CGH35060F2 / CGH35060P2 60 W，3100-3500 MHz，28V，GaN HEMT Cree的CGH35060F2/P2是一款专为高效率、高增益和高带宽能力而设计的氮化镓 （GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），因而是3.1-3.5 GHz S波段脉冲放大器 应用的理想选择。该晶体管用陶瓷／金属法兰和丸状封装。 封装类型：44 0193和4402 件号：CGH35 06 060F2和CGH 35060P2 示范放大器在3.1-3.5 GHz（TC = 25˚C）时的典型性能 3.1 GHz 3.3 GHz 3.5 GHz 单位 小信号增益 12.0 13.2 11.5 dB POUT 47.0 47.6 46.7 dBm PGAIN 10.4 11.06 10.1 dBm PIN = 36.5时的漏极效率 55.0 62.0 62.0 % 输入回波损耗 -7.3 -17.0 -4.3 dB 参数 注意： 在CGH35060F2-TB放大器电路中测得，采用100 µsec脉冲宽度、20%暂载率和28 V电压。 特点 • 3.1 - 3.5 GHz工作频率 • 60 W峰值功率容量 • 60%漏极效率 修订版本1.0— —2012年5月 • 12 dB小信号增益 SiC和GaN可用的大型信号型号 若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com/wireless 1 25˚C表面温度时的绝对最大额定值（非同时发生） 参数 符号 额定值 单位 条件 漏源电压 VDSS 84 伏 25˚C 25˚C 栅源电压 VGS -10, +2 伏 功耗 PDISS 28 瓦 储存温度 TSTG -65, +150 ˚C TJ 225 ˚C IGMAX 15 mA 25˚C 25˚C 工作结温 最大正向栅极电流 最大漏极电流 1 焊接温度2 IDMAX 6 A TS 245 ˚C τ 80 in-oz RθJC 2.8 ˚C/W 85˚C TC -40, +150 ˚C 30秒 螺丝扭矩 3 热阻，结点到表面 表面工作温度3 注意： 1 确保长期可靠工作的电流限制。 2 请访问以下网址参阅有关焊接的应用说明：http://www.cree.com/rf/tools-and-support/document-library 3 PDISS = 28 W时对CGH35060F2测得。 电气特性（TC = 25 ˚C） 规格参数表 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 栅极阈值电压 VGS(th) -3.5 -3.0 –2.0 VDC VDS = 10 V, ID = 14.4 mA 栅极静态电压 VGS(Q) – -2.7 – VDC 饱和漏极电流 IDS 11.6 14.0 - A 漏源击穿电压 VBR 120 – – VDC VGS = -8 V, ID = 14.4 mA 11.6 – dB VDD = 28 V, IDQ = 200 mA 直流特性 射频特性 1 VDS = 28 V, ID = 200 mA VDS = 6.0 V, VGS = 2 V （TC = 25˚C，F0 = 3.5 GHz，除非另有说明） 2, 3 GSS – 漏极效率 η – 40 – % VDD = 28 V, IDQ = 200 mA, PIN = 36.5 dBm 功率输出4 POUT – 45.6 – dBm VDD = 28 V, IDQ = 200 mA, PIN = 36.5 dBm VSWR – – 10:1 Y 在所有相角均无损伤， VDD = 28 V, IDQ = 200 mA 输入电容 CGS – 19.0 – pF VDS = 28 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 输出电容 CDS – 5.9 – pF VDS = 28 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 反馈电容 CGD – 0.8 – pF VDS = 28 V, Vgs = -8 V, f = 1 MHz 小信号增益 4 输出失配应力 动态特性 注： 1 封装前在晶片上测得。 2 在CGH35060F2-TB测试灯具中测得。 3 20%暂载率时，100 µS脉冲宽度。 4 漏极效率 = POUT / PDC。 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 2 CGH35060F2/P2修订版本1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/wireless 典型性能 CGH35060F2和CGH35060P2的小信号增益和回波损耗与频率 VDD = 28 V, IDQ = 200 mA 20 15 10 S11,S21, S22 (dB) 5 0 -5 -10 -15 -20 -25 S11 -30 2.00 S21 2.50 S22 3.00 3.50 4.00 4.50 5.00 频率 (GHz) 70 70% 60 60% 50 50% 40 40% 30 Pout (dBm) Pout (W) 增益 (dB) 30% ηd (%) 20 20% 10 10% 0 3050 3100 3150 3200 3250 3300 3350 3400 3450 3500 漏极效率 (%) 功率 (dBm) (W)，增益 (dB) CGH35060F2和CGH35060P2的输出功率、增益和漏极效率与频率 VDD = 28 V，IDQ = 200 mA，脉冲宽度 = 100 µsec，暂载率 = 20% 0% 3550 频率 (MHz) 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 3 CGH35060F2/P2修订版本1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/wireless 典型脉顶倾斜性能 49.00 48.80 48.60 5000uS 10% (dBm) 1000uS 10% (dBm) 300uS 10% (dBm) 100uS 10% (dBm) 功率级别 (dBm) 48.40 48.20 48.00 47.80 47.60 47.40 47.20 47.00 000.E+0 500.E-6 1.E-3 1.5E-3 2.E-3 2.5E-3 3.E-3 3.5E-3 4.E-3 4.5E-3 5.E-3 5.5E-3 6.E-3 时间（秒） 典型性能数据 K因数 MAG（dB） CGH35060F2和CGH35060P2的模拟最大可用增益和K因数 VDD = 28 V, IDQ = 200 mA 频率 (GHz) 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 4 CGH35060F2/P2修订版本1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/wireless 源阻抗和负载阻抗 D Z负载 Z源 G S 频率（MHz） Z源 Z负载 3100 3.6 -j13.5 8.0 -j8.5 3200 3.6 -j12.8 7.1 -j7.7 3300 3.5 -j12.1 6.5 -j6.8 3400 3.5 -j11.4 6.0 -j5.9 3500 3.3 -j10.7 5.6 -j5.1 注 ：VDD = 28V, IDQ = 200mA。