RT1P137S 抵抗内蔵トランジスタ スイッチング用 シリコンPNPエピタキシャル形 概 要 RT1P137Sは、トランジスタにバイアス用抵抗を組み入れて ワンチップ化した複合トランジスタです。このトラ ンジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数 の大幅な削減が可能となります。 外 形 図 単位:mm 4.0 特 長 0.1 ・バイアス用抵抗を内蔵 (R 1 =1kΩ,R 2 =22kΩ). 0.45 ・コレクタ電流が大きい IC =-1A ・V CE(sat)が低い VCE(sat)=-0.3V (@IC =-300mA/IB=-3mA) 1.27 1.27 用 途 1 2 3 インバ－タ回路、スイッチング回路、インタ－フェ－ ス回路、ドライバ回路 電極接続 1 2 3 : エミッタ : コレクタ : ベ－ス EIAJ : JEDEC : 最大定格 (Ta=25℃) 記 号 項 目 V CBO コレクタ・ベ－ス間電圧 V EBO エミッタ・ベ－ス間電圧 コレクタ・エミッタ間電圧 V CEO 定格値 -40 単位 V -6 V -40 V I C コレクタ電流 -1 A I CM せん頭コレクタ電流 -2 A mW ℃ PC コレクタ損失 600 Tj 接合部温度 +150 Tstg 保存温度 -55～+150 等価回路 マ－ク図 Ｃ (O UT) Ｒ１ P13 7 Ｂ (IN) Ｒ２ Ｅ (GND) ℃ 電気的特性 (Ta=25℃) 特性値 記 号 項 目 測 定 条 件 最小 標準 最大 単位 V (BR)CEO コレクタ・エミッタ間電圧 I C =-1mA, R BE=∞ I CBO コレクタしゃ断電流 V CB=-40V, I E=0 h FE 直流電流増幅率 V CE=-5V, I C =-100mA V CE(sat) V I(ON) コレクタ・エミッタ飽和電圧 I C =-300mA, I B=-3mA -0.1 -0.3 入力オン電圧 V CE=-0.2V, I C =-300mA -2.4 -4.0 V V V I(OFF) 入力オフ電圧 V CE=-5V, I C =-100μA R1 V kΩ R 2/ R 1 fT -40 -0.1 100 0.4 0.53 入力抵抗 0.7 1.0 1.3 抵抗比率 利得帯域幅積 20 22 24 V CE=-6V, I E=10mA V μA 130 MHz RT1P137S 抵抗内蔵トランジスタ スイッチング用 シリコンPNPエピタキシャル形 標準特性 営業本部営業企画部 http://www.idc-com.co.jp 〒854-0065 長崎県諌早市津久葉町 6-41 安全設計に関するお願い ・弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品は故障が発生したり、誤動作する場合があります。弊社製品 の故障または誤動作によって、結果として人身事故、火災事故、社会的損害などを生じさせないような安全性を考慮した 冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などの安全設計に十分ご留意ください。 本資料ご利用に際しての留意事項 ・本資料は、お客様が用途に応じた適切なイサハヤ電子製品をご購入いただくための参考資料であり、本資料中に記載の 技術情報についてイサハヤ電子が所有する知的財産権その他の権利の実施、使用を許諾するものではありません。 ・本資料に記載の製品データ、図、表その他応用回路例の使用に起因する損害、第三者所有の権利に対する侵害に関し、イサ ハヤ電子は責任を負いません。 ・本資料に記載の製品データ、図、表その他全ての情報は、本資料発行時点のものであり、特性改良などにより予告なしに 変更することがあります。製品の購入に当たりましては、事前にイサハヤ電子へ最新の情報をご確認ください。 ・本資料に記載された製品は、人命に関わるような状況の下で使用される機器、あるいはシステムに用いられることを目的 として設計、製造されたものではありません。本資料の製品を運輸、移動体用、医療用、航空宇宙用、原子力制御用、海底 中継機器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討の際には、イサハヤ電子へ御照会ください。 ・本資料の転載、複製については、文書によるイサハヤ電子の事前の承諾が必要です。 ・本資料に関し詳細についてのお問合せ、その他お気付きの点がございましたら、イサハヤ電子まで御照会ください。 2002 年 11 月作成