BA6772FS 光ディスク IC コンパクトディスクプレーヤ用 プリサーボアンプ BA6772FS BA6772FS は BU9528KS とペアで使用することにより、コンパクトディスクプレーヤの主信号系を構成することので きるプリサーボアンプ IC です。CD-RW の再生に対応したゲインアップ回路を内蔵しています。 !用途 用途 コンパクトディスクプレーヤ用 !特長 特長 1) 2 電源に対応 2) ディスクディフェクト検出回路を内蔵 3) APC 回路を内蔵 4) RFAGC 回路を内蔵 5) CD-RW の再生に対応した RF、TE、FE のゲインアップ回路を内蔵 6) RF イコライザを内蔵 !絶対最大定格 絶対最大定格（Ta=25°C） 絶対最大定格 Parameter 電源電圧 Symbol Limits Unit VCC 9 V ∗ 許容損失 Pd 400 動作温度範囲 Topr −25~+75 °C 保存温度範囲 Tstg −55~+125 °C mW ∗Ta=25°C以上で使用する場合は、1°Cにつき4mWを減じる。 !推奨動作条件 推奨動作条件（Ta=25°C） 推奨動作条件 Parameter 動作電源電圧範囲 Symbol Min. Typ. Max. Unit VCC 2.5 3.0 5.5 V 1/11 BA6772FS 光ディスク IC !ブロックダイアグラム ブロックダイアグラム 1 CAGC VCC2 AGC 32 ASY 2 3 ASY RFI FOK COMP − RFO EFM + 10k 4 31 10k 30 VCC2 EQSW VC2 DETへ 10k 29 GSW FOK 5 6 + GND 10k 2.5k 60k AC 7 8 7k + BD 60k 10k + VC1 11 E F − + + − VCC1 TE− GCA BLH SCRATCH CONTROL 20k + 26 25 24 ×1.71 20k PLH TE − 27 GSW − 12 FE− − ×0.58 10 FE − GCA − + − 7k 9 10k ×2 GSW 2.5k 10k − ×0.5 28 SC RFOより 23 22 MIRROR ×2 21 DEFECT 13 DET BLOCK LD 20 PD 14 RFRP LPC 19 LON 15 − ×2 FB 18 + VCC1 16 TB 17 2/11 BA6772FS 光ディスク IC !各端子説明 各端子説明 Pin No. Pin name Functions Pin No. Pin name Functions 1 CAGC AGC時定数用C取付端子 17 TB トラッキングエラーバイアス入力端子 2 RFI RF出力容量結合再入力端子 18 FB フォーカスエラーバイアス入力端子 3 RFO RFサミングアンプ出力端子 19 4 EQSW RFイコライザ切替え端子 20 5 GSW CD-RW用ゲイン切替え端子 21 MIRR 6 GND GND端子 22 SC スクラッチ深さ調整用R取付端子 7 AC A+C入力端子 23 BLH ボトムロングホールド用C取付端子 8 BD B+D入力端子 24 TE− トラッキングエラーアンプ帰還入力端子 9 VC1 バイアスアンプ1出力端子 25 TE トラッキングエラー出力端子 10 E E入力端子 26 FE− フォーカスエラーアンプ帰還入力端子 11 F F入力端子 27 FE フォーカスエラー出力端子 12 PLH ピークロングホールド用C取付端子 28 FOK フォーカスOKコンパレータ出力端子 RFRP RFリップル出力端子 DEFECT ディフェクト信号出力端子 ミラー信号出力端子 13 LD LPCアンプ出力端子 29 VC2 バイアスアンプ2出力端子 14 PD LPCアンプ入力端子 30 EFM EFM信号出力端子 15 LON レーザON電圧入力 31 ASY オートアシンメトリーコントロール入力端子 16 VCC1 電源端子1（ピック側） 32 VCC2 電源端子2（DSP側） !