暂定 CGHV27100 100 W，2500-2700 MHz，50 V，用于LTE的GaN HEMT Cree的CGHV27100是一款专为高效率、高增益和高带宽能力而设计的氮化镓 （GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），因而是2.5 - 2.7 GHz LTE、4G电信 和BWA放大器应用的理想选择。该晶体管采用陶瓷／金属丸剂和法兰封装。 封装类型：44 0162和4401 部件号：CGH 61 V27100F和C GHV27100P 示范放大器在2.5- 2.7 GHz（TC = 25˚C）时的典型性能 2.5 GHz 2.6 GHz 2.7 GHz 单位 44 dBm时的增益 18.1 18.0 17.9 dB 44 dBm时的ACLR -37.0 -37.0 -37.0 dBc 44 dBm时的漏极效率 34.0 33.5 32.0 % 参数 注意： 在CGHV27100-TB放大器电路中测得，采用WCDMA 3GPP测试模型1，64 DPCH，45%限幅，PAR = 7.5 dB（在CCDF上的概 率为0.01 %时），VDD = 50 V，IDS = 500 mA。 特点 • 2.5 - 2.7 GHz工作频率 • 25 W PAVE时，-37 dBc ACLR • 25 W PAVE时，33 %效率 • 可应用高度DPD修正 修订版本0.1— —2012年10月 • 18.0 dB增益 若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com/rf 1 25˚C表面温度时的绝对最大额定值（非同时发生） 参数 符号 额定值 单位 条件 漏源电压 VDSS 125 伏 25˚C 25˚C 栅源电压 VGS -10, +2 伏 储存温度 TSTG -65, +150 ˚C TJ 225 ˚C 最大正向栅极电流 IGMAX 16 mA 25˚C 最大漏极电流1 IDMAX 6 A 25˚C TS 245 ˚C 工作结温 焊接温度2 τ 80 in-oz 热阻，结点到表面3 RθJC 2.34 ˚C/W 85˚C, PDISS = 48 W 热阻，结点到表面4 RθJC 2.95 ˚C/W 85˚C, PDISS = 48 W TC -40, +150 ˚C 螺丝扭矩 5 表面工作温度 注意： 1 确保长期可靠工作的电流限制。 2 请访问以下网址参阅有关焊接的应用说明：http://www.cree.com/rf/document-library 3 对CGHV27100P测得。 4 对CGHV27100F测得。 5 同时请参阅第5页的功耗降额曲线。 电气特性（TC = 25 ˚C） 规格参数表 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 栅极阈值电压 VGS(th) -3.8 -3.0 -2.3 VDC VDS = 10 V, ID = 16 mA 栅极静态电压 VGS(Q) – -2.7 – VDC VDS = 50 V, ID = 500 mA 直流特性 1 饱和漏极电流 IDS 12 14.4 – A VDS = 6.0 V, VGS = 2.0 V 漏源击穿电压 VBR 125 – – VDC VGS = -8 V, ID = 16 mA 2 射频特性 （TC = 25˚C，F0 = 2.7 GHz，除非另有说明） 5 饱和输出功率3,4 PSAT – 135 – W VDD = 50 V, IDQ = 500 mA 脉冲漏极效率3,4 η – 68 – % VDD = 50 V, IDQ = 500 mA, POUT = PSAT G – 18 – dB VDD = 50 V, IDQ = 500 mA, POUT = 44 dBm ACLR – -37 – dBc VDD = 50 V, IDQ = 500 mA, POUT = 44 dBm η – 33 – % VDD = 50 V, IDQ = 500 mA, POUT = 44 dBm VSWR – – 10 :1 Y 在所有相角均无损伤，VDD = 50 V，IDQ = 500 mA，POUT = 100 W脉冲 输入电容7 CGS – 66 – pF VDS = 50 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 输出电容7 CDS – 8.7 – pF VDS = 50 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 反馈电容 CGD – 0.47 – pF VDS = 50 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 增益6 WCDMA线性6 漏极效率6 输出失配应力3 动态特性 注： 1 封装前在晶片上测得。 2 从PCM数据中测得。 3 脉冲宽度= 100 µS，暂载率= 10%。 4 PSAT被定义为IGS=1.6 mA峰值。 5 在CGHV27100-TB中测得。 6 单载波WCDMA，3GPP测试模型1，64 DPCH，45%限幅，PAR=7.5 dB（在CCDF上的概率为0.01 %时），VDD = 50 V。 7 包括封装和内部匹配元件。 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 2 CGHV27100暂定修订版本0.