XA6111 シリーズ JTR02037-004 2015/5/11 電圧検出器(VDF=1.6V～5.0V) ■概要 XA6111 シリーズは、高精度、低消費電流を実現した CMOS プロセスのウォッチドッグ機能、マニュアルリセット 機能付き電圧検出器です。内部は基準電圧源、遅延回路、コンパレータ、出力ドライバー回路から構成されています。 遅延回路を内蔵しているため外付け部品なしで遅延時間を持った信号を出力します。また、マニュアルリセット機 能付きで任意のタイミングでリセット信号を出力します。出力タイプは VDFL（検出時Ｌレベル）です。 XA6111 シリーズでウォッチドッグ機能を使用しない場合はウォッチドッグ端子をオープンで使用できます。その 際、内部カウンターはウォッチドッグタイムアウト時間前にクリアされます。またマニュアルリセット端子は内部で VIN にプルアップされているため、使用しない場合はオープンで使用できます。 検出電圧はレーザートリミングにより 1.6V~5.0V まで、0.1V ステップで設定可能です。 ウォッチドッグタイムアウト時間は 6.25ms から 1.6s まで 6 種類選択できます。 解除遅延時間は 3.13ms から 1.6s まで７種類選択できます。 ●アミューズメント ■代表標準回路 ■特長 1.6V～5.0V±2％（0.1V ステップ） VDF×0.1％（TYP.) 1.0V～6.0V ±100ppm/℃（TYP.） CMOS 出力 ウォッチドッグ入力。ウォッチドッグ時間内に H 又は L に維持されるとリセット出力端子に リセット信号を出力。 マニュアルリセット端子 : MRB 端子電圧をＨ→Ｌレベル信号にした場合、 リセット出力端子は強制リセット。 : 1.6s, 400ms, 200ms, 100ms, 50ms, 解除遅延時間 25ms, 3.13ms が選択可能。（TYP） : 1.6s, 400ms, 200ms, 100ms, 50ms, ウォッチドッグ 6.25ms が選択可能。 （TYP） タイムアウト時間 VDFL（検出時 LOW レベル） : -40℃～+85℃ 動作周囲温度 : SOT-25 パッケージ : EU RoHS 指令対応、鉛フリー 環境への配慮 : : : : : : 検出電圧範囲 ヒステリシス幅 動作電圧範囲 検出電圧温度特性 出力形態 ウォッチドッグ端子 ■代表特性例 消費電流－入力電圧特性例 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５(２.７Ｖ品） XA6111(2.7V 品) 30 Supply Current: ISS (μA) ■ 用途 25 20 Ta=25℃ 15 Ta=85℃ 10 5 Ta=-40℃ 0 0 1 2 3 4 5 Input Voltage: VIN (V) 6 1/22 XA6111 シリーズ ■端子配列 ●SOT-25 SOT-25 （TOP VIEW） ■端子説明 PIN NUMBER PIN NAME FUNCTIONS 1 RESETB リセット出力端子（VDFL：検出時 Low レベル） 2 VSS グランド端子 3 MRB マニュアルリセット端子 4 WD ウォッチドッグ端子 5 VIN 電源入力端子 ■機能表 ●XA6111 シリーズ VIN VMRB H H H L H H or OPEN L→H H H→L L 検出/解除を繰り返す(H→L→H・・・) OPEN H H VRESETB*2 VWD H *1 L L *1：WD の全ての論理を含む（VWD=H, L, L→H, H→L, OPEN) *2：VRESETB=H は解除状態を表す。 VRESETB=L は検出状態を表す。 *3：MRB 端子は VSS-0.3V～VIN+0.3V で使用のため、VIN=L, VMRB=H の組み合せはありません。 *4：0.35V＜VMRB＜1.4V の間はリセット出力端子は不定動作となりますのでご注意下さい。 ■端子の論理条件 PIN NAME VIN MRB WD 2/22 LOGIC CONDITIONS VDF：検出電圧 H VIN≧VDF+VHYS VHYS：ヒステリシス幅 L VIN≦VDF H VMRB≧1.40V L VMRB≦0.35V H VWD≧VWDH を tWD 以上キープした状態 L VWD≦VWDL を tWD 以上キープした状態 L→H VWDL→VWDH, tWDIN≧300ns H→L VWDH→VWDL, tWDIN≧300ns VWDH：WD H レベル電圧 VWDL：WD L レベル電圧 tWDIN：WD パルス幅 tWD：WD タイムアウト時間 詳細については、電気的特性を参照して下さい。 