入出力回路図 入出力回路図 Pin No. Equivalent circuit Pin No. 1 : CAGC Equivalent circuit 4 : EQSW 10k 4 1µA 1k 1 2 : RFI 5 : GSW 2 10k 5 10k 7.5k 10k 10k 2.5k 20k 3 : RFO 6 : GND 16 : VCC1 32 : VCC2 3 10k 10k 10k 6 300µ 10k 10k 32 16 3/11 BA6772FS 光ディスク IC Pin No. 7 : AC 8 : BD Equivalent circuit Pin No. 8も同様 Equivalent circuit 20 : DEFECT 21も同様 21 : MIRR 20 1k 22k 1k 7k 5k 1k 7 10 : E 11 : F 7k 480 11も同様 20k 22 : SC 10 12 : PLH 180 22 23 : BLH 12 0.1µ 0.1µ 23 13 : LD 100k 13 110µ 100k 180 1k 24 : TE− 25 : TE 26 : FE− 27 : FE 26,27も同様 25 24 20p 200µ 14 : PD 14 28 : FOK 28 2k 1k 15 : LON 20k 1k 15 17 : TB 18 : FB 18も同様 2k 30 : EFM 17 30k 250µ 30 19 : RFRP 39k 200µ 20k 30k 19 10p 31 : ASY 31 4/11 BA6772FS 光ディスク IC !電気的特性 電気的特性（特に指定のない限り Ta=25°C, VCC1=3.0V, VCC2=3.0V） 電気的特性 Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit IQ − 10.2 13.2 mA <バイアスアンプ> バイアス電圧 VB 1.37 1.5 1.63 V 最大出力電流"H" IOH 3.0 − − mA バイアス変動200mV以下 最大出力電流"L" IOL 3.0 − − mA バイアス変動200mV以下 <RFアンプ> 出力オフセット電圧 VOFRF −0.90 −0.70 −0.58 V 電圧利得1 GRF1 12 15 18 dB 無信号時消費電流 Conditions GSW=L 電圧利得2 GRF2 24 27 30 dB V7A=0.22V, SG1=30mVP-P, 100kHz 最大出力振幅"H" VOHRF 0.80 1.0 − V 最大出力振幅"L" VOLRF − −1.35 −0.90 V AC,BD同時入力 V2=VB+0.5V, V2=VB−0.3V カットオフ周波数 FCRF − 6 − MHz EQG1 − 3 − dB V7A=0.77V, SG1=30mVP-P, 2MHz RFEQブースト量2 EQG2 − 3.5 − dB V7A=0.77V, SG1=30mVP-P, 2MHz <FEアンプ> 出力オフセット電圧 VOFFF −130 0 130 mV GSW=L 電圧利得AC1 GFFAC1 10.7 13.7 16.7 dB SG1=30mVP-P, 1kHz 電圧利得AC2 GFFAC2 22.7 25.7 28.7 dB SG1=30mVP-P, 1kHz 電圧利得BD1 GFFBD1 10.7 13.7 16.7 dB SG2=30mVP-P, 1kHz 電圧利得BD2 SG2=30mVP-P, 1kHz GFFBD2 22.7 25.7 28.7 dB ∆GFF −3 0 3 dB 最大出力振幅"H" VOHFF 1.0 1.4 − V 最大出力振幅"L" VOLFF − −1.4 −1.0 V AC,BD入力それぞれ測定 V7(V8)=VB±0.4V 周波数特性 FCFF 7.7 10.7 13.7 dB SG1,SG2=60mVP-P, 200kHz バランス・クロストーク量 VFRBC −180 − 180 mV V18=VB±0.25V RFR 2.6 4.7 7.0 − DC相対ゲイン ∆RFR −15 0 15 % V18=VB(AC入力側に対してのBD入力側) AC入力側ゲイン可変割合1-H BF1H 1.15 1.65 2.15 − V18=VB+0.25V AC入力側ゲイン可変割合1-L BF1L 0.20 0.35 0.60 − V18=VB−0.25V BD入力側ゲイン可変割合2-H BF2H 0.20 0.35 0.60 − V18=VB+0.25V BD入力側ゲイン可変割合2-L BF2L 1.15 1.65 2.15 − V18=VB−0.25V <TEアンプ> 出力オフセット電圧 VOFTF −150 0 150 mV GSW=L 電圧利得E1 GTFF1 19.5 22.5 25.5 dB SG3=30mVP-P, 1kHz 電圧利得E2 GTFF2 28.5 31.5 34.5 dB