GL-S MirrorBit® Eclipse™ Flash Memory S29GL01GS S29GL512S S29GL256S S29GL128S 1G ビット 512M ビット 256M ビット 128M ビット (128M バイト ) (64M バイト ) (32M バイト ) (16M バイト ) GL-S MirrorBit® ????? Cover Sheet 3.0V 単一電源 ,VersatileI/O™ 制御 データシート ご注意 : 本資料は、Spansion 製品に関する現時点での技術仕様について説明したものです。このデータ シートで説明している製品には、「ADVANCE INFORMATION（事前情報）」、「PRELIMINARY（暫定）」、 または「FULL PRODUCTION（本格生産）」のいずれかが付記されている場合があります。各属性の定義 については、データシートの属性に関する説明 を参照してください。 公開番号 S29GL_128S_01GS_00 改定 08 発行日 2013 年 10 月 9 日 デ ー タ シ ー ト データシートの属性に関する説明 弊社が発行しているデータシートの一部には「ADVANCE INFORMATION（事前情報）」または 「PRELIMINARY（暫定）」という属性が付記されています。この属性は、開発から製品認定、初期ロット生 産、本格生産にいたる製品のライフ サイクルを通して、お客様に適切な製品情報ならびに技術仕様をお伝 えすることを目的としています。なお、設計に関する最終的な決定を行われる際は、お手持ちの情報が最新 のものであることを必ずご確認ください。Spansion のデータシートで使用される属性とその意味について は、下記を参照願います。 Advance Information 「ADVANCE INFORMATION（事前情報）」という属性は、その製品は開発中であって、量産が決定されて いない状態であることを意味します。このような属性が付与されている場合、その資料に記載されている内 容は変更される可能性があり、場合によっては、製品の開発自体が中止されることもあります。したがって Spansion Inc. は、 「ADVANCE INFORMATION」の内容に対しては下記のような条件を提示します。 「本資料には、Spansion Inc. で開発中の製品情報が記載されています。この情報は、お客様が本製品を 評価される際にお役立ていただくことを目的としています。本製品を使用して設計を行われる場合は、 あらかじめ弊社までご相談ください。開発中の製品は、予告なしに仕様を変更したり、開発を中止す る場合があります。」 Preliminary 「PRELIMINARY（暫定） 」という属性は、製品の開発が進み、生産が決定された状態であることを意味しま す。この属性は、製品認定の完了や、初期ロット生産の開始、およびそれ以降の、本格生産開始に向けて実 施される製造工程への移行など、製品ライフ サイクルの複数の局面で使用されます。「Preliminary」属性の データシートに記載されている技術仕様は、こうしたライフ サイクルの各段階での状況を踏まえ、変更され る可能性があります。Spansion Inc. は、「PRELIMINARY」の内容に対して下記のような条件を付記します。 「本資料は、Spansion 製品に関する現時点での技術仕様について説明したものです。本資料の属性は 「PRELIMINARY（暫定）」となっています。これは、製品認定が完了し、初期ロットの生産がすでに 開始されていることを示します。製造工程や品質の見直しを行った結果、仕様が変更され、それに伴 う修正や後続のバージョンに基づいて本資料が改訂されることがあります。」 複数の属性が含まれる場合 一部のデータシートには、それぞれ異なる属性（「ADVANCE INFORMATION（事前情報）」、 「PRELIMINARY（暫定）」、「FULL PRODUCTION（本格生産）」）を持つ複数の製品が収録されています。 このような場合には、製品毎に明記されます。通常は先頭ページ、オーダー型格のページ、DC 特性表や AC イレーズ / プログラム特性表の注部分などに記載されます。先頭ページの免責事項で、該当ページの記 載を参照するよう説明されます。 FULL PRODUCTION （本格生産、データシート上での表示はなし） 製品の生産開始後、一定期間が経過し、変更が発生しない、または軽微な変更のみにとどまることが明らか になった時点で、データシートから「PRELIMINARY（暫定）」の表示が削除されます。軽微な変更の例と しては、スピード バージョン、温度範囲、パッケージ タイプ、VIO 範囲の追加または削除などにより、ご 利用いただく型格（OPN）が変更されるというケースがあります。新たな説明の記載、文章や仕様の誤り の修正なども、こうした変更範囲に含まれます。Spansion Inc. は、この範疇に入るデータシートに下記の ような条件を付記します。 「本資料は、Spansion 製品に関する現時点での技術仕様について説明したものです。本製品は相当量 の量産段階に達しており、本資料の内容が今後のバージョンで改訂されることはないものと判断して います。但し、誤植または仕様の訂正、あるいは提供製品の有効な組合せについての修正が行われる ことがあります。」 データシートで使用されている各属性に関してご不明な点がある場合は、弊社までお問い合わせください。 2 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 GL-S MirrorBit® Eclipse™ Flash Memory S29GL01GS S29GL512S S29GL256S S29GL128S 1G ビット 512M ビット 256M ビット 128M ビット (128M バイト ) (64M バイト ) (32M バイト ) (16M バイト ) 3.0V 単一電源 ,VersatileI/O™ 制御 データシート 概要 Spansion の S29GL01G/512/256/128S は、65 nm プロセス テクノロジを用いて製造される、Mirrorbit® フラッシュ製品です。 これらデバイスは、15 ns の高速ページ アクセス時間と、90 ns のランダム アクセス時間を提供します。一度の動作で最大 256 ワード / 512 バイトをプログラム可能なライトバッファを備え、標準のプログラミング アルゴリズムに比べて実効的に高 速なプログラミングを実現しています。このような特徴を備えた本デバイスは、大容量、高性能、そして低消費電力を必要 とする、今日の組み込みアプリケーションに最適です。 