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型性能 图1. - 在CGHV27100-TB放大器电路中测得的CGHV27100 的小信号增益和回波损耗与频率。 VDD = 50 V, IDQ = 0.5 A 25 20 15 幅值 (dB) 10 5 0 -5 -10 S11 -15 S21 S22 -20 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 频率 (GHz) 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 典型线性性能 图2. - 在CGHV27100-TB放大器电路中测得的CGHV27100 的典型增益、漏极效率和ACLR与输出功率 VDS = 50 V, IDS = 0.5 A, 1c WCDMA, PAR = 7.5 dB 0 50 -10 -15 ACLR (dBc) 45 2.5GHz ACPR 2.6GHz ACPR 2.7GHz ACPR 2.5GHz 漏极效率 2.6GHz 漏极效率 2.7GHz 漏极效率 2.5GHz 增益 2.6GHz 增益 2.7GHz 增益 -20 40 35 30 -25 25 -30 20 -35 15 -40 10 -45 5 -50 28 30 32 34 36 38 输出功率 (dBm) 40 42 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 3 CGHV27100暂定修订版本0.1 44 46 48 漏极效率 (%) 和增益 (dB) -5 0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型性能 50 -30 45 -31 40 -32 35 -33 30 -34 25 -35 20 -36 15 -37 增益 10 ACLR (dBc) 增益 (dB) 和漏极效率 (%) VDS 图3. - 在CGHV27100-TB放大器电路中测得的CGHV27100 的典型增益、漏极效率和ACLR与频率。 = 50 V, IDS = 0.5 A, PAVE = 25 W, 1c WCDMA, PAR = 7.5 dB -38 漏极效率 5 -39 ACLR 0 2.40 2.45 2.50 2.55 2.60 2.65 2.70 2.75 -40 2.80 频率 (GHz) 图4. - 在CGHV27100-TB放大器电路中测得的CGHV27100的典型双音频线性 与输出功率。V = 50 V, = 0.5 A DS DS CGHV27100F IMDISweep 0 -10 互调失真 (dBc) -20 -30 -40 -50 -IMD3 -60 +IMD3 -IMD5 +IMD5 -70 -IMD7 +IMD7 -80 20 25 30 35 输出功率 (dBm) 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 4 CGHV27100暂定修订版本0.1 40 45 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型性能 图5. - 功耗降额曲线 50 45 440161 包装 40 440162 包装 35 功耗 (W) 30 注1 25 20 15 10 5 0 0 25 50 75 100 125 150 最高表面温度 (°C) 175 200 225 250 注1. 超过最高表面工作温度的部分（参阅第2页）。 源阻抗和负载阻抗 D Z源 Z负载 G S 频率（MHz） Z源 Z负载 2500 4.01 - j3.88 10.69 - j2.86 2600 3.99 - j3.29 11.16 - j3.17 2700 4.01 - j2.72 11.67 - j3.94 注1：VDD = 50 V, IDQ = 500 mA。在440162封装中。 注2：阻抗来自CGHV27100-TB示范电路，而非来源于晶体管的源阻抗和负载挽阻抗数据。 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 5 CGHV27100暂定修订版本0.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGHV27100-TB示范放大器电路材料清单 符号 R1, R2 描述 数量 RES, 10 OHM, +/- 1%, 1/16 W, 0603 2 C1 CAP, 5.6 pF, +/- 0.25 pF, 0603, ATC 1 C2 CAP, 27 pF, +/-5%, 0603, ATC 1 C3 CAP, 10.0 pF, +/-5%, 0603, ATC 1 CAP, 8.2 pF, +/-0.25 pF, 0603, ATC 2 C4, C9, C14 CAP, 470 pF, 5%, 100 V, 0603, X 3 C5, C10, C15 CAP, 33000 pF, 0805, 100 V, X7R 3 CAP，10 UF，16 V，钽 1 C8, C13 C6 CAP, 27 pF, +/-5%, 250 V, 0805, ATC 600 F 1 C11, C16 C7 CAP, 1.0 UF, 100 V, 10%, X7R, 1210 2 C12 CAP，100 UF，+/-20%，160 V，电解 1 C17 CAP，33 UF，20%，电解 1 J1, J2 J3 CONN, SMA 2 HEADER RT>PLZ.1CEN LK 9POS 1 PCB, RO4350, 0.020” THK, CGHV27100F 1 2-56 SOC HD螺丝1/4 SS 4 2号开口锁紧垫圈SS 4 CGHV27100F 1 CGHV27100-TB示范放大器电路 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 6 CGHV27100暂定修订版本0.