SANYO 2SJ667

2SJ667
注文コード No. N 8 2 4 8
2SJ667
P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
特長
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・4V 駆動。
・モータドライブ , DC / DC コンバータ用等。
・アバランシェ耐量保証。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流
（DC）
記号
VDSS
VGSS
ID
ドレイン電流
（パルス）
IDP
許容損失
PD
チャネル温度
条件
定格値
− 100
unit
V
± 20
− 42
V
A
− 168
2.5
A
W
Tch
100
150
W
℃
保存周囲温度
アバランシェエネルギー（単発）*1
Tstg
EAS
− 55 ∼＋ 150
58
℃
mJ
アバランシェ電流 *2
IAV
− 42
A
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
Tc=25℃
*1. VDD=30V, L=50µH, IAV= − 42A
*2. L ≦ 50µH, 1 パルス
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
記号
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID= − 1mA, VGS=0
VDS= − 100V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
順伝達アドミタンス
yfs
RDS(on)1
VGS= ± 16V, VDS=0
VDS= − 10V, ID= − 1mA
VDS= − 10V, ID= − 21A
ID= − 21A, VGS= − 10V
RDS(on)2
ID= − 21A, VGS= − 4V
ドレイン・ソース間オン抵抗
単体品名表示：J667
条件
min
定格値
typ
max
− 100
−1
V
µA
± 10
− 2.6
µA
V
37
42
56
S
mΩ
52
74
mΩ
− 1.2
22
unit
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本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
31005QA TS IM ◎川浦 TB-00001248 No.8248-1/4
2SJ667
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項目
記号
定格値
条件
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
VDS= − 20V, f=1MHz
VDS= − 20V, f=1MHz
VDS= − 20V, f=1MHz
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
td(on)
tr
ターンオフ遅延時間
下降時間
min
typ
6350
unit
max
pF
430
250
pF
pF
指定回路において
指定回路において
47
360
ns
ns
指定回路において
指定回路において
480
220
ns
ns
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
td(off)
tf
Qg
Qgs
VDS= − 50V, VGS= − 10V, ID= − 42A
VDS= − 50V, VGS= − 10V, ID= − 42A
110
20
nC
nC
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
VDS= − 50V, VGS= − 10V, ID= − 42A
IS= − 42A, VGS=0
20
− 1.05
nC
V
− 1.2
外形図
unit : mm
2056A
15.6
14.0
3.2
4.8
1.3
1.2
15.0
20.0
2.6
3.5
2.0
1.6
20.0
2.0
0.6
1
0.6
2
5.45
1.4
1.0
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
5.45
SANYO : TO-3PB
3
スイッチングタイム測定回路図
アバランシェ耐量測定回路図
VDD= --50V
VIN
0V
--10V
ID= --21A
RL=2.38Ω
VIN
D
≥50Ω
RG
L
VOUT
PW=10µs
D.C.≦1%
2SJ667
G
0V
--10V
50Ω
VDD
2SJ667
P.G
50Ω
S
No.8248-2/4
2SJ667
ID -- VGS
VDS= --10V
Tc=25°C
--4V
--50
--40
--30
--20
VGS= --3V
--10
--3
--4
--5
--6
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
--20
--7
RDS(on) -- VGS
120
ID= --21A
100
80
Tc=75°C
60
25°C
40
--25°C
20
0
--2
--3
--4
--5
--6
--7
0
--8
--9
--10
順電流, IF -- A
2
7
100
°C
°C
75
5
3
50
40
30
20
10
0
--50
2
3
5 7 --10
2
3
SW Time -- ID
--0.3
75
100
125
150
IT08813
--0.6
--0.9
--1.2
--1.5
ダイオード順電圧, VSD -- V
IT08815
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Ciss
7
5
Ciss, Coss, Crss -- pF
3
tf
tr
100
7
td(on)
5
50
VGS=0
0
5
2
25
IF -- VSD
10000
VDD= --50V
VGS= --10V
td(off)
7
0
--1.0
7
5
3
2
5 7 --100
IT08814
ドレイン電流, ID -- A
1000
--25
--10
7
5
3
2
3
2
--0.01
5 7 --1.0
IT08811
VG
A,
60
1.0
3
--4.5 --5.0
--4V
S=
0V
--21
= --1
I D=
GS
V
,
A
--21
I D=
70
--0.1
7
5
2
--3.5 --4.0
--3.0
80
2
7
--0.1
--2.5
90
--100
7
5
3
2
°C
25
5
--2
--2.0
ケース温度, Tc -- °C
5
=
Tc
--1.5
RDS(on) -- Tc
IT08812
VDS= --10V
10
--1.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
yfs -- ID
3
--0.5
IT08810
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
順伝達アドミタンス, yfs -- S
--30
Tc=7
5°C
25°C
--25°C
--2
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
--1
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
スイッチングタイム, SW Time -- ns
--40
0
0
7
--50
--10
0
100
--60
Tc=
--
ドレイン電流, ID -- A
--60
Tc
=7
5°
C
--25
°C
25
°C
-1
0
V
--70
-6
V
ドレイン電流, ID -- A
--70
7 5°
C
--80
25°C 25
°C
ID -- VDS
--80
3
2
1000
7
5
Coss
3
Crss
2
3
2
--0.1
100
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
ドレイン電流, ID -- A
2
3
5
IT08816
0
--5
--10
--15
--20
--25
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
--30
IT08817
No.8248-3/4
2SJ667
VGS -- Qg
--10
VDS= --50V
ID= --42A
--8
--7
--6
--5
--4
--3
3
2
20
30
40
50
60
70
80
総ゲート電荷量, Qg -- nC
90
100
s
s
op
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
ati
on
Tc=25°C
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7--100 2
IT08819
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
PD -- Tc
120
2.5
100
許容損失, PD -- W
許容損失, PD -- W
10
m
0m s
s
µs
10
er
IT08818
PD -- Ta
3.0
1m
DC
--0.1 1パルス
--0.1 2 3
110
0µ
ID= --42A
3
2
--1
10
10
--10
7
5
--2
0
＜10µs 10
3
2
--1.0
7
5
0
IDP= --168A
--100
7
5
ドレイン電流, ID -- A
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
--9
ASO
3
2
2.0
1.5
1.0
0.5
80
60
40
20
0
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT08820
0
20
40
60
80
100
120
ケース温度, Tc -- °C
140
160
IT08821
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PS No.8248-4/4