ETC TT570N14KOF

Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
TT 570 N 08...14
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM, VRRM
800, 1000
1200, 1400
V
V
Tvj = - 40°C...Tvj max
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = - 40°C...Tvj max
VDSM
800, 1000
1200, 1400
V
V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = + 25°C...Tvj max
VRSM
900, 1100
1300, 1500
V
V
ITRMSM
900
A
570
A
17000
14000
A
A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 87°C
ITAVM
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
ITSM
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
I²t
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
(diT/dt)cr
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
6. Kennbuchstabe / 6th letter F
(dvD/dt)cr
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max, iT = 1700A
vT
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 6V
IGT
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25°C, vD = 6V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
1445000
980000
A²s
A²s
200
A/µs
1000
V/µs
1,53
V
0,9
V
Charakteristische Werte / Characteristic values
max.
0,27
mΩ
Ω
max.
250
mA
VGT
max.
2,2
V
Tvj = Tvj max, vD = 6V
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
IGD
max.
max.
10
5
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
VGD
max.
0,25
V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω
Ω
IH
max.
300
mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 10Ω
Ω
iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tG = 20µs
IL
max.
1500
mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
max.
140
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
tgd
max.
4
µs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = 600A
vRM = 100V, VDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
5. Kennbuchstabe / 5th letter O
tq
typ.
250
µs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1min
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
VISOL
3,0
3,6
kV
kV
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29. Jul 98
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
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N
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per module, Θ = 180°sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180°sin
pro Modul / per module, DC
pro Zweig / per arm, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
0,0325
0,0650
0,0310
0,0620
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
pro Zweig / per arm
RthCK
max.
max.
0,0100 °C/W
0,0200 °C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
- 40...+135 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
- 40...+140 °C
135 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
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Si-Elemente mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellets with pressure contact, amplifying-gate
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
mounting torque
Toleranz / tolerance ±15%
M1
6 Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / tolerance +5% / -10%
M2
12 Nm
Gewicht
weight
G
Kriechstrecke
creepage distance
typ.
1500 g
19 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R thn [° C / W ] 0,00137 0,00486 0,01140 0,02230 0,02210
τ n [ s]
0,00076 0,00860 0,10100 0,56000 3,12000
t

− 
τn 

=
R thn 1 − e


n=1


nmax
Analytische Funktion:
SZ-MA; R. Jörke
Z thJC
∑
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