MB39C015 - Spansion

Spansion® 模拟和微控制器产品
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“富士通”或 “Fujitsu”， 该产品将由 Spansion 提供给现有客户和新客户。
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型号的延续
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处。
FUJITSU SEMICONDUCTOR
数据手册
DS04–27254–3Z
ASSP 电源管理应用
内置开关 FET
双通道同步整流降压型 DC/DC 转换器 IC
MB39C015
■ 概要
MB39C015 是一款采用电流模式，双通道内置电压检测的同步整流降压型 DC/DC 转换器 IC。该芯片内置开关 FET、振荡
器、误差放大器、PWM 控制电路、基准电压源和电源检测电路，外接元件仅为电感和去耦电容。
通过与外接元件的组合，可实现体积小，负载瞬态响应快的 DC/DC 转换器，最适用于手机 /PDA 等便携式设备、 DVD 驱
动器、HDD 等的内置电源。
■ 特征
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
高效率
: 最大 96%
输出电流
: 最大 800 mA/ch
输入电压范围
: 2.5 V ~ 5.5 V
工作频率
: 2.0 MHz ( 典型值 )
无需续流二极管
低压差状态下工作
: 支持 100% 占空比
内置高精度基准电压源
: 1.30 V ± 2%
关闭模式时的耗电流
: 低于 1 μA
内置开关 FET
: P-ch MOS 0.3 Ω ( 典型值 ) ，N-ch MOS 0.2 Ω ( 典型值 )
采用电流模式，输入和负载瞬态响应快
内置过温保护功能
封装小巧紧凑
: QFN24
■ 应用
•
•
•
•
•
•
•
•
•
适用于闪存 ROM
MP3
电子字典
监控摄像头
便携式导航器
DVD 驱动器
IP 电话
网络集线器
手机
等
Copyright©2008-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2012.9
MB39C015
■引脚配置图
( 俯视图 )
LX2 DGND2 DGND2 DGND1 DGND1 LX1
18
17
16
15
14
13
DVDD2
19
12
DVDD1
DVDD2
20
11
DVDD1
OUT2
21
10
OUT1
MODE2
22
9
MODE1
VREFIN2
23
8
VREFIN1
XPOR
24
7
VDET
1
2
3
4
5
CTLP CTL2 CTL1 AGND AVDD
6
VREF
(LCC-24P-M10)
■ 引脚功能描述
2
引脚号
引脚符号
I/O
功能
1
CTLP
I
电压检测电路部分的控制输入引脚
(L: 电压检测功能停止， H: 正常工作 )
2/3
CTL2/CTL1
I
DC/DC 转换器部分的控制输入引脚
(L: 关闭， H: 正常工作 )
4
AGND
⎯
控制部分的接地引脚
5
AVDD
⎯
控制部分的电源引脚
6
VREF
O
基准电压的输入引脚
7
VDET
I
电压检测的输入引脚
8/23
VREFIN1/VREFIN2
I
误差放大器 (Error Amp) 的同相输入引脚
9/22
MODE1/MODE2
I
L 或 OPEN 状态下使用。
10/21
OUT1/OUT2
I
输出电压的反馈引脚
11, 12/19, 20
DVDD1/DVDD2
⎯
驱动部分的电源引脚
13/18
LX1/LX2
O
连接电感的输出引脚
关闭模式时处于高阻状态。
14, 15/16, 17
DGND1/DGND2
⎯
驱动部分的接地引脚
24
XPOR
O
VDET 监控电路的输出引脚
连接 N-ch MOS 漏极电路。
DS04–27254–3Z
MB39C015
■ 输出入引脚的等效电路图
VDD
VDD
∗
LX1, LX2
VREF
∗
GND
GND
VDD
∗
∗
VREFIN1,
VREFIN2,
VDET
OUT1, OUT2
∗
∗
GND
VDD
CTL1, CTL2, CTLP
∗
GND
VDD
XPOR
∗
MODE1,
MODE2
∗
GND
∗
GND
DS04–27254–3Z
*: ESD 保护元件
3
MB39C015
■ 框图
VIN
AVDD
DVDD1
11, 12
5
CTL1
DVDD2
19, 20
3
ON/OFF
OUT1
10
×3
−
ERR
Amplifier
DVDD1
+
IOUT
Comparator
VREFIN1
8
DAC
PWM
LX1
13
Logic
VOUT1
Control
MODE1
9
GND
VIN
VIN
CTLP
VDET
VREF
CTL2
OUT2
1
7
−
ON/OFF
24
XPOR
1.30 V
6
+
VREF
2
21
ON/OFF
×3
−
ERR
Amplifier
DVDD2
+
IOUT
Comparator
VREFIN2
23
PWM
LX2
18
Logic
MODE2
22
GND
Control
4
AGND
4
VOUT2
14, 15
DGND1
16, 17
DGND2
DS04–27254–3Z
MB39C015
• 关于电流模式
• 传统的电压模式 :
比较下记两项，通过控制占空比达到稳定输出电压的目的。
- 输出电压通过 Error Amp 负反馈得到的电压 (VC)
- 基准三角波 (VTRI)
• 电流模式 :
将振荡器 ( 矩形波发生电路 ) 和开关 FET 的电流和进行 I-V 转换，用转换后的电压 (VIDET) 取代三角波 (VTRI)。
比较下记两项，通过控制占空比达到稳定输出电压的目的。
- 输出电压通过 Error Amp 负反馈得到的电压 (VC)
- 将振荡器 ( 矩形波发生电路 ) 和开关 FET 的电流和进行 I-V 转换后的电压 (VIDET)
电压模式示例
电流模式示例
VIN
VIN
振荡器
Vc
−
VTRI
+
Vc
S
+
R
VIDET
Vc
−
Q
SR-FF
VIDET
VTRI
Vc
ton
toff
toff
ton
( 注意事项 ) 上记示例旨在展示工作原理，与实际的 IC 工作稍有不同。
DS04–27254–3Z
5
MB39C015
■ 各部分的功能
• PWM 逻辑控制电路
控制内置 P-ch 和 N-ch MOS FET，以内置振荡器 ( 方波振荡电路 ) 发出的频率 (2.0 MHz) 进行同步整流动作。
• IOUT 比较器电路
检测从内置 P-ch MOS FET 流到外接电感的电流 (ILX)。
将 ILX 的峰值电流 IPK 进行 I-V 转换，并将转换过来的 VIDET 和 Error Amp 的输出做比较， 通过 PWM 逻辑控制电路，关闭
内置 P-ch MOS FET。
• 误差放大器 (Error Amp) 相位补偿电路
比较 VREF 等的基准电压和输出电压。本 IC 内置相位补偿电路，已进行调整以达到最佳工作状态。所以，不必考虑相位补
偿电路，也不必为相位补偿外接元件。
• VREF 电路
BGR( 带隙基准 ) 电路生成高精度的基准电压。输出电压为 1.30 V( 标准 )。
• 电压检测 (VDET) 电路
监视 VDET 引脚电压。一般来说，需用外接电阻上拉 XPOR 引脚再使用。VDET 引脚电压达到 0.6 V 时，变为 H 电平。
时序图例 : (XPOR 引脚上拉至 VIN)
VIN
VUVLO
CTLP
VTHHPR
VTHLPR
VDET
XPOR
VUVLO:UVLO 阈值电压