XA6111 シリーズ ■製品分類 ●品番ルール XA61①②③④⑤⑥⑦⑧-⑨(*1) 記号 項目 シンボル ① ヒステリシス幅 1 VDF×0.1％（TYP） 1 セレクションガイド参照 A 3.13ms（TYP） ② ウォッチドッグ機能、マニュアルリセット機能の有無 及びリセット出力タイプ ③ 解除遅延時間 ④ ウォッチドッグタイムアウト時間 説明 B 25ms（TYP） C 50ms（TYP） D 100ms（TYP） E 200ms（TYP） F 400ms（TYP） H 1.6s（TYP） １ 6.25ms（TYP） 2 50ms（TYP） 3 100ms（TYP） 4 200ms（TYP） 5 400ms（TYP） 6 1.6s（TYP） ヒステリシス無し ⑤⑥ 検出電圧 16～50 例:4.5V 品→⑤=4、⑥=5 ⑦⑧-⑨ パッケージ (発注単位) MR-G SOT-25 (3,000/Reel) 注意点：解除遅延時間≦ウォッチドッグタイムアウト時間にて設定して下さい。 例：XA6111D427MR 又は XA6111D327MR。 (*1) “-G”は、ハロゲン＆アンチモンフリーかつ RoHS 対応製品です。 ●セレクションガイド RESET OUTPUT TYPE WATCHDOG MANUAL RESET VDFL (RESETB） VDFH (RESET) XA6111 Yes Yes CMOS - 3/22 XA6111 シリーズ ■ブロック図 ●XA6111 シリーズ *上図のダイオードは、静電保護用のダイオードと寄生ダイオードです。 ■絶対最大定格 項 目 記 号 定 格 単 位 VIN -0.3～+7.0 入力電圧 VMRB -0.3～VIN+0.3≦+7.0 VWD -0.3～+7.0 出力電流 IRBOUT 20 mA 出力電圧 VRESETB -0.3～VIN+0.3≦+7.0 V mW 許容損失 Pd 250 動作周囲温度 Topr -40～+85 保存温度 Tstg -40～+125 各電圧定格は VSS を基準とする。 4/22 Ta=25℃ V ℃ XA6111 シリーズ ■ 電気的特性 ●XA6111 シリーズ (RESETB 端子の出力タイプ：検出時 Low レベル（VDFL）,CMOS 出力,VDFL 範囲=1.6～5.0V) PARAMETER SYMBOL Detect Voltage VDFL Hysteresis Widｔｈ VHYS Supply Current Operating Voltage ISS IRBOUT 子: オープン Coefficient Release Delay Time （VDFL≦1.8V) Release Delay Time （VDFL≧1.9V) MAX. VDFL(T) VDFL(T) VDFL(T) x1.02 VDFL VDFL x0.001 x0.01 VIN = VDFL(T)×0.9V 5 11 VIN = VDFL(T)×1.1V 10 16 VIN = 6.0V 12 18 1.0 6.0 VIN = 1.0V 0.15 0.5 Nch VIN = 2.0V(VDFL(T)>2.0V 時) 2.0 2.5 VDS=0.5V VIN = 3.0V(VDFL(T)>3.0V 時) 3.0 3.5 VIN = 4.0V(VDFL(T)>4.0V 時) 3.5 4.0 (RESETB) Temperature TYP. 0 MRB,WD 端 Ta=25℃ MIN. x0.98 VIN VDFL Output Current CONDITIONS Pch VDS = 0.5V, VIN = 6.0V -1.1 -40oC≦Topr≦85oC ± 100 UNITS CIRCUIT V 1 V 1 μA 2 V 1 mA -0.8 3 4 ∆VDFL/ (∆Topr・ ppm/℃ 1 ms 5 ms 5 μs 5 μA 3 VDFL) tDR tDR 2 3.13 5 18 25 31 VIN を 1.0V→2.0V に変化、VIN が解除 37 50 63 電圧に達し、リセット出力端子が解除す 75 100 125 るまでの時間 150 200 250 300 400 500 1200 1600 2000 2 3.13 5 18 25 31 VIN を 1.0V→VDFL×1.1V に変化、VIN が 37 50 63 解除電圧に達し、リセット出力端子が 75 100 125 解除するまでの時間 150 200 250 300 400 500 1200 1600 2000 3 30 VIN=6.0V→1.0V に変化、VIN が検出電 Detect Delay Time tDF 圧に達し、リセット出力端子が検出する までの時間 （WD 端子: オープン） Leakage