ADVANCE INFO TF2108 半桥驱动器 特点: 描述 浮动高侧驱动器可自举到 600V 在半桥配置下驱动两个N沟道MOSFET或IGBT 负瞬态输出宽容 540ns的内部死区时间来保护MOSFETs 低侧栅极驱动器和逻辑宽电源电压范围: 10V 至20V 逻辑输入（HIN和LIN*）具备3.3V能力 施密特触发逻辑输入自带内部电压下拉 对高侧和低侧驱动器自带过低压锁定 扩展的工作温度范围：-40°C至+125°C 直接替代 IRS2108 TF2108是一个高电压, 高速栅极驱动器, 能够在半桥配置下驱动N 沟道MOSFET和IGBT。我们的高压工艺使TF2108的高侧可自举操 作切换到600V。 TF2108逻辑输入兼容标准TTL和CMOS电压（最低到3.3V），可以 方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉 冲电流缓冲设计。TF2108具有内部 死区时间保护高压MOSFET。 TF2108采用8引脚PDIP封装和SOIC窄型封装。 它工作在扩展-40°C至+125°C温度范围。 SOIC-8(N) PDIP-8 应用 DC-DC 转换器 AC-DC 逆变器 电机控制 D 类功率放大器 订购信息 零件号 典型应用 YY=年份WW=星期 封装 包/数量 TF2108-3AS PDIP-8 Tube, 50 TF2108-TAU SOIC-8(N) Tube, 95 TF2108-TAH SOIC-8(N) Tape & Reel, 2500 编号 YYWW TF2108 Lot ID YYWW TF2108 Lot ID Up to 600V VCC VCC VB HIN HIN HO LIN* LIN* R4 COM TF2108 TO LOAD VS LO www.telefunkensemiconductors.com March 2014 ADVANCE INFO 1 ADVANCE INFO TF2108 半桥驱动器 引脚图 VCC 1 8 VB HIN 2 7 HO LIN* 3 6 VS COM 4 5 LO 俯视图: SOIC-8, PDIP-8 TF2108 引脚说明 引脚名称 引脚说明 HIN 逻辑输入为高侧栅极驱动器输出, HIN和HO同相位。 LIN* 逻辑输入为低侧栅极驱动器输出, LIN和LO非同相位。(参照点: COM) COM 低侧栅极驱动器返回引脚。 LO 低侧栅极驱动器输出引脚。 VCC 逻辑低侧栅极驱动器电源引脚。 VS 高侧栅极驱动器浮动电源返回引脚。 HO 高侧栅极驱动器输出引脚。 VB 高侧栅极驱动器浮动电源引脚。 功能框图 VCC Vcc UV Detect TF2108 VB UV Detect R HIN VCC Dead Time logic Pulse Gen HV Level Shift Q HO R S High Voltage Well Vs VCC LIN* Delay LO COM March 2014 ADVANCE INFO 2 ADVANCE INFO TF2108 半桥驱动器 绝对最大额定值:(注1) VB - 高压侧浮动电源电压..............................................-0.3V 至 +624V VS - 高压侧浮动电源偏移电压...............................VB -24V 至 VB+0.3V VHO - 高压侧浮动输出电压......................................VS-0.3V 至 VB+0.3V dVS / dt - 瞬态偏移电压变化.........................................................50 V/ns VCC - 低侧和逻辑固定电源电压........................................-0.3V 至 +24V VLO - 低侧输出电压.....................................................-0.3V 至 VCC+0.3V VIN - 逻辑输入电压 (HIN and LIN*)............VSS- 0.3V 至 Vcc+0.3V PD - 封装功耗 TA ≤ 25 °C SOIC-8..............................................................................................1.25W PDIP-8.................................................................................................1.6W PDIP-8 热阻 (注2) qJC..................................................................................................15 °C/W qJA1.................................................................................................45 °C/W SOIC-8(N) 热阻(注2) qJC..................................................................................................25 °C/W qJA ..................................................................................................55 °C/W TJ - 结工作温度 .......................................................................