在440193封装中。 1 注2：阻抗来自CGH35060F2-TB示范电路，而非来源于晶体管的源阻抗和负载挽阻抗数据。 静电放电（ESD）分类 参数 符号 类别 测试方法 人体模型 HBM 1A (> 250 V) JEDEC JESD22 A114-D 充电装置模型 CDM II (200 < 500 V) JEDEC JESD22 C101-C 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 5 CGH35060F2/P2修订版本1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/wireless CGH35060F2-TB示范放大器电路材料清单 符号 R1 R2 描述 RES, 1/16 W, 0603, 1%, 5.1 OHMS 1 RES, 1/16 W, 0603, 1%, 100 OHMS 1 C6,C13,C19 CAP, 470 pF, +/-5%, 100 V, 0603 3 C16,C22 CAP, 33 UF 100 V ELECT FK SMD 2 C15,C21 CAP CER 1.0 UF, 100 V, 10%, X7R 1210 2 CAP 10 UF 16V SMT钽 1 CAP, 20.0 pF, +/-5%, 0603, ATC 100B 1 C1 CAP, 5.1 pF, +/-5%, 0603, ATC 600S 1 C2 CAP, 3.0 pF, +/-0.1 pF, 0603, ATC 600S 1 CAP, 4.7 pF, 5% pF, 0603, ATC 5 C8 C10 C5,C12,C18,C30,C31 C4,C11,C17 CAP, 7.5 pF, 0.1 pF, 0603, ATC 3 C7,C14,C20 CAP CER 33000 pF, 0805, 100V, X7R 3 PCB 1 基板 1 压板 1 J2,J3 J1 W1 CONN，SMA，面板安装插口 2 HEADER RT>PLZ .1CEN LK 9POS 1 2-56 SOC HD螺丝1/4 SS 4 2号开口锁紧垫圈SS 4 电线，黑，22 AWG ~ 2.0” 1 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 6 数量 CGH35060F2/P2修订版本1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/wireless CGH35060F2-TB示范放大器电路示意图 线路 射频输入 射频输出 CGH35060F2-TB示范放大器电路平面图 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 7 CGH35060F2/P2修订版本1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/wireless CGH35060F2/P2的典型封装S参数（小信号，VDS = 28 V，IDQ = 200 mA，角的单位为度） 频率 Mag S11 Ang S11 Mag S21 Ang S21 Mag S12 Ang S12 Mag S22 Ang S22 500 MHz 0.927 -170.09 7.16 79.27 0.016 -6.59 0.596 -168.07 600 MHz 0.928 -172.55 5.95 75.10 0.016 -9.91 0.605 -168.34 700 MHz 0.929 -174.46 5.08 71.25 0.015 -12.90 0.615 -168.44 800 MHz 0.930 -176.04 4.42 67.64 0.015 -15.66 0.626 -168.49 900 MHz 0.931 -177.39 3.91 64.20 0.015 -18.24 0.637 -168.54 1.0 GHz 0.932 -178.59 3.50 60.90 0.015 -20.65 0.648 -168.63 1.1 GHz 0.933 -179.70 3.16 57.72 0.015 -22.94 0.659 -168.78 1.2 GHz 0.935 179.27 2.88 54.66 0.014 -25.10 0.670 -168.99 1.3 GHz 0.936 178.29 2.65 51.70 0.014 -27.14 0.681 -169.25 1.4 GHz 0.937 177.34 2.45 48.83 0.014 -29.08 0.692 -169.58 1.5 GHz 0.938 176.41 2.28 46.04 0.013 -30.91 0.702 -169.96 1.6 GHz 0.939 175.49 2.13 43.33 0.013 -32.65 0.712 -170.40 1.7 GHz 0.940 174.57 2.00 40.70 0.013 -34.29 0.721 -170.87 1.8 GHz 0.941 173.65 1.88 38.13 0.013 -35.85 0.730 -171.39 1.9 GHz 0.942 172.73 1.78 35.62 0.012 -37.32 0.738 -171.94 2.0 GHz 0.943 171.79 1.69 33.16 0.012 -38.70 0.746 -172.53 2.1 GHz 0.943 170.83 1.62 30.76 0.012 -40.01 0.753 -173.14 2.2 GHz 0.944 169.85 1.55 28.40 0.012 -41.25 0.760 -173.78 2.3 GHz 