CGH25120F 120 W，2300-2700 MHz，用于WiMAX和LTE的GaN HEMT Cree的CGH25120F是一款专为高效率、高增益和高带宽能力而设计的氮化镓 （GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），因而是2.3-2.7GHz WiMAX、LTE 和BWA放大器应用的理想选择。该晶体管用陶瓷／金属法兰封装。 封装类型：44 0162 部件号：CGH 25120F 示范放大器在2.3-2.7GHz（TC = 25˚C）时的典型性能 2.3 GHz 2.4 GHz 2.5 GHz 2.6 GHz 2.7 GHz 单位 43 dBm时的增益 12.5 12.8 13.1 13.5 13.6 dB 43 dBm时的ACLR -32.7 -34.0 -32.5 -29.5 -25.8 dBc 43 dBm时的漏极效率 26.5 28.0 30.0 32.5 34.5 % 参数 注意： 在CGH25120F-TB放大器电路中测得，采用等效802.16e WiMAX信号，10 MHz带宽，PAR = 9.6 dB（在CCDF上的概率为0.01 %）。 特点 • 2.3 - 2.7 GHz工作频率 • 13 dB增益 • 20 W PAVE时，30 %效率 • 可应用高度DPD修正 修订版本2.2— —2012年9月 • 20 W PAVE时，-32 dBc ACLR 若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com/rf 1 25˚C表面温度时的绝对最大额定值（非同时发生） 参数 符号 额定值 单位 单位 漏源电压 VDSS 84 伏 25˚C 25˚C 栅源电压 VGS -10, +2 伏 储存温度 TSTG -65, +150 ˚C 工作结温 TJ 225 ˚C 最大正向栅极电流 IGMAX 30 mA 25˚C 最大漏极电流1 IDMAX 12 A 25˚C TS 245 ˚C 焊接温度2 τ 80 in-oz RθJC 1.5 ˚C/W 85˚C TC -40, +150 ˚C 30秒 螺丝扭矩 热阻，结点到表面3 表面工作温度3 注意： 1 为确保长期可靠工作的电流限制。 2 请访问以下网址参阅有关焊接的应用说明：www.cree.com/products/wireless_appnotes.asp 3 PDISS = 56 W时针对CGH25120F测得。 电气特性（TC = 25 ˚C） 规格参数表 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 栅极阈值电压 VGS(th) 栅极静态电压 VGS(Q) -3.8 -3.0 -2.3 VDC VDS = 10 V, ID = 28.8 mA – -2.7 – VDC VDS = 28 V, ID = 0.5 A IDS 23.2 28.0 – A VDS = 6.0 V, VGS = 2.0 V VBR 120 – – VDC VGS = -8 V, ID = 28.8 mA – 130 – W VDD = 28 V, IDQ = 0.5 A, 1 直流特性 饱和漏极电流 2 漏源击穿电压 射频特性（TC = 25˚C，F0 = 2.5 GHz，除非另有说明） PSAT 饱和输出功率3，4，5 脉冲漏极效率 η – 60 – % VDD = 28 V, IDQ = 0.5 A, POUT = PSAT Gain6 G 10.5 12.5 – dB VDD = 28 V, IDQ = 0.5 A, POUT = 43 dBm ACLR – -31 -27 dBc VDD = 28 V, IDQ = 0.5 A, POUT = 43 dBm η 27 32 – % VDD = 28 V, IDQ = 0.5 A, POUT = 43 dBm VSWR – – 10 :1 Y 在所有相角均无损伤，VDD = 28 V, IDQ = 1.0 A, POUT = 20 W CW CGS – 88 – pF VDS = 28 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz CDS – 12 – pF VDS = 28 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz CGD – 1.6 – pF VDS = 28 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 3，5 WiMAX线性6，7 6 漏极效率 输出失配应力 动态特性 输入电容8 输出电容 8 反馈电容 注： 1 封装前在晶片上测得。 2 从PCM数据中计算得出。 3 脉冲宽度= 40 μS，暂载率=5 %。 4 PSAT被定义为IG=10 mA峰值。 5 在CGH25120F-TB中测得。 6 等效802.16e WiMAX信号，10 MHz带宽，PAR=9.6 dB（在CCDF上的概率为0.01 %时）。 7 在载波边缘偏移10 MHz、10 MHz带宽时测得。 8 包括封装和内部匹配元件。 版权所有 © 2009-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 2 CGH25120F Rev 2.