VTHHPR, VTHLPR:XPOR 阈值电压
• 保护电路
MB39C015 内置过温保护电路。
结温达到 +135 ℃时，过温保护电路将关闭 N-ch 和 P-ch 的开关 FET。
此外，当结温降到 +110 ℃时，开关 FET 恢复正常工作。
因为控制方式是电流模式，PWM 逻辑控制电路也随时监控电流的峰值。
6
DS04–27254–3Z
MB39C015
• 功能表
模式
输入
CTL1
关断模式
工作模式
CTL2
CTLP
CH1 功能
CH2 功能
VDET 功能
VREF 功能
停止
L
H
L
L
工作
停止
停止
L
H
L
停止
工作
停止
L
L
H
停止
停止
工作
H
H
L
工作
工作
停止
L
H
H
停止
工作
工作
H
L
H
工作
停止
工作
H
DS04–27254–3Z
输出
1.3 V 输出
工作
7
MB39C015
■ 绝对最大额定
项目
电源电压
符号
VDD
信号输入电压
XPOR 上拉电压
VISIG
VIXPOR
条件
最大
AVDD = DVDD1 = DVDD2
-0.3
+6.0
OUT1/OUT2 引脚
-0.3
VDD+0.3
CTLP, CTL1/CTL2,
MODE1/MODE2 引脚
-0.3
VDD+0.3
VREFIN1/VREFIN2 引脚
-0.3
VDD+0.3
VDET 引脚
-0.3
VDD+0.3
XPOR 引脚
-0.3
+6.0
V
-0.3
VDD+0.3
V
⎯
1.8
A
VLX
LX1/LX2 引脚
LX 峰值电流
IPK
ILX1/ILX2
Ta ≤ +25 ℃
PD
Ta = + 85 ℃
工作环境温度
保管温度
单位
最小
LX 电压
容许损耗
额定值
V
V
⎯
3125* * *
⎯
1563*1, *2 , *4
⎯
1250*1, *2 , *3
⎯
625*1, *2 , *4
1, 2 , 3
mW
mW
Ta
⎯
-40
+85
℃
TSTG
⎯
-55
+125
℃
*1: 关于 Ta = +25 ℃ ~ +85 ℃间的容许损耗，请参考第 22 页的图。
*2: 贴装在 11.7 cm × 8.4 cm 的 4 层环氧树脂板时
*3: 连接裸露焊盘，连接散热通孔 ( 散热通孔 = 9 个 )
*4: 连接裸露焊盘，未连接散热通孔
< 注意事项 > • 在 AGND 引脚、 DGND1 引脚或 DGND2 引脚上施加 -0.3 V 以下的负电压时，有可能导致 LSI 的寄生晶体
管启动，引发误动作。
• 若将 LX1 引脚、 LX2 引脚直接连接 AVDD、 DVDD1/DVDD2 或 AGND、 DGND1/DGND2，会损坏芯片。
< 警告 >
8
如在半导体器件上施加的负荷 ( 电压、电流、温度等 ) 超过最大额定值，将会导致该器件永久性损坏，因此任何
参数均不得超过其绝对最大额定值。
DS04–27254–3Z
MB39C015
■ 推荐工作条件
项目
电源电压
符号
CTL 电压
最大
2.5
3.7
5.5
V
0.15
⎯
1.30
V
CTLP, CTL1, CTL2
0
⎯
5.0
V
ILX1/ILX2
⎯
⎯
800
mA
2.5 V ≤ AVDD = DVDD1 = DVDD2
< 3.0 V
⎯
⎯
0.5
3.0 V ≤ AVDD = DVDD1 = DVDD2
≤ 5.5 V
⎯
⎯
1
XPOR 电流
IPOR
⎯
⎯
⎯
1
mA
电感值
L
⎯
⎯
2.2
⎯
μH
AVDD = DVDD1 = DVDD2
⎯
VREFIN
ILX
VREF 输出电流
单位
典型
VCTL
LX 电流
规格值
最小
VDD
VREFIN 电压
条件
IROUT
mA
( 注意事项 ) 在电源电压 (VIN) 和 DC/DC 转换器输出电压 (VOUT) 的压差小的使用条件下，有时可输出电流较低。这是受坡度
补偿影响的结果，并非本芯片导致的损坏。
< 警告 >
为确保半导体器件的正常工作，其须满足所推荐的运行环境或条件。器件在所推荐的环境或条件下运行时，其全
部电气特性均可得到保证。请务必在所推荐的工作环境或条件范围内使用该半导体器件。如超出该等范围使用，
可能会影响该器件的可靠性并导致故障。
本公司对本数据手册中未记载的使用范围、运行条件或逻辑组合不作任何保证。如果用户欲在所列条件之外使用
器件，请务必事先联系销售代表。
DS04–27254–3Z
9
MB39C015
■ 电气特性
(Ta = + 25 ℃、 AVDD = DVDD1 = DVDD2 = 3.7 V、 VOUT1/VOUT2 设定值 = 2.5 V、 MODE1/MODE2 = 0 V)
项目
DC/DC
转换器
部分
检测
条件
规格值
单位
最小
典型
最大
VREFIN = 0.15 ~ 1.3 V
-100
0
+100
nA
2.45
2.50
2.55
V
引脚
输入电流
IREFIN
输出电压
VOUT
VREFIN = 0.833 V
OUT = - 100 mA
输入稳压误差
LINE
2.5 V ≤ AVDD = DVDD1 =
DVDD2 ≤ 5.5 V *1
⎯
⎯
10
mV
负载稳压误差
LOAD
-100 mA ≥ OUT ≥ -800 mA
⎯
⎯
10
mV
OUT 引脚
输入阻抗
ROUT
OUT = 2.0 V
0.6
1.0
1.5
MΩ
输出 GND 短路时
0.9
1.2
1.7
A
⎯
1.6
2.0
2.4
MHz
⎯
45
80
μs
⎯
-10*
⎯
mV
LX1/LX2 = -100 mA
⎯
0.30
0.48
Ω
LX1/LX2 = -100 mA
⎯
0.20
0.42
Ω
ILEAKM
0 ≤ LX ≤ VDD *2
-1.0
⎯
+8.0
μA
ILEAKH
VDD = 5.5 V,
0 ≤ LX ≤ VDD *2
-2.0
⎯
+16.0
μA
+120*
+ 135*
+160*
℃
+95*
+ 110*
+125*
℃
2.17
2.30
2.43
V
2.03
2.15
2.27
V
0.08
0.15
0.25
V
LX 峰值电流
IPK
开关频率
fOSC
启动延迟时间
tPG
开关NMOS-FET
关断电压
VNOFF
开关 PMOS-FET
导通阻抗
RONP
开关 NMOS-FET
导通阻抗
RONN
LX 漏电流
保护
电路
部分
符号
过温保护
( 结温 )
TOTPH
UVLO
阈值电压
VTHHUV
UVLO
迟滞幅度
TOTPL
VTHLUV
VHYSUV
8, 23
10, 21
13, 18
2, 3, 10,
21
C1/C2 = 4.7 μF, OUT = 0 A
OUT1/OUT2 : 0 → 90%VOUT
⎯
13, 18
⎯
5, 11, 12
19, 20
⎯
⎯
⎯
*: 典型设计值
( 转下页 )
10
DS04–27254–3Z
MB39C015
( 承上页 )
(Ta = + 25 ℃、 AVDD = DVDD1 = DVDD2 = 3.7 V、 VOUT1/VOUT2 设定值 = 2.5 V、 MODE1/MODE2 = 0 V)
项目
XPOR 阈值电压
电压检测
电路部分
600
625
mV
558
583
608
mV
⎯
17
⎯
mV
XPOR = 25 μA
⎯
⎯
0.1
V
XPOR = 5.5 V
⎯
⎯
1.0
μA
⎯
0.55
0.95
1.45
V
⎯
0.40
0.80
1.30
V
⎯
⎯
1.0
μA
1.274
1.30
1.326
V
VREF = -1.0 mA
⎯
⎯
20
mV
IVDD1
CTLP/CTL1/CTL2 = 0 V
全电路关闭状态 *3
⎯
⎯
1.0
μA
IVDD1H
CTLP/CTL1/CTL2 = 0 V, VDD = 5.5 V
全电路关闭状态 *3
⎯
⎯
1.0
μA
⎯