Current VDFL CMOS ILEAK VIN=VDFL×0.9V, VRESETB=0V -0.01 出力(Pch) 5/22 XA6111 シリーズ ■ 電気的特性 Ta=25℃ ●XA6111 シリーズ PARAMETER SYMBOL Watchdog Timeout Period VIN を 1.0V→2.0V に変化、リセット出 tWD Watchdog VIN を 1.0V→VDFL×1.1V に変化、リセッ tWD Watchdog Watchdog High Level Voltage Watchdog Low Level Voltage ト出力端子が解除してから検出するま での時間（VWD=VSS) （VDFL≧1.9V) Minimum Pulse Width 力端子が解除してから検出するまでの 時間（VWD=VSS) （VDFL≦1.8V) Timeout Period CONDITIONS tWDIN VIN=6V, WD 端子に 6V→0V のパルス印加 MIN. TYP. MAX. 4.25 6.25 8.25 37 50 63 75 100 125 150 200 250 300 400 500 1200 1600 2000 4.25 6.25 8.25 37 50 63 75 100 125 150 200 250 300 400 500 1200 1600 2000 Input Current VWDH VIN=VDFL×1.1V～6V VIN×0.7 6 VWDL VIN=VDFL×1.1V～6V 0 VIN×0.3 Watchdog MRB High Level Voltage MRB Low Level Voltage MRB Pull-up Resistance MRB Minimum Pulse Width *VDFL(T): 設定検出電圧値 6/22 ms 6 ms 6 7 V 12 （ピーク時の平均電流） IWD RWD VIN=6V,VWD=0V VMRH VIN=VDFL×1.1V～6V RWD=VIN/|IWD| VMRL VIN=VDFL×1.1V～6V RMR VIN=6V,VMRB=0V tMRIN 19 μA VIN=6V,VWD=0V （ピーク時の平均電流） Input Resistance CIRCUIT ns 300 VIN=6V,VWD=6V Watchdog UNITS RMR=VIN/|IMRB| VIN=6V, MRB 端子に 6V→0V のパルス印加 -19 -12 315 500 1.4 2.8 880 kΩ VIN 0 1.6 8 V 9 MΩ 10 μs 11 0.35 2.4 3.0 XA6111 シリーズ ■動作説明 XA6111 シリーズは、VIN 端子に接続された R1,R2,R3 によって分割された電圧と内部基準電源の電圧をコンパレータで比較し、そ の出力信号でウォッチドッグロジック、マニュアルリセットロジック、ディレイ回路、出力ドライバを駆動します。VIN 端子電圧を 徐々に下げていき VIN 端子電圧が検出電圧に達すると、VDFL タイプはリセット出力端子に H→L レベル信号を出力し、VDFH タイプ はリセット出力端子に L→H レベル信号を出力します。 ＜リセット出力端子の出力信号＞ ＊VDFL タイプの場合 VDFL は検出時 L レベル。 VIN 端子電圧が検出電圧以下又は MRB 端子電圧が H→L レベル信号に達した場合、リセット出力端子は H→L レベル信号を出力し ます。 VIN 端子電圧が解除電圧に達してからも、解除遅延時間(tDR)の間、リセット出力端子は L レベルを維持します。又ウォッチドッグタ イムアウト時間内に WD 端子へ立上り又は立下り信号が入力されない場合、解除遅延時間(tDR)の間リセット出力端子は L レベルを 維持しその後 H レベル信号を出力します。 ＜ヒステリシス＞ 内部コンパレータが H レベル信号を出力した場合、R3 に並列接続されている Nch トランジスタが ON し、ヒステリシス回路が動 作します。ヒステリシスの電圧幅は検出電圧と解除電圧の差より求まり、以下の計算式となります。 VDF(検出電圧)=(R1+R2+R3)×Vref/(R2+R3) VDR(解除電圧)=(R1+R2)×Vref/(R2) VHYS(ヒステリシス幅)=VDR-VDF (V) VDR> VDF ＊VDF は VDFL（検出時 L レベル）、VDFH（検出時 H レベル）の両方の条件を含む。 ＊R1,R2,R3,Vref についてはブロック図を参照して下さい。 ＜MRB 端子＞ MRB 端子電圧の入力で強制的にリセット出力端子の信号を検出状態にすることができます。 