SG3=30mVP-P, 1kHz 電圧利得F1 GTFF1 19.5 22.5 25.5 dB SG4=30mVP-P, 1kHz SG4=30mVP-P, 1kHz DCゲインAC ∗ −3dBポイント <EQ部> RFEQブースト量1 電圧利得差 ∗ V7A=0.77V, SG1=30mVP-P, 100kHz ∗ ∗ V18=VB(AC入力側) ∗ 電圧利得F2 GTFF2 28.5 31.5 34.5 dB 最大利得差 ∆GTF −3 0 3 dB 最大出力振幅"H" VOHTF 1.0 1.4 − V V10=VB+0.2V ∗ 最大出力振幅"L" VOLTF − −1.4 −1.0 V V11=VB+0.2V ∗ 周波数特性 FCTF 17 19.5 22 dB SG3(SG4)=60mVP-P, 30kHz バランス・クロストーク量 VTRBC −150 − 150 mV V17=VB±0.25V RTR 9.2 13.5 20.0 − V17=VB(E入力側) DC相対ゲイン ∆RTR −15 0 15 % V17=VB(E入力側に対してのF入力側) E入力側ゲイン可変割合1-H BT1H 0.20 0.35 0.60 − V17=VB+0.25V E入力側ゲイン可変割合1-L BT1L 1.15 1.65 2.15 − V17=VB−0.25V F入力側ゲイン可変割合2-H BT2H 1.15 1.65 2.15 − V17=VB+0.25V F入力側ゲイン可変割合2-L BT2L 0.20 0.35 0.60 − V17=VB−0.25V E側入力DCゲイン 5/11 BA6772FS 光ディスク IC Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions <FOKコンパレータ> しきい値電圧 VTHFK 0.1 0.3 0.4 V ハイレベル出力電圧 VOHFK 2.5 − − V V2=VB−0.83V V2=VB−0.27V ∗ ローレベル出力電圧 VOLFK − − 0.5 V 最大動作周波数 FMXFK 40 − − kHz <アシンメトリーアンプ> 出力オフセット電圧 VOFAS −180 0 180 mV 電圧利得1 G1AS 4.6 8.6 12.6 dB 電圧利得2 G2AS 14.5 17.5 20.5 dB 31pin入力,80mVP-P, 1kHz 最大出力振幅"H" VOHAS 1.1 1.4 − V 最大出力振幅"L" VOLAS − −1.4 −1.1 V V2=VB±0.78V V31=VB±0.25V <APC> 出力電圧1 VO1AP 2.4 2.8 − V 14pin230mV入力 出力電圧2 VO2AP − 1.0 1.4 V 14pin150mV入力, I1,2=1mA リファレンス電圧 VAPR 155 170 195 mV 周波数特性 FAP 2 6 10 dB <AGC> リファレンス電圧1 VAGC1 1.7 1.9 2.1 V 600mVP-P, 200kHz リファレンス電圧2 VAGC2 1.7 1.9 2.1 V 1.2VP-P, 200kHz ∗ 2pin入力,80mVP-P, 1kHz SG5=40mVP-P, 500Hz 流入電流 ICAGC 0.9 1.08 1.6 µA MAXゲイン GAGC 4.6 8.6 12.6 dB 50mVP-P, 200kHz 動作ゲイン GOPAGC 2 6 10 dB 600mVP-P, 200kHz 圧縮ゲイン GCMAGC −4 0 4 dB 1.2VP-P, 200kHz 周波数特性 FAGC −3 0 3 dB 600mVP-P, 3MHz, 200kHz <ミラー検出部> ハイレベル出力電圧 VOHMR 2.5 − − V ローレベル出力電圧 VOLMR − − 0.5 V 最大動作周波数 FMXMR 30 − − kHz <ディフェクト検出部> ハイレベル出力電圧 VOHDF 2.5 − − V ローレベル出力電圧 VOLDF − − 0.5 V 最大動作周波数 FMXDF 2 − − kHz スクラッチ深さ VSC 0.13 0.20 0.27 V <RFRP部> 出力電圧 動作振幅 <2電源> 2電源時消費電流 VRFRP 0.55 0.75 0.95 V ∆RFRP 270 380 550 mVP-P IQ2 − 11.0 14.0 mA ∗ V7A=0.87V, 1.12V SG2=80mVP-P, 100kHz VCC1=5V, VCC2=3V ∗規格値はVB基準です。 