RT8H072E

＜MFT＞
RT8H072E
開発中
＊本製品は開発中につき後日内容を変更することがあります
IGBTゲート遮断回路
概　要
RT8H072Eは、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、抵抗に
より構成された複合トランジスタです。　このトランジスタの
ご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減が
可能となります。
IPMのレベルシフト回路に接続することでIGBTの同時ON
による破壊を防止します。
外形図
特　長
●　セットの小型化、高密度実装が可能
●　オープンコレクタ出力
用　途
IGBTゲートの保護
単位：mm
ピン配置
①
②
③
④
①VCC
②IN
③GND
④N.C.
⑧
⑦
⑥
⑤
⑧OUT4
⑦OUT3
⑥OUT2
⑤OUT1
ブロック図
VCC
OUT1
OUT2
OUT3
OUT4
VCC
VCC
High
LEVEL
VCC
S
IN
R
Q
VCC
Low
LEVEL
GND
110427
（1／3）
＜MFT＞
RT8H072E
開発中
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IGBTゲート遮断回路
絶対最大定格　(Ta＝25℃)
項　目
記　号
Vcc
IOUT
VOUT
VIN
Pd
Kθ
Tj
Tstg
Topr
条　件
電源電圧範囲
OUT電流
OUT電圧
IN電圧
内部消費電力
熱低減率
接合部温度
保存温度
動作温度
OUT1～4共通
OUT1～4共通
Ta≧25℃
(結露なきこと)
定格値
単位
10
10
-0.3～VCC
-0.3～VCC
200
1.6
150
－40～150
-20～85
V
mA
V
V
mW
mW/℃
℃
℃
℃
電気的特性　(Ta=25℃　指定が無い場合はVCC=5V)
記　号
項　目
条件
VCC
動作電圧範囲
ICC_ON
ON時回路電流
ICC_OFF
OFF時回路電流
最小
設　計　値
標準
最大
単位
3
5
9
V
IN=5V
-
400
600
uA
IN=0V
-
400
600
uA
VTHH
HIGHレベル閾値電圧 IN=0V→HIGH
3.03
3.16
3.28
V
VTHL
LOWレベル閾値電圧
IN=3.5V→LOW
2.43
2.53
2.63
V
IIN
IN入力電流
IN=VTHL(MIN)
-1
-0.3
-
uA
VOL
OUT飽和電圧
-
0.85
1.5
V
ILO
OUTリーク電流
-
0
1
uA
IN=5V,IOUT=5mA
OUT1,OUT2,OUT3,OUT4共通
IN=0V,VOUT=5V
OUT1,OUT2,OUT3,OUT4共通
熱低減曲線
250
消費電力Pb[ｍW]
200
150
100
50
0
0
25
50
75 85 100
125
150
周囲温度Ta [℃]
110427
（2／3）
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RT8H072E
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IGBTゲート遮断回路
応用回路例
IGBT1
1KΩ
UP-IN
UP-OUT
RES4
LVIC
IGBT2
1KΩ
VP-IN
RES5
1KΩ
WP-IN
RES6
RES10
VP-OUT
LVIC
WP-OUT
LVIC
IGBT3
TR1
1KΩ
UN-IN
UN-OUT
RES7
LVIC
RES11
IGBT4
TR2
1KΩ
タイミングチャート
VN-IN
VN-OUT
RES8
VCC
RES1
470KΩ
1S
VCC
S
IN
3KΩ
R
RES2
C1
OUT1
OUT2
OUT3
WN-OUT
LVIC
IGBT6
OUT4
VCC
VCC
High
LEVEL
IN
RES3
RES9
CVCC
5V
IGBT5
TR3
1KΩ
WN-IN
LVIC
RES12
12S
1S
Q
12S
VCC
1S
12S
Low
LEVEL
1S
GND
12S
RT8HXXXE
タイミングチャート
High LEVEL
LOW LEVEL
IN
*OUT1～OUT4,VCC ≧-0.3
*-0.3≦IN≦VCC
through
OUT1
through
P-SIDE IGBT1 OFF
through
OUT2
P-SIDE IGBT3 OFF
through
OUT3
OUT4
through
P-SIDE IGBT5 OFF
through
through
N-SIDE IGBT2,4,6 ON
110427
（3／3）
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2011年4月作成