MRB 端子電圧の入力が H→L レベル信号に達した場合、VDFL タイプはリセット出力端子に H→L レベル信号を出力し、VDFH タイプ はリセット出力端子に L→H レベル信号を出力します。MRB 端子電圧が L→H レベルに達してからも、解除遅延時間(tDR)の間、リ セット出力端子は検出状態を維持します。 MRB 端子と VIN 端子の間に静電保護用のダイオードが接続されています。 そのため MRB 端子に VIN を越える電圧を印加すると、 ダイオードを通して VIN に電流が流れます。MRB 端子の絶対最大定格(VSS-0.3～VIN+0.3≦7.0V)を守ってお使い下さい。 ＜解除遅延時間＞ VIN 端子電圧が解除電圧に達する又は、ウォッチドッグタイムアウト時間内に WD 端子へ立上り又は立下り信号が入力されない場 合にウォッチドッグ内部のタイマーがリスタートされるまでの検出状態の時間が解除遅延時間(tDR)です。 解除遅延時間(tWD)は 1.6s,400ms,200ms,100ms,50ms,25ms,3.13ms の 7 種類を選択できます。 ＜検出遅延時間＞ VIN 端子電圧が、検出電圧まで低下しリセット出力端子が検出状態になるまでの時間が、検出遅延時間(tDF)です。 7/22 XA6111 シリーズ ■タイミングチャート *CMOS output VIN VDR Level VDF Level VIN Pin Wave Form Hysterisis Range Min.Operating Voltage GND tWD>tWDIN WD WD Pin Wave Form tWD tWD tWD GND tMRB>tMRIN MRB MRB Pin Wave Form GND RESETB Pin Wave Form(VDFL) VDR Level VDFL Level Min.Operating Voltage GND VDR Level VDFH Level Min.Operating Voltage GND RESET Pin Wave Form(VDFH) Unstable 8/22 tD R tDR tDR tD R tDR XA6111 シリーズ ■使用上の注意 1．本 IC のご使用の際には絶対最大定格内でご使用下さい。一時的、過渡的な電圧降下および電圧上昇等の現象について、絶対 最大定格値を超えて使用した場合、劣化または破壊する可能性があります。 2．電源と VIN 端子との間に抵抗を付加した場合、IC 動作時の貫通電流によって VIN 端子の電圧が降下し誤動作の原因となる可能 性がありますのでご注意下さい。また CMOS 出力品の場合、出力電流によっても VIN 端子の電圧が降下し誤動作の原因とな る可能性がありますので、ヒステリシスのない製品等は特にご注意下さい。 3．IC の安定動作のため VIN 端子入力波形の立上り及び立下り時間は、1μs/V 程度以上でご使用下さい。 4．電源ノイズはウォッチドッグ動作の誤動作の原因となることがありますので、VIN-GND 間にコンデンサ(0.22μＦ程度)を挿入 することをお勧めします。 5．ウォッチドッグタイムアウト時間中に誤動作防止のため立上り又は立下り信号に対する不感応時間が存在します。不感応時間 は最大で 900μs となっています。 （図参照） 6．CPU へのデータ書き込み時などウッチドッグ端子にエッジ入力が無い場合、スリーステートデバイスを使用してウォッチド ッグ端子をオープン状態（ハイインピーダンス）にすることによりウォッチドッグ機能を OFF させることが可能です。 P.4,5 のブロック図の様に WD 端子は内部カウンターのバッファ（LOGIC 部）と WD 入力抵抗（RWD）を直列に介して内部で 駆動しており、ウォッチドッグ入力電流を最小にするため RWD=880kΩ(MAX)となっています。 スリーステートデバイスがハイインピーダンスの際は“スリーステートデバイスのリーク電流×RWD”の電圧降下となります。 その際に WD H レベル/L レベル電圧に達するようにリーク電流の少ないスリーステートデバイスをお使い下さい。 7．当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のためにフェールセーフとなる設計および エ ージング処理など、装置やシステム上で十分な安全設計をお願いします。 VIN Pin Wave Form TWD TWD GND WD Pin Wave Form GND No reaction time (MAX 900usec) No reaction time (MAX 900usec) RESETB Pin Wave Form(VDFL) TDR TDR GND 図．