2電源として使用する場合は、必ずVCC1≥VCC2としてください。VCC1<VCC2として使用した場合、ラッチアップを起こし本ICの破壊を招く恐れがあります。 6/11 BA6772FS 光ディスク IC !測定回路図 測定回路図 I4 C V X1 SW1 A A U V W A + B 1µ VC1 (9pin) D SG6 VC2 (29pin) SW31 B V1 C SG7 S A SW2 1 B V2 VCC2 AGC V31 V ~ 32 10k ASY OFF V CAGC 2 V ~ SW29 12 ASY RFI FOK COMP 31 k V A SW3 10k 3 B 10k SW4 4 EFM + VCC2 A 10k 30 100k VCC2 EQSW VC2 DETへ 10k N 29 V ~ B VCC2 V7A − RFO GSW A 100k SW7A SW5 FOK 5 28 B SG2 A 6 SW7 V7 + GND 60k AC C OFF SW8A OFF A SG1 68k 68k 7 68k 68k 8 I1 SW9 9 C 60k 10k + − + TE − VCC1 V O ~ 220k 22p L TE− GCA I5 25 GSW − 10p 26 V ~ I6 24 SG4 B 10 O A C ×0.58 SW11 11 E 20k F 20k 3300p A C SW10 B 27 68k FE− − V A FE − GCA − + VC1 ×2 GSW + − 7k B V8 10k + BD ×0.5 2.5k 10k − 7k SW8 33p 10k 2.5k 33p B ×1.71 BLH SCRATCH CONTROL SW23 23 B A AB 10k 22 SG3 V10 C V11 12 + PLH RFOより Z A SW22 MIRROR ×2 Q V ~ 21 B V k C DEFECT B SW13 13 DET BLOCK LD D V V ~ 20 0.1µ A RFRP LPC 14 I3 I V ~ 19 B 47k LON VCC1 − 15 A H FB ×2 TB 16 2SA933AS G 0.1µ VCC1 390 V14 17 47k V ~ 1k 47 + 1µ V V18 18 + 0.1µ 22k I4 P PD A SW14 VCC1 VCC2 V O − V23 C SC V17 F SG5 3300p SW12 A 22k OFF V15 SW12 A SW15 V12A V B A AA 68k C B V12 10k V R SW16B T Y A A SW16 B VCC1 M SW16A A VCC2 7/11 BA6772FS 光ディスク IC !動作説明 動作説明 〈RF アンプ〉 〈FOK コンパレータ〉 〈AGC〉 RFO 35µ − 3 RFI + 2 10k GSW 10k 10k 20k 60k 2.5k EQ 33k 2.5k 10k 40µ 10k 10k B D 8 BD 7k − − 33k + + 20k 60k 33k A 33k C 7 AC − 7k 10k FOK + − 28 + VCC2 CAGC AGC 1µ 2 ASY RF, FOK, AGCブロック ・RFO は、VC1 から下側に 0.7V シフトしています。 ・FOK は、RF の DC 成分が 0.3V 以上あがると High になります。 ・AGC ブロックは、振幅を 0.6VP-P 一定になるようにコントロールし、ASY ブロックへ伝達します。 ・CAGC（Pin1）には、位相補償用のコンデンサを取り付けます。 + 4.7 47µ 〈APC ブロック〉 13 LD LD PD 14 − + LON 15 PD 0.2V LPCブロック ・LON（Pin15）が Low のとき、LD 出力（Pin13）は High になり、レーザダイオードを OFF にします。 ・LON が High になると、内部基準電圧と PD に発生する電圧が同じになるようにレーザパワーをコントロールしま す。 ・LD 出力端子（Pin13）には、LPC 位相補償用の C を取り付けてください。 