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型性能 0 15 -5 12 -10 线性增益（dB） 18 9 -15 6 -20 频率（dB） CGH25120F在宽带放大器电路中的增益和输入回波损耗与频率 VDD = 28 V,ofICGH25120F = 0.5 A Sparameters DQ 增益 3 -25 回波损耗 0 -30 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 频率（GHz） 典型移动WiMAX数字预失真（DPD）性能 在CGH25120F-TB放大器电路中测得的CGH25120F的WiMAX特性 （带或不带DPD修正ACLR）和漏极效率与输出功率。 WiMAX Transfer with and without DPD correction VDS =CGH25120F 28 V，I = 0.5 A，频率 = 2.5 GHz Vds = 28V, DS Ids = 500 mA, Frequency = 2.5 GHz -20 50 未修正的+ACLR 已修正的-ACLR 已修正的+ACLR 未修正的效率 已修正的效率 45 40 -35 35 ACLR（dBc） -30 -40 30 -45 25 -50 20 -55 15 -60 10 -65 5 -70 漏极效率（%） -25 未修正的-ACLR 0 15 20 25 30 35 40 45 输出功率（dBm） 版权所有 © 2009-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 3 CGH25120F Rev 2.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型脉冲性能 VDS 在CGH25120F-TB放大器电路中测得的CGH25120F的典型 脉冲特性输出功率、 漏极效率和增益与输入功率。 = 28 V, IDS = 0.5 A，频率 = 2.5 GHz，脉冲宽度 = 40 μS，暂载率 = 5 % 80 18 输出功率 70 17 漏极效率 增益 16 增益 50 15 输出功率 40 14 30 增益（dB） 输出功率（dBm） 漏极效率（%） 60 13 20 12 效率 10 11 0 10 0 5 10 15 20 25 30 35 40 输入功率（dBm） 在CGH25120F-TB放大器电路中测得的CGH25120F的典型脉冲饱和功率与频率。 VDS = 28 V，IDS = 0.5CGH25120 A，PSAT = 10 mA IOutput 峰值，脉冲宽度 = 40 μS，暂载率 = 5 % Pulsed Saturated Power vs Frequency GS 53 80 Psat 76 漏极效率 51 72 50 68 49 64 48 60 47 56 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 频率（GHz） 2.6 2.7 2.8 版权所有 © 2009-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 4 漏极效率（%） 饱和输出功率（dBm） 52 CGH25120F Rev 2.2 2.9 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型性能 K因数 MAG（dB） CGH25120F的模拟最大可用增益和K因数 VDD = 28 V, IDQ = 500 mA 频率（GHz） 典型噪声性能 噪声电阻（欧姆） 最小噪声系数（dB） CGH25120F的模拟最小噪声系数和噪声电阻与频率 VDD = 28 V, IDQ = 500 mA 频率（GHz） 静电放电（ESD）分类 参数 符号 类别 测试方法 人体模型 HBM 1A (> 250 V) JEDEC JESD22 A114-D 充电装置模型 CDM II (200 < 500 V) JEDEC JESD22 C101-C 版权所有 © 2009-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 5 CGH25120F Rev 2.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf 源阻抗和负载阻抗 D Z负载 Z源 G S 频率（MHz） Z源 Z负载 2300 6.80 - j12.19 4.38 - j1.42 2350 6.42 - j11.89 4.39 - j1.36 2400 6.05 - j11.61 4.39 - j1.33 2450 5.71 - j11.34 4.36 - j1.32 2500 5.37 - j11.08 4.31 - j1.33 2550 5.04 - j10.83 4.23 - j1.34 2600 4.71 - j10.57 4.11 - j1.36 2650 4.39 - j10.31 3.98 - j1.37 2700 4.07 - j10.04 3.80 - j1.36 注1：VDD = 28V, IDQ = 500mA.在440162封装中。 注2：阻抗来自CGH25120F-TB示范电路，而非来源于晶体管的源阻抗和负载挽阻抗数据。 CGH25120F功耗降额曲线 CGH25120F Average Power Dissipation De-rating Curve 70 60 功耗（W） 50 40 30 注1 20 10 0 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250 最高表面温度（°C） 注1. 超过最高表面工作温度的部分（参见第2页）。 版权所有 © 2009-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 6 CGH25120F Rev 2.