MB39C316 - Spansion

Spansion® 模拟和微控制器产品
本文档包含有关 Spansion 模拟和微控制器产品的信息。尽管本文档内有原来开发该产品规格的公司名称
“富士通”或 “Fujitsu”， 该产品将由 Spansion 提供给现有客户和新客户。
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型号的延续
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处。
FUJITSU MICROELECTRONICS
数据手册
DS04–27266–2Z
ASSP ( 移动终端用 )
移动终端用系统电源 IC
3 通道 DC/DC 转换器 + 4 通道 LDO
MB39C316
■ 概要
MB39C316 内置 3 通道 DC/DC 转换器和 4 通道线性稳压器 (LDO)，其中 1 通道高效率升降压 DC/DC 转换器使其能在 1Cell 锂离子电池的电源电压范围内进行工作，是一款适用于移动终端的电源 LSI。
该芯片内置双通道电流模式同步整流降压 DC/DC 转换器和单通道升降压 DC/DC 转换器。各 DC/DC 转换器根据负载电流
自动执行 Normal 模式 (PWM) ↔ ECO 模式 (PFM) 的转换。
该芯片内置适合向系统模块供电的 4 通道 LDO 和生成稳定的内部基准电压的单通道 LDO。
另外，支持符合 I2C 总线基准的通信接口，因此可控制内部状态通知、电源和复位等。
■ 功能概要
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
输入电压范围
: 2.7 V ~ 5.5 V
降压 DC/DC 转换器
: 2 ch.
升降压 DC/DC 转换器 : 1 ch.
线性稳压器 (LDO)
: 4 ch.
支持选择输出电压
: LDO3 1.2 V/1.3 V ( 寄存器设定 )
通过外部信号、寄存器设定实施 LDO 和 DC/DC 转换器的 On/Off 控制
I2C 总线基准 (Max 400 kbps)
通过连接晶体振荡器可输出 32.768 kHz 时钟
保护功能
: 过电流保护 (OCP)、输出短路保护 (SCP)、欠压锁定 (UVLO)、过热保护 (OTP)
封装
: WL-CSP, 49-pin (3.14 mm × 3.11 mm × 0.8 mm)
■ 应用
• 移动 WiMAX 终端
• 其他移动终端 等
Copyright©2008-2009 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved
2009.7
MB39C316
■ 引脚配置图
(ᑩ㾚೒)
G
F
E
D
C
B
A
7
7
NC3
VDD31
SWOUT31
DGND31
SWIN31
DDOUT31
NC2
6
6
FB3
VDD32
SWOUT32
DGND32
SWIN32
DDOUT32
OSCIN
5
5
AGND
VCC_D
LDOCNT1
LDOCNT2
VIN_RTC
GND1
OSCOUT
4
4
SWOUT1
VDD1
FB1
SCL
V24IO
VFIL2
VFIL1
3
3
DGND1
DGND2
FB2
SDA
ONOFF
VCC1
LDOOUT2
2
2
SWOUT2
VDD2
XRST2
GND2
VCC4
VCC2
VCC3
1
2
1
NC4
RTC_CLK
XRST1
LDOOUT4
G
F
E
D
LDOOUT1
C
LDOOUT3
B
NC1
A
DS04–27266–2Z
MB39C316
■ 引脚功能说明
分类
引脚号
引脚名称
I/O
B3
VCC1
I
电源输入， LDO2 和 LDO3 控制部分电源输入引脚
B2
VCC2
I
LDO2 电力转换部分电源输入引脚
A2
VCC3
I
LDO3 电力转换部分电源输入引脚
C2
VCC4
I
LDO1 和 LDO4 控制 / 电力转换部分电源输入引脚
F5
VCC_D
I
DC/DC 转换器控制部分电源输入引脚
F4
VDD1
I
DC/DC1 转换器电力转换部分电源输入引脚
F2
VDD2
I
DC/DC2 转换器电力转换部分电源输入引脚
F7
VDD31
I
DC/DC3 转换器电力转换部分电源输入引脚 1
F6
VDD32
I
DC/DC3 转换器电力转换部分电源输入引脚 2
C5
VIN_RTC
I
RTC 部分电源输入引脚
E5
LDOCNT1
I
LDO 启 / 停控制输入引脚 1
D5
LDOCNT2
I
LDO 启 / 停控制输入引脚 2
D1
LDOOUT4
O
LDO4 输出引脚 (+ 2.9 V)
B1
LDOOUT3
O
LDO3 输出引脚 (+ 1.2 V/1.3 V)
C1
LDOOUT1
O
LDO1 输出引脚 (+ 2.9 V)
A3
LDOOUT2
O
LDO2 输出引脚 (+ 1.2 V)
G4
SWOUT1
O
DC/DC1 转换器电感连接用输出引脚
E4
FB1
I
DC/DC1 转换器输出电压反馈输入引脚 (1.2 V)
G2
SWOUT2
O
DC/DC2 转换器电感连接用输出引脚
E3
FB2
I
DC/DC2 转换器输出电压反馈输入引脚 (1.8 V)
E7
SWOUT31
⎯
DC/DC3 转换器电感连接用引脚 1
E6
SWOUT32
⎯
DC/DC3 转换器电感连接用引脚 2
C7
SWIN31
⎯
DC/DC3 转换器电感连接用引脚 1
C6
SWIN32
⎯
DC/DC3 转换器电感连接用引脚 2
B7
DDOUT31
O
DC/DC3 转换器输出引脚 1
B6
DDOUT32
O
DC/DC3 转换器输出引脚 2
G6
FB3
I
DC/DC3 转换器输出电压反馈输入引脚 (3.3 V)
D4
SCL
I
I2C 接口时钟输入引脚
D3
SDA
I/O
I2C 接口数据 I/O 引脚
A6
OSCIN
I
晶体振荡器连接用输入引脚
A5
OSCOUT
O
晶体振荡器连接用输出引脚
F1
RTC_CLK
O
32.768 kHz 时钟输出引脚
C3
ONOFF
I
启 / 停控制信号输入引脚
E1
XRST1
O
复位输出引脚 1
E2
XRST2
O
复位输出引脚 2
C4
V24IO
O
2.4 V I/O 用电源输出引脚
A4
VFIL1
O
基准电压输出引脚 1 (0.47 µF 连接 )
B4
VFIL2
O
基准电压输出引脚 2 (0.47 µF 连接 )
电源输入
稳压输出
I2C 接口
RTC
启动 / 停止
基准电压
功能描述
( 转下页 )
DS04–27266–2Z
3
MB39C316
( 承上页 )
分类
测试
GND
4
引脚号
引脚名称
I/O
功能描述
A1
NC1
⎯
测试用引脚 ( 需设为 Non Connect。禁止连接到其他引脚。 )
A7
NC2
⎯
测试用引脚 ( 需设为 Non Connect。禁止连接到其他引脚。 )
G7
NC3
⎯
测试用引脚 ( 需设为 Non Connect。禁止连接到其他引脚。 )
G1
NC4
⎯
测试用引脚 ( 需设为 Non Connect。禁止连接到其他引脚。 )
B5
GND1
⎯
接地引脚 (COMMON, RTC)
D2
GND2
⎯
接地引脚 (LDO, INPUT_IF, OUTPUT_IF)
G5
AGND
⎯
接地引脚 (DC/DC 转换器控制部分 )
G3
DGND1
⎯
DC/DC1 转换器接地引脚
F3
DGND2
⎯
DC/DC2 转换器接地引脚
D7
DGND31
⎯
DC/DC3 转换器接地引脚 1
D6
DGND32
⎯
DC/DC3 转换器接地引脚 2
DS04–27266–2Z
MB39C316
■ 框图
MB39C316
VCC1
SCL
I2C᥹ষ
SDA
ONOFF
XRST1
VIN_RTC
OSCIN
OSCOUT
RTC_CLK
ਃ/‫ࠊ᥻ذ‬
RTC
XRST2
〇य़⬉⑤
LDOCNT1
VCC_D
LDOCNT2
DC/DC1䕀ᤶ఼
VDD1
VCC4
䰡य़
1.200 V 800 mA
SWOUT1
LDOOUT1
LDO1
2.875 V 200 mA
FB1
DGND1
VDD2
DC/DC2䕀ᤶ఼
SWOUT2
LDOOUT4
VCC2
LDOOUT2
LDO4
2.925 V 6.5 mA
LDO2
1.225 V 260 mA