0.944 168.85 1.49 26.07 0.012 -42.41 0.766 -174.44 2.4 GHz 0.944 167.82 1.44 23.78 0.011 -43.51 0.772 -175.12 2.5 GHz 0.945 166.75 1.39 21.52 0.011 -44.55 0.777 -175.82 2.6 GHz 0.944 165.64 1.35 19.27 0.011 -45.52 0.781 -176.54 2.7 GHz 0.944 164.49 1.32 17.03 0.011 -46.44 0.785 -177.27 2.8 GHz 0.944 163.29 1.29 14.80 0.011 -47.31 0.789 -178.03 2.9 GHz 0.943 162.03 1.26 12.57 0.011 -48.13 0.792 -178.80 3.0 GHz 0.943 160.71 1.24 10.34 0.010 -48.92 0.795 -179.59 3.2 GHz 0.941 157.85 1.22 5.80 0.010 -50.38 0.798 178.78 3.4 GHz 0.938 154.62 1.21 1.13 0.010 -51.75 0.800 177.06 3.6 GHz 0.934 150.94 1.21 -3.76 0.010 -53.09 0.800 175.23 3.8 GHz 0.928 146.65 1.24 -8.97 0.010 -54.51 0.798 173.28 4.0 GHz 0.921 141.58 1.28 -14.63 0.011 -56.12 0.794 171.18 4.2 GHz 0.911 135.46 1.35 -20.90 0.011 -58.11 0.787 168.89 4.4 GHz 0.897 127.93 1.45 -28.01 0.012 -60.71 0.777 166.35 4.6 GHz 0.880 118.44 1.57 -36.26 0.012 -64.27 0.764 163.51 4.8 GHz 0.857 106.23 1.73 -46.04 0.014 -69.22 0.746 160.26 5.0 GHz 0.828 90.20 1.93 -57.83 0.015 -76.13 0.723 156.46 5.2 GHz 0.796 69.08 2.15 -72.17 0.017 -85.57 0.692 151.91 5.4 GHz 0.770 42.01 2.35 -89.39 0.018 -97.96 0.649 146.29 5.6 GHz 0.766 10.14 2.48 -109.22 0.019 -113.08 0.590 139.24 5.8 GHz 0.793 -22.34 2.47 -130.55 0.020 -129.85 0.509 130.26 6.0 GHz 0.839 -50.86 2.33 -152.01 0.019 -146.93 0.401 118.41 请访问以下网址下载“.s2p”格式的该S参数文件：http://www.cree.com/rf/tools-and-support 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 8 CGH35060F2/P2修订版本1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/wireless CGH35060F2产品尺寸（封装类型——440193） 注： 1. 按照 ANSI Y14.5M ‒ 1982 规定的标示尺寸和公差。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘0.020" 。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于0.008" 。 5. 所有电镀的表面是镍/黄金。 英寸 最小 毫米 最大 最小 最大 引脚1. 栅极 引脚2. 漏极 引脚3. 光源 CGH35060P2产品尺寸（封装类型——440206） 注： 1. 按照ANSI Y14.5M - 1994规定的标示尺寸和公差。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘 0.020" 。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于0.008" 。 英寸 最小 毫米 最大 最小 注 最大 引脚1. 栅极 引脚2. 漏极 引脚3. 光源 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 9 CGH35060F2/P2修订版本1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/wireless 免责声明 规格若有更改，恕不另行通知。Cree, Inc.认为本数据手册中所包含的信息是准确且可靠的。但是，Cree不对因此类信息的使用而产生 的侵犯第三方的专利或其他权利的行为承担任何责任。不会通过暗示或以其他方式授予Cree的任何专利或专利权的任何许可。Cree不对 其产品在任何特定用途方面的适用性做出任何担保、声明或保证。“典型”参数是Cree根据大量数据得出的平均预期值，仅供参考。这 些值可能且确实在不同应用中有所差异，并且实际性能可能随着时间的推移而有所差异。各个应用的所有工作参数均应由客户的技术专 家进行验证。Cree产品并不是旨在用作以下应用的组件而设计、计划或批准的：旨在进行人体外科移植或者支持或维持生命的应用；若 Cree产品发生故障可能导致人身伤害或死亡的应用；用于规划、建设、维护或直接运营核设施的应用。 如需更多信息，请联系： Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 www.cree.com/wireless Sarah Miller 营销及出口 Cree，射频组件 919.407.5302 Ryan Baker 营销 Cree，射频组件 919.407.7816 Tom Dekker 销售总监 Cree，射频组件 919.407.5639 版权所有© 2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标均是Cree, Inc.的注册商标。 10 CGH35060F2/P2修订版本1.0 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.CREE www.cree.com/wireless