不感応時間例 9/22 XA6111 シリーズ ■測定回路図① ・測定回路1 100ｋ Ω (CMOS出力品の場合は不要) RESETB/ RESETB RESET VIN V V MRB WD VSS RESETB ・測定回路3 RESETB/ RESETB RESET VIN V WD MRB VSS RESETB 10/22 A VDS=0.5V VDS=0.5V リーク測定時は リーク測定時は VRESETB=0V (CMOS 出力(Pch)) VDFL:VDS=6.0V VRESETB=6V (Nch オープンドレイン出力) VDFH:VDS=0V XA6111 シリーズ ■測定回路図② ・測定回路5 100ｋ Ω (CMOS出力品の場合は不要) RESETB/ RESETB RESET VIN MRB 波形測定 WD VSS RESETB RESETB RESETB RESETB 11/22 XA6111 シリーズ ■測定回路図③ RESETB ・測定回路10 RESETB/ RESETB RESET VIN RMR=VIN/|IMRB| IMRB A WD MRB VSS ・測定回路11 tMRIN 100ｋΩ (CMOS出力品の場合は不要) RESETB/ RESETB RESETB RESET VIN MRB 波形測定 RESETB （VDFL) MRB WD VSS 12/22 tDR RESET （VDFＨ) tDR XA6111 シリーズ ■特性例 (1) 消費電流－入力電圧特性例 XA6111(2.7V 品) ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５(２.７Ｖ品） 30 30 25 25 Supply Current: ISS (μA) Supply Current: ISS (μA) ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５(１.６Ｖ品） XA6111(1.6V 品) 20 Ta=25℃ 15 Ta=85℃ 10 Ta=-40℃ 5 0 20 Ta=25℃ 15 Ta=85℃ 10 Ta=-40℃ 5 0 0 1 2 3 4 Input Voltage: V IN (V) 5 6 0 1 2 3 4 5 Input Voltage: V IN (V) 6 (2) 検出電圧、解除電圧－周囲温度特性例 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５(５.０Ｖ品） XA6111(5.0V 品) ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７(１.６Ｖ品） XA6111(1.6V 品) 25 20 Ta=85℃ 15 Ta=25℃ 10 5 Ta=-40℃ 0 0 1 2 3 4 Input Voltage: V IN (V) 5 6 Detect, Release Voltage: V DF,V DR (V) Supply Current: ISS (μA) 30 1.70 V DR 1.65 1.60 V DF 1.55 -50 2.80 Detect, Release Voltage: VDF,V DR (V) Detect, Release Voltage: VDF,V DR (V) ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７(２.７Ｖ品） XA6111(2.7V 品) 2.90 VDR 2.70 V DF 2.60 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７(５.０Ｖ品） XA6111(5.0V 品) 5.30 5.20 V DR 5.10 5.00 V DF 4.90 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 13/22 XA6111 シリーズ ■特性例 (3) Nch ドライバ出力電流－VDS 特性例 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７ XA6111 6 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７ XA6111 20 Ta=25℃ V IN=2.0V 5 Output Current: IOUT (mA) Output Current: IOUT (mA) Ta=25℃ 4 3 2 1 VIN=4.0V 16 12 V IN=3.0V 8 4 V IN=1.0V 0 0 0 1 2 3 0 V DS (V) 1 2 3 VDS (V) 4 5 6 (4) Nch