䰡य़
1.825 V 600 mA
FB2
DGND2
VDD31
VDD32
SWOUT31
SWOUT32
SWIN31
SWIN32
DDOUT31
DDOUT32
FB3
DGND31
DGND32
DC/DC3䕀ᤶ఼
छ䰡य़
3.300 V 650 mA
VCC3
LDOOUT3
LDO3
1.200 V, 1.300 V 84 mA
ֱᡸ⬉䏃
(UVLO, OTP, SCP, OCP)
෎‫⬉ޚ‬य़䕧ߎ
V24IO
VFIL1
VFIL2
LDO5
NC1
NC2
NC3
⌟䆩⬉䏃
NC4
GND1
DS04–27266–2Z
GND2
AGND
5
MB39C316
■ 绝对最大额定值
项目
电源电压
输入电压
保存温度范围
ESD 耐量
Latch-up 耐量
符号
额定值
条件
最小
最大
单位
Vmax1
VCC1, VCC_D, VDD1, VDD2, VDD31,
VDD32
- 0.3
+ 6.0
V
Vmax2
VCC2, VCC3
- 0.3
+ 6.0
V
Vmax3
VCC4
- 0.3
+ 6.0
V
Vmax4
VIN_RTC
- 0.3
+ 3.6
V
Vinmax1
LDOCNT1, LDOCNT2, SCL, SDA
- 0.3
Vvcc3 + 0.3
V
Vinmax2
ONOFF, FB1, FB2, FB3
- 0.3
Vvcc1 + 0.3
V
Vinmax3
OSCIN
- 0.3
Vrtc
V
- 55
+ 125
℃
⎯
Tstg
Vesdh
Human Body Model
(100 pF, 1.5 kΩ)
- 1000
+ 1000
V
Vesdm
Machine Model(200 pF, 0 Ω)
- 100
+ 100
V
EIA/JEDEC Standard
- 150
+ 150
mA
Vlatchup
< 注意事项 > 施加超出绝对最大额定值的负荷 ( 电压、电流、温度等 ) 可能会损坏半导体器件。因此，需注意每个项目切勿超
出额定值。
■ 推荐工作条件
项目
电源电压
符号
工作温度范围
规格值
最小
典型
最大
单位
Vvcc1
VCC1, VCC_D, VDD1, VDD2,
VDD31, VDD32
2.7
3.3
5.5
V
Vvcc2
VCC2, VCC3
1.75
⎯
1.90
V
Vvcc3
VCC4
3.2
⎯
5.5
V
2.325
⎯
2.475
V
Vrtc
输入电压
条件
VIN_RTC
VIvcc1
ONOFF
0.0
⎯
Vvcc1
V
VIvcc3
LDOCNT1, LDOCNT2, SCL, SDA
0.0
⎯
Vvcc3
V
VIdd1
FB1
0.0
⎯
Voutdd1
V
VIdd2
FB2
0.0
⎯
Voutdd2
V
VIdd3
FB3
0.0
⎯
Voutdd3
V
VIrtc
OSCIN
0.0
⎯
Vrtc
V
- 30
⎯
+ 85
℃
Ta
⎯
< 注意事项 > 推荐工作条件是保证半导体器件正常工作的条件。在该条件范围内可保证电气特性的规格值。务必在推荐工
作条件下使用该器件。超出推荐条件的使用对器件的可靠性产生不良影响。
对于数据手册未记载项目、使用条件和逻辑组合的使用，不做任何保证。如需在未记载条件下使用，务必事先
与本公司的销售部门联系。
6
DS04–27266–2Z
MB39C316
■ 电气特性
1. 直流特性
(Ta = - 30 ℃ ~ + 85 ℃ , Vvcc1 = 2.7 V ~ 5.5 V, Vvcc3 = 3.2 V ~ 5.5 V,
Vvcc2 = 1.75 V ~ 1.90 V, Vrtc = 2.325 V ~ 2.475 V)
项目
符号
Iout = 0 ~ Iomax
典型
最大
2.800
2.875
3.000
V
200
⎯
⎯
mA
Voutld1
最大输出电流
Ioutld1
输入稳定性
Vlineld1
Iout = - 10 mA
⎯
5
⎯
mV
负载稳定性
Vloadld1
Iout = 0 ~ Iomax
⎯
20
⎯
mV
Vinput = 0.2 Vpp,
Vvcc1 = 3.3 V,
RR10kld1 Iout = Iomax/2
f = 1 kHz
⎯
60
⎯
dB
纹波抑制比
f = 10 kHz
⎯
40
⎯
dB
输出噪声电压
Vnoiseld1
f = 10 Hz ~ 100 kHz,
Iout = 10 mA ~ Iomax
⎯
30
45
µVrms
⎯
上升时间
Trld1
Vvcc1 = 3.3 V, Iout = 0 mA,
Vout = 90%
⎯
200
⎯
µs
下降时间
Tfld1
Vvcc1 = 3.3 V, Iout = 0 mA,
Vout = 10%
⎯
70
⎯
µs
输出电压
Voutld2
1.150
1.225
1.300
V
最大输出电流
Ioutld2
260
⎯
⎯
mA
输入稳定性
Vlineld2
Iout = - 10mA
⎯
5
⎯
mV
负载稳定性
Vloadld2
Iout = 0 ~ Iomax
⎯
25
⎯
mV
Vinput = 0.2 Vpp,
Vvcc1, Iout = 1 mA ~
RR10kld2 Iomax
f = 1 kHz
⎯
60
⎯
dB
纹波抑制比
f = 10 kHz
⎯
40
⎯
dB
输出噪声电压
Vnoiseld2
f = 10 Hz ~ 100 kHz,
Iout = 10 mA ~ Iomax
⎯
30
45
µVrms
Iout = 0 ~ Iomax
⎯
RR1kld2
LDO2
单位
最小
输出电压
RR1kld1
LDO1
规格值
条件
上升时间
Trld2
Vvcc1, Iout = 0 mA,
Vout = 90%
⎯
70
⎯
µs
下降时间
Tfld2
Vvcc1, Iout = 0 mA,
Vout = 10%
⎯
150
⎯
µs
Iout = 0 ~ Iomax, VSEL_SYN = “0”
( 寄存器 02H[0])
1.100
1.200
1.300
V
Iout = 0 ~ Iomax, VSEL_SYN = “1”
( 寄存器 02H[0])
1.200
1.300
1.400
V
⎯
84
⎯
⎯
mA
输出电压
Voutld3
最大输出电流
Ioutld3
输入稳定性
Vlineld3
Iout = - 10 mA
⎯
5
⎯
mV
负载稳定性
Vloadld3
Iout = 0 ~ Iomax
⎯
20
⎯
mV
Vinput = 0.2 Vpp,
Vvcc1,
RR10kld3 Iout = 1mA ~ Iomax
f = 1 kHz
⎯
60
⎯
dB
纹波抑制比
f = 10 kHz
⎯
40
⎯
dB
输出噪声电压
Vnoiseld3
f = 10 Hz ~ 100 kHz,
Iout = 10 mA ~ Iomax
⎯
30
40
µVrms
RR1kld3
LDO3
上升时间
Trld3
Vvcc1, Iout = 0 mA,
Vout = 90%
⎯
60
⎯
µs
下降时间
Tfld3
Vvcc1, Iout = 0 mA,
Vout = 10%
⎯
150
⎯
µs
( 转下页 )
DS04–27266–2Z
7
MB39C316
项目
符号
DC/DC1
转换器
DC/DC2
转换器
DC/DC3
转换器
Iout = 0 ~ Iomax
规格值
单位
最小
典型
最大
2.850
2.925
3.000
V
6.5
⎯
⎯
mA
输出电压
Voutld4
最大输出电流
Ioutld4
输入稳定性
Vlineld4
Iout = - 6.5 mA
⎯
5
⎯
mV
负载稳定性
Vloadld4
Iout = 0 ~ Iomax
⎯
5
⎯
mV
Vinput = 0.2 Vpp,
f = 1 kHz
Vvcc1 = Vvcc3 = 3.3 V,
RR10kld4 Iout = 1 mA ~ Iomax
f = 10 kHz
⎯
60
⎯
dB
纹波抑制比
⎯
40
⎯
dB
输出噪声电压
Vnoiseld4
f = 10 Hz ~ 100 kHz,
Iout = 1 mA ~ Iomax
⎯
30
40
µVrms
RR1kld4
LDO4
条件
⎯
上升时间
Trld4
Vvcc1 = Vvcc3 = 3.3 V,
Iout = 0 mA, Vout = 90%
⎯
130
⎯
µs
下降时间
Tfld4
Vvcc1 = Vvcc3 = 3.3 V,
