SANYO MCH3307

注文コード No. N 7 0 0 7
MCH3307
No.
N7007
71801
新
MCH3307
特長
P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・2.5V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
VDSS
VGSS
ドレイン電流(DC)
ドレイン電流(パルス)
ID
IDP
許容損失
チャネル温度
PD
Tch
保存周囲温度
Tstg
unit
− 20
± 10
V
V
−1
−4
A
A
0.8
150
W
℃
− 55 ∼+ 150
℃
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS ID= − 1mA, VGS=0
ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS
VDS= − 20V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
IGSS
VGS= ± 8V, VDS=0
min
− 20
typ
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
VDS= − 10V, ID= − 1mA
VDS= − 10V, ID= − 500mA
− 0.4
0.84
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)1
RDS(on)2
ID= − 500mA, VGS= − 4V
ID= − 300mA, VGS= − 2.5V
380
540
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
115
23
帰還容量
Crss
VDS= − 10V, f=1MHz
15
max
unit
V
−1
± 10
µA
µA
− 1.4
V
S
1.2
500
760
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
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単体品名表示:JG
外形図 2167A
(unit : mm)
0.25
0.3
0.15
0.07
1.6
1
0.65
2.0
3
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
0.85
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
2
0.25
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途(生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
2.1
3
1
2
SANYO : MCPH3
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
71801 TS IM ◎佐藤 TA-3312 No.7007-1/4
MCH3307
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min
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(on)
tr
td(off)
tf
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
Qg
Qgs
VDS= − 10V, VGS= − 4V, ID= − 1A
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
IS= − 1A, VGS=0
typ
指定回路において
〃
max
unit
8
6
ns
ns
〃
〃
15
7
ns
ns
1.5
0.4
nC
nC
0.3
− 0.89
nC
V
− 1.2
スイッチングタイム測定回路図
VDD= --10V
VIN
0V
--4V
ID= --500mA
RL=20Ω
VIN
D
VOUT
PW=10µs
D.C.≦1%
G
MCH3307
50Ω
S
C
75
°C
5V
25°
--0.6
--0.5
--0.4
--0.3
VGS= --1.5V
C
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.2
--0.4
--0.1
--0.2
0
Ta
--1.4
=7
5°
--25 C
°C
--2
Ta
--0.7
25
°C
ドレイン電流, ID -- A
--1.6
.0V
25°
V
ドレイン電流, ID -- A
VDS= --10V
--1.8
--0.8
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
--0.9
Ta=25°C
900
800
700
ID= --0.3A
600
--0.5A
500
400
300
200
100
0
0
--2
--4
--6
--8
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
--0.5
--10
IT03503
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT03501
RDS(on) -- VGS
1000
0
--1.0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ID -- VGS
--2.0
--2
.
--3.
--4.0
--0.9
0V
ID -- VDS
--1.0
= --
P.G
--3.0
IT03502
RDS(on) -- Ta
1000
900
800
5V
700
--2.
S=
600
I D=
, VG
--0.3A
V
= --4.0
, V GS
500
.5A
I D= --0
400
300
200
100
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
100
120
140
160
IT03504
No.7007-2/4
MCH3307
yfs -- ID
2
C
3
2
2
3
5
7
2
--0.1
3
ドレイン電流, ID -- A
--0.01
--0.4
7
--1.0
IT03505
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
--1.2
IT03506
Ciss, Coss, Crss -- VDS
3
VDD= --10V
VGS= --4V
2
--0.5
ダイオード順電圧, VSD -- V
f=1MHz
2
100
7
5
3
2
td(off)
10
td(on)
7
tf
5
Ciss
Ciss, Coss, Crss -- pF
スイッチングタイム, SW Time -- ns
5
SW Time -- ID
3
tr
100
7
5
3
Coss
2
3
Crss
2
1.0
--0.1
10
2
3
5
7
2
--1.0
ドレイン電流, ID -- A
3
0
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--10
7
5
IDP= --4A
<10µs
10
0µ
s
ドレイン電流, ID -- A
--2.0
--1.5
--1.0
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
総ゲート電荷量, Qg -- nC
1.4
1.6
IT03509
PD -- Ta
1.0
0.8
1
10 0ms
0m
D
C
s
op
er
at
io
n
ID= --1A
3
--0.5
--20
IT03508
s
1m
--2.5
--18
ASO
3
--3.0
--16
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VDS= --10V
ID= --1A
--3.5
--2
IT03507
VGS -- Qg
--4.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
--0.1
7
5
3
2
0.1
--0.01
許容損失, PD -- W
3
2
C
75°
--25°
Ta
5
25°C
7
--1.0
7
5
Ta=
75°
C
2
5° C
= --2
VGS=0
3
2
5°C
1.0
IF -- VSD
--10
7
5
VDS= --10V
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
3
--0.01
--0.01
Operation in this area
is limited by RDS(on).
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2
セ
ラ
ミ
ッ
ク
基
板
(9
00
m
m2
×
0.8
m
m
)装
着
時
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
3
IT03510
160
IT03511
No.7007-3/4
MCH3307
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PS No.7007-4/4