ドライバ出力電流－入力電圧特性例 ７ ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X XA6111 6.0 V DS=0.5V Ta=-40℃ Output Current: IOUT (mA) 5.0 Ta=25℃ 4.0 Ta=85℃ 3.0 2.0 1.0 0.0 0 1 2 3 4 5 Input Voltage: V IN (V) 6 （5）Pch ドライバ出力電流－入力電圧特性例（1） （6）Pch ドライバ出力電流－入力電圧特性例（2） ＸＣ６１X１、ＸＣ６１Ｘ３～ＸＣ６１X７ XA6111 ＸＣ６１X１、ＸＣ６１Ｘ３～ＸＣ６１X７ XA6111 -6.0 -2.0 V DS=0.5V Output Current: IOUT (mA) Output Current: IOUT (mA) Ta=25℃ -5.0 V DS=2.0V -4.0 1.5V -3.0 1.0V -2.0 0.5V -1.0 0.0 Ta=-40℃ -1.2 Ta=25℃ -0.8 Ta=85℃ -0.4 0.0 0 14/22 -1.6 1 2 3 4 Input Voltage: VIN (V) 5 6 0 1 2 3 4 5 Input Voltage: V IN (V) 6 XA6111 シリーズ ■特性例 (7) 解除遅延時間－周囲温度特性例 XA6111 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７ XA6111 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７ 300 Release Delay Time TDR （msec） 5.0 4.0 Release Delay Time tDR (ms) (ms) DR =3.13msec tDRT=3.13ms Release Delay Time t DR Release Delay Time TDR （msec） 6.0 3.0 2.0 1.0 0.0 TDR =100msec tDR =100ms 250 200 150 100 50 0 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７ XA6111 Release Delay Time tDR (ms) Release Delay Time TDR （msec） 3000 tDRT=1.6s DR =1.6sec 2500 2000 1500 1000 500 0 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 15/22 XA6111 シリーズ ■特性例 （8）WD タイムアウト時間－周囲温度特性例 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５ XA6111 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５ XA6111 300 WD tT =6.25ms =6.25msec WD WD Timeout Period tWD (ms) 10 8 6 4 2 WD Timeout Piriod TWD （msec） WD Timeout Piriod TWD （msec） WD Timeout Period tWD (ms) 12 0 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) tT =100ms WD =100msec WD 250 200 150 100 50 0 100 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５ XA6111 3000 WD Timeout Period tWDWD WD Timeout Piriod T (ms) （msec） TWD=1.6sec tWD =1.6s 2500 2000 1500 1000 500 0 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 （10）WD タイムアウト時間－入力電圧特性例 （9）解除遅延時間－入力電圧特性例 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５ XA6111 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７ XA6111 120 Ta=25℃ Ta=25℃ tWD=100mse =100ms TDR WD Timeout Period tWD (ms) 