1mA 1,000 1,250 1,500 Ω 出 力 抵 抗 R out B=0mT,Ⅰc=0.1mA Output Voltage 1,800 2,500 3,000 Ω 不 平 衡 率 V /V B=0/50mT, V =6V c Offset Voltage Ratio os H 78 2 ※ B=0mT,Ⅰc=0.1mA 入力抵抗の温度係数 αR in Ta=25∼125℃ Temp. Coefficient of Rin ※ ホール電圧直線性 ΔK B=0.1/0.5T,Ⅰc=5mA Linearity 10 % −0.06 %/℃ 0.3 %/℃ 2 % N極 1 2) – VH (T1) X 100 2. VH = VH (T1) X VH (T (T2 – T1) 1 Rin (T2) – Rin (T1) X 100 3. Rin = Rin (T1) X (T – T ) 1 リ ー ド 接 続 Pinning 入 力 Input 出 力 Output 1（±） 3（ ） 2（±） 4（ ） ●（参考）ランド形状（単位：mm） Land pattern (for reference only) (Unit : mm) K (B1) – K (B2) 4. K = [K (B1) + K (B2)] / 2 X 100 T1 = 25˚C, T2 = 125˚C VH IC • B B1 = 0.5T, B2 = 0.1T Characteristic Curves 0.70 許容損失(PD)―周囲温度(Ta) Allowable Package Power Dissipation 1.05 ●特性曲線図 0.35 200 160 許容損失：PD [mW] 0.30 0.55 120 80 40 0 0 20 40 60 80 周囲温度：Ta [℃] 4 0.15 0.3 CL Notes : 1. VH = VHM – Vos (VHM:meter indication) K= 3 φ0.2 1 −10 ※ B=50mT,Ⅰc=5mA 出力電圧の温度係数 Temp. Coefficient of VH αVH Ta=25∼125℃ 2 Sensor Center ＋0 0.5−0.1 ※ 0.3 1.05 最小 Min. 1.6±0.1 測 定 条 件 Conditions 100 Ambient Temperature(˚C) 120 140 0.30 ± 記号 Symbol ± 項 目 Item ＋0 0.5−0.1 0.8±0.1 CL 0.3 ●電気的特性（測定温度 25℃）Electrical Characteristics(Ta=25℃) HG-0113 •製品はある確率で故障する可能性がございます。医療機器、自動車、航空宇宙用機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が、直接または間接を問わず、生命、 身体、財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとり 下さい。 •Please be aware that AKE products are not intended for use in life support equipment, devices, or systems. Use of AKE products in such applications requires the advance written approval of the appropriate AKE officer. Certain applications using semiconductor devices may involve potential risks of personal injury, property damage, or loss of life. In order to minimize these risks, adequate design and operating safeguards should be provided by the customer to minimize inherent or procedural hazards. Inclusion of AKE products in such applications is understood to be fully at the risk of the customer using AKE devices or systems. ●特性曲線図 Characteristic Curves Rin-T 800 1600 定電流駆動 Ic const 定電圧駆動 Vc const 700 Output Hall Voltage ホール出力電圧：VH [mV] 1400 1200 Input Resistance 入力抵抗：Rin [Ω] b VH-B 1800 1000 800 600 400 600 lc =5 [mA] Vc = 6 [V] Ta =25 [℃] 500 400 200 0 50 周囲温度：Ta [℃] 100 0 0 150 100 200 磁束密度：B [mT] Magnetic Flux Density Ambient Temperature(˚C) VH-T 160 Output Hall Voltage ホール出力電圧：VH［mV］ Output Hall Voltage ホール出力電圧：VH［mV］ 120 Ic 100 80 Vc 60 定電流駆動 Ic const 定電圧駆動 Vc const 40 20 lc =5 [mA] Vc = 6 [V] Ta =25 [℃] 0 50 定電流駆動 Ic const 定電圧駆動 Vc const B =50 [mT] Ta =25 [℃] 140 120 100 Ic Vc 80 60 g 40 20 0 0 −50 100 150 0 2 4 6 8 10 駆動電流：Ic［mA］Input Current 駆動電圧：Vc［V］Input Voltage 周囲温度：Ta［℃］ Ambient Temperature（℃） Vos-T（参考） Vos-Vc, Vos-Ic（参考） 8 6 5 lc =5 [mA] Vc = 6 [V] Ta =25 [℃] 4 Vc 2 Ic 0 50 周囲温度：Ta [℃] 100 150 Ambient Temperature(˚C) ※Magnetic Flux Density 1[mT]=10[G] 本品は開発品のため仕様は予告なく変更することがあります。 AKE veserves the right to revise the specifications without notice 定電流駆動 Ic const 定電圧駆動 Vc const 8 Offset Voltage 不平衡電圧：Vos [mV] 定電流駆動 Ic const 定電圧駆動 Vc const h i 10 7 Offset Voltage 不平衡電圧：Vos [mV] 300 VH-Vc,VH-Ic 140 0 -50 c 100 0 –50 1 Vc, 300 200 3 Ic lc =5 [mA] Vc = 6 [V] Ta =25 [℃] 6 4 Ic 2 0 Vc k 0 2 4 6 駆動電流：Ic [mA] Input Current 駆動電圧：Vc [V] Input Voltage 8 定電圧駆動 Rin=1270〔Ω〕、Vos=2.1〔mV〕[Vc=6〔V〕]の例 定電流駆動 同上素子 In This Example : Rin=1270〔Ω〕, Vos=2.1〔mV〕, [Vc=6〔V〕] 10