Iout = 0 mA, Vout = 10%
⎯
70
⎯
µs
输出电压
Voutdd1
1.100
1.200
1.300
V
最大输出电流
Ioutdd1
800
⎯
⎯
mA
输出纹波电压
Vrpldd11
Iout = 0 ~ Iomax
⎯
15
⎯
mV
输入稳定性
Vlinedd1
Vvcc1 = 2.7 V ~ 5.5 V
⎯
10
⎯
mV
负载稳定性
Vloaddd1
Iout = - 1 mA ~ Iomax
⎯
⎯
20
mV
Iout = 0 ~ Iomax
⎯
开关频率
Fdd1
PWM 模式
⎯
1.7
⎯
MHz
效率
ηdd1
Vvcc1 = 3.3 V, Iout = - 200 mA
75
85
⎯
%
上升时间
Trdd1
Vvcc1 = 3.3 V, Iout = 0 mA
⎯
50
⎯
µs
下降时间
Tfdd1
Vvcc1 = 3.3 V, Iout = 0 mA
⎯
200
⎯
µs
输出电压
Voutdd2
1.750
1.825
1.900
V
最大输出电流
Ioutdd2
600
⎯
⎯
mA
输出纹波电压
Vrpldd21
Iout = 0 ~ Iomax
⎯
15
⎯
mV
输入稳定性
Vlinedd2
Vvcc1 = 2.7 V ~ 5.5 V
⎯
10
⎯
mV
负载稳定性
Vloaddd2
Iout = - 1 mA ~ Iomax
⎯
⎯
20
mV
Iout = 0 ~ Iomax
⎯
开关频率
Fdd2
PWM 模式
⎯
1.7
⎯
MHz
效率
ηdd2
Vvcc1 = 3.3 V, Iout = - 200 mA
80
90
⎯
%
上升时间
Trdd2
Vvcc1 = 3.3 V, Iout = 0 mA
⎯
50
⎯
µs
下降时间
Tfdd2
Vvcc1 = 3.3 V, Iout = 0 mA
⎯
200
⎯
µs
输出电压
Voutdd3
3.200
3.300
3.400
V
最大输出电流
Ioutdd3
650
⎯
⎯
mA
输出纹波电压
Vrpldd31
Iout = 0 ~ Iomax
⎯
60
⎯
mV
输入稳定性
Vlinedd3
Vvcc1 = 2.7 V ~ 5.5 V
⎯
10
⎯
mV
负载稳定性
Vloaddd3
Iout = - 1 mA ~ Iomax
⎯
⎯
30
mV
Iout = 0 ~ Iomax
⎯
开关频率
Fdd3
PWM 模式
⎯
1.7
⎯
MHz
效率
ηdd3
Vvcc1 = 3.3 V, Iout = - 200 mA
80
90
⎯
%
上升时间
Trdd3
Vvcc1 = 3.3 V, Iout = 0 mA
⎯
100
⎯
µs
下降时间
Tfdd3
Vvcc1 = 3.3 V, Iout = 0 mA
⎯
120
⎯
µs
( 转下页 )
8
DS04–27266–2Z
MB39C316
( 承上页 )
项目
符号
条件
单位
最小
典型
最大
0.0
⎯
0.3 ×
Vvcc1
V
Vih1
0.7 ×
Vvcc1
⎯
Vvcc1
V
Vil2
0.0
⎯
0.3 ×
Vvcc3
V
0.7 ×
Vvcc3
⎯
Vvcc3
V
0.0
⎯
0.15 ×
Vvcc3
V
0.85 ×
Vvcc3
⎯
Vvcc3
V
Vil1
ONOFF
输入电压
LDOCNT1, LDOCNT2
Vih2
启 / 停控制
部分
规格值
Vol1
XRST1, XRST2, Iout = 1 mA
Voh1
XRST1, XRST2, Iout = - 1 mA
输出电压
VCC1 电源
检测电压
Vdetvon
VCC1 上升 = 0.1 V/10 µs
2.55
2.6
2.65
V
VCC1 电源切
断检测电压
Vdetvoff
VCC1 下降 = 0.3 V/10 µs
2.3
2.4
2.5
V
Vol32k
RTC_CLK, Iout = 0.5 mA
0.0
⎯
0.15 ×
Vrtc
V
Voh32k
RTC_CLK, Iout = - 0.5 mA
0.85 ×
Vrtc
⎯
Vrtc
V
输出电压
RTC 部分
内部振荡
电容 1
Cg
OSCIN
⎯
10
⎯
pF
内部振荡
电容 2
Cd
OSCOUT
⎯
10
⎯
pF
0.0
⎯
0.3 ×
Vvcc3
V
0.7 ×
Vvcc3
⎯
Vvcc3
V
0.0
⎯
0.4
V
Vil14
输入电压
I2C 接口
SCL, SDA( 输入时 )
Vih14
输出电压
Vol18
SDA( 输出时 )
Iout = 3 mA
Vovfil1
VFIL1
1.175
1.225
1.275
V
Vovfil2
VFIL2
0.575
0.60
0.625
V
Iout = 0 ~ Iomax
2.325
2.40
2.475
V
VFIL1, VFIL2
输出电压
LDO5
输出电压
Voutld5
UVLO
解除电压
Vuvlod
⎯
2.1
2.2
2.3
V
UVLO
检测电压
Vuvlor
⎯
2.0
2.1
2.2
V
检测温度
Totpd
⎯
+ 135
+ 150
+ 165
℃
解除温度
Totpr
⎯
+ 105
+ 120
+ 135
℃
75
100
125
ms
UVLO
过热保护
(OTP)
输出短路保护
(SCP)
检测保护时间
DS04–27266–2Z
Tshort
输出为 0.6 V ± 0.2 V
9
MB39C316
2. 交流特性
(Ta = - 30 ℃ ~ + 85 ℃ , Vvcc1 = 2.7 V ~ 5.5 V, Vvcc3 = 3.2 V ~ 5.5 V,
Vvcc2 = 1.75 V ~ 1.90 V, Vrtc =2.35 V ~ 2.475 V)
RTC 部分
项目
符号
时钟频率
Fck
时钟占空比
单位
最小
典型
最大
RTC_CLK
外接晶振为 FC-12M (Epson
Toyocom Corporation) 时
⎯
32.768
⎯
kHz
Rck
RTC_CLK
外接晶振为 FC-12M (Epson
Toyocom Corporation) 时
25
50
75
%
发振余裕度
Rfm
Rmax = 90 kΩ
10 ×
Rmax
⎯
⎯
kΩ
时钟频率
Fscl
SCL
⎯
⎯
400
kHz
SCL, SDA
0.6
⎯
⎯
µs
start 状态保持时间
I2C 接口
规格值
条件
Thold1
SCL 时钟 L 时间
Tscll
SCL
1.3
⎯
⎯
µs
SCL 时钟 H 时间
Tsclh
SCL
0.6
⎯
⎯
µs
start 状态建立时间
Tsetup1
SCL, SDA
0.6
⎯
⎯
µs
data 保持时间
Thold2
SCL, SDA
0
⎯
0.9
µs
data 建立时间
Tsetup2
SCL, SDA
0.1
⎯
⎯
µs
stop 状态建立时间
Tsetup3
SCL, SDA
0.6
⎯
⎯
µs
stop 状态 -start 状态间 Tbusopen SDA
的总线悬空时间
1.3
⎯
⎯
µs
上升时间
TrI2C
SCL, SDA
⎯
⎯
300
ns
下降时间
TfI2C
SCL, SDA
⎯
⎯
300
ns
• I C 接口
2
Tsetup 1
70%
Tsclh
Tscll
1/Fscl
70%
70%
70%
30% 30%
SCL
TfI2C
TrI2C
start
condition
SDA
70%
70%
70%
70%
30%
30%
stop
condition
30%
30%
TrI2C
TfI2C
Tbusopen
Tsetup 2
Thold 1
Tsetup 3
Thold2
3. 消耗电流
项目
条件
规格值
典型
最大
单位
待机电流
ONOFF : L
150
250
µA
ON 电流
DC/DC1 转换器 , DC/DC2 转换器 : ON ( 无负载 )
LDO1, LDO2, LDO3, LDO4 : ON ( 无负载 )
650
850
µA
10
DS04–27266–2Z
MB39C316
■ 典型特性
以下特性是设计时的参考资料。
• 降压 DCDC (DCDC1, Vout = 1.200 V) 特性
ᬜ⥛ 䕧ߎ⬉⌕
DCDC1ᬜ⥛ (Ta = + 25ć)
VCC = 3.3 V
100%
95%
ᬜ⥛ [%]
90%
85%
80%
75%
70%
65%
60%
55%
50%