特徴 65nm の MirrorBit Eclipse 技術 3V 単一電源でのリード / プログラム / イレーズ動作 (2.7V ∼ 3.6V) VersatileI/O™ 制御 – I/O 電圧範囲の拡張 : 1.65V ∼ VCC アドバンストセクタープロテクト (ASP) ‒ パーシステント（恒久）またはパスワードによるセクタプロテクト 2つのロック可能領域を持つ分離した1024バイトのワインタイム プログラム (OTP) アレイ x16 データバス CFI（共通フラッシュ インタフェース）をサポート 16 ワード / 32 バイト ページ リードバッファ 温度範囲 – 産業用温度範囲 (-40°C ∼ +85°C) – 車室内用温度範囲 (-40°C ∼ +105°C) 256 ワード / 512 バイト ライトバッファプログラミング ‒ 一度に最大 512 バイトの更新が可能 ユニフォーム 64 K ワード / 128 K バイト セクタ アーキテクチャ プログラム動作と消去動作に対応したサスペンド コマンド とレジューム コマンド ステータスレジスター、データポーリング、Ready / Busy# によるステータスの確認 公開番号 S29GL_128S_01GS_00 セクタ当たりの消去回数：100,000 回（Typ.） データ保持能力：20 年（Typ.） パッケージ – – – – 56 ピン TSOP 64 ボール LAA Fortified BGA、13 mm x 11 mm 64 ボール LAE Fortified BGA、9 mm x 9 mm 56 ボール VBU Fortified BGA、9 mm x 7 mm 改定 08 発行日 2013 年 10 月 9 日 本文書は、スパンション製品に関する現在の技術仕様について記載しています。スパンション社は、本文書の以降のバージョンで変更を予定していない、十分な生産量の製品 を想定しています。しかし、誤植または仕様の訂正、正しい組み合わせの提供のための修正が発生することがあります。 デ ー タ シ ー ト 性能 最大読み出しアクセス時間 密度 128 Mb 256 Mb 512 Mb 1 Gb ランダムアクセス時 間 (tACC) 電圧範囲 ページアクセス時間 (tPACC) CE# アクセス時間 (tCE) OE# アクセス時間 (tOE) Full VCC= VIO 90 15 90 25 Versatile IO VIO 100 25 100 35 Full VCC= VIO 90 15 90 25 Versatile IO VIO 100 25 100 35 Full VCC= VIO 100 15 100 25 Versatile IO VIO 110 25 110 35 Full VCC= VIO 100 15 100 25 Versatile IO VIO 110 25 110 35 標準的な書込み / 消去性能プログラムと消去速度 ライトバッファプログラミング (512 バイト ) 1.5 MB/ 秒 セクター消去 (128k バイト ) 477 kB/ 秒 最大消費電流 4 リード (5 MHz、30 pF) 60 mA プログラム 100 mA 消去 100 mA スタンバイ 100 µA GL-S GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 目次 概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 特徴 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 性能 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 1. 製品概要. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 ソフトウェアインターフェース 2. アドレス空間マップ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 2.1 フラッシュメモリアレイ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 2.2 デバイス ID と CFI (ID-CFI) ASO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 2.3 ステータスレジスター ASO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 2.4 データポーリングステータス ASO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 2.5 セキュアシリコン領域 ASO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 2.6 セクタープロテクション制御 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17 3. データ保護 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 3.1 デバイス保護方法 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 3.2 コマンド保護 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 3.3 セキュアシリコン領域 (OTP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 3.4 セクター保護方法 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19 4. 読み出し動作 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24 4.1 非同期読み出し. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24 4.2 ページモード読み出し . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24 5. 自動アルゴリズム動作 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 5.1 自動アルゴリズムコントローラー (EAC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 5.2 プログラムと消去の概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26 5.3 コマンド設定 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27 5.4 ステータス監視. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37 5.5 エラーの種類と消去手順 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42 5.6 自動アルゴリズム性能表 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46 6. ソフトウェアインターフェース参考資料 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57 6.1 コマンド定義 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57 6.2 デバイス ID と共通フラッシュインターフェース（ID-CFI）の ASO マップ . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 ハードウェアインターフェース 7. 信号の説明 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65 7.1 アドレスとデータの構成 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65 7.2 入力 / 出力の概要. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65 7.3 Versatile I/O 機能 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65 7.4 レディ / ビジー # (RY/BY#) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66 7.5 ハードウェアリセット . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66 8. 信号プロトコル . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67 8.1 インターフェース状態 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67 8.2 ハードウェアデータ保護付きパワーオフ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67 8.3 スタンバイモード . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68 8.4 リード動作 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68 8.5 ライト動作 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69 9. 電気的仕様 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71 9.1 絶対最大定格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71 9.2 ラッチアップ特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71 9.3 動作範囲 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71 9.4 直流特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74 9.5 コネクタの特性. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76 10. タイミング仕様 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77 10.1 波形遷移 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77 10.2 交流テスト条件. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 5 デ ー タ シ ー ト 10.3 10.4 パワーオンリセット (POR) とウォームリセット. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78 交流特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 11. 物理インターフェース . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91 11.1 56 ピン TSOP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91 11.2 64 ボール FBGA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93 11.3 56 ボール FBGA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96 12. FBGA パッケージの取扱注意事項 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97 13. オーダ型格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98 14. その他のリソース . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.1 ソフトウェアへのリンク . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.2 アプリケーションノートへのリンク. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.3 仕様公示 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.4 スパンションの連絡先 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101 101 101 102 102 15. 改訂履歴. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103 6 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 図 図 1.1 図 3.1 図 5.1 図 5.2 図 5.3 図 5.4 図 5.5 図 5.6 図 9.1 図 9.2 図 9.3 図 9.4 図 10.1 図 10.2 図 10.3 図 10.4 図 10.5 図 10.6 図 10.7 図 10.8 図 10.9 図 10.10 図 10.11 図 10.12 図 10.13 図 10.14 図 10.15 図 10.16 図 10.17 図 10.18 図 10.19 図 10.20 図 11.1 図 11.2 図 11.3 図 11.4 図 11.5 ブロック図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 アドバンストセクター保護の概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19 ワードプログラム動作 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27 データポーリング状態でライトバッファプログラミング動作 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29 ステータスレジスター付きのライトバッファプログラミング動作 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 セクター消去動作 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 Data# ポーリングアルゴリズム . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39 トグルビットアルゴリズム. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41 パワーアップ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72 電源切断と電圧低下 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72 最大オーバーシュート波形（負）. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73 最大オーバーシュート波形（正）. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 73 テスト設定 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77 入力波形および測定レベル. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77 パワーアップ図. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78 ハードウェアリセット . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 79 連続リード（tACC）動作タイミング図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82 連続リード動作（tRC）タイミング図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82 ページ読出しタイミング図. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 82 連続ライト動作タイミング図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83 連続（CE#VIL）ライト動作タイミング図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84 ライトからリード（tACC）動作タイミング図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84 ライトからリード（tCE）動作タイミング図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85 リードからライト（CE# VIL）動作タイミング図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 85 リードからライト（CE# トグル）動作タイミング図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86 プログラム動作タイミング図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87 チップ / セクタ消去動作タイミング図. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87 Data# ポーリングタイミング図（自動アルゴリズム実行時）.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88 トグルビットタイミング図（自動アルゴリズム実行時）. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88 DQ2 と DQ6 の関連図. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 88 連続（CE#）ライト動作タイミング図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89 (CE#) ライトからリード動作タイミング図 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90 56 ピンスタンダード TSOP. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91 56 ピン TSOP ( 薄型スモールアウトラインパッケージ )、14×20 mm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92 64 ボール強化型 BGA（強化ボールグリッドアレイ）. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93 LAE064̶64 ボール強化型 BGA（強化ボールグリッドアレイ）、9×9 mm . . . . . . . . . . . . . . . . . 94 56 ボール強化型 BGA（強化ボールグリッドアレイ）. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 7 デ ー タ シ ー ト 表 表 1.1 表 2.1 表 2.2 表 2.3 表 2.4 表 2.5 表 2.6 表 3.1 表 3.2 表 5.1 表 5.2 表 5.3 表 5.4 表 5.5 表 5.6 表 5.7 表 5.8 表 5.9 表 5.10 表 5.11 表 5.12 表 5.13 表 5.14 表 5.15 表 5.16 表 5.17 表 5.18 表 5.19 表 5.20 表 5.21 表 5.22 表 5.23 表 5.24 表 5.25 表 5.26 表 6.1 表 6.2 表 6.3 表 6.4 表 6.5 表 6.6 表 7.1 表 8.1 表 9.1 表 9.2 表 9.3 表 9.4 表 9.5 表 9.6 表 9.7 表 10.1 表 10.2 表 10.3 表 10.4 表 10.5 表 10.6 8 S29GL-S アドレスマップ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 S29GL01GS セクターとメモリアドレスマップ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 S29GL512S セクターとメモリアドレスマップ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 S29GL256S セクターとメモリアドレスマップ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13 S29GL128S セクターとメモリアドレスマップ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 ID-CFI アドレスマップ概要. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14 セキュアシリコン領域 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 セクター保護状態 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 ロックレジスター . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21 ライトバッファプログラミングコマンドシーケンス . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31 ステータスレジスター . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38 データポーリングステータス . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42 自動アルゴリズム特性 (-40°C ∼ +85°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46 自動アルゴリズム特性 (-40°C ∼ +105 ℃ ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47 リードコマンド状態遷移 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48 リードアンロックコマンド状態遷移. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48 イレーズコマンド状態遷移. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48 イレーズサスペンドコマンド状態移. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49 イレーズサスペンド - アンロック コマンド状態遷移 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49 イレーズサスペンド - DYB コマンド状態遷移 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49 イレーズサスペンド - プログラム コマンド状態遷移 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 イレーズサスペンド - プログラムサスペンド コマンド状態遷移 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 プログラムコマンド状態遷移 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51 プログラム - アンロック コマンド状態遷移 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51 プログラムサスペンドコマンド状態遷移 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51 ロックレジスタエントリーコマンド状態遷移 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52 CFI コマンド状態遷移 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52 セキュアーシリコンセクター コマンド状態遷移 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52 セキュアーシリコンセクター − アンロック コマンド状態遷移 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52 セキュアーシリコンセクター − プログラム コマンド状態遷移. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53 パスワードプロテクション コマンド状態遷移. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53 不揮発性プロテクション コマンド状態遷移 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54 PPB ロックビット コマンド状態遷移 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54 揮発性セクタープロテクション コマンド状態遷移 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54 状態遷移定義 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55 コマンド定義 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57 ID （自動選択）アドレスマップ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 CFI クエリ識別文字列 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61 CFI システムインターフェース文字列 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61 CFI デバイスジオメトリー定義 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62 CFI プライマリベンダー固有拡張クエリ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63 I/O の概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65 インターフェース状態 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67 絶対最大定格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71 電源投入 / 電源切断の電圧とタイミング. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72 直流特性 (-40°C ∼ +85°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 74 直流特性 (-40°C ∼ +105°C). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 コネクタの特性（FBGA（LAA）パッケージ）. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76 コネクタの特性（FBGA（LAE）パッケージ）.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76 コネクタの特性（TSOP パッケージ）. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76 テスト仕様 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77 パワーオンとリセットのパラメータ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78 読み出し動作 VIO = VCC = 2.7V ∼ 3.6V (-40°C ∼ +85°C). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 読み出し動作 VIO = 1.65V ∼ VCC、VCC = 2.7V ∼ 3.6V（-40°C ∼ +85°C）. . . . . . . . . . . . . . . 80 読み出し動作 VIO = VCC = 2.7V ∼ 3.6V（-40°C ∼ +105 ℃）.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81 読み出し動作 VIO = 1.65V ∼ VCC、VCC = 2.7V ∼ 3.6V（-40°C ∼ +105 ℃）.. . . . . . . . . . . . . . 81 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 表 10.7 表 10.8 表 10.9 表 13.1 ライト動作 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83 消去 / プログラム動作 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86 CE# コントロールライト動作 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89 S29GL-S の有効な組み合わせ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 9 デ ー タ シ ー ト 1. 製品概要 GL-S ファミリーは、3.0V 品の Versatile I/O を機能を持つ 128M ビットから 1G ビットのフラッシュメモリデ バイスです。16 ビット ( ワード ) 幅のデータバスを持ち、ワードアドレスでアクセスします。よって、リー ドアクセス時は、各バスの転送サイクルで 16 ビットのデータを転送し、プログラム時は、各バス転送サイ クルから 16 ビットのデータを取り込みます。 図 1.1 ブロック図 DQ15–DQ0 RY/BY# VCC Sector Switches セレクタースイッチ VSS VIO Erase Voltage 消去電圧ジェネレーター Generator Input/Output 入力/出力バッファ Buffers RESET# WE# WP# State 状態回路 Control Command コマンドレジスタ Register PGM Voltage 電圧ジェネレーター Generator Chip Enable チップイネーブル出力 Output Enable イネーブル回路 Logic CE# OE# 検出回路 VCC Detector Timer タイマー AMax**–A0 Address Latch アドレスラッチ STB STB Data データラッチ Latch Y-Decoder Y-デコーダ Y-Gating Y-ゲート X-デコーダ X-Decoder セルマトリックス Cell Matrix : 注意 : ** AMAX GL01GS = A25, AMAX GL512S = A24, AMAX GL256S = A23, AMAX GL128S = A22 GL-S ファミリーは、eXecute In Place (XIP) とデータストレージの両用途に必要な最良の機能を持ち合わせ てます。XIP フラッシュに必要な高速ランダムアクセスとともに、データストレージフラッシュに必要な大 容量、高速プログラムを持ちます。 任意のランダムな場所へのリードアクセスは、デバイスの容量と I/O 供給電圧に応じて、90 ∼ 120 ns かか ります。各ランダムリードアクセスで、ページと呼ばれる 32 バイトのデータグループをリードします。同 一ページ内では、ワードアドレスの下位 4 ビットを変更することでリードします。同一ページ内では 15 30ns でアクセスできます。これはページリードと呼ばれています。上位ワードアドレスビットを変更 すると、異なるページを選択することになり、新しいアクセスが開始されます。すべての読み出しアクセス は非同期です 10 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 表 1.1 S29GL-S アドレスマップ カウント アドレス ページ内のアドレス タイプ 16 A3 - A0 ライトバッファ内のアドレス 256 A7 - A0 ページ 4096 A15 - A4 256 A15 - A8 ライトバッファ行 1024 (1 Gb) 512 (512 Mb) セクター 256 (256 Mb) AMAX - A16 128 (128 Mb) デバイス制御回路は、ホストインターフェースコントローラー (HIC) と組み込みアルゴリズムコントロー ラー (EAC) の 2 つの並行する操作セクションに分かれてます。