110 100 90 80 70 Ta=25℃ Ta=25℃ tWD=100mse =100ms TWD 110 100 90 80 70 60 60 1 16/22 WD Timeout Piriod TWD （msec） Release Delay Time tDR (ms) Release Delay Time TDR （msec） 120 2 3 4 5 Input Voltage: V IN (V) 6 7 1 2 3 4 5 6 Input Voltage: V IN (V) 7 XA6111 シリーズ ■特性例 （12）WD H レベル電圧－周囲温度特性例 5.0 4.0 3.0 V IN=6.0V 2.0 V IN=3.0V 1.0 V IN=1.76V 0.0 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 5.0 4.0 3.0 V IN=3.0V 2.0 1.0 1.00 0.90 V IN=3.0V V IN=6.0V 0.70 0.60 V IN=1.76V 0.50 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) V IN=1.76V -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 （14）MRB H レベル電圧－周囲温度特性例 XC61X1~XC61X3, XA6111XC6116, XC6117 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X３、ＸＣ６１X６～ＸＣ６１X７ 0.80 V IN=6.0V -50 XC61X1~XC61X3, XA6111XC6116, XC6117 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X３、ＸＣ６１X６～ＸＣ６１X７ MRB HighLevel Threshold Voltage V MRH(V) MRB LowLevel Threshold Voltage V MRL(V) 6.0 0.0 100 （13）MRB L レベル電圧－周囲温度特性例 1.10 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５ XA6111 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５ XA6111 6.0 WD HighLevel Threshold Voltage V WDH(V) WD LowLevel Threshold Voltage V WDL(V) （11）WD L レベル電圧－周囲温度特性例 100 1.10 1.00 0.90 V IN=6.0V 0.80 V IN=3.0V 0.70 V IN=1.76V 0.60 0.50 -50 -25 0 25 50 75 100 Ambient Temperature: Ta (℃) 17/22 XA6111 シリーズ ■外形寸法図 ●SOT-25 18/22 XA6111 シリーズ ■マーキング ①製品シリーズを表す。 ●SOT-25 ① ② シンボル 品名表記例 7 XA6111＊＊＊＊＊＊ ③ ④ SOT-25 （TOP VIEW） ②解除遅延時間、ウォッチドッグタイムアウト時間を表す。 ウォッチドッグ シンボル 解除遅延時間 0 3.13ms 6.25ms XA61＊＊Ａ1＊＊＊＊ 1 3.13ms 50ms XA61＊＊Ａ2＊＊＊＊ 2 3.13ms 100ms XA61＊＊Ａ3＊＊＊＊ 3 3.13ms 200ms XA61＊＊Ａ4＊＊＊＊ 4 3.13ms 400ms XA61＊＊Ａ5＊＊＊＊ 5 3.13ms 1.6s XA61＊＊Ａ6＊＊＊＊ 6 25ms 50ms XA61＊＊Ｂ2＊＊＊＊ 7 25ms 100ms XA61＊＊Ｂ3＊＊＊＊ 8 25ms 200ms XA61＊＊Ｂ4＊＊＊＊ 9 25ms 400ms XA61＊＊Ｂ5＊＊＊＊ A 25ms 1.6s XA61＊＊Ｂ6＊＊＊＊ タイムアウト時間 品名表記例 B 50ms 50ms XA61＊＊Ｃ2＊＊＊＊ C 50ms 100ms XA61＊＊Ｃ3＊＊＊＊ D 50ms 200ms XA61＊＊Ｃ4＊＊＊＊ E 50ms 400ms XA61＊＊Ｃ5＊＊＊＊ XA61＊＊Ｃ6＊＊＊＊ F 50ms 1.6s H 100ms 100ms XA61＊＊Ｄ3＊＊＊＊ K 100ms 200ms XA61＊＊Ｄ4＊＊＊＊ L 100ms 400ms XA61＊＊Ｄ5＊＊＊＊ M 100ms 1.6s XA61＊＊Ｄ6＊＊＊＊ P 200ms 200ms XA61＊＊Ｅ4＊＊＊＊ R 200ms 400ms XA61＊＊Ｅ5＊＊＊＊ S 200ms 1.6s XA61＊＊Ｅ6＊＊＊＊ XA61＊＊Ｆ5＊＊＊＊ T 400ms 400ms U 400ms 1.6s XA61＊＊Ｆ6＊＊＊＊ V 1.6s 1.6s XA61＊＊Ｈ6＊＊＊＊ 19/22 XA6111 シリーズ ■マーキング ③検出電圧を表す。 XA6111 シリーズ シンボル 検出電圧 品名表記例 Ｆ 1.6 XA61＊＊＊＊16＊＊ Ｈ 1.7 XA61＊＊＊＊17＊＊ Ｋ 1.8 XA61＊＊＊＊18＊＊ Ｌ 1.9 XA61＊＊＊＊19＊＊ Ｍ 2.0 XA61＊＊＊＊20＊＊ Ｎ 2.1 XA61＊＊＊＊21＊＊ Ｐ 2.2 XA61＊＊＊＊22＊＊ Ｒ 2.3 XA61＊＊＊＊23＊＊ Ｓ 2.4 XA61＊＊＊＊24＊＊ Ｔ 2.5 XA61＊＊＊＊25＊＊ Ｕ 2.6 XA61＊＊＊＊26＊＊ Ｖ 2.7 XA61＊＊＊＊27＊＊ Ｘ 2.8 XA61＊＊＊＊28＊＊ Ｙ 2.9 XA61＊＊＊＊29＊＊ Ｚ 3.0 XA61＊＊＊＊30＊＊ 0 3.1 XA61＊＊＊＊31＊＊ 1 3.2 XA61＊＊＊＊32＊＊ 2 3.3 XA61＊＊＊＊33＊＊ 3 3.4 XA61＊＊＊＊34＊＊ 4 3.5 XA61＊＊＊＊35＊＊ 5 3.6 XA61＊＊＊＊36＊＊ 6 3.7 XA61＊＊＊＊37＊＊ 7 3.8 XA61＊＊＊＊38＊＊ 8 3.9 XA61＊＊＊＊39＊＊ 9 4.0 XA61＊＊＊＊40＊＊ Ａ 4.1 XA61＊＊＊＊41＊＊ Ｂ 4.2 XA61＊＊＊＊42＊＊ Ｃ 4.3 XA61＊＊＊＊43＊＊ Ｄ 4.4 XA61＊＊＊＊44＊＊ Ｅ 4.5 XA61＊＊＊＊45＊＊ Ｆ 4.6 XA61＊＊＊＊46＊＊ Ｈ 4.7 XA61＊＊＊＊47＊＊ Ｋ 4.8 XA61＊＊＊＊48＊＊ Ｌ 4.9 XA61＊＊＊＊49＊＊ Ｍ 5.0 XA61＊＊＊＊50＊＊ ④ 製造ロットを表す。0～9、A～Z を繰り返す。 (但し、G、I、J、O、Q、W は除く。) 20/22 XA6111 シリーズ 1. 本書に記載された内容(製品仕様、特性、データ等)は、改善のために予告なしに変更す ることがあります。製品のご使用にあたっては、その最新情報を当社または当社代理 店へお問い合わせ下さい。 2. 本書に記載された技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するものであり、工業 所有権、その他の権利に対する保証または許諾するものではありません。 3. 本書に記載された製品は、通常の信頼度が要求される一般電子機器(情報機器、オーデ ィオ／ビジュアル機器、計測機器、通信機器(端末)、ゲーム機器、パーソナルコンピュ ータおよびその周辺機器、家電製品等)用に設計・製造しております。 4. 本書に記載の製品を、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり、人体に危害を脅か す恐れのある装置やシステム(原子力制御、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、 燃焼制御、生命維持装置を含む医療機器、各種安全装置など)へ使用する場合には、事 前に当社へご連絡下さい。 5. 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のため にフェールセーフとなる設計およびエージング処理など、装置やシステム上で十分な 安全設計をお願いします。 6. 保証値を超えた使用、誤った使用、不適切な使用等に起因する損害については、当社 では責任を負いかねますので、ご了承下さい。 7. 本書に記載された内容を当社に無断で転載、複製することは、固くお断り致します。 トレックス・セミコンダクター株式会社 21/22 XA6111 シリーズ ●変更履歴 日付 管理番号 2015/5/11 JTR02037-001 2015/5/21 JTR02037-002 変更ページ 変更内容 新規制定 P.20 ■マーキング ④ 製造ロットを表す。0～9、A～Z を繰り返す。 (但し、G、I、J、O、Q、W は除く。) へ修正。 2015/5/26 JTR02037-003 P.1 ■代表標準回路 Ppull 削除 P.8 ■タイミングチャート VDFH 削除 P.10-12 ■測定回路図 RESETB/RESET ⇒RESETB へ修正 2015/6/5 JTR02037-004 P.1 ■代表標準回路 回路図 接続点追記 P.16-P.17 ■特性例 (9)～(15) ⇒(8)～(14) 22/22