3.5
10
mA
⎯
7.0
20.0
mA
VTHLPR
XPOR 输出电流
IOH
⎯
7
⎯
24
VTHHCT
VTHLCT
1, 2, 3
CTL 引脚
输入电流
IICTL
0 V ≤ CTLP/CTL1/CTL2 ≤ 3.7 V
VREF 电压
VREF
VREF = 0 A
DC/DC 工作时的
电源电流
LOADREF
IVDD31
IVDD32
电压检测模式时
的电源电流
工作时的无效电
流
单位
575
VTHHPR
VOL
VREF 负载稳压
误差
规格值
最大
XPOR 输出电压
关闭时的电源电
流
IC 全体
条件
典型
VHYSPR
控制部分
检测引
脚
最小
XPOR 迟滞幅度
CTL 阈值电压
基准电压
部分
符号
6
① CTLP = 0 V, CTL1 = 3.7 V,
CTL2 = 0 V
② CTLP = 0 V, CTL1 = 0 V,
CTL2 = 3.7 V
5, 11, 12
OUT = 0 A
19, 20
CTLP = 0 V, CTL1/CTL2 = 3.7 V
OUT = 0 A
IVDD5
CTLP = 3.7 V, CTL1/CTL2 = 0 V
⎯
15
24
μA
IVDD
① CTL1 = 3.7 V, CTL2 = 0 V
② CTL1 = 0 V, CTL2 = 3.7 V
VOUT1/VOUT2 = 90%
OUT = 0 A *4
⎯
1000
2000
μA
*1: AVDD = DVDD1 = DVDD2 的下限值为 2.5 V 或 VOUT 设定值 +0.6 V 两者中值高的一个。
*2: LX1 引脚、LX2 引脚的 + 端漏电流包括内部电路的电流。
*3: 流入 AVDD 引脚、 DVDD1 引脚和 DVDD2 引脚的电流之和。
*4:100% 占空比 ( 高端 FET 全接通 ) 的状态下的功耗。因是全接通状态 ( 未进行开关动作 )，未包括开关 FET 栅极驱动电
流。另外，负载电流也同样未含在内。
DS04–27254–3Z
11
MB39C015
■ 典型工作特性测试电路图
MB39C015
VDD
SW
CTL1/
CTL2
VDD
DVDD1/
DVDD2
R1
1 MΩ
AVDD
MODE1/
MODE2
R3-1
20 kΩ
R3-2
150 kΩ
LX1/
LX2
OUT1/
OUT2
DGND1/
DGND2
AGND
VREF
R5
510 kΩ
VDET
R6
100 kΩ
R4
300 kΩ
VIN
C2
4.7 μF
C6
0.1 μF
VREFIN1/
VREFIN2
C3
4.7 μF
L1
2.2 μH
VOUT1/
VOUT2
IOUT
C1
4.7 μF
GND
输出电压 = VREFIN × 3.01 倍
元件
规格
供应商
型号
R1
1 MΩ
KOA
RK73G1JTTD D 1 MΩ
R3-1
R3-2
20 kΩ
150 kΩ
SSM
SSM
RR0816-203-D
RR0816-154-D
R4
300 kΩ
SSM
RR0816-304-D
R5
510 kΩ
KOA
RK73G1JTTD D 510 kΩ
R6
100 kΩ
SSM
RR0816-104-D
C1
4.7 μF
TDK
C2012JB1A475K
C2
4.7 μF
TDK
C2012JB1A475K
C3
0.1 μF
TDK
C1608JB1E104K
C6
0.1 μF
TDK
C1608JB1H104K
L1
2.2 μH
TDK
VLF4012AT-2R2M
备注
设定 VOUT1/VOUT2 = 2.5 V 时
用于慢启动时间调整
( 注意事项 ) 上记为推荐元件，均通过本公司的工作状况确认。
TDK : TDK 株式会社
SSM : 进工业株式会社
KOA : KOA 株式会社
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MB39C015
■ 应用手册
[1] 选择元件
• 选择外接电感
基本上无需设计电感。本 IC 是按照 " 使用 2.2 μH 的电感时可最高效地工作 " 设计的。
电感的饱和电流额定要大于使用条件下的 LX 峰值电流并尽量选用 DC 阻抗小的电感。( 推荐 100 mΩ 以下的电感 )
LX 峰值电流 IPK 可通过以下算式求得。
IPK = IOUT +
L
VIN - VOUT
L
×
D
fosc
1
×
2
= IOUT +
(VIN - VOUT) × VOUT
2 × L × fosc × VIN
: 外接电感值
IOUT : 负载电流
VIN
: 电源电压
VOUT : 输出设定电压
D
: 开关脉冲的占空比 ( = VOUT / VIN)
fosc : 开关频率 (2.0 MHz)
例 : VIN = 3.7 V、VOUT = 2.5 V、IOUT = 0.8 A、L = 2.2 μH、fosc = 2.0 MHz 时
峰值电流最大值 IPK 为 :
IPK = IOUT +
(VIN - VOUT) × VOUT
2 × L × fosc × VIN
= 0.8 A +
(3.7 V - 2.5 V) × 2.5 V
2 × 2.2 μH × 2.0 MHz × 3.7 V
≈ 0.89 A
• 选择输入、输出电容器
• 为了减少纹波电流带来的损耗，VDD 的输入电容器须特别选择等效串联电阻 (ESR) 低的电容。
• 对于输出电容器，也请选择等效串联电阻 (ESR) 低的。由电感电流的变化而产生的纹波电流流入输出电容，该变化量与
ESR 的积产生纹波电压输出。输出电容器的值对 DC/DC 转换器的工作稳定性有重大影响。一般说来，推荐使用 4.7 μF
左右的电容。若纹波电压成为问题，也可采用电容值较大的电容器。此外，输入与输出的压差不超过 0.6 V 的情况下，建
议使用 10 μF 的输出电容。
• 电容器的种类
无论是输出电容还是输入电容，使用陶瓷电容器对于 ESR 的减小和小型化十分有益。但是电源电路也是发热源，应该避
免使用温度特性为 F 特性 ( -80% ~ +20%) 的电容。推荐使用 B 特性 ( ±10% ~ ±20%) 的电容。
一般的电解电容器的 ESR 比较高，应尽量避免使用。
钽电容器的 ESR 降低效果虽然好，但发生故障时进入短路模式，十分危险。使用钽电容器时，建议使用带保险丝的。
DS04–27254–3Z
13
MB39C015
[2] 设定输出电压
本 IC 的输出电压 VOUT(VOUT1 或 VOUT2) 由 VREFIN(VREFIN1 或 VREFIN2) 上的电压决定。VREFIN 上的电压由外部电源
提供或通过电阻分压 VREF 输出设定。
通过电阻分压 VREF 设定 VREFIN 电压时，输出电压用下记算式表示。
VOUT = 3.01 × VREFIN,
VREFIN =
R2
R1 + R2
× VREF
(VREF = 1.30 V)
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VREF
VREF
R1
VREFIN
VREFIN
R2
( 注意事项 ) 关于电路结构示例，详情参照 ■ 应用电路示例。
虽然电阻比决定输出电压，但选定的电阻值要使电阻上的电流不超出 VREF 电流的额定 (1 mA)。
[3] 转换效率
转换效率可通过减少 DC/DC 转换器电路的损耗得以改善。
DC/DC 转换器的总损耗 (PLOSS) 从大类上可分为以下几种。
PLOSS = PCONT + PSW + PC
PCONT : 控制电路损耗 ( 本 IC 工作时使用的功率，含内部开关 FET 的栅极驱动功率 )
PSW : 开关损耗 ( 本 IC 内置开关 FET 切换时发生的损耗 )
PC
: 导通损耗 ( 电流经过本 IC 内置开关 FET 和外接电路时发生的损耗 )