HIC は必要に応じてデバイス入力とデバイ ス出力の信号レベルを監視し、ホストシステムとのデータ読み出しと書き込み転送を完了します。HIC は読 み出し転送で、現在入力されたアドレスマップからデータを出力します。書き込み転送アドレスとデータ情 報を EAC コマンドメモリに配置します。電源遷移、ハードウェアリセット、書き込み転送を EAC に通知 します。EAC は、コマンドメモリを参照して、適切なコマンドシーケンスが発行されたかチェックした後、 自動アルゴリズムを実行します。 メモリアレイ内の不揮発性データの書換えには、自動アルゴリズム (EA) と呼ばれる複雑な動作シーケンス を必要とします。アルゴリズムはデバイス内部の EAC によって完全に管理されています。主要なアルゴリ ズムは、メインアレイデータのプログラミングと消去を実行します。ホストシステムはフラッシュデバイス アドレス空間にコマンドコードを書き込みます。EAC はコマンドを受け取り、コマンドを完了するのに必 要なすべてのステップを実行し、EA の進行中にステータス情報を提供します。 各メモリビットの消去状態は 1 です。プログラミングは 1（High）を 0（Low）に変更します。消去動作だ けが 0 から 1 への変更が可能です。消去動作は、セクターと呼ばれる 128K バイトのデータグループで実行 する必要があります。スパンションから出荷時は、すべてのセクターは消去されてます。 プログラミングは 512 バイトのライトバッファを介して行われます。プログラミング動作が開始される前 に、ライトバッファに 1 ∼ 256 ワードを書き込むことができます。フラッシュメモリアレイ内では、 512 バイトの各データグループを Page と呼び、プログラミング動作は書き込みバッファーからメモリアレ イの Page にデータを転送します。この動作はライトバッファプログラミングと呼ばれます。 ライトバッファは、リセット後またはライトバッファを使用した任意の動作完了後は 1 がセットされます。 バッファーコマンドへの書き込みによって 0 が書き込まれていない任意の場所は、まだデフォルトの 1 で 埋められたままです。ライトバッファ中の 1 は、プログラミング動作中にメモリアレイ中のデータには影 響しません。 ライトバッファにロードされた各データのページは、メモリアレイに転送されます。 Advanced Sector Protection (ASP) 機能セットによって、セクタ単位でプログラムと消去操作から保護でき ます。ASP で はハードウェアによる手法とソフトウェア制御による揮発性および不揮発性の手法を提供し てます。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 11 デ ー タ シ ー ト ソフトウェアインターフェース 2. アドレス空間マップ フラッシュメモリデバイスのアドレス範囲内には、複数の個別のアドレス空間が表示されることがあります。 1 つのアドレス空間がいつでも表示（入力済み）されます。 フラッシュメモリアレイ：非同期読み出し動作によってランダムにアクセスされるデータ格納用の 主要な不揮発性メモリアレイ。 ID/CFI：スパンションの工場でプログラムされたデバイス特性情報格納用のメモリアレイ。この領域 には、デバイス識別（ID）と共通フラッシュインターフェース（CFI）情報テーブルが含まれます。 セキュアシリコン領域 (SSR)：スパンションの工場でプログラム済み恒久データおよびカスタマー プログラム可能恒久データを格納する 1 回だけプログラム可能な (OTP) 不揮発性メモリアレイ。 ロックレジスター：ASP 機能の設定と SSR をロックするために使用する OTP 不揮発性ワード。 PPB：各セクターに 1 ビットを持つ不揮発性のフラッシュメモリアレイ。プログラムされると、消 去とプログラミングから該当セクターを保護します。 PPB ロック：プログラミングを有効 / 無効にし、PPB ビットの消去に使用する揮発性のレジスター ビット。 パスワード：64 ビットパスワードの保存に使用される OTP 不揮発性アレイは、パスワードモードセク ター保護を使用する際に、PPB ロックビットの状態を変更することを可能にするために使用されます。 DYB ビット：セクターごとに 1 ビットを持った揮発性アレイ。セットされると、各ビットは消去と プログラミングから関連セクターを保護します。 ステータスレジスター：エンベデッドアルゴリズムステータスを表示するために使用する揮発性レ ジスター。 データポーリング：レガシーソフトウェア互換、エンベデットアルゴリズム中に DQ7 のデータで ステータスを表示するための方法。 メインフラッシュメモリアレイは、プライマリのアドレス空間ですが、他のアドレス空間によってオーバー レイされることがあります。 各代替アドレス空間は、Address Space Overlay(ASO) と呼ばれています。各 ASO は、全フラッシュデバイ スのアドレス範囲をオーバーレイします。特定の ASO アドレスマップで定義されていない任意のアドレス 範囲は、将来的に使用するためにリザーブされてます。ASO アドレスマップ外のすべての読み出しアクセ スは、有効ではない（未定義）データを返し、ロケーションはアクティブデータを表示しますが、表示され る 1 または 0 の意味は定義されていません。 フラッシュデバイスのアドレス空間に表示される内容を決定する 4 つのデバイス操作モードがあります。 読み出しモード データポーリングモード ステータスレジスター (SR) モード アドレス空間オーバーレイ (ASO) モード 読み出しモードでは、フラッシュメモリアレイ全体が、ホストシステムメモリコントローラーによって直接 読み出すことができます。メモリデバイス組み込みアルゴリズムコントローラー（EAC）は、ハードウェ アリセット後、コマンドリセット後、または組み込みアルゴリズム（EA）が一時停止された後の電源オン 時にデバイスを読み出しモードにします。読み出しアクセスとコマンド書き込みは、読み出しモードで可能 です。EA が一時停止されているとき、読み出しモードではコマンドのサブセットが許容されています。 どのモードでも、ステータスレジスター読み出しコマンドは、デバイスアドレス空間内のあらゆるワードアドレ スでステータスレジスター ASO を表示するために発行できます。このステータスレジスター ASO モードでは、 デバイスインターフェースは読み出しアクセスを待ち、すべての書き込みアクセスは無視されます。デバイスへ の次の読み出しアクセスは、ステータスレジスターの内容にアクセスし、ステータスレジスター ASO を終了