8/11 BA6772FS 光ディスク IC 〈DET ブロック〉 + MIRR − 30k + 70k VSC − RFO DEFECT − + 放電電流1µA 放電電流0.1µA 200 RFRP 30p 17.8p 1.2V SC 23 12 BLH 3300p R9 22 放電電流0.1µA 20 19 ボトムホールド・ロング ボトムホールド・ショート ピークホールド・ロング ピークホールド・ショート 放電電流0.1µA 21 PLH 3300p DETブロック ピークホールド・ロング（PL） ボトムホールド・ロング（BL） PL−VSC ピークホールド・ショート（PS） ボトムホールド・ショート（BS） BL+(PL−BL)∗30k∗(30k+70k) ミラー ディフェクト ディフェクト及びミラーの発生 ・RFRP 信号は AGC 出力のピークホールド・ショート信号からボトムホールド・ショート信号を減算した信号とし て生成されます。 ・ボトムホールド・ロングの充電電流は、ディフェクトが High のとき 50µA となります。 ・Pin18 の抵抗を変えることによって、スクラッチ深さ（VSC）を調整することができます。 VSC = 1.2 × 4K R9 + 200 ・ピークホールドは約（GND+0.9V）以下、ボトムホールドは約（VCC-0.9V）以上の電圧には追従しません。 〈ゲイン UP 機能 GSW〉 ・本 IC では GSW 端子を“L”から“H”へコントロールすることにより、RF、FE、TE アンプのゲインを同時にア ップさせることができます。 ・GSW=“H”のとき RF、FE アンプのゲインは約 12dB、TE アンプのゲインは約 9.0dB 同時にアップします。 ・なお、GSW 端子には必ず、 “H”または“L”の電圧を与えて使用してください。 （“H”=VCC2、 “L”=GND） 9/11 BA6772FS 光ディスク IC 〈RFEQ 部〉 REF LEVEL 40.000dB 0.0deg /DIV 5.000dB 45.000deg MARKER MAG(UDF) MARKER PHASE(UDF) 198 722.341Hz 14.871dB 198 722.341Hz 2.474deg Gain 0.5dB EQSW ON OFF EQSW 3.0dB OFF ON Phase 100K START 50 000.000Hz 1M 2M 10M STOP 20 000 000.000Hz EQSW 端子を“H” 、 “L”切り換えることにより、RF イコライザ特性を上図のように 2 種類に切り換えることができま す。 !応用回路図 応用回路図 3V系VCC VCC2 1µ 1 CAGC VCC2 AGC 32 ASY 2 0.01µ 3 ASY RFI FOK COMP − RFO 4 EFM + 10k マイコンより 31 10k 100k 0.47µ 30 VCC2 EQSW VC2 DETへ 10k 29 GSW マイコンより FOK 5 6 + GND 10k 2.5k 60k 33k AC 7 33k 8 − 7k 33k 9 10k + BD 60k 10k + VC1 27 270p FE− GCA − 26 68k + − 7k 33k 10k FE − GSW 2.5k 28 − + TE − − 25 22p GSW + − VCC1 TE− GCA 24 220k 20k F 20k BLH BU9528KSへ 10 E 23 ピックアップより 3300p 11 SCRATCH CONTROL SC 22 22k VCC1 − 3300p 12 RFOより MIRROR + PLH 21 DEFECT 13 DET BLOCK LD 20 PD 14 RFRP LPC 19 LON 15 − FB 18 47k + VCC1 16 5V系VCC TB 0.1µ 17 47k 0.1µ 10/11 BA6772FS 光ディスク IC !使用上の注意 使用上の注意 (1) 2 電源として使用する場合は、必ず VCC1≥VCC2 としてください。VCC1<VCC2 として使用した場合、ラッチアップ を起こし本 IC の破壊を招く恐れがあります。 (2) A、C、B、D から Pin7,8 へ接続する各入力抵抗値を 100kΩ以上に設定すると、RF アンプの f 特にピークを生じま す。 (3) Pin26,27 間の帰還抵抗を 56kΩ以下にすると、FE 出力の D レンジが不足する恐れがあります。 !外形寸法図 外形寸法図（Units : mm） 外形寸法図 13.6±0.2 17 1 16 1.8±0.1 0.11 7.8±0.3 5.4±0.2 0.3Min. 32 0.8 0.36±0.1 0.15±0.1 0.1 SSOP-A32 11/11