SANYO 3LN01SP

注文コード No. N 6 5 4 5
3LN01SP
No. N 6 5 4 5
52200
新
3LN01SP
特長
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・2.5V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
VDSS
VGSS
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
ID
IDP
許容損失
チャネル温度
保存周囲温度
unit
30
± 10
V
V
0.15
0.6
A
A
PD
Tch
0.25
150
W
℃
Tstg
− 55 ∼＋ 150
℃
min
30
max
unit
V
10
± 10
µA
µA
1.3
V
S
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0
ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS
VDS=30V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
IGSS
VGS= ± 8V, VDS=0
typ
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
VDS=10V, ID=100µA
VDS=10V, ID=80mA
0.4
0.15
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)1
RDS(on)2
ID=80mA, VGS=4V
ID=40mA, VGS=2.5V
2.9
3.7
3.7
5.2
Ω
Ω
RDS(on)3
Ciss
6.4
7.0
Ω
pF
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ID=10mA, VGS=1.5V
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
12.8
入力容量
0.22
5.9
2.3
pF
pF
次ページへ続く。
外形図 2180
(unit：mm)
2.2
3.0
4.0
0.4
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途（生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
0.4
3
1.3
0.7
1 2
1.3
0.7
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
15.0
0.6
1.8
0.4
0.5
3.0
3.8nom
1 : Source
2 : Drain
3 : Gate
SANYO：SPA
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
52200
TS寿◎小野田
IM ◎祝田 TA-1990
62797GI
BX-0698 No.6545-1/4
3LN01SP
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min
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
td(on)
tr
指定回路において
〃
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(off)
tf
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
typ
max
unit
19
65
ns
ns
〃
〃
155
120
ns
ns
Qg
Qgs
VDS=10V, VGS=10V, ID=150mA
1.58
0.26
nC
nC
Qgd
VSD
IS=150mA, VGS=0
0.31
0.87
1.2
nC
V
単体品名表示 : YA
スイッチングタイム測定回路図
4V
0V
VDD=15V
VIN
ID=80mA
RL=187.5Ω
VOUT
VIN
PW=10µs
D.C.≦1%
D
G
3LN01SP
S
V
°C
0.25
6.0
0.10
--25
V
0.08
VGS=1.5V
0.06
0.04
0.20
°C
2.0
Ta=
4.0V
0.12
VDS=10V
ドレイン電流, ID -- A
V
3.0
V
3.5V
2.5
0.14
ID -- VGS
0.30
25
ID -- VDS
0.16
ドレイン電流, ID -- A
50Ω
75
°C
P.G
0.15
0.10
0.05
0.02
0
0
0.6
0.4
0.8
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
Ta=25°C
9
8
7
6
80mA
5
4
ID=40mA
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0.5
9
10
IT00031
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT00029
RDS(on) -- VGS
10
0
1.0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
0.2
0
IT00030
RDS(on) -- ID
10
VGS=4V
7
5
Ta=75°C
25°C
3
--25°C
2
1.0
0.01
2
3
5
7
0.1
ドレイン電流, ID -- A
2
3
5
IT00032
No.6545-2/4
VGS=2.5V
7
Ta=75°C
5
25°C
--25°C
3
2
1.0
0.01
2
3
5
7
2
0.1
3
3
2
10
Ta=75°C
7
5
--25°C
3
25°C
2
1.0
0.001
2
3
5
7
2
0.01
6
5
5V
A,
=2.
V GS
4.0V
40m
S=
I D=
A, VG
80m
=
ID
4
3
2
1
0
--60
--40
--20
0
20
40
80
60
100
120
140
yfs -- ID
5
3
--25
°C
25
Ta
°C
=7
5°
C
2
7
5
3
2
0.01
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
ダイオード順電圧, VSD -- V
75°C
5
3
2
5
Coss
3
Crss
2
7
2
0.1
3
5
IT00036
5
3
td(off)
2
tf
100
7
tr
5
3
td(on)
2
2
3
5
7
2
0.1
ドレイン電流, ID -- A
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
Ciss
5
VDD=15V
VGS=4V
IT00038
VGS -- Qg
10
2
7
3
7
VDS=10V
ID=150mA
9
10
2
SW Time -- ID
f=1MHz
3
25°C
7
10
0.01
1.2
5
C
0.1
IT00037
7
--25°
Ta=
2
ドレイン電流, ID -- A
Ciss, Coss, Crss -- VDS
100
3
1000
7
0.1
5
IT00035
IF -- VSD
5
VDS=10V
0.01
0.01
160
VGS=0
3
IT00034
7
1.0
順電流, IF -- A
5
1.0
周囲温度, Ta -- °C
Ciss, Coss, Crss -- pF
VGS=1.5V
7
ドレイン電流, ID -- A
RDS(on) -- Ta
7
RDS(on) -- ID
100
IT00033
順伝達アドミタンス, yfs -- S
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
ドレイン電流, ID -- A
5
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
RDS(on) -- ID
10
スイッチングタイム, SW Time -- ns
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
3LN01SP
8
7
6
5
4
3
2
1
1.0
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
18
20
IT00039
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
総ゲート電荷量, Qg -- nC
1.4
1.6
IT00040
No.6545-3/4
3LN01SP
PD -- Ta
0.30
許容損失, PD -- W
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT01962
取り扱い上の注意：本製品は、高速スイッチング用 MOSFET ですから、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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PS No.6545-4/4