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
Iout [A]
䋳䕑さব⡍ᗻ
IOUT = 0 mA ė 800 mA
= 800 mA ė 0 mA
∆ : 164 mV
@: - 170 mV
T
∆ : 152 mV
@: - 14 mV
Iout
Iout
1
T
1
VOUT
T
VOUT
2
2
T
Ch1
500 mAΩ
Ch2
100 mV
BW
M 5.00 µs Ch1
670 mA
Ch1
500 mAΩ
Ch2
100 mV
BW
M 100 µs Ch1
500 mA
䕧ߎ㒍⊶⬉य़
VCC = 3.3 V, Iout = 200 mA
∆ : 3.0 mV
@: - 1.8 mV
T
1
Ch1
DS04–27266–2Z
5.00 mV
BW
M 1.00 µs Ch1
- 200 µV
11
MB39C316
䕧ߎ⬉य़ 䋳䕑⬉⌕⡍ᗻ
DCDC1䕧ߎ⬉य़ 䋳䕑⬉⌕
(Ta = + 25ć)
VCC = 3.3 V
1.400
1.200
Vout [V]
1.000
0.800
0.600
0.400
0.200
0.000
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
Iout [A]
12
DS04–27266–2Z
MB39C316
• 升降压 DCDC (DCDC3, Vout = 3.300 V) 特性
ᬜ⥛ 䕧ߎ⬉⌕
DCDC1ᬜ⥛ (Ta = + 25ć)
100%
90%
80%
ᬜ⥛ [%]
70%
60%
50%
40%
VCC=2.7 V
30%
VCC=3.3 V
20%
VCC=3.6 V
10%
VCC=4.9 V
0%
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
Iout [A]
䕧ߎ㒍⊶⬉य़
VCC = 2.7 V, Iout = 400 mA
VCC = 3.3 v, Iout = 400 mA
Tek Stop: 50.0 MS/s
358 Acqs
T
∆ : 17.8 mV
@: -9.4 mV
∆ : 16.2 mV
@: -9.2 mV
T
1
1
T
Ch1
10.0 mV
M 1.00 µs Ch1
BW
-600 µV
Ch1
10.0 mV
M 1.00 µs Ch1
BW
-1.8 mV
VCC = 4.9 V, Iout = 0 mA
VCC = 4.9 V, Iout = 400 mA
∆ : 37.0 mV
@: 21.8 mV
∆ : 7.8 mV
@: -3.2 mV
T
1
1
T
Ch1
10.0 mV
BW
DS04–27266–2Z
M 1.00 µs Ch1
600 µV
Ch1
10.0 mV
BW
M 1.00 ms Ch1
-1.2 mV
13
MB39C316
• LDO(LDO1) 特性
VCC Min
VCC Typ
VCC Max
LDO1 Load Regulation
( Ta = + 25ć)
3.500
3.000
Vout [V]
2.500
2.000
1.500
1.000
0.500
0.000
0.0E+00
1.0E-01
2.0E-01
3.0E-01
Iout [A]
4.0E-01
LDO1 Line Regulation
( Ta = + 25ć)
5.0E-01
Io = 0 mA
Io = Max
3.120
Vout [V]
3.020
2.920
2.820
2.720
2.620
3
3.5
4
4.5
5
VCC [V]
LDO1 PSRR
( Ta = + 25ć, VCC = 3.3 V)
1 kHz
10 kHz
0
PSRR [dB]
-20
-40
-60
-80
-100
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
Iout [A]
14
DS04–27266–2Z
MB39C316
■ 启 / 停控制功能
通过 VCC1 电源引脚、ONOFF/LDOCNT1/LDOCNT2 引脚的状态以及 REON 寄存器的设定控制各 LDO、DC/DC 转换器
和复位信号 (XRST1、XRST2) 的输出。另外，通过 HRST 寄存器的设定控制复位信号的输出。
1. 启 / 停条件
• 启动条件
以下条件全部成立时，LDO 和 DC/DC 转换器启动。
• VCC1 引脚输入电压不低于 2.6 V
• ONOFF 引脚输入为 “H”
• 停止条件
以下条件只要有一个成立，LDO 和 DC/DC 转换器停止运行。
• VCC1 引脚输入电压低于 2.4 V
• ONOFF 引脚输入为 “L”
• REON 寄存器的 REON 位 “0” → “1” 时
• 检测出 OTP( 过热保护 )
2.6 V
VCC1ᓩ㛮
2.4 V 2.6 V
ONOFFᓩ㛮
OTP
VCONT
⬉⑤
‫ذ‬ℶਃࡼ‫ذ‬ℶ
ਃࡼ
‫ذ‬ℶ
ਃࡼ
‫ذ‬ℶ
ਃࡼ
由 VCC1 引脚输入电压以及 ONOFF 引脚输入决定的稳压电源部分的启 / 停状态保存在 STATE 寄存器的 VCONT 位
( 地址 05H[0])。
DS04–27266–2Z
15
MB39C316
2. 通过 VCC1 电源引脚或 ONOFF 引脚的启 / 停时序
• VCC1 引脚
(ਃࡼ)
(‫ذ‬ℶ)
2.6 V
2.4 V
VCC1
DC/DC3䕀ᤶ఼
3
DC/DC1䕀ᤶ఼
DC/DC2䕀ᤶ఼
XRST1
90%
LDO4
XRST2
Trrst
(1)
(2)
Tofdelay
(2)
Tofdelay
LDO2
LDO3
LDO1
• ONOFF 引脚
(ਃࡼ)
(‫ذ‬ℶ)
ONOFF
DC/DC3䕀ᤶ఼
3
DC/DC1䕀ᤶ఼
DC/DC2䕀ᤶ఼
XRST1
ST1
90%
LDO24
XRST2
ST2
Trrst
(1)
LDO2
LDO3
LDO1
16
项目
符号
(1)
(2)
规格值
单位
最小
典型
最大
Trrst
4
5
6
ms
Tofdelay
150
200
250
µs
DS04–27266–2Z
MB39C316
3. 通过 LDOCNT1/LDOCNT2 引脚的启 / 停时序
XRST1 引脚和 XRST2 引脚为 “H” 时，LDO 的启 / 停取决于 LDOCNT1/LDOCNT2 引脚的状态。
(ਃࡼ)
(‫ذ‬ℶ)
LDOCNT1
L
L
LDOCNT2
L
H
LDO4
OFF
OFF
LDO2
OFF
OFF
LDO3
OFF
OFF
LDO1
OFF
OFF
输入条件
LDO1
LDO2
LDO3
LDO4
H
ON
ON
ON
ON
H
L
OFF
OFF
OFF
ON
L
L
OFF
OFF
OFF
OFF
L
H
OFF
OFF
OFF
OFF
LDOCNT1
LDOCNT2
H
4. 通过 REON 寄存器的启 / 停时序 ( 重新启动 )
向 REON 寄存器的 REON 位 ( 地址 04H[0]) 写 "1" 时，稳压电源按顺序停止，一定时间后再重新启动。
通过 STOPTIMEB 位 ( 地址 04H[5:4]) 可设定从电源停止到重新启动的时间 ( 根据内部时钟 140 kHz 算出 )。另外，
STOPTIMEB 位设定的时间结束后，REON 位自动清零。
140 kHz
REON
(‫ݙ‬䚼ֵো)
10%
DC/DC3䕀ᤶ఼
(Փ⫼DC/DC3䕀ᤶ఼ᯊ)
DC/DC1䕀ᤶ఼
(ϡՓ⫼DC/DC3䕀ᤶ఼ᯊ)
项目
TREON
DS04–27266–2Z
10%
TREON
STOPTIMEB 位 [1:0]
规格值
单位
最小
典型
最大
00B
0.8
1.0
1.2
ms
01B
3.4
4.0
5.2
ms
10B
6.8
8.0
9.8
ms
11B
13.6
16.0
19.0
ms
17
MB39C316
5. 通过 HRST 寄存器的复位控制
向 HRST 寄存器的 HRST 位 ( 地址 03H[0]) 写 "1" 时，XRST2 的输出在一定时间内保持在 "L" 状态。
通过 STOPTIMEA 位 ( 地址 03H[5:4]) 可设定 XRST2 = "L" 的保持时间。另外，STOPTIMEA 位设定的时间结束后，HRST
位自动清零。
140 kHz
HRST
(‫ݙ‬䚼ֵো)
XRST1
೎ᅮЎ“H”
XRST2
THRST
项目
