SANYO CPH5611

注文コード No. N 7 1 5 4
CPH5611
No.
N7154
41002
新
CPH5611
特長
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・2.5V 駆動。
・MOS 形電界効果トランジスタを1パッケージに2素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能
である。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
VDSS
VGSS
ドレイン電流(DC)
ドレイン電流(パルス)
ID
IDP
許容損失
チャネル温度
PD
Tch
保存周囲温度
Tstg
unit
20
± 10
V
V
3
12
A
A
0.9
150
W
℃
− 55 ∼+ 150
℃
min
20
max
unit
V
1
± 10
µA
µA
1.3
V
S
70
102
mΩ
mΩ
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0
typ
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
IDSS
IGSS
VDS=20V, VGS=0
VGS= ± 8V, VDS=0
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=1.5A
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)1
RDS(on)2
ID=1.5A, VGS=4V
ID=0.7A, VGS=2.5V
54
73
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
280
60
帰還容量
Crss
VDS=10V, f=1MHz
38
0.4
3.4
4.8
pF
pF
pF
次ページへ続く。
単体品名表示:FR
2.9
4
0.15
3
2.8
0.6
0.05
2
0.4
0.2
0.95
0.9
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
1
0.7
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途(生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
1.6
0.6
5
0.2
外形図 2168
(unit : mm)
1 : Drain1
2 : Drain2
3 : Gate2
4 : Source
5 : Gate1
0.4
SANYO : CPH5
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
41002 TS IM ◎佐藤 TA-3487 No.7154-1/4
CPH5611
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min
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
typ
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(on)
tr
td(off)
tf
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
Qg
Qgs
VDS=10V, VGS=4V, ID=3A
8.8
0.85
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
IS=3A, VGS=0
0.85
0.84
13
35
ns
ns
〃
〃
35
25
ns
ns
nC
nC
nC
V
1.2
スイッチングタイム測定回路図
4
VDD=10V
VIN
3
4V
0V
1 : Drain1
2 : Drain2
3 : Gate2
4 : Source
5 : Gate1
1
unit
指定回路において
〃
電気的接続図
5
max
D
VOUT
PW=10µs
D.C.≦1%
Top view
2
ID=1.5A
RL=6.67Ω
VIN
G
CPH5611
P.G
ID -- VDS
1.5
V
VDS=10V
3.5
2.0
C
1.5
1.0
0.5
0.5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
0.9
1.0
RDS(on) -- VGS
160
Ta=25°C
140
120
100
1.5A
80
ID=0.7A
60
40
20
0
0
2
4
6
8
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0
0.2
10
IT04047
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT03490
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
25
°C --25°C
1.0
2.5
75°
VGS=1.0V
1.5
3.0
Ta=
2.0
S
ID -- VGS
4.0
ドレイン電流, ID -- A
ドレイン電流, ID -- A
2.5
1.8V
10.0V 4.0V 2.5
V
3.0
50Ω
1.6
IT03491
RDS(on) -- Ta
140
120
100
V
=2.5
, VGS
80
0.7A
I D=
60
.5A,
I D=1
=4.0V
VGS
40
20
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
100
120
140
160
IT04048
No.7154-2/4
CPH5611
2
7
C
25°
5
3
C
5°
C
75°
-2
=-
2
Ta
1.0
7
5
3
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
2
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
0.01
0.2
5 7 10
IT03494
ドレイン電流, ID -- A
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
IT03495
Ciss, Coss, Crss -- VDS
1000
VDD=10V
VGS=4V
2
0.3
ダイオード順電圧, VSD -- V
SW Time -- ID
3
f=1MHz
7
5
100
7
tr
td(off)
5
Ciss, Coss, Crss -- pF
スイッチングタイム, SW Time -- ns
VGS=0
3
10
0.1
0.01
tf
3
2
td(on)
10
7
5
Ciss
3
2
100
7
Coss
5
Crss
3
3
2
2
1.0
0.1
10
2
3
5
7
2
1.0
3
5
7
0
10
IT03496
ドレイン電流, ID -- A
2
VDS=10V
ID=3A
3.5
10
7
5
ドレイン電流, ID -- A
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
3
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
総ゲート電荷量, Qg -- nC
10
IT03498
PD -- Ta
1.0
0.9
4
6
8
10
12
14
16
18
20
IT03497
ASO
IDP=12A
<10µs
10
0µ
1m s
s
10
m
s
ID=3A
DC
1.0
7
5
3
2
10
0m
s
er
at
io
n
op
Operation in this
area is limited by RDS(on).
0.1
7
5
3
2
0.5
2
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VGS -- Qg
4.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IF -- VSD
10
7
5
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
2
yfs -- ID
VDS=10V
Ta=
75°
C
25°
C
--25
°C
3
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(600mm2×0.8mm)装着時 1unit
0.01
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2
セ
ラ
0.8
ミ
許容損失, PD -- W
ッ
ク
基
板
(6
0.6
00
m
m2
×
0.
8m
0.4
m
)装
着
時
0.2
1u
ni
t
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
3
IT04049
160
IT04050
No.7154-3/4
CPH5611
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PS No.7154-4/4