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH25120F-TB示范放大器电路材料表 符号 描述 数量 R1 RES, 1/16 W, 0603, 1%, 150 OHMS 1 R2 RES, 1/16 W, 0603, 1%, 5.1 OHMS 1 C1 CAP, 6.8 pF, +/-0.25 pF, 0603, ATC600S 1 C2 CAP, 27 pF, +/-5%, 0603, ATC600S 1 CAP, 8.2 pF, +/-0.25 pF, 0603, ATC600S 3 C4,C10 CAP, 82.0 pF, +/-5%, 0603, ATC600S 2 C5,C11 CAP, 470 pF, 5%, 100V, 0603, X7R 2 CAP, 33000 pF, 0805, 100V, X7R 3 C7 CAP，10 UF，16V，钽 1 C8 CAP, 24 pF, +/-5%, 0603, ATC600S 1 C13,C17 CAP, 1.0 UF, 100V, 10%, X7R, 1210 2 C3,C9,C15 C6,C12,C16 C14 CAP，100 UF，+/-20%，160V，电解 1 J1,J2 CONN，N型，阴，0.500 SMA法兰 2 CONN, Header, RT> PLZ, 0.1 CEN, LK, 9 POS 1 J3 - PCB，RO4350，ER = 3.48，H = 20密耳 1 - CGH25120F 1 CGH25120F-TB示范放大器电路 版权所有 © 2009-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 7 CGH25120F Rev 2.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH25120F-TB示范放大器电路示意图 射频输出 射频输入 CGH25120F-TB示范放大器电路平面图 版权所有 © 2009-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 8 CGH25120F Rev 2.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH25120的典型封装S参数（小信号，VDS = 28 V，IDQ = 500 mA，角的单位为度） 频率 Mag S11 Ang S11 Mag S21 Ang S21 Mag S12 Ang S12 Mag S22 Ang S22 500 MHz 0.970 179.55 3.23 65.19 0.006 -19.55 0.697 -171.85 600 MHz 0.969 178.04 2.71 59.73 0.006 -23.92 0.712 -171.11 700 MHz 0.969 176.68 2.35 54.43 0.006 -28.13 0.728 -170.54 800 MHz 0.968 175.39 2.08 49.24 0.006 -32.20 0.744 -170.15 900 MHz 0.967 174.12 1.88 44.13 0.006 -36.17 0.760 -169.90 1.0 GHz 0.965 172.86 1.73 39.07 0.006 -40.07 0.776 -169.80 1.1 GHz 0.963 171.57 1.62 34.02 0.007 -43.93 0.792 -169.82 1.2 GHz 0.961 170.24 1.53 28.94 0.007 -47.79 0.808 -169.93 1.3 GHz 0.957 168.86 1.47 23.78 0.007 -51.71 0.823 -170.13 1.4 GHz 0.953 167.39 1.43 18.47 0.007 -55.72 0.838 -170.41 1.5 GHz 0.948 165.84 1.41 12.95 0.007 -59.92 0.853 -170.74 1.6 GHz 0.941 164.19 1.40 7.11 0.008 -64.38 0.868 -171.14 1.7 GHz 0.932 162.42 1.41 0.85 0.008 -69.21 0.882 -171.61 1.8 GHz 0.921 160.54 1.44 -5.98 0.009 -74.56 0.897 -172.16 1.9 GHz 0.906 158.55 1.49 -13.54 0.009 -80.57 0.912 -172.82 2.0 GHz 0.887 156.51 1.54 -22.02 0.010 -87.43 0.928 -173.62 2.1 GHz 0.863 154.51 1.61 -31.62 0.011 -95.34 0.943 -174.61 2.2 GHz 0.836 152.72 1.68 -42.48 0.012 -104.43 0.956 -175.83 2.3 GHz 0.807 151.32 1.73 -54.61 0.012 -114.71 0.966 -177.27 2.4 GHz 0.782 150.41 1.76 -67.78 0.013 -125.92 0.970 -178.85 2.5 GHz 0.767 149.70 1.74 -81.50 0.013 -137.58 0.968 179.58 2.6 GHz 0.765 148.57 