THRST
STOPTIMEA 位 [1:0]
规格值
单位
最小
典型
最大
00B
0.8
1.0
1.2
ms
01B
3.4
4.0
5.2
ms
10B
6.8
8.0
9.8
ms
11B
13.6
16.0
19.0
ms
■ 32.768 kHz 输出 (CMOS 输出 )
将晶体振荡器连接到 OSCIN, OSCOUT 引脚时，可从 RTC_CLK 引脚输出 32.768 kHz 的时钟。
18
DS04–27266–2Z
MB39C316
■ I2C 接口
该接口是符合 I2C 总线基准的串行接口。通过串行数据线 (SDA) 和串行时钟线 (SCL) 两条双向总线可读 / 写内部寄存器的
数据。
MB39C316 具有以下特征 :
• 本 LSI 被设定为从动端而不能设定为主控端。
• 从动地址为 "2AH"。
• 支持高速模式 (Max 400 kbps)。
1. 写入流程
(1) 检出起始状态
(2) 接收从动地址 (“2AH”) 和 W/R 位 (“0”)
(3) 发送 ACK
(4) 接收寄存器地址
(5) 发送 ACK
(6) 接收编程数据
(7) 发送 ACK
(8) 未检出停止状态时，增加寄存器地址并返回到 (6)*
(9) 检出停止状态后，结束通信
*: 关于增加寄存器地址，地址达到 FFH 时停止并保持 FFH。不返回到 00H。
: masterথ䗕ⱘֵো
S : Start condition
P : Stop condition
A : ACK
:ᴀLSIথ䗕ⱘֵো
slave address
S
0
1
0
1
0
register address
1
0
0
W/R=0
(write)
A
MSB
DATA1
LSB
A
DATA2
LSB
MSB
writing to
(register address)
A
MSB
LSB
A
writing to
(register address+1)
DATA3
MSB
SB
LSB
A
P
writing to
(register address+2)
( 注意事项 ) • 若指定的寄存器地址不存在或指定的位未分配，则返回 ACK，但数据不被写入。
• 向 Read Only 地址写值时，返回 ACK，但数据不被写入。
DS04–27266–2Z
19
MB39C316
2. 读取流程
(1) 检出起始状态
(2) 接收从动地址 (“2AH”) 和 W/R 位 (“0”)
(3) 发送 ACK
(4) 接收寄存器地址
(5) 发送 ACK
(6) 检出起始状态
(7) 接收从动地址 (“2AH”) 和 W/R 位 (“1”)
(8) 发送 ACK
(9) 发送读取数据
(10) [1] 接收到 ACK 时，增加寄存器地址并返回到 (9)*
[2] 接收到 NACK 时，释放总线
(11) 检出停止状态后，结束通信
*: 关于增加寄存器地址，地址达到 FFH 时停止并保持 FFH。不返回到 00H。
: masterথ䗕ⱘֵো
S :Start condition
P :Stop condition
A :ACK
NA:NACK
:ᴀLSIথ䗕ⱘֵো
slave address
register address
S 0 1 0 1 0 1 0 0 A
MSB
DATA1
slave address
LSB
A S 0 1 0 1 0 1 0 1 A
W/R=0
(write)
MSB
LSB
reading from
(register address)
W/R=1
(read)
DATA2
MSB
A
DATA3
LSB
reading from
(register address+1)
A
MSB
LSB
NA
P
reading from
(register address+2)
( 注意事项 ) 若指定的寄存器地址不存在且指定的位未分配，则读取数据为 "0"。
20
DS04–27266–2Z
MB39C316
■ 寄存器
1. 地址分配
地址
(hex)
分类
寄存器名称
( 功能 )
W/R
00
复位
SRST
( 软件复位控制 )
01
版本
02
寄存器内容
默认值
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
∗
RSTDET
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
SRST
0000 0000
VERSION
( 版本信息 )
R
⎯
⎯
⎯
⎯
VER3
VER2
VER1
VER0
0000 0011
电源控制
VSEL_SYN
(LDO 电压设定 )
WR
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
03
复位
HRST
( 硬件复位控制 )
WR
HRDET
⎯
STOPTIM STOPTIM
EA1
EA0
⎯
⎯
⎯
HRST
0000 0000
04
电源控制
REON
( 重新启动控制 )
WR
REDET
⎯
STOPTIM STOPTIM
EB1
EB0
⎯
⎯
⎯
REON
0000 0000
05
状态通知
STATE
( 状态通知 )
R
⎯
⎯
⎯
⎯
CUR_lim
OTP
RTC_OSC
VCONT
0000 0000
06
通用
GP
( 通用寄存器 )
WR
GP7
GP6
GP5
GP4
GP3
GP2
GP1
GP0
0000 0000
07 ~ 7F
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
80 ~ 8B
TEST
reserved
( 保留字节 )
⎯
reserved
reserved
reserved
reserved
reserved
reserved
reserved
reserved
⎯
8C
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
VSEL_SYN 0000 0000
*:00H[D0] 为 Write only， [D7] 为 Write/Read。
• "⎯" 符号所表示的数据支持 Write/Read 访问，但 Write 无效且 Read 数据为 "0"。
• 上电复位时，所有的寄存器初始化为默认值。
• 执行软件复位控制可使所有的 Write 寄存器初始化为默认值。执行软件复位控制期间，有时无法正常写入数据。
( 注意事项 ) 地址 80H ~ 8BH 为本 LSI 的测试用寄存器。使用本 LSI 之际，禁止向 80H ~ 8BH 写值。
DS04–27266–2Z
21
MB39C316
2. 功能说明
• 软件复位控制 ( 地址 00H)
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
Write 时
RSTDET
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
SRST
Read 时
RSTDET
0
0
0
0
0
0
0
Default
0
0
0
0
0
0
0
0
bit[7] RSTDET: 寄存器复位记录位
位功能
RSTDET
0
未执行软件复位控制前 (Read) / RSTDET 位清零后 (Write)
1
通过软件复位控制执行寄存器复位后 (Read)
该位保持通过软件复位控制执行复位操作的记录。通过软件复位控制执行复位操作后，该位置 "1"。
向该寄存器写 "00H" 可清零该位。
RSTDET = "1" 的写入无效。
bit[0] SRST: 寄存器复位位
位功能
SRST
0
通常动作
1
地址 00H 除外的 Write 寄存器复位
若该位置 “1”，则全部 Write 寄存器复位，地址 00H 的读取值为 “80H”。
设定 SRST = “1” 后，复位状态将持续约 15 µs。
该位为 Write only，读取值始终为 “0”。
( 注意事项 ) • 同时设定 RSTDET = “0” 和 SRST = “1” 时，忽略 RSTDET = “0” 的设定，通过 SRST = “1” 实施复位操作，将
RSTDET 位置 “1”。
• 软件复位控制执行期间所写入的数据有时不被正常写入。
• 版本信息 ( 地址 01H)
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