本 IC 的控制电路损耗 (PCONT) 非常小，不超过 100 mW( 无负载时 )。
因本 IC 内置高速、低损耗的开关 FET，在高负载时的损耗方面，导通损耗 (PC) 比控制电路损耗 (PCONT) 和开关损耗 (PSW)
大得多。
导通损耗 (PC) 从大类上可分为内置开关 FET 的导通阻抗产生的损耗和外部电感的串联电阻产生的损耗两种。
PC = IOUT2 × (RDC + D × RONP + (1 - D) × RONN)
D
RONP
RONN
RDC
IOUT
: 开关的占空比 ( = VOUT/VIN)
: 内置 P-ch 开关 FET 的导通阻抗
: 内置 N-ch 开关 FET 的导通阻抗
: 外部电感的串联电阻
: 负载电流
根据上记算式，要通过选择元件改善效率，降低 RDC 是关键。
14
DS04–27254–3Z
MB39C015
[4] 容许损耗和热设计
本 IC 是高效芯片，一般情况下无须考虑容许损耗和热设计的问题，仅在低电源电压、高负载、高输出电压和高温的条件下
使用时需要考虑。
内部损耗 (P) 大致可用以下算式表示。
P = IOUT2 × (D × RONP + (1 - D) × RONN)
D
RONP
RONN
IOUT
: 开关的占空比 ( = VOUT/VIN)
: 内置 P-ch 开关 FET 的导通阻抗
: 内置 N-ch 开关 FET 的导通阻抗
: 输出电流
上记算式主要表示的是导通损耗。内部损耗还包含开关损耗和控制电路的损耗，但这些损耗相对于导通损耗微不足道，所
以不成问题。
因本 IC 的 RONP > RONN，所以占空比越大，损耗也相应地越大。
假定 VIN = 3.7 V、Ta = +70 ℃，根据 MOS FET 导通阻抗－工作环境温度特性图，RONP = 0.36 Ω、RONN = 0.30 Ω。VOUT =
2.5 V 且 IOUT = 0.6 A 时，IC 内部的损耗为 P = 123 mW。根据容许损耗－工作环境温度特性图，工作环境温度 Ta 为 +70 ℃
时的容许损耗是 300 mW，内部损耗比容许损耗小。
[5]XPOR 阈值电压 [VPORH, VPORL] 的设定
使用外部电阻对 VDET 引脚施加电压时，可按照下记算式设定检测电压。
VPORH =
VPORL =
R3 + R4
R4
R3 + R4
R4
× VTHHPR
× VTHLPR
VTHHPR = 0.600 V
VTHLPR = 0.583 V
DS04–27254–3Z
15
MB39C015
• 3.7 V 检测的设定示例
R3 = 510 kΩ
R4 = 100 kΩ
VPORH =
VPORL =
510 kΩ + 100 kΩ
100 kΩ
510 kΩ + 100 kΩ
100 kΩ
× 0.600 = 3.66 ≈3.7 [V]
× 0.583 = 3.56 ≈3.6 [V]
VIN
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AVDD
R3
1 MΩ
VDET
XPOR
R4
XPOR
[6] 瞬态响应
瞬态响应是在 VIN、 VOUT 保持稳定的状态下，让 IOUT 发生突变，从而确认响应时间、过冲电压、反冲电压等的响应。本
IC 内置最优化的 Error Amp，所以显示出良好的响应性。但在负载突变时振铃较大的情况下，必须追加电容 C6 ( 例 : 0.1 μF)
( 因电容 C6 的原因，启动时间会发生变化，连同启动波形一起，须加以确认 )。 DAC 输入时不需要。
MB39C015
VREF
VREF
R1
VREFIN
VREFIN1/
VREFIN2
R2
16
C6
DS04–27254–3Z
MB39C015
[7] 印刷电路板布局和设计例
要使本 IC 稳定工作，须在电路板的布局上下功夫。
布局时要注意以下几点。
• 输入电容 (Cin) 尽量配置在 VDD 和 GND 引脚附近。其他的电路板层有电源和接地层时，请在该电容引脚至近的地方设
置 TH( 通孔 )。
• 在输入电容 (Cin)、输出电容 (Co)、外接电感 (L) 和本 IC 之间有大 AC 电流通过。配置这些元件时要尽量靠近 IC，要尽量
想办法减小这些元件组成的环路面积。不仅如此，还应尽量把这些元件贴装在同一个层面，布线时不使用 TH。布线时采
用短而宽的直线。
• AVDD 的旁路电容尽量配置在 AVDD 和 AGND 引脚附近。其他的电路板层有电源和接地层时，请在该电容引脚至近的地
方设置 TH( 通孔 )。
• 将至 OUT 的反馈线从输出电容 (Co) 的电压输出端引脚至近处进行布线。此外，OUT 引脚的感应度高，布线时尽量远离
本 IC 的 LX1 引脚、LX2 引脚的布线。
• 用电阻分压的方法对 VREFIN1/VREFIN2 施加电压时，配置电阻时要考虑尽量使 VREFIN1/VREFIN2 的布线短。要尽量
让 VREFIN1/VREFIN2 电阻的 GND 引脚靠近 IC 的 AGND 引脚，并设置控制系统的 GND 等，使两者之间的连线没有大
电流通过。设置用于 VREFIN 的旁路电容器时，需将电容器配置在离 VREFIN 引脚最近的地方。
• 用电阻分压的方法对 VDET 施加电压时，配置电阻时要考虑尽量使 VDET 的布线短。要尽量让 VDET 电阻的 GND 引脚
靠近 IC 的 AGND 引脚，并设置控制系统的 GND 等，想出一个不通电流的连接路径。
• 请尽量在 IC 贴装面设置 GND 焊盘。如果是 QFN24 封装品，为了有效散热，推荐在散热垫的焊盘部分设置散热通孔。
• IC 开关系统元件配置示意图
Co
L
VIN
Co
L
GND
Cin
Cin
VIN
反馈线
反馈线
1pin
GND
VIN
AVDD 旁路电容器
• 电路设计上的注意事项
• 本 IC 监控开关操作中的峰值电流，这虽起到短路保护作用，还是应该避免长时间输出短路的状态。特别是在 VIN < 2.9 V
时短路时，电流极限值 ( 电感的峰值电流 ) 有上升的倾向。若持续这样的短路状态，则本 IC 的温度也继续上升，引发过
温保护功能启动。过温保护功能使输出停止，从而 IC 温度降下后，输出重启。即，输出启动、停止重复进行。
上记现象不至于损坏 IC，但长时间持续的话，有可能因本 IC 周围过热产生影响。必须加以注意。
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MB39C015
■ 典型工作特性示例
( 下记特性示例是 "■ 典型工作特性测定电路图 " 所示电路的特性例 )
• 代表性的特性 CH1
转换效率－负载电流特性
转换效率－负载电流特性
100
100
VIN = 3.7 V
90
80
90
70
转换效率 η (%)
转换效率 η (%)
70
VIN = 4.2 V
60
50
VIN = 5.0 V
40
30
20
1
50
VIN = 5.0 V
40
30
10
100
Ta = +25 °C
VOUT = 1.2 V
0
1000
1
10
100
负载电流 IOUT (mA)
负载电流 IOUT (mA)
转换效率－负载电流特性
转换效率－负载电流特性
1000
100
VIN = 3.7 V
90
80
VIN = 3.7 V
90
80
VIN = 3.0 V
VIN = 4.2 V
70
转换效率 η (%)
70
转换效率 η (%)
VIN = 4.2 V
10
100
VIN = 4.2 V
60
50
VIN = 5.0 V
40
30
20
60
VIN = 5.0 V
50
40
30
20
Ta = +25 °C
VOUT = 1.8 V
10
0
VIN = 3.0 V
60
20
Ta = +25 °C
VOUT = 2.5 V
10
0
VIN = 3.7 V
80
VIN = 3.0 V
1
10
100
负载电流 IOUT (mA)
1000
Ta = +25 °C
VOUT = 3.3 V
10
0
1
10
100
1000
负载电流 IOUT (mA)
( 转下页 )
18
DS04–27254–3Z
MB39C015
输出电压－负载电流特性
输出电压－输入电压特性
2.60
2.60
Ta = +25 ℃
设定 VOUT = 2.5 V
2.58
2.56
2.54
输出电压 VOUT (V)
输出电压 VOUT (V)
2.56
IOUT = 0 A
2.52
2.50
2.48
2.46
Ta = +25 ℃
VIN = 3.7 V
设定 VOUT = 2.5 V
2.58
IOUT = 100 mA
2.54
2.52
2.50
2.48
2.46
2.44
2.44
2.42
2.42
2.40
2.40
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
0
600
800
基准电压－工作环境温度特性
基准电压－输入电压特性
1.40
1.40
1.38
1.38
Ta = +25 °C
VOUT = 2.5 V
1.34
IOUT = 0 A
1.32
1.30
1.28
1.26
VIN = 3.7 V
VOUT = 2.5 V
IOUT = 0 A
1.36
基准电压 VREF (V)
1.36
基准电压 VREF (V)
400
负载电流 IOUT (mA)
输入电压 VIN (V)
1.34
1.32
1.30
1.28
1.26
IOUT = 100 mA
1.24
1.24
1.22
1.22
1.20
2.0
200
1.20
3.0
4.0
输入电压 VIN (V)
5.0
6.0
-50
0
+50
+100
工作环境温度 Ta ( ℃ )
( 转下页 )
DS04–27254–3Z
19
MB39C015
输入电流－工作环境温度特性
10
10
9
9
8
8
7
7
输入电流 IIN (mA)
输入电流 IIN (mA)
输入电流－输入电压特性
6
5
4
3
2
6
5
4
3
2
Ta = +25 °C
VOUT = 2.5 V
1
0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
-50
6.0
输入电压 VIN (V)
0
+50
+100
工作环境温度 Ta ( ℃ )
开关频率－工作环境温度特性
开关频率－输入电压特性
2.4
2.4
Ta = +25 °C
VOUT = 1.8 V
IOUT = 100 mA
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
2.2
2.1
2.0
1.9
1.8
1.8
1.7
1.7
1.6
2.0
3.0
4.0
输入电压 VIN (V)
5.0
VIN = 3.7 V
VOUT = 2.5 V
IOUT = 100 mA
2.3
开关频率 fOSC (MHz)
开关频率 fOSC (MHz)
VIN = 3.7 V
VOUT = 2.5 V
1
6.0
1.6
-50
0
+50
+100
工作环境温度 Ta ( ℃ )
( 转下页 )
20
DS04–27254–3Z
MB39C015
MOS FET 导通阻抗－输入电压特性
0.6
MOS FET 导通阻抗 RON (Ω)
0.5
P-ch
0.4
0.3
0.2
N-ch
0.1
Ta = +25 °C
0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
输入电压 VIN (V)
N-ch MOS FET
导通阻抗－工作环境温度特性
P-ch MOS FET
导通阻抗－工作环境温度特性
0.6
N-ch MOS FET 导通阻抗 RONN (Ω)
P-ch MOS FET 导通阻抗 RONP (Ω)
0.6
0.5
VIN = 3.7 V
0.4
0.3
0.2
VIN = 5.5 V
0.1
0
-50
0.5
0.4
VIN = 3.7 V
0.3
0.2
VIN = 5.5 V
0.1
0
0
+50
工作环境温度 Ta ( ℃ )
+100
-50
0
+50
+100
工作环境温度 Ta ( ℃ )
( 转下页 )
DS04–27254–3Z
21
MB39C015
( 承上页 )
CTL 阈值电压－输入电压特性
XPOR 输出电压－输入电压特性
6.0
1.4
1.0
VTHLCT
0.8
0.6
Ta = +25 °C
VOUT = 2.5 V
0.4
VTHHCT: 电路关闭 → 接通
VTHLCT: 电路接通 → 关闭
0.2
Ta
℃
Ta == +25
+25 °C
设定 VPORH = 3.7 V
5.0
VTHHCT
XPOR 输出电压 VXPOR (V)
CTL 阈值电压 Vth (V)
1.2
4.0
3.0
2.0
VXPORL
VXPORH
1.0
0.0
0.0
2.0
3.0
4.0
5.0
2.0
6.0
3.0
4.0
5.0
6.0
输入电压 VIN (V)
输入电压 VIN (V)
容许损耗－工作环境温度特性
( 无散热通孔 )
容许损耗－工作环境温度特性
( 有散热通孔 )
3500
3500
3000
3000
2500
2500
容许损耗 PD (mW)
容许损耗 PD (mW)
3125
2000
1500
1250
1000
2000
1563
1500
1000
625
500
500
0
-50
0
+50
工作环境温度 Ta ( ℃ )
22
+85
+100
0
-50
0
+85
+100
+50
工作环境温度 Ta ( ℃ )
DS04–27254–3Z
MB39C015
• 开关波形
VOUT : 20 mV/div
VLX : 2.0 V/div
ILX : 500 mA/div
1 μs/div
DS04–27254–3Z
Ta = +25 °C
VIN = 3.7 V
VOUT = 2.5 V
IOUT = 800 mA
23
MB39C015
• 启动时波形
VCTL : 5.0 V/div
ILX : 500 mA/div
Ta = +25 °C
VIN = 3.7 V
VOUT = 2.5 V
IOUT = 0 A
VOUT : 1.0 V/div
VREFIN 电容 = 0.1 μF
10 ms/div
VCTL : 2.0 V/div
ILX : 500 mA/div
Ta = +25 °C
VIN = 3.7 V
VOUT = 2.5 V
IOUT = 0 A
VOUT : 1.0 V/div
10 μs/div
24
无 VREFIN 电容
DS04–27254–3Z
MB39C015
• 负载突变特性 (0 mA ↔ 800 mA)
IOUT = 0 mA
IOUT = 800 mA
IOUT = 0 mA
VOUT : 100 mV/div
Ta = +25 °C
VIN = 3.7 V
VOUT = 2.5 V
10 μs/div
VREFIN 电容 = 0.1 μF
• 负载突变特性 (100 mA ↔ 800 mA)
IOUT = 100 mA
IOUT = 800 mA
IOUT = 100 mA
VOUT : 100 mV/div
Ta = +25 °C
VIN = 3.7 V
VOUT = 2.5 V
10 μs/div
DS04–27254–3Z
VREFIN 电容 = 0.1 μF
25
MB39C015
■ 应用电路示例
• 应用电路示例 1
• 将外部电压输入到基准电压外部输入 (VREFIN1、VREFIN2)，以 3.01 倍的 VOUT 设定增益设定 VOUT
DVDD1 11
12
3 CTL1
CPU
R7
DGND1 14
15
1 MΩ
DVDD2 19
20
8 VREFIN1
DAC1
C3
4.7 μF
VIN
C4
4.7 μF
DGND2 16
17
AVDD
5
C5
0.1 μF
2 CTL2
AGND
R8
4
1 MΩ
MB39C015
DAC2
L1
2.2 μH
23 VREFIN2
LX1 13
VOUT1
C1
4.7 μF
9 MODE1
OUT1 10
APLI1
L2
2.2 μH
22 MODE2
VOUT2
LX2 18
6 VREF
OUT2 21
C2
4.7 μF
APLI2
7 VDET
1 CTLP
26
XPOR 24
VOUT = 3.01 × VREFIN
DS04–27254–3Z
MB39C015
• 应用电路示例 2
• 将 VREF 引脚电压以电阻分压的方法输入到基准电压外部输入 (VREFIN1、VREFIN2) ，VOUT1 电压设定为 2.5 V; VOUT2
电压设定为 1.8 V。
DVDD1 11
12
3 CTL1
CPU
R7
DGND1 14
15
1 MΩ
DVDD2 19
20
R1 170 kΩ
( 20 kΩ + 150 kΩ )
8 VREFIN1
R2
C3
4.7 μF
VIN
C4
4.7 μF
DGND2 16
17
300 kΩ
AVDD
5
C5
0.1 μF
2 CTL2
AGND
4
R8
1 MΩ
MB39C015
L1
2.2 μH
VOUT1
LX1 13
R5 352 kΩ
( 22 kΩ + 330 kΩ )
C1
4.7 μF
23 VREFIN2
OUT1 10
R6
APLI1
300 kΩ
6 VREF
9 MODE1
22 MODE2
1 CTLP
L2
2.2 μH
VOUT2
LX2 18
C2
4.7 μF
OUT2 21
APLI2
XPOR 24
VOUT1 = 3.01 × VREFIN1
VREFIN1 =
R2
× VREF
R1 + R2
(VREF = 1.30 V)
DS04–27254–3Z
VOUT1 = 3.01 ×
300 kΩ
× 1.30 V = 2.5 V
170 kΩ + 300 kΩ
VOUT12 = 3.01 ×
300 kΩ
× 1.30 V = 1.8 V
352 kΩ + 300 kΩ
27
MB39C015
• 应用电路示例所用的元件表
元件号
品名
L1
电感
L2
电感
C1
型号
规格
封装
生产厂家
VLF4012AT-2R2M
2.2 μH, RDC = 76 mΩ
SMD
TDK
MIPW3226D2R2M
2.2 μH, RDC = 100 mΩ
SMD
FDK
VLF4012AT-2R2M
2.2 μH, RDC = 76 mΩ
SMD
TDK
MIPW3226D2R2M
2.2 μH, RDC = 100 mΩ
SMD
FDK
陶瓷电容
C2012JB1A475K
4.7 μF(10 V)
2012
TDK
C2
陶瓷电容
C2012JB1A475K
4.7 μF(10 V)
2012
TDK
C3
陶瓷电容
C2012JB1A475K
4.7 μF(10 V)
2012
TDK
C4
陶瓷电容
C2012JB1A475K
4.7 μF(10 V)
2012
TDK
C5
陶瓷电容
C1608JB1E104K
0.1 μF(50 V)
2012
TDK
R1
电阻
RK73G1JTTD D 20 kΩ
RK73G1JTTD D 150 kΩ
20 kΩ
150 kΩ
1608
1608
KOA
KOA
R2
电阻
RK73G1JTTD D 300 kΩ
300 kΩ
1608
KOA
R5
电阻
RK73G1JTTD D 22 kΩ
RK73G1JTTD D 330 kΩ
22 kΩ
330 kΩ
1608
1608
KOA
KOA
R6
电阻
RK73G1JTTD D 300 kΩ
300 kΩ
1608
KOA
R7
电阻
RK73G1JTTD D 1 MΩ
1 MΩ ±0.5%
1608
KOA
R8
电阻
RK73G1JTTD D 1 MΩ
1 MΩ ±0.5%
1608
KOA
TDK: TDK 株式会社
FDK: FDK 株式会社
KOA: KOA 株式会社
28
DS04–27254–3Z
MB39C015
■ 使用注意事项
1. 设定条件不可超出最大额定值。
使用时如果超出最大额定值，可对 LSI 造成永久性损坏。
另外，平时使用时，也希望在推荐工作条件下使用。超出推荐工作条件的使用对 LSI 的可靠性带来不良影响。
2. 在推荐工作条件下使用。
推荐工作条件可确保 LSI 正常工作。
在推荐工作条件范围内以及各项目栏的条件下，电气特性的规格值都可得到保证。
3. 关于基板的接地，按照通用阻抗设计。
4. 采取防静电措施。
• 使用已采取防静电措施的容器或具有导电性的容器存放半导体。
• 保管、搬运贴片后的电路板时，使用导电性包装或容器。
• 将工作台、工具和测量仪器接地。
• 在操作人员的身体和接地之间，串联 250 kΩ ~ 1 MΩ 电阻后接地。
5. 不可施加负电压。
施加 -0.3 V 以下的负电压时，可能会使 LSI 的寄生晶体管启动并导致误动作。
■ 订购型号
型号
MB39C015WQN
封装
备注
24 脚塑封 QFN
(LCC-24P-M10)
散热 PAD
■ 符合 RoHS 指令要求的品质管理 ( 无铅品 )
富士通半导体符合 RoHS 指令要求的 LSI 产品，其铅、镉、水银、六价铬及特定溴系难燃剂 (PBB 和 PBDE) 的含量都符合
RoHS 指令要求。产品编号的末尾缀以 "E1" 表示。
DS04–27254–3Z
29
MB39C015
■ 产品印章 ( 无铅品 )
39C015
XE1
无铅标识 (E1)
XXXXXX
INDEX
■ 产品标签 ( 无铅品的示例 )
无铅标识
JEITA 规格
MB123456P - 789 - GE1
(3N) 1MB123456P-789-GE1
1000
(3N)2 1561190005 107210
JEDEC 规格
G
Pb
QC PASS
PCS
1,000
MB123456P - 789 - GE1
2006/03/01
ASSEMBLED IN JAPAN
MB123456P - 789 - GE1
1/1
0605 - Z01A
1000
1561190005
无铅品在型号的末尾加 "E1"。
30
在中国组装的产品标签上印有
"ASSEMBLED IN CHINA"。
DS04–27254–3Z
MB39C015
■ 评估板规格
MB39C015 评估板为测试 MB39C015 的效率性能和其他各种性能提供良好的工作环境。
• 引脚信息
符号
功能描述
VIN
电源引脚
标准状态下， 3.1 V ~ 5.5 V*
*[ 标准输出电压 (VOUT1 = 2.5 V)、VIN < 3.1 V 工作 ] 等输入与输出的压差不超过 0.6 V 的情况
下，建议将输出电容 (C1, C2) 换为 10 μF。
VOUT1
VOUT2
输出引脚
(VOUT1: CH1、 VOUT2: CH2)
CTL1, CTL2, CTLP 引脚设定用的电源引脚
连接 CTL1, CTL2,CTLP 使用。
VCTL
CTL 的直接供给引脚 (CTL1: CH1、 CTL2: CH2)
CTL1, CTL2 = 0 V ~ 0.8 V ( 典型值 ) : 关闭
CTL1, CTL2 = 0.95 V ( 典型值 ) ~ VIN ( 最大值 : 5 V) : 正常工作
CTL1, CTL2
MODE1, MODE2
TEST 引脚
MODE1, MODE2 = OPEN 或 GND
基准电压输出引脚
VREF = 1.3 V ( 典型值 )
VREF
VREFIN1, VREFIN2
外接基准电压输入引脚 (VREFIN1: CH1、 VREFIN2: CH2)
从外部供给基准电压时，连接该引脚。
VDET
电压检测用输入引脚
CTLP
电压检测电路部分的控制引脚
CTLP = L : 电压检测电路停止工作
CTLP = H : 正常工作
XPOR
电压检测电路的输出引脚
连接至 N-ch MOS 漏极电路。
用于 XPOR 引脚上拉电压的引脚
VXPOR
PGND
接地引脚
须将电源 GND 连接到 VIN 引脚旁边的 PGND 引脚。
将输出 ( 负载 ) GND 连接至 VOUT1 和 VOUT2 引脚之间的 PGND 引脚。
AGND
接地引脚
• 启动引脚处理信息
引脚名
条件
功能描述
CTL1
L:OPEN
H: 连接至 VCTL
CH1 的 ON/OFF 开关
L: 关闭
H: 正常工作
CTL2
L:OPEN
H: 连接至 VCTL
CH2 的 ON/OFF 开关
L: 关闭
H: 正常工作
CTLP
L:OPEN
H: 连接至 VCTL
电压检测电路部分的 ON/OFF 开关
L: 电压检测电路部分停止工作
H: 正常工作
DS04–27254–3Z
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MB39C015
• JUMPER 信息
功能描述
JP
JP1
电路板布线短路 ( 通常短路使用 )
JP2
电路板布线短路 ( 通常短路使用 )
JP3
通常短路 (0 Ω) 使用
JP6
通常短路 (0 Ω) 使用
• 基本设定的确认方法
(1) 基本设定
1. 将 CTL1 引脚和 CTL2 引脚连接至 VCTL 引脚。
2. 将 CTLP 引脚连接至 AGND 焊盘等，使之处于 "L" 状态。
3. 将电源的输出端连接至 VIN 引脚及 PGND 引脚。
此时，需将 PGND 连接至 VIN 引脚边上的 PGND 引脚 ( 电源电压设定例 : 3.7V)。
(2) 确认方法
接通 VIN 的电源，若 VOUT1 引脚输出 2.5 V ( 典型值 ) 、VOUT2 引脚输出 1.8 V ( 典型值 ) ，则说明 IC 在正常工作。
32
DS04–27254–3Z
MB39C015
• 评估电路板元件配置图 ( 俯视图 )
C2
VOUT2
C1
PGND
VOUT1
MODE2
PGND
L2
L1
C4
C3
VREFIN2
VIN
R3
VXPOR
CTLP
CTL1
R4 - 1
JP6
R1 - 1 R1 - 2
C6
R2
C5
CTL2
SW1
MODE1
XPOR
MODE2
C7
R5
R9
R4 - 2
M1
AGND
R1 - 3
Short
R7
R6 - 2
R6 - 1
MODE1
JP3
VREF
VCTL
VREFIN1
Open
MB39C015EVB-06
Rev.1.0
CTL2
R8
CTL1
CTLP
R10
VDET
正面 ( 元件面 )
1PJ
2PJ
反面 ( 焊接面 )
DS04–27254–3Z
33
MB39C015
• 评估电路板布线 ( 俯视图 )
34
Top Side (Layer1)
Inside GND (Layer2)
Inside VIN & GND (Layer3)
Bottom Side (Layer4)
DS04–27254–3Z
MB39C015
• 连接图
IIN
VIN
VIN
PGND
JP3
DVDD1 11
SW1∗
VCTL
3
R8
C3
12
CTL1
DGND1 14
CTL1
15
SW1∗
9
MODE1
DVDD2 19
C4
20
DGND2 16
MODE1
17
VREF
R6-1 R6-2
AVDD
8
VREFIN1
C6
JP6
5
C5
VREFIN1
R7
AGND
4
AGND
MB39C015
SW1∗
2 CTL2
R9
IOUT
L1
CTL2
LX1 13
SW1∗
VOUT1
C1
22 MODE2
JP1
OUT1 10
MODE2
PGND
VREF
IOUT
R4-1 R4-2
L2
23 VREFIN2
VREFIN2
C7
LX2 18
VOUT2
R5
C2
JP2
VREF
OUT2 21
VREF
6 VREF
VIN
R1-3
VXPOR
VDET
7 VDET
R1-1
R1-2
R3
R2
SW1∗
XPOR
24
XPOR
1 CTL P
R10
CTLP
* 无贴装
DS04–27254–3Z
35
MB39C015
• 元件表
元件号
品名
型号
规格
封装
生产厂商
备注
M1
IC
MB39C015WQN
⎯
QFN24
FSL
L1
电感
VLF4012AT-2R2M
2.2 μH,
RDC = 76 mΩ
SMD
TDK
L2
电感
VLF4012AT-2R2M
2.2 μH,
RDC = 76 mΩ
SMD
TDK
C1
陶瓷电容
C2012JB1A475K
4.7 μF (10 V)
2012
TDK
C2
陶瓷电容
C2012JB1A475K
4.7 μF (10 V)
2012
TDK
C3
陶瓷电容
C2012JB1A475K
4.7 μF (10 V)
2012
TDK
C4
陶瓷电容
C2012JB1A475K
4.7 μF (10 V)
2012
TDK
C5
陶瓷电容
C1608JB1H104K
0.1 μF (50 V)
1608
TDK
C6
陶瓷电容
C1608JB1H104K
0.1 μF (50 V)
1608
TDK
C7
陶瓷电容
C1608JB1H104K
0.1 μF (50 V)
1608
TDK
R1-1
JUMPER
RK73Z1J
50 mΩ Max, 1 A
1608
KOA
R1-2
电阻
RR0816P-304-D
300 kΩ ±0.5%
1608
SSM
R1-3
JUMPER
RK73Z1J
50 mΩ Max, 1 A
1608
KOA
R2
电阻
RR0816P-753-D
75 kΩ ±0.5%
1608
SSM
R3
电阻
RK73G1JTTD D 1 MΩ
1 MΩ ±0.5%
1608
KOA
R4-1
电阻
RR0816P-223-D
22 kΩ ±0.5%
1608
SSM
R4-2
电阻
RR0816P-334-D
330 kΩ ±0.5%
1608
SSM
R5
电阻
RR0816P-304-D
300 kΩ ±0.5%
1608
SSM
R6-1
电阻
RR0816P-203-D
20 kΩ ±0.5%
1608
SSM
R6-2
电阻
RR0816P-154-D
150 kΩ ±0.5%
1608
SSM
R7
电阻
RR0816P-304-D
300 kΩ ±0.5%
1608
SSM
R8
电阻
RK73G1JTTD D 1 MΩ
1 MΩ ±0.5%
1608
KOA
R9
电阻
RK73G1JTTD D 1 MΩ
1 MΩ ±0.5%
1608
KOA
R10
电阻
RK73G1JTTD D 1 MΩ
1 MΩ ±0.5%
1608
KOA
SW1
开关
⎯
⎯
⎯
⎯
无贴装
JP1
JUMPER
⎯
⎯
⎯
⎯
短路用
JP2
JUMPER
⎯
⎯
⎯
⎯
短路用
JP3
JUMPER
RK73Z1J
50 mΩ Max, 1 A
1608
KOA
JP6
JUMPER
RK73Z1J
50 mΩ Max, 1 A
1608
KOA
( 注意事项 ) 上记为推荐元件，均通过本公司的工作状况确认。
FSL : 富士通半导体株式会社
TDK : TDK 株式会社
KOA : KOA 株式会社
SSM: 进工业株式会社
36
DS04–27254–3Z
MB39C015
■ 评估板订购型号
评估板型号
评估板版本
备注
MB39C015EVB-06
MB39C015EVB-06 Rev1.0
QFN24
DS04–27254–3Z