1.69 -95.15 0.013 -149.05 0.960 178.22 2.7 GHz 0.772 146.34 1.61 -108.22 0.012 -159.82 0.948 177.17 2.8 GHz 0.784 142.57 1.52 -120.49 0.012 -169.67 0.937 176.41 2.9 GHz 0.795 137.00 1.43 -132.07 0.012 -178.68 0.926 175.88 3.0 GHz 0.802 129.35 1.37 -143.26 0.011 172.84 0.918 175.48 3.2 GHz 0.800 105.38 1.29 -166.46 0.011 155.52 0.907 174.80 3.4 GHz 0.786 62.35 1.25 164.88 0.011 133.38 0.901 174.02 3.6 GHz 0.824 -2.68 1.08 128.15 0.010 103.76 0.897 172.96 3.8 GHz 0.913 -61.31 0.73 93.46 0.007 76.68 0.890 171.72 4.0 GHz 0.963 -96.70 0.45 69.63 0.005 60.78 0.881 170.41 4.2 GHz 0.983 -116.99 0.29 53.87 0.003 53.02 0.872 168.93 4.4 GHz 0.992 -129.53 0.19 42.45 0.002 49.41 0.860 167.19 4.6 GHz 0.995 -137.94 0.14 33.27 0.002 47.62 0.844 165.11 4.8 GHz 0.997 -143.97 0.10 25.19 0.002 46.36 0.823 162.61 5.0 GHz 0.998 -148.50 0.08 17.50 0.001 44.82 0.793 159.54 5.2 GHz 0.999 -152.04 0.07 9.61 0.001 42.41 0.751 155.74 5.4 GHz 0.999 -154.90 0.06 0.93 0.001 38.57 0.688 150.96 5.6 GHz 0.999 -157.26 0.05 -9.20 0.001 32.67 0.594 145.02 5.8 GHz 0.999 -159.26 0.04 -21.62 0.001 23.98 0.453 138.33 6.0 GHz 1.000 -160.97 0.04 -36.99 0.001 11.87 0.251 136.18 请访问以下网址下载“.s2p”格式的该s参数文件：http://www.cree.com/products/wireless_s-parameters.asp 版权所有 © 2009-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 9 CGH25120F Rev 2.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH25120F产品尺寸（封装类型—440162） 注： 1. 按照 ANSI Y14.5M - 1982规定的标示尺寸和公差。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘0.020"。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于0.008"。 英寸 最小 最大 毫米 最小 最大 引脚1.栅极 引脚2.漏极 引脚3.光源 版权所有 © 2009-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 10 CGH25120F Rev 2.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf 免责声明 规格若有更改，恕不另行通知。Cree, Inc.认为本数据手册中所包含的信息是准确且可靠的。但是，Cree不对因此类信息的使用而产生 的侵犯第三方的专利或其他权利的行为承担任何责任。本数据手册未通过暗示或以其他方式根据Cree的任何专利或专利权授予任何许 可。Cree不对其产品在任何特定用途方面的适用性做出任何担保、声明或保证。“典型”参数是Cree根据大量数据得出的平均预期值， 仅供参考。这些值可能且确实在不同应用中有所差异，并且实际性能可能随着时间的推移而有所差异。各个应用的所有工作参数均应由客 户的技术专家进行验证。Cree产品并不是旨在用作以下应用的组件而设计、计划或批准的：旨在进行人体外科移植或者支持或维持生命 的应用；若Cree产品发生故障可能导致人身伤害或死亡的应用；用于规划、建设、维护或直接运营核设施的应用。 如需更多信息，请联系： Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 www.cree.com/rf Sarah Miller 营销及出口 Cree，射频组件 1.919.407.5302 Ryan Baker 营销 Cree，射频组件 1.919.407.7816 Tom Dekker 销售总监 Cree，射频组件 1.919.407.5639 版权所有 © 2009-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 11 CGH25120F Rev 2.2 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf