Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT 400 N 26 KOF N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltages T vj = - 40°C...Tvj max VDRM, VRRM 2600 V V Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage T vj = - 40°C...Tvj max VDSM 2600 V V Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage T vj = + 25°C...Tvj max VRSM 2700 V V ITRMSM 800 A ITAVM 400 510 A 13000 11000 A A Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current T C = 85°C T C = 71°C Stoßstrom-Grenzwert surge current ITSM T vj = 25°C, tp = 10ms T vj = Tvj max, tp = 10ms Grenzlastintegral I²t-value T vj = 25°C, tp = 10ms Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6 I²t T vj = Tvj max, tp = 10ms 845000 605000 (diT/dt)cr A²s A²s 150 A/µs 1000 V/µs 1,88 V f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage T vj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dvD/dt)cr 6. Kennbuchstabe / 6th letter F Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage T vj = Tvj max, iT = 1500A vT Schleusenspannung threshold voltage T vj = Tvj max V(TO) 1,00 V Ersatzwiderstand slope resistance T vj = Tvj max rT 0,50 mΩ Zündstrom gate trigger current T vj = 25°C, vD = 6V IGT max. 250 mA Zündspannung gate trigger voltage T vj = 25°C, vD = 6V VGT max. 2,2 V Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current T vj = Tvj max, vD = 6V IGD max. max. 10 5 mA mA Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage T vj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V Haltestrom holding current T vj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω IH max. 300 mA Einraststrom latching current T vj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 10Ω IL max. 1500 mA iD, iR max. 100 mA tgd max. 4 µs typ. 300 µs 3 3,6 kV kV T vj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM max. iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tG = 20µs Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents T vj = Tvj max vD = VDRM, vR = VRRM Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time T vj = Tvj max, iTM = ITAVM T vj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs tq vRM = 100V, VDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20V/µs, -di T/dt = 10A/µs 5. Kennbuchstabe / 5th letter O Isolations-Prüfspannung insulation test voltage SZ M ; K.-A. Rüther VISOL RMS, f = 50Hz, t = 1min RMS, f = 50Hz, t = 1sec 31. Mai 95 A 116/95 Seite/page 1(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT 400 N 26 KOF N Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Modul / per module, Θ = 180°sin pro Zweig / per arm, Θ = 180°sin RthJC max. max. max. max. RthCK max. max. pro Modul / per module, DC pro Zweig / per arm, DC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module pro Zweig / per arm 0,0325 0,0650 0,0310 0,0620 °C/W °C/W °C/W °C/W 0,01 °C/W 0,02 °C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Tvj max 125 °C Betriebstemperatur operating temperature Tc op - 40...+125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg - 40...+130 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 page 3 Si-Elemente mit Druckkontakt, Amplifying-Gate Si-pellets with pressure contact, amplifying-gate Innere Isolation internal insulation AlN Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung mounting torque Toleranz / tolerance ±15% M1 6 Nm Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 12 Nm Gewicht weight G typ. 1500 g Kriechstrecke creepage distance 19 mm Schwingfestigkeit vibration resistance 50 m/s² f = 50Hz Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ M ; K.-A. Rüther 31. Mai 95 Seite/page 2(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module SZ M ; K.-A. Rüther TT 400 N 26 KOF 31. Mai 95 N Seite/page 3(4) Technische Information / Technical Information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module TT 400 N 26 KOF N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Pos. n 1 2 3 4 5 R thn [° C / W ] 0,00137 0,00486 0,0114 0,0223 0,0221 τ n [ s] 0,00076 0,0086 0,101 0,56 3,12 Analytische Funktion: SZ M ; K.-A. Rüther Z thJC 6 7 t − τn = R thn 1 − e n =1 nmax ∑ 31. Mai 95 Seite/page 4(4)