+150 °C TL - 焊锡温度 (焊接，10s) ....................................................... +300 °C Tstg - 存储温度范围 ..........................................................-55 °C 至 +150 °C 注2：当安装在一个标准的JEDEC 2层FR-4板。 注1: 在超出“绝对最大额定值”情况下工作，可能会造成设 备永久性损坏。这些额定值只是最大值，并不意味着在这 些或任何其他条件超出正常的工作范围, 设备还可以正常工 作。在绝对最大额定值条件下长时间工作可能会影响器件的 可靠性。 推荐工作条件 符号 参数 最小值 最大值 单元 VB 高侧浮动电源电压绝对值 VS + 10 VS + 20 V VS 高侧浮动电源偏移电压 (注3) 600 V VHO 高侧浮动输出电压 VS VB V VCC 低侧和逻辑固定电源电压 10 20 V VLO 低侧输出电压 COM VCC V VIN 逻辑输入电压 COM VCC V TA 环境温度 -40 125 °C 注3 逻辑运算 VS = -5 至 +600V. 逻辑状态为 VS = -5V 至 -VBS March 2014 ADVANCE INFO 3 ADVANCE INFO TF2108 半桥驱动器 直流电气特性 (注4) VBIAS (VCC, VBS) = 15V, 和 TA = 25 °C 除非另有规定。. 符号 参数 VIH 逻辑 “1” 输入电压 VIL 逻辑 “0” 输入电压 VOH 高电平输出电压, VBIAS - VO IO = 2mA 0.05 0.2 VOL 低电平输出电压, VO IO = 2mA 0.2 0.1 ILK 偏置电源漏电流 VB = VS = 600V IBSQ 静态VBS电源电流 VIN = 0V 或 5V 20 75 130 ICCQ 静态VCC电源电流 VIN = 0V 或 5V 0.4 1.0 1.6 IIN+ 逻辑 “1” 输入偏置电流 HIN = 5V, LIN* = 0V 5 20 IIN- 逻辑 “0” 输入偏置电流 HIN = 0V, LIN* = 5V VBSUV+ VBS电源欠压正向阈值 8.0 8.9 9.8 VBSUV- VBS 电源欠压负向阈值 7.4 8.2 9.0 VCCUV+ VCC 电源欠压正向阈值 8.0 8.9 9.8 VCCUV- VCC 电源欠压负向阈值 7.4 8.2 9.0 迟滞电压 0.3 0.7 VCCUVH VBSUVH 条件 VCC = 10 V 至 20 V 最小值 典型值 最大值 单元 2.5 0.8 50 5 IO+ 输出高电平短路脉冲电流 VO = 0V, PW ≤ 10 ms 120 290 IO- 输出低电平短路脉冲电流 VO = 15V, PW ≤ 10 ms 250 600 V mA mA mA V V mA 注4： VIN, V TH, 和 IIN参数，请参考VSS，并适用于二个逻辑引脚: HIN和LIN . VO 和 IO 参数参考COM，并适用于各自的输出引脚: HO 和 LO. March 2014 ADVANCE INFO 4 ADVANCE INFO TF2108 半桥驱动器 交流电气特性 VBIAS (VCC, VBS) = 15V, CL = 1000 pF, 和 TA = 25 °C 除非另有规定。 符号 参数 条件 tON 打开传输延迟时间 tOFF 关闭传输延迟时间 tDM ON 延迟匹配时间 | tON - tOFF | tr 开启上升时间 tf 关断下降时间 tDT 死区时间: tDT LO-HO & tDT HO-LO tMDT 死区时间的匹配 = tDT LO-HO - tDT HO-LO March 2014 最小值 典型值 最大值 VS = 0V 220 300 VS = 0 V 或 600V 200 280 0 30 100 220 35 80 540 680 0 60 VS = 0V 400 ADVANCE INFO 单元 ns 5 ADVANCE INFO TF2108 半桥驱动器 时序波形图 HIN LIN* HIN 50% 50% 90% LIN* HO HO LO 90% 10% tDT LO-HO tDT HO-LO LO 10% 图 2.死区时间波形定义 图 1. 输入/输出时序图 50% 50% LIN* tON LO tr tOFF 90% 90% 10% 10% 50% tf 50% HIN tON HO tr tOFF 90% 90% 10% tf 10% 图3. 开关时间波形定义 March 2014 ADVANCE INFO 6 ADVANCE INFO TF2108 半桥驱动器 封装尺寸 (SOIC-8N) 请联系 [email protected] 了解更多的封装信息 March 2014 ADVANCE INFO 7 ADVANCE INFO TF2108 半桥驱动器 封装尺寸 (PDIP-8) 请联系 [email protected] 了解更多的封装信息 March 2014 ADVANCE INFO 8 ADVANCE INFO TF2108 半桥驱动器 Notes Important Notice Telefunken Semiconductors PRODUCTS ARE NEITHER DESIGNED NOR INTENDED FOR USE IN MILITARY AND/OR AEROSPACE, AUTOMOTIVE OR MEDICAL DEVICES OR SYSTEMS UNLESS THE SPECIFIC Telefunken Semiconductors PRODUCTS ARE SPECIFICALLY DESIGNATED BY Telefunken Semiconductors FOR SUCH USE. 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