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGHV27100-TB示范放大器电路示意图 Vg = -2.0V到-3.5V（典型） GND Vd=+50V 9 C6 10 C5 0.033 C4 470 pF 8 6 7 5 4 C3 10 pF 3 2 1 J3 C8 8.2 pF C9 470 pF R2 10 Ohm J1 R1 10 Ohm C2 27 pF C1 5.6 pF C10 0.033 C11 1 C12 100 C7 27 pF J2 2 1 3 C13 8.2 pF C14 470 pF C15 0.033 C16 1 C17 33 CGHV27100-TB示范放大器电路平面图 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 7 CGHV27100暂定修订版本0.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGHV27100F产品尺寸（封装类型——440162） 注： 1. 按照ANSI Y14.5M - 1982规定的标示尺寸和公差。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘0.020"。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于 0.008"。 毫米 英寸 最小 针脚1. 针脚2. 针脚3. 最大 最小 最大 栅极 漏极 光源 CGHV27100P产品尺寸（封装类型——440161） 注： 1. 按照ANSI Y14.5M - 1982规定的标示尺寸和 公差。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘0.020"。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于 0.008"。 英寸 最小 毫米 最大 最小 最大 针脚1. 栅极 针脚2. 漏极 针脚3. 光源 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 8 CGHV27100暂定修订版本0.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf 部件号系统 CGHV27100F 封装 功率输出（W） 上频率（GHz） Cree GaN高压 参数 值 单位 上频率 2.7 GHz 功率输出 100 W 封装 法兰 - 1 表1. 1 注 ：频率代码中使用的字母字符表示值大于9.9 GHz。各个值请参阅表2。 字符代码 代码值 A 0 B 1 C 2 D 3 E 4 F 5 G 6 H 7 J 8 K 9 示例： 1A = 10.0 GHz 2H = 27.0 GHz 表2. 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 9 CGHV27100暂定修订版本0.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf 免责声明 规格若有更改，恕不另行通知。Cree, Inc.认为本数据手册中所包含的信息是准确且可靠的。但是，Cree不对因此类信息的使用而产生 的侵犯第三方的专利或其他权利的行为承担任何责任。不会通过暗示或以其他方式授予Cree的任何专利或专利权的任何许可。Cree不对 其产品在任何特定用途方面的适用性做出任何担保、声明或保证。“典型”参数是Cree根据大量数据得出的平均预期值，仅供参考。这 些值可能且确实在不同应用中有所差异，并且实际性能可能随着时间的推移而有所差异。各个应用的所有工作参数均应由客户的技术专 家进行验证。Cree产品并不是旨在用作以下应用的组件而设计、计划或批准的：旨在进行人体外科移植或者支持或维持生命的应用；若 Cree产品发生故障可能导致人身伤害或死亡的应用；用于规划、建设、维护或直接运营核设施的应用。 如需更多信息，请联系： Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 www.cree.com/rf Sarah Miller 营销及出口 Cree，射频组件 1.919.407.5302 Ryan Baker 营销 Cree，射频组件 1.919.407.7816 Tom Dekker 销售总监 Cree，射频组件 1.919.407.5639 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 10 CGHV27100暂定修订版本0.1 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话： +1.919.313.5300 传真： +1.919.869.2733 www.cree.com/rf