Write 时
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
Read 时
0
0
0
0
VER3
VER2
VER1
VER0
Default
0
0
0
0
各版本的固定值
bit[3:0] VER: 版本显示位
VER
位功能
0000
⎯
0001
1
0010
2
0011
3
:
:
该寄存器读取器件的版本信息。
22
DS04–27266–2Z
MB39C316
• LDO 电压设定 ( 地址 02H)
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
Write 时
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
VSEL_SYN
Read 时
0
0
0
0
0
0
0
VSEL_SYN
Default
0
0
0
0
0
0
0
0
D3
D2
D1
D0
bit[0] VSEL_SYN : LDO3 电压选择位
VSEL_SYN
位功能
0
1.2 V (Typ)
1
1.3 V (Typ)
该位切换 LDO3 的输出电压。
• 硬件复位控制 ( 地址 03H)
D7
D6
D5
D4
Write 时
HRDET
⎯
STOPTIMEA1 STOPTIMEA0
⎯
⎯
⎯
HRST
Read 时
HRDET
0
STOPTIMEA1 STOPTIMEA0
0
0
0
HRST
Default
0
0
0
0
0
0
0
0
bit[7] HRDET:HRST 记录位
位功能
HRDET
0
未执行硬件复位控制前 (Read) / HRDET 位清零后 (Write)
1
通过硬件复位控制执行 XRST2 复位后 (Read)
该位保持通过硬件复位控制实施复位操作的记录。通过硬件复位控制实施复位操作时，该位置 "1"(HRST 位
改写的同时该位置 "1")。
向该寄存器写 “00H” 可清零该位。
HRDET= “1” 的写入无效。
bit[5:4] STOPTIMEA:XRST2 = “L” 时间设定位
STOPTIMEA
位功能
00
1 ms (Typ)
01
4 ms (Typ)
10
8 ms (Typ)
11
16 ms (Typ)
该位可选择由硬件复位控制设定 XRST2 = “L” 的时间。
bit[0] HRST:HRST 控制位
位功能
HRST
0
通常动作 (Read)
1
硬件复位控制启动指示 (Write)
该位置 “1” 时，XRST2 引脚的输出在 STOPTIMEA 位所设定的时间内保持 “L”。
设定时间结束后，该位自动清零。
( 注意事项 ) 同时设定HRDET = “0”和HRST = “1”时，忽略HRDET = “0”的设定，通过HRST = “1”实施复位操作并将HRDET
位置 “1”。
DS04–27266–2Z
23
MB39C316
• 重新启动控制 ( 地址 04H)
D7
D6
Write 时
REDET
⎯
Read 时
REDET
0
Default
0
0
D5
D4
D3
D2
D1
D0
STOPTIMEB1 STOPTIMEB0
⎯
⎯
⎯
REON
STOPTIMEB1 STOPTIMEB0
0
0
0
REON
0
0
0
0
0
0
bit[7] REDET:REON 记录位
位功能
REDET
0
未执行重新启动控制前 (Read) / REDET 位清零后 (Write)
1
通过重新启动控制实施重新启动后 (Read)
该位 保持通过 重新启 动控制实 施重新启 动操作 的记录。通过 重新启动 控制实 施重新启 动时，该位置
"1"(REON 位改写的同时该位置 "1")。
向该寄存器写 “00H” 可清零该位。
REDET = “1” 的写入无效。
bit[5:4] STOPTIMEB: 电源停止状态保持时间设定位
STOPTIMEB
位功能
00
1 ms (Typ)
01
4 ms (Typ)
10
8 ms (Typ)
11
16 ms (Typ)
该位可选择从电源停止完成到重启开始的时间。
bit[0] REON:REON 控制位
位功能
REON
0
通常动作 (Read)
1
重新启动指示 (Write)
该位置 “1” 时，电源重新启动 ( 稳压电源停止 → 启动 )。
电源停止后，经过由 STOPTIMEB 位设定的时间，电源开始重新启动。
设定时间结束后，该位自动清零。
( 注意事项 ) 同时设定 REDET = “0” 和 REON = “1” 时，忽略 REDET = “0” 的设定，通过设定 REON = “1” 实施重新启动并将
REDET 位置 “1”。
24
DS04–27266–2Z
MB39C316
• 电源状态通知 ( 地址 05H)
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
Write 时
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
Read 时
0
0
0
0
CUR_lim
OTP
RTC_OSC
VCONT
Default
0
0
0
0
0
0
0
0
bit[3] CUR_lim: 短路检测指示位
位功能
CUR_lim
0
未检出短路
1
检出短路
该位读取短路检测信号。
bit[2] OTP:OTP 状态指示位
位功能
OTP
0
无过热异常
1
有过热异常
该位读取过热异常信号。
bit[1] RTC_OSC:RTC 振荡状态指示位
位功能
RTC_OSC
0
振荡停止
1
正常振荡
该位读取 RTC 时钟的振荡状态。
bit[0] VCONT:VCONT 状态指示位
位功能
VCONT
0
VCONT = L ( 电源停止 )
1
VCONT = H ( 电源启动 )
该位读取 VCONT 的状态。
• 通用寄存器 ( 地址 06H)
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
Write 时
GP7
GP6
GP5
GP4
GP3
GP2
GP1
GP0
Read 时
GP7
GP6
GP5
GP4
GP3
GP2
GP1
GP0
Default
0
0
0
0
0
0
0
0
bit[7:0] GP: 通用寄存器
该寄存器为通用寄存器，可由用户自由使用。可读 / 写 “0/1”。
该寄存器通过软件复位控制、上电复位可复位到默认值。
DS04–27266–2Z
25
MB39C316
■ 保护功能
1. 过电流保护 OCP(Over Current Protection)
限制过载的 LDO、 DC/DC 转换器的电流值。
过载时，通过降低输出电压将输出电流限制在过电流保护动作电流。
输出电压降到短路保护检测电压时， LDO、 DC/DC 转换器停止输出。
䕧ߎ⬉य़
᥼㤤Ꮉ԰㣗ೈ
DC/DC䕀ᤶ
఼ⱘഎড়
Vout (Max)
Vout
Vout (Min)
LDOⱘഎড়
ⷁ䏃ֱᡸẔߎ⬉य़
䕧ߎ⬉⌕
0
䖛⬉⌕ֱᡸࡳ
㛑ⱘࡼ԰⬉⌕
2. 输出短路保护 SCP(Output Short Circuit Protection)
任何一个 LDO, DC/DC 转换器的输出短路 (GND 短路 ) 持续 100 ms (Typ) 时，LDO5 之外的所有 LDO、DC/DC 转换器停
止输出。上电复位可解除输出短路保护，VCC1 引脚上升到 2.6 V (Typ)，则根据启动顺序各 LDO、DC/DC 转换器恢复输出。
3. 欠压锁定 UVLO (Under Voltage Lock Out)
若 VCC1 引脚低于 2.1 V (Typ)，则 LSI 内部通过 UVLO 保护功能实现复位 ( 上电复位 )。若 VCC1 引脚超过 2.2 V (Typ)，则
UVLO 解除。
4. 过热保护 OTP (Over Temperature Protection)
若芯片温度超过 + 150 ℃ (Typ)，则 LDO5 除外的所有 LDO、DC/DC 转换器停止输出。芯片温度降到 + 120 ℃ (Typ)，则
OTP 解除，各 LDO、DC/DC 转换器自动恢复输出。
26
DS04–27266–2Z
MB39C316
■ 应用电路示例
1. 使用 DC/DC3 转换器时
R1
3 kΩ
MB39C316
C1
1 µF
VCC1
R2
3 k?
SCL
SDA
ONOFF
VIN_RTC
XRST1
C5
0.1µF
C20
OSCIN
XRST2
OSCOUT
X1
32.768 kHz
C21
RTC_CLK
VCC_D
LDOCNT1
SWOUT1
C2
1 µF
VCC4
FB1
L1
2.2 µH
DGND1
LDOOUT1
SWOUT2
FB2
LDOOUT4
DGND2
C8
1 µF
VDD31
VDD32
SWOUT31
SWOUT32
SWIN31
SWIN32
DDOUT31
DDOUT32
FB3
DGND31
DGND32
VCC3
LDOOUT2
C9
2.2 µF
VCC2
C4
1 µF
LDOOUT3
C10
2.2 µF
L2
2.2 µH
C14
10 µF
ህ䖥䜡㕂
C15
10 µF
ህ䖥䜡㕂
C17
10 µF
VDD2
C7
1 µF
C3
1 µF
C6
1 µF
VDD1
LDOCNT2
C18
10 µF
C16
10 µF
ህ䖥䜡㕂
L3
2.2 µH
C19
10 µF
AGND
V24IO
C11
1 µF
NC1
VFIL1
NC2
C12
0.47 µF
NC3
VFIL2
NC4
GND1
DS04–27266–2Z
GND2
C13
0.47 µF
27
MB39C316
2. 未使用 DC/DC3 转换器时
VCC
R1
3 k?
MB39C316
C1
1 µF
VCC1
R2
3 kΩ
SCL
SDA
ONOFF
VIN_RTC
C5
0.1 µF
C20
XRST1
OSCIN
XRST2
OSCOUT
X1
32.768 kHz
C21
RTC_CLK
VCC_D
C6
1 µF
LDOCNT1
VDD1
LDOCNT2
SWOUT1
C2
1 µF
C7
1 µF
VCC4
FB1
DGND1
LDOOUT1
C3
1 µF
LDOOUT4
DGND2
ህ䖥䜡㕂
C17
10 µF
VDD2
SWOUT2
FB2
C8
1 µF
C14
10 µF
L1
2.2 µH
C15
10 µF
ህ䖥䜡㕂
L2
2.2 µH
C18
10 µF
VDD31
VDD32
SWOUT31
SWOUT32
SWIN31
SWIN32
DDOUT31
DDOUT32
FB3
DGND31
DGND32
VCC3
LDOOUT2
C9
2.2 µF
VCC2
C4
1 µF
LDOOUT3
C10
2.2 µF
AGND
V24IO
C11
1 µF
NC1
VFIL1
C12
0.47 µF
NC2
NC3
VFIL2
NC4
GND1
28
GND2
C13
0.47 µF
DS04–27266–2Z
MB39C316
■ 元件表
电路符号
元件特性
封装
用途
推荐元件
C1
1 µF
陶瓷
电源输入
⎯
C2
1 µF
陶瓷
电源输入
⎯
C3
1 µF
陶瓷
电源输入
⎯
C4
1 µF
陶瓷
电源输入
⎯
C5
0.1 µF
陶瓷
电源输入
⎯
C6
1 µF
陶瓷
电源输入
⎯
C7
1 µF (6.3 V, ± 10%)
陶瓷
LDO1 输出电容器
GRM155B30J105K(murata)
C8
1 µF (6.3 V, ± 10%)
陶瓷
LDO4 输出电容器
GRM155B30J105K(murata)
C9
2.2 µF (4.0 V, ± 20%)
陶瓷
LDO2 输出电容器
GRM155B30G225M(murata)
C10
2.2 µF (4.0 V, ± 20%)
陶瓷
LDO3 输出电容器
GRM155B30G225M(murata)
C11
1 µF (6.3 V, ± 10%)
陶瓷
LDO5 输出电容器
GRM155B30J105K(murata)
C12
0.47 µF (6.3 V, ± 10%)
陶瓷
VFIL1 输出电容器
GRM155B30J474K(murata)
C13
0.47 µF (6.3 V, ± 10%)
陶瓷
VFIL2 输出电容器
GRM155B30J474K(murata)
C14
10 µF (6.3 V, ± 20%)
陶瓷
DC/DC1 转换器
输入电容器
GRM188B30J106M(murata)
C15
10 µF (6.3 V, ± 20%)
陶瓷
DC/DC2 转换器
输入电容器
GRM188B30J106M(murata)
C16
10 µF (6.3 V, ±20%)
陶瓷
DC/DC3 转换器
输入电容器
GRM188B30J106M(murata)
C17
10 µF (6.3 V, ± 20%)
陶瓷
DC/DC1 转换器
输出电容器
GRM188B30J106M(murata)
C18
10 µF (6.3 V, ± 20%)
陶瓷
DC/DC2 转换器
输出电容器
GRM188B30J106M(murata)
C19
10 µF (6.3 V, ± 20%)
陶瓷
DC/DC3 转换器
输出电容器
GRM188B30J106M(murata)
C20
⎯
⎯
RTC 部分频率调整
⎯
C21
⎯
⎯
RTC 部分频率调整
⎯
L1
2.2 µH
多层片状
DC/DC1 转换器
电感器
MIPSTZ2012D2R2(FDK)
L2
2.2 µH
多层片状
DC/DC2 转换器
电感器
MIPSTZ2012D2R2(FDK)
L3
2.2 µH
多层片状
DC/DC3 转换器
电感器
MIPSAZ3225D2R2(FDK)
R1
3 kΩ
⎯
SCL 上拉电阻器
⎯
R2
3 kΩ
⎯
SDA 上拉电阻器
⎯
X1
32.768 kHz
⎯
⎯
FC-12M(Epson Toyocom)
FDK
Epson Toyocom
murata
:FDK Corporation
:Epson Toyocom Corporation
:Murata Manufacturing Co., Ltd.
1. 关于 DC/DC 转换器的外接元件
1. DC/DC 转换器电源和 GND 引脚间的电容器 (10 µF) 配置在两引脚至近的地方。
2. 选择电感器时，注意电感的频率特性、直流重叠特性。
3. 选择电容器时，注意电容的 DC 偏压特性。
2. 关于 LDO 的外接元件
1. LDO 输出和 GND 引脚间的电容器配置在两引脚至近的地方。
2. 选择电容器时，注意其容量的 DC 偏压和交流特性。
DS04–27266–2Z
29
MB39C316
■ 使用时的注意事项
1. 设定条件不可超出最大额定值。
使用时如果超出最大额定值，会对 LSI 造成永久性损坏。
另外，平时使用时，也希望在推荐工作条件下使用，超出推荐工作条件使用会对 LSI 的可靠性带来不良影响。
2. 在推荐工作条件下使用器件。
推荐工作条件是确保 LSI 正常工作的保证值。
在推荐工作条件范围内以及各项目条件栏的条件下，电气特性的规格值可得到保证。
3. 设计印刷电路板的接地线时，请考虑公共阻抗。
4. 采取防静电措施。
• 使用已采取防静电措施的容器或具有导电性的容器存放半导体。
• 保管、搬运贴片后的电路板时，使用导电性包装袋或容器。
• 将工作台、工具和测量仪器接地。
• 在操作人员的身体和接地之间，串联 250 kΩ ~ 1 MΩ 电阻后接地。
5. 不可施加负电压。
施加低于 - 0.3 V 的负电压时，可能会使 LSI 的寄生晶体管启动并导致误动作。
■ 订购型号
型号
封装
备注
MB39C316PW-G-ERE1
WL-CSP pin (WLP-49P-M01)
无铅产品
型号
EV 板版本
备注
MB39C316EVB
1.0
■ 评估板的订购型号
■ 支持持 RoHS 指令的质量管理 ( 无铅产品 )
富士通微电子的 LSI 产品支持 RoHS 指令，遵守关于铅 / 镉 / 水银 / 六价铬以及特定溴系难燃剂 PBB 和 PBDE 的标准。对
于符合该标准的产品，在型号的末尾缀 "E1" 加以表示。
30
DS04–27266–2Z
MB39C316
■ 产品标签 ( 无铅产品示例 )
᮴䪙ᷛ䆚
JEITA LOGO
MB123456P - 789 - GE1
(3N) 1MB123456P-789-GE1
1000
(3N)2 1561190005 107210
JEDEC LOGO
G
Pb
QC PASS
PCS
1,000
MB123456P - 789 - GE1
2006/03/01
3
ASSEMBLED IN JAPAN
MB123456P - 789 - GE1
1/1
0605 - Z01A
1000
1561190005
᮴䪙ѻકൟোⱘ᳿ሒҹ[E1]㸼⼎
DS04–27266–2Z
31
MB39C316
■ 产品印章 ( 无铅产品 )
39C316
XXXXXX
E1
᮴䪙ᷛ䆚
INDEX
32
DS04–27266–2Z
MB39C316
■ 封装和外观尺寸图
49-pin plastic WLP
0.40 mm
Lead pitch
Package width ×
package length
3.14 mm × 3.11 mm
Lead shape
Soldering ball
Sealing method
Print
Mounting height
0.80 mm MAX
Weight
0.0145 g
(WLP-49P-M01)
49-pin plastic WLP
WLP-49P-M01
3.14
.124
+0.05
–0.10
+.002
–.004
2.40(.095)
0.40(.016)
TYP
Y
7
6
5
+0.05
2.40
(.095)
3.11 –0.10
+.002
.122 –.004
4
3
2
1
INDEX
(LASER
S
MARKING)
0.40(.016)
TYP
X
0.80(.031)
Max
Z
C
0.06(.002) Z
2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED W49001Sc-1-1
G
3-ø0.13
(3-ø.005)
F
E
D
49-ø0.22±0.04
(49-ø.009±.002)
C
B
0.05(.002)
A
M
XYZ
0.15±0.04
(.006±.002)
Dimensions in mm (inches).
Note: The values in parentheses are reference values.
请访问以下网页了解最新封装信息 :
http://edevice.fujitsu.com/package/en-search/
DS04–27266–2Z
33
MB39C316
■ 目录
页码
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34
概要 ................................................................................................................................
功能概要 ........................................................................................................................
应用 ...............................................................................................................................
引脚配置图 ....................................................................................................................
引脚功能说明 .................................................................................................................
框图 ...............................................................................................................................
绝对最大额定值 .............................................................................................................
推荐工作条件 .................................................................................................................
电气特性 ........................................................................................................................
典型特性 ........................................................................................................................
启 / 停控制功能 ..............................................................................................................
32.768 kHz 输出 (CMOS 输出 ) .....................................................................................
I2C 接口 .........................................................................................................................
寄存器 ...........................................................................................................................
保护功能 ........................................................................................................................
应用电路示例 .................................................................................................................
元件表 ...........................................................................................................................
使用时的注意事项 .........................................................................................................
订购型号 ........................................................................................................................
评估板的订购型号 .........................................................................................................
支持 RoHS 指令的质量管理 ( 无铅产品 ) .......................................................................
产品标签 ( 无铅产品示例 ) .............................................................................................
产品印章 ( 无铅产品 ) ....................................................................................................
封装和外观尺寸图 .........................................................................................................
1
1
1
2
3
5
6
6
7
11
15
18
19
21
26
27
29
30
30
30
30
31
32
33
DS04–27266–2Z
MB39C316
MEMO
DS04–27266–2Z
35
MB39C316
FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED
Shinjuku Dai-Ichi Seimei Bldg., 7-1, Nishishinjuku 2-chome,
Shinjuku-ku, Tokyo 163-0722, Japan
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Asia Pacific
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Europe
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Korea
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206 Kosmo Tower Building, 1002 Daechi-Dong,
Gangnam-Gu, Seoul 135-280, Republic of Korea
Tel: +82-2-3484-7100 Fax: +82-2-3484-7111
http://kr.fujitsu.com/fmk/
FUJITSU MICROELECTRONICS PACIFIC ASIA LTD.
10/F., World Commerce Centre, 11 Canton Road,
Tsimshatsui, Kowloon, Hong Kong
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本手册所介绍的产品旨在一般用途而设计、开发和制造，包括但并不限于一般的工业使用、通常办公使用、个人使用和
家庭使用。在以下设计、开发和制造 (1) 使用中伴随着致命风险或危险，若不加以特别高度安全保障，有可能导致对公
众产生危害，甚至直接死亡、人身伤害、严重物质损失或其他损失 ( 即核设施的核反应控制、航空飞行控制、空中交通
控制、公共交通控制、医用维系生命系统、核武器系统的导弹发射控制 )， (2) 需要极高可靠性的应用领域 ( 比如海底中
转器和人造卫星 )。
注意上述领域内使用该产品引起的用户和 / 或第三方的任何索赔或损失， FUJITSU MICROELECTRONICS 不承担任何责
任。
半导体器件存在一定的故障发生概率。请用户对器件和设备采取冗余设计、消防设计、过电流等级防护措施，其他异常
操作防护措施等安全设计，保证即使半导体器件发生故障的情况下，也不会造成人身伤害、社会损害或重大损失。
本手册内记载的任何产品的出口 / 发布可能需要根据日本外汇及外贸管理法和 / 或美国出口管理法条例办理必要的手续。
本手册内记载的公司名称和商标名称是各个公司的商标或注册商标。
编辑 : 销售促进部