XA6102 シリーズ JTR0220-001 2009/08/31 電圧検出器(VDF=1.6V∼5.0V) ■概要 XA6102 シリーズは、高精度、低消費電流を実現した CMOS プロセスのウォッチドッグ機能、マニュアルリセット 機能付き電圧検出器です。内部は基準電圧源、遅延回路、コンパレータ、出力ドライバー回路から構成されています。 遅延回路を内蔵しているため外付け部品なしで遅延時間を持った信号を出力します。また、マニュアルリセット機 能付きで任意のタイミングでリセット信号を出力します。 XA6102 シリーズでウォッチドッグ機能を使用しない場合はウォッチドッグ端子をオープンで使用できます。その 際、内部カウンターはウォッチドッグタイムアウト時間前にクリアされます。またマニュアルリセット端子は内部で VIN にプルアップされているため、使用しない場合はオープンで使用できます。 検出電圧はレーザートリミングにより 1.6V~5.0V まで、0.1V ステップで設定可能です。 ウォッチドッグタイムアウト時間は 6.25ms から 1.6s まで 6 種類選択できます。 解除遅延時間は 3.13ms から 1.6s まで７種類選択できます。 アミューズメント ■代表標準回路 ■特長 検出電圧範囲 ヒステリシス幅 動作電圧範囲 検出電圧温度特性 出力形態 ウォッチドッグ端子 : : : : : : 1.6V∼5.0V±2％（0.1V ステップ） VDF×5％（TYP.) 1.0V∼6.0V ±100ppm/℃（TYP.） Nch オープンドレイン出力 ウォッチドッグ入力。ウォッチドッグ時間内に H 又は L に維持されるとリセット出力端子に リセット信号を出力。 マニュアルリセット端子 : MRB 端子電圧をＨ→Ｌレベル信号にした場合、 リセット出力端子は強制リセット。 解除遅延時間 : 1.6s, 400ms, 200ms, 100ms, 50ms, 25ms, 3.13ms が選択可能。（TYP） ウォッチドッグ : 1.6s, 400ms, 200ms, 100ms, 50ms, タイムアウト時間 6.25ms が選択可能。 （TYP） VDFL（検出時 LOW レベル） パッケージ : SOT-25 環境への配慮 : EU RoHS 指令対応、鉛フリー ■代表特性例 消費電流−入力電圧特性例 XA6102 (2.7V 品) ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５(２.７Ｖ品） 30 Supply Current: ISS (μA) ■ 用途 25 20 Ta=25℃ 15 Ta=85℃ 10 5 Ta=-40℃ 0 0 1 2 3 4 5 Input Voltage: VIN (V) 6 1/27 XA6102 シリーズ ■端子配列 ●SOT-25 PKG VIN WD 5 4 1 2 RESETB VSS 3 MRB SOT-25 （TOP VIEW） ■端子説明 ●SOT-25 PKG 端子番号 XA6102 1 2/22 端子名 機能 RESETB リセット出力端子（VDFL：検出時 Low レベル） 2 VSS グランド端子 3 MRB マニュアルリセット端子 4 WD ウォッチドッグ端子 5 VIN 電源入力端子 XA6102 シリーズ ■製品分類 ●セレクションガイド シリーズ名 ウォッチドッグ マニュアル 機能 リセット機能 VDFL(RESETB) VDFH(RESET) ○ ○ Nch オープンドレイン出力 ------ XA6102 リセット出力タイプ ●品番ルール XA61①②③④⑤⑥⑦⑧-⑨(*1) 記号 内容 シンボル ① ヒステリシス幅 0 VDF×5％（TYP） 2 上記セレクションガイド参照 A 3.13ms（TYP） B 25ms（TYP） C 50ms（TYP） ② ③ ④ ウォッチドッグ機能、マニュアルリセット機能の有無 及びリセット出力タイプ 解除遅延時間 ウォッチドッグタイムアウト時間 D 100ms（TYP） E 200ms（TYP） F 400ms（TYP） H 1.6s（TYP） １ 6.25ms（TYP） 2 50ms（TYP） 3 100ms（TYP） 4 200ms（TYP） 5 400ms（TYP） 6 ⑤⑥ ⑦⑧-⑨ 検出電圧 パッケージ形状 テーピング仕様 (*2) 詳細内容 ヒステリシス付き 1.6s（TYP） 16∼50 例:4.5V 品→⑤=4、⑥=5 MR-G SOT-25 注意点：解除遅延時間≦ウォッチドッグタイムアウト時間にて設定して下さい。 例：XA6102D427MR 又は XA6102D327MR。 (*1) 末尾に”-G”が付く場合は、ハロゲン＆アンチモンフリーかつ RoHS 対応製品になります。 (*2) エンボステープポケットへのデバイス挿入方向は定まっております。標準とは別に逆挿入を要望される場合は弊社営業に相談ください。 (標準：⑦R-⑨、逆挿入：⑦L-⑨) 3/22 XA6102 シリーズ ■ブロック図 ●XA6102 シリーズﾞ ■絶対最大定格 項 目 Ta=25℃ 記 号 定 格 単 位 VIN VSS-0.3∼7.0 入力電圧 MRB VSS-0.3∼VIN+0.3≦7.0 WD VSS-0.3∼7.0 出力電流 IOUT 20 mA V 出力電圧 Nch オープンドレイン出力 RESETB VSS-0.3∼7.0 V 許容損失 SOT-25 Pd 250 mW 4/22 動作周囲温度 Ta -40∼+85 保存温度 Tstg -55∼+125 ℃ XA6102 シリーズ ■ 電気的特性 ●XA6102 シリーズ一覧表 1 項 目 記 検出電圧 Ta=25℃ 号 測 定 条 格 件 VDFL 1 ヒステリシス幅＊ VHYS 消費電流 ISS 動作電圧 VIN 規 MIN TYP VDF(T) VDF(T) ×0.98 XA6102 (MRB,WD 端子=オープン) 値 VDF(T) ×1.02 VDF VDF VDF ×0.02 ×0.05 ×0.08 VIN=VDF(T)×0.9V 5 11 VIN=VDF(T)×1.1V 10 16 12 VIN=6.0V 1.0 単位 測定回路 V 1 V 1 μA 2 V 1 mA 3 MAX 18 6.0 Nch VDS=0.5V VDFL 出力電流 IRBOUT （RESETB） 温度特性 △VDF / （VDF≦1.8V） 解除遅延時間 （VDF≧1.9V） TDR TDR 0.15 0.5 2.0 2.5 VIN=3.0V（VDFL(T)>3.0V の時） 3.0 3.5 VIN=4.0V（VDFL(T)>4.0V の時） 3.5 4.0 -40℃≦Ta≦85℃ （△Ta・VDF） 解除遅延時間 VIN=1.0V VIN=2.0V（VDFL(T)>2.0V の時） VIN を 1.0V→2.0V に変化、VIN が解除電圧に達 し、リセット出力端子が解除するまでの時間 ppm ±100 /℃ 2.00 3.13 5.00 18 25 31 37 50 63 75 100 125 150 200 250 300 400 500 1200 1600 2000 2.00 3.13 5.00 18 25 31 VIN を 1.0V→VDF×1.1V に変化、VIN が解除電 37 50 63 圧に達し、リセット出力端子が解除するまでの 75 100 125 時間 150 200 250 300 400 500 1200 1600 2000 1 ms 4 ms 4 ＊1：XA6102（ヒステリシス付き） 。 (注 1)VDF(T):設定検出電圧値。 (注 2)検出電圧の記号で VDF のみ記載されているものは VDFL（検出時 L レベル）を表します。 5/22 XA6102 シリーズ ■ 電気的特性 ●XA6102 シリーズ一覧表 2 項 目 記 Ta=25℃ 号 測 定 条 規 件 MIN 格 値 TYP MAX 3 30 0.01 0.1 6.25 8.25 単位 測定回路 μｓ 4 VIN=6.0V→1.0V に変化、VIN が検出電圧に 検出遅延時間 TDF 達し、リセット出力端子が検出するまでの時 間。(WD=オープン) VDFL Nch オープン ドレイン出力リーク電流 Ileak VIN=6V,RESETB=6V 4.25 WD タイムアウト時間 （VDF≦1.8V） WD タイムアウト時間 （ VDF≧1.9V ） TW D 37 50 63 VIN を 1.0V→2.0V に変化、リセット出力端子が 75 100 125 解除してから検出するまでの時間（WD=VSS） 150 200 250 300 400 500 1200 1600 2000 4.25 6.25 8.25 VIN を 1.0V→VDF×1.1V に変化、リセット出力 TW D 端子が解除してから検出するまでの時間 （WD=VSS） 6 VIN×0.3 V 6 19 μA 7 μA 7 ｋΩ 7 250 300 400 500 1200 1600 2000 VIN×0.7 WD L レベル電圧 VWDL VIN=VDF×1.1V∼6V 0 300 6 12 VIN=6V,VWD=6V(ピーク時の平均電流) VIN=6V,VWD=0V(ピーク時の平均電流) -19 -12 RWD VIN=6V,VWD=0V 315 500 MRB H レベル電圧 VMRH VIN=VDF×1.1V∼6V MRB L レベル電圧 VMRL VIN= VDF×1.1V∼6V pullup 抵抗 RMR VIN=6V,MRB=0V RWD=VIN/|IWD| RMR=VIN/|IMRB| 1.4 TMRIN VIN=6V,MRB 端子に 6V→0V のパルス印加 2.8 MRB 最小パルス幅 TMRIN VIN=6V,MRB 端子に 6V→0V のパルス印加 1.2 (注 1)VDF(T):設定検出電圧値。 (注 2)検出電圧の記号で VDF のみ記載されているものは VDFL（検出時 L レベル）を表します。 880 VIN 0 1.6 MRB 最小パルス幅 6/22 6 V 200 VIN=VDF×1.1V∼6V MRB ns 150 VWDH WD 入力抵抗 5 63 125 WD H レベル電圧 IWD ms 50 100 VIN=6V,WD 端子に 6V→0V のパルス印加 WD 入力電流 5 75 TWDIN V 0.35 2.4 3 ms 37 WD 最小パルス幅 μA 3.0 8 8 MΩ 9 μｓ 10 XA6102 シリーズ ■動作説明 XA6102 シリーズは、VIN 端子に接続された R1,R2,R3 によって分割された電圧と内部基準電源の電圧をコンパレータで比較し、そ の出力信号でウォッチドッグロジック、マニュアルリセットロジック、ディレイ回路、出力ドライバを駆動します。VIN 端子電圧を 徐々に下げていき VIN 端子電圧が検出電圧に達すると、VDFL タイプはリセット出力端子に H→L レベル信号を出力します。 ＜リセット出力端子の出力信号＞ ＊VDFL タイプの場合 VDFL は検出時 L レベル。 VIN 端子電圧が検出電圧以下又は MRB 端子電圧が H→L レベル信号に達した場合、リセット出力端子は H→L レベル信号を出力し ます。 VIN 端子電圧が解除電圧に達してからも、解除遅延時間(TDR)の間、リセット出力端子は L レベルを維持します。又ウォッチドッグ タイムアウト時間内に WD 端子へ立ち上がり又は立ち下り信号が入力されない場合、解除遅延時間(TDR)の間リセット出力端子は L レベルを維持しその後 H レベル信号を出力します。 ＜ヒステリシス＞ 内部コンパレータが H レベル信号を出力した場合、R3 に並列接続されている Nch トランジスタが ON し、ヒステリシス回路が動 作します。ヒステリシスの電圧幅は検出電圧と解除電圧の差より求まり、以下の計算式となります。 VDF(検出電圧)=(R1+R2+R3)×Vref/(R2+R3) VDR(解除電圧)=(R1+R2)×Vref/(R2) VHYS(ヒステリシス幅)=VDR-VDF (V) VDR> VDF ＊VDF は VDFL（検出時 L レベル）、VDFH（検出時 H レベル）の両方の条件を含む。 ＊R1,R2,R3,Vref についてはブロック図を参照して下さい。 XA6102 のヒステリシス幅は、VDF×0.05V となります（TYP）。 ＜WD 端子＞ マイクロプロセッサの異常動作や暴走を検出するためにウォッチドッグタイマーを使用します。ウォッチドッグタイムアウト時間 内にマイクロプロセッサからの立ち上がり又は立ち下り信号が入力されない場合、リセット出力端子は解除状態から検出状態とな り、解除遅延時間(TDR)の間検出状態を維持し、その後再び解除状態になります（機能表参照下さい） 。解除状態に戻りますとウォ ッチドッグ内部のタイマーはリスタートされます。 ウォッチドッグタイムアウト時間(TWD)は 1.6,400m,200m,100m,50m,6.25ms の 6 種類を選択できます。 ＜MRB 端子＞ MRB 端子電圧の入力で強制的にリセット出力端子の信号を検出状態にすることができます。 MRB 端子電圧の入力が H→L レベル信号に達した場合、VDFL タイプはリセット出力端子に H→L レベル信号を出力します。MRB 端子電圧が L→H レベルに達してからも、解除遅延時間(TDR)の間、リセット出力端子は検出状態を維持します。 MRB 端子と VIN 端子の間に静電保護用のダイオードが接続されています。 そのため MRB 端子に VIN を越える電圧を印加すると、 ダイオードを通して VIN に電流が流れます。MRB 端子の絶対最大定格(VSS-0.3∼VIN+0.3≦7.0V)を守ってお使い下さい。 ＜解除遅延時間＞ VIN 端子電圧が解除電圧に達する又は、ウォッチドッグタイムアウト時間内に WD 端子へ立ち上がり又は立ち下り信号が入力され ない場合にウォッチドッグ内部のタイマーがリスタートされるまでの検出状態の時間が解除遅延時間(TDR)です。 解除遅延時間(TDR)は 1.6,400m,200m,100m,50m,25m,3.13ms の 7 種類を選択できます。 ＜検出遅延時間＞ VIN 端子電圧が、検出電圧まで低下しリセット出力端子が検出状態になるまでの時間が、検出遅延時間(TDF)です。 7/22 XA6102 シリーズ ■タイミングチャート VIN VDR Level VDF Level VIN Pin Wave Form Hysterisis Range Min.Operating Voltage GND TWD>TWDIN WD WD Pin Wave Form TWD TWD TWD GND TMRB>TMRIN MRB MRB Pin Wave Form GND RESETB Pin Wave Form(VDFL) VDR Level VDFL Level Min.Operating Voltage GND Unstable 8/22 TDR TDR TDR TDR TDR XA6102 シリーズ ■使用方法 1．本 IC のご使用の際には絶対最大定格内でご使用下さい。絶対最大定格値を超えて使用した場合、劣化または破壊する可能性 があります。 2．電源と VIN 端子との間に抵抗を付加した場合、IC 動作時の貫通電流によって VIN 端子の電圧が降下し誤動作の原因となる可 能性がありますのでご注意下さい。また CMOS 出力品の場合、出力電流によっても VIN 端子の電圧が降下し誤動作の原因と なる可能性がありますのでご注意下さい。 3．IC の安定動作のため VIN 端子入力波形の立ち上がり及び立ち下り時間は、数μs/V 程度以上でご使用下さい。 4．電源ノイズはウォッチドッグ動作の誤動作の原因となることがありますので、VIN-GND 間にコンデンサ(0.22μＦ程度)を挿入 することをお勧めします。 5．ウォッチドッグタイムアウト時間中に誤動作防止のため立ち上り又は立ち下り信号に対する不感応時間が存在します。不感応 時間は最大で 900μs となっています。 （図参照） 6．CPU へのデータ書き込み時などウッチドッグ端子にエッジ入力が無い場合、スリーステートデバイスを使用してウォッチド ッグ端子をオープン状態（ハイインピーダンス）にすることによりウォッチドッグ機能を OFF させることが可能です。 P.4,5 のブロック図の様に WD 端子は内部カウンターのバッファ（LOGIC 部）と WD 入力抵抗（RWD）を直列に介して内部で 駆動しており、ウォッチドッグ入力電流を最小にするため RWD=880kΩ(MAX)となっています。 スリーステートデバイスがハイインピーダンスの際は“スリーステートデバイスのリーク電流×RWD”の電圧降下となります。 その際に WD H レベル/L レベル電圧に達するようにリーク電流の少ないスリーステートデバイスをお使い下さい。 VIN Pin Wave Form TWD TWD GND WD Pin Wave Form GND No reaction time (MAX 900usec) No reaction time (MAX 900usec) RESETB Pin Wave Form(VDFL) TDR TDR GND 図．不感応時間例 9/22 XA6102 シリーズ ■端子の論理条件 端子名 論理 条件 H VIN≧VDF+VHYS VIN MRB 端子名 L VIN≦VDF H MRB≧1.40V L MRB≦0.35V WD 論理 条件 H WD≧VWDH を TWD 以上キープした状態 L WD≦VWDL を TWD 以上キープした状態 L→H VWDL→VWDH,TWDIN≧300ns H→L VWDH→VWDL,TWDIN≧300ns (注 1)検出電圧の記号で VDF のみ記載されているものは VDFL(検出時 Low レベル)、VDFH(検出時 High レベル)の両方の条件を含む。 (注 2) VDF：検出電圧 VHYS ：ヒステリシス幅 VWDH：WD H レベル電圧 VWDL：WD L レベル電圧 TWD：WD タイムアウト時間 詳細については、電気的特性を参照して下さい。 ■機能表 VIN MRB※3,※4 H H H L H H or OPEN L→H H H→L L L 検出/解除を繰り返す(H→L→H・・・) OPEN H H RESETB※2 WD ※1 H L ※1：WD の全ての論理を含む（WD=H,L,L→H,H→L,OPEN) ※2：RESETB=H は解除状態を表す。 RESETB=L は検出状態を表す。 ※3：MRB 端子は VSS-0.3V∼VIN+0.3V で使用のため、VIN=L,MRB=H の組み合せはありません。 ※4：0.35V＜MRB＜1.4V の間はリセット出力端子は不定動作となりますのでご注意下さい。 10/22 XA6102 シリーズ ■測定回路図① 11/22 XA6102 シリーズ ■測定回路図② ・測定回路5 100ｋΩ (Not necessary with CMOS output products) VIN RESETB MRB WD VSS 12/22 Measurement Waveform XA6102 シリーズ ■測定回路図③ ・測定回路10 100ｋΩ (Not necessary with CMOS output products) VIN RESETB WD MRB 波形測定 TMRIN MRB RESETB （VDFL) TDR VSS 13/22 XA6102 シリーズ ■特性例 （1）消費電流−入力電圧特性例 30 30 25 Supply Current: ISS (μA) Supply Current: ISS (μA) XA6102（2.7V 品） ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５(２.７Ｖ品） ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５(１.６Ｖ品） XA6102（1.6V 品） 20 Ta=25℃ 15 Ta=85℃ 10 Ta=-40℃ 5 0 25 20 Ta=25℃ 15 Ta=85℃ 10 Ta=-40℃ 5 0 0 1 2 3 4 Input Voltage: V IN (V) 5 6 0 1 2 3 4 5 Input Voltage: V IN (V) 6 XA6102（5.0V 品） ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５(５.０Ｖ品） Supply Current: ISS (μA) 30 25 20 Ta=85℃ 15 Ta=25℃ 10 5 Ta=-40℃ 0 0 1 2 3 4 Input Voltage: V IN (V) 5 6 （2）検出電圧、解除電圧−周囲温度特性例 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７(２.７Ｖ品） XA6102（2.7V 品） V DR 1.65 1.60 V DF 2.90 2.80 VDR 2.70 V DF 2.60 1.55 -50 14/22 Detect, Release Voltage: VDF,V DR (V) Detect, Release Voltage: V DF,V DR (V) XA6102（1.6V 品） ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７(１.６Ｖ品） 1.70 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 XA6102 シリーズ ■特性例 （2）検出電圧、解除電圧−周囲温度特性例 Detect, Release Voltage: VDF,V DR (V) ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７(５.０Ｖ品） XA6102（5.0V 品） 5.30 5.20 V DR 5.10 5.00 V DF 4.90 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 ＸＣ６１０１～ＸＣ６１０７(１.６Ｖ品） XA6102（1.6V 品） 2.0 ＸＣ６１０１～ＸＣ６１０７(２.７Ｖ品） XA6102（2.7V 品） Detect, Release Voltage:V DFL,V DR(V) Detect, Release Voltage:VDFL,V DR (V) （3）検出電圧、解除電圧−入力電圧特性例（VDFL） Rpull:100kΩ Ta=-40℃ 25℃ 85℃ ↓：Ｖ ＤＦ側 ↑：Ｖ ＤＲ側 1.5 1.0 0.5 0.0 0 1 Input Voltage: VIN (V) 2 3.0 Rpull:100kΩ Ta=-40℃ 25℃ 85℃ ↓：Ｖ ＤＦ側 ↑：Ｖ ＤＲ側 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 0 1 2 Input Voltage: V IN (V) 3 Detect, Release Voltage:VDFL,V DR (V) XA6102（5.0V 品） ＸＣ６１０１～ＸＣ６１０７(５.