37
MB39C015
■ 封装尺寸图
24-pin plastic QFN
Lead pitch
0.50 mm
Package width ×
package length
4.00 mm × 4.00 mm
Sealing method
Plastic mold
Mounting height
0.80 mm Max
Weight
0.04 g
(LCC-24P-M10)
24-pin plastic QFN
(LCC-24P-M10)
2.60±0.10
(.102±.004)
4.00±0.10
(.157±.004)
4.00±0.10
(.157±.004)
INDEX AREA
2.60±0.10
(.102±.004)
0.25±0.05
(.010±.002)
0.40±0.05
(.016±.002)
0.50(.020)
TYP
0.02
(.001
C
+0.03
–0.02
+.001
–.001
1PIN CORNER
(C0.35(C.014))
0.75±0.05
(.030±.002)
(0.20(.008))
)
2009-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED C24060S-c-1-2
Dimensions in mm (inches).
Note: The values in parentheses are reference values.
请访问以下网页以了解最新封装信息 :
http://edevice.fujitsu.com/package/en-search/
38
DS04–27254–3Z
MB39C015
■ 目录
页码
• 概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
• 特征 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
• 应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
• 引脚配置图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
• 引脚功能描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
• 输出入引脚的等效电路图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
• 框图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
• 各部分的功能 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
• 绝对最大额定 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
• 推荐工作条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
• 电气特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
• 典型工作特性测试电路图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
• 应用手册 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
• 典型工作特性示例 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
• 应用电路示例 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
• 使用注意事项 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
• 订购型号 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
• 符合 RoHS 指令要求的品质管理 ( 无铅品 ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
• 产品印章 ( 无铅品 ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
• 产品标签 ( 无铅品时的示例 ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
• 评估板规格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
• 评估板订购型号 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
• 封装尺寸图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
DS04–27254–3Z
39
MB39C015
FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
Nomura Fudosan Shin-yokohama Bldg. 10-23, Shin-yokohama 2-Chome,
Kohoku-ku Yokohama Kanagawa 222-0033, Japan
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Asia Pacific
FUJITSU SEMICONDUCTOR ASIA PTE. LTD.
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#05-08 New Tech Park 556741 Singapore
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Europe
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http://emea.fujitsu.com/semiconductor/
FUJITSU SEMICONDUCTOR SHANGHAI CO., LTD.
30F, Kerry Parkside, 1155 Fang Dian Road,
Pudong District, Shanghai 201204, China
Tel : +86-21-6146-3688 Fax : +86-21-6146-3660
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Korea
FUJITSU SEMICONDUCTOR KOREA LTD.
902 Kosmo Tower Building, 1002 Daechi-Dong,
Gangnam-Gu, Seoul 135-280, Republic of Korea
Tel: +82-2-3484-7100 Fax: +82-2-3484-7111
http://kr.fujitsu.com/fsk/
FUJITSU SEMICONDUCTOR PACIFIC ASIA LTD.
2/F, Green 18 Building, Hong Kong Science Park,
Shatin, N.T., Hong Kong
Tel : +852-2736-3232 Fax : +852-2314-4207
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