０Ｖ品） 6.0 Rpull:100kΩ Ta=-40℃ 25℃ 85℃ ↓：Ｖ ＤＦ側 ↑：Ｖ ＤＲ側 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0.0 0 1 2 3 4 5 Input Voltage: VIN (V) 6 15/22 XA6102 シリーズ ■特性例 （4）Nch ドライバ出力電流−VDS 特性例 XA6102 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７ ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７ XA6102 20 6 Ta=25℃ V IN=2.0V 5 Output Current: IOUT (mA) Output Current: IOUT (mA) Ta=25℃ 4 3 2 1 VIN=4.0V 16 12 V IN=3.0V 8 4 V IN=1.0V 0 0 0 1 2 3 0 V DS (V) 1 2 3 VDS (V) 4 5 6 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 （5）Nch ドライバ出力電流−入力電圧特性例 XA6102 ７ ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X 6.0 Output Current: IOUT (mA) V DS=0.5V Ta=-40℃ 5.0 Ta=25℃ 4.0 Ta=85℃ 3.0 2.0 1.0 0.0 0 1 2 3 4 5 Input Voltage: V IN (V) 6 （6）解除遅延時間−周囲温度特性例 （ ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７ XA6102 XA6102 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７ 300 Release Delay Time TDR （msec） TDR=3.13ms TDR =3.13msec 5.0 Release Delay Time TDR (ms) DR （msec） Release TDR (ms) ReleaseDelay DelayTime Time T 6.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0.0 -50 16/22 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 TDR=100ms TDR =100msec 250 200 150 100 50 0 -50 XA6102 シリーズ ■特性例 （6）解除遅延時間−周囲温度特性例 （ ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７ XA6102 3000 DR （msec） Release DelayTime Time T Release Delay TDR (ms) TDR =1.6sec TDR=1.6s 2500 2000 1500 1000 500 0 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 （7）WD タイムアウト時間−周囲温度特性例 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５ XA6102 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５ XA6102 300 TWD=6.25msec TWD=6.25ms Timeout Period TWD (ms) WDWD Timeout Piriod TWD （msec） Timeout Period TWD (ms) WDWD Timeout Piriod TWD （msec） 12 10 8 6 4 2 0 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 TWD=100msec TWD=100ms 250 200 150 100 50 0 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５ XA6102 WD Timeout Period TWD (ms) WD Timeout Piriod TWD （msec） 3000 WD=1.6sec T TWD=1.6s 2500 2000 1500 1000 500 0 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 17/22 XA6102 シリーズ ■特性例 （8）解除遅延時間−入力電圧特性例 （9）WD タイムアウト時間−入力電圧特性例 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５ XA6102 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X７ XA6102 120 Ta=25℃ Ta=25℃ DR =100mse TTWD=100ms 110 WD (ms) WDTimeout TimeoutPeriod PiriodTWD TWD （msec） Release Delay Delay Time TDRDR (ms) Release Time T （msec） 120 100 90 80 70 Ta=25℃ Ta=25℃ WD=100mse TTWD=100ms 110 100 90 80 70 60 60 1 2 3 4 5 Input Voltage: V IN (V) 6 1 7 （10）WD L レベル電圧−周囲温度特性例 2 3 4 5 6 Input Voltage: V IN (V) （11）WD H レベル電圧−周囲温度特性例 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５ XA6102 WD HighLevel Threshold Voltage V WDH(V) WD LowLevel Threshold Voltage V WDL(V) XA6102 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X５ 6.0 5.0 4.0 3.0 V IN=6.0V 2.0 V IN=3.0V 1.0 V IN=1.76V 0.0 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 4.0 3.0 V IN=3.0V 2.0 1.0 0.90 V IN=3.0V V IN=6.0V 0.70 0.60 V IN=1.76V 0.50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) V IN=1.76V -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 （13）MRB H レベル電圧−周囲温度特性例 1.00 0.80 V IN=6.0V -50 XA6102 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X３、ＸＣ６１X６～ＸＣ６１X７ MRB HighLevel Threshold Voltage V MRH(V) MRB LowLevel Threshold Voltage V MRL(V) 5.0 XA6102 ＸＣ６１X１～ＸＣ６１X３、ＸＣ６１X６～ＸＣ６１X７ -50 18/22 6.0 0.0 100 （12）MRB L レベル電圧−周囲温度特性例 1.10 7 100 1.10 1.00 0.90 V IN=6.0V 0.80 V IN=3.0V 0.70 V IN=1.76V 0.60 0.50 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 100 XA6102 シリーズ ■外形寸法図 ●SOT-25 19/22 XA6102 シリーズ ■ マーキング 1 ○マーキング文字は以下の仕様にて作製しております。 ①.マーキング方式: ガラスマスク方式 ②.文書書体: ヘルベチカ・メディウム・コンデンス部分修正 ③.寸法、位置: 下記に示します。 ④.モールド樹脂は、黒色を仕様し、表面状態は梨地とします。 ■SOT25 4 桁マーキング B C B C B C B 1 2 F D 3 A 1234 20/22 シンボル 4 E 5 寸法(mm) A 0.8±0.2 B 0.48±0.2 C 0.15±0.1 D 2.37±0.2 E （0.4） F （0.075） 1 2 3 4 はマーキングを表し ※左記図内 各製品のマーク仕様内、①②③④に対応する。 XA6102 シリーズ ■マーキング 2 ●SOT-25 ① ② ③ ④ SOT-25 （TOP VIEW） ①製品シリーズを表す。 ③検出電圧を表す。 シンボル 品名表記例 シンボル 検出電圧 品名表記例 1 XA6102＊＊＊＊＊＊ Ｆ 1.6 XA6102＊＊16＊＊ Ｈ 1.7 XA6102＊＊17＊＊ Ｋ 1.8 XA6102＊＊18＊＊ Ｌ 1.9 XA6102＊＊19＊＊ Ｍ 2.0 XA6102＊＊20＊＊ Ｎ 2.1 XA6102＊＊21＊＊ ②解除遅延時間、ウォッチドッグタイムアウト時間を表す。 シンボル 解除遅延時間 ウォッチドッグ タイムアウト時間 品名表記例 0 3.13ms 6.25ms XA6102Ａ1＊＊＊＊ Ｐ 2.2 XA6102＊＊22＊＊ 1 3.13ms 50ms XA6102Ａ2＊＊＊＊ Ｒ 2.3 XA6102＊＊23＊＊ 2 3.13ms 100ms XA6102Ａ3＊＊＊＊ Ｓ 2.4 XA6102＊＊24＊＊ 3 3.13ms 200ms XA6102Ａ4＊＊＊＊ Ｔ 2.5 XA6102＊＊25＊＊ 4 3.13ms 400ms XA6102Ａ5＊＊＊＊ Ｕ 2.6 XA6102＊＊26＊＊ 5 3.13ms 1.6s XA6102Ａ6＊＊＊＊ Ｖ 2.7 XA6102＊＊27＊＊ 6 25ms 50ms XA6102Ｂ2＊＊＊＊ Ｘ 2.8 XA6102＊＊28＊＊ 7 25ms 100ms XA6102Ｂ3＊＊＊＊ Ｙ 2.9 XA6102＊＊29＊＊ 8 25ms 200ms XA6102Ｂ4＊＊＊＊ Ｚ 3.0 XA6102＊＊30＊＊ 9 25ms 400ms XA6102Ｂ5＊＊＊＊ 0 3.1 XA6102＊＊31＊＊ A 25ms 1.6s XA6102Ｂ6＊＊＊＊ 1 3.2 XA6102＊＊32＊＊ B 50ms 50ms XA6102Ｃ2＊＊＊＊ 2 3.3 XA6102＊＊33＊＊ C 50ms 100ms XA6102Ｃ3＊＊＊＊ 3 3.4 XA6102＊＊34＊＊ D 50ms 200ms XA6102Ｃ4＊＊＊＊ 4 3.5 XA6102＊＊35＊＊ E 50ms 400ms XA6102Ｃ5＊＊＊＊ 5 3.6 XA6102＊＊36＊＊ F 50ms 1.6s XA6102Ｃ6＊＊＊＊ 6 3.7 XA6102＊＊37＊＊ H 100ms 100ms XA6102Ｄ3＊＊＊＊ 7 3.8 XA6102＊＊38＊＊ K 100ms 200ms XA6102Ｄ4＊＊＊＊ 8 3.9 XA6102＊＊39＊＊ L 100ms 400ms XA6102Ｄ5＊＊＊＊ 9 4.0 XA6102＊＊40＊＊ M 100ms 1.6s XA6102Ｄ6＊＊＊＊ Ａ 4.1 XA6102＊＊41＊＊ P 200ms 200ms XA6102Ｅ4＊＊＊＊ Ｂ 4.2 XA6102＊＊42＊＊ R 200ms 400ms XA6102Ｅ5＊＊＊＊ Ｃ 4.3 XA6102＊＊43＊＊ S 200ms 1.6s XA6102Ｅ6＊＊＊＊ Ｄ 4.4 XA6102＊＊44＊＊ T 400ms 400ms XA6102Ｆ5＊＊＊＊ Ｅ 4.5 XA6102＊＊45＊＊ U 400ms 1.6s XA6102Ｆ6＊＊＊＊ Ｆ 4.6 XA6102＊＊46＊＊ V 1.6s 1.6s XA6102Ｈ6＊＊＊＊ Ｈ 4.7 XA6102＊＊47＊＊ Ｋ 4.8 XA6102＊＊48＊＊ Ｌ 4.9 XA6102＊＊49＊＊ Ｍ 5.0 XA6102＊＊50＊＊ ④ 製造ロットを表す。0∼9、A∼Z 及び反転文字 0∼9、A∼Z を繰り返す。 (但し、G、I、J、O、Q、W は除く。) 21/22 XA6102 シリーズ 1. 本書に記載された内容(製品仕様、特性、データ等)は、改善のために予告なしに変更す ることがあります。製品のご使用にあたっては、その最新情報を当社または当社代理 店へお問い合わせ下さい。 2. 本書に記載された技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するものであり、工業 所有権、その他の権利に対する保証または許諾するものではありません。 3. 本書に記載された製品は、通常の信頼度が要求される一般電子機器(情報機器、オーデ ィオ／ビジュアル機器、計測機器、通信機器(端末)、ゲーム機器、パーソナルコンピュ ータおよびその周辺機器、家電製品等)用に設計・製造しております。 4. 本書に記載の製品を、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり、人体に危害を脅か す恐れのある装置やシステム(原子力制御、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、 燃焼制御、生命維持装置を含む医療機器、各種安全装置など)へ使用する場合には、事 前に当社へご連絡下さい。 5. 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のため にフェールセーフとなる設計およびエージング処理など、装置やシステム上で十分な 安全設計をお願いします。 6. 保証値を超えた使用、誤った使用、不適切な使用等に起因する損害については、当社 では責任を負いかねますので、ご了承下さい。 7. 本書に記載された内容を当社に無断で転載、複製することは、固くお断り致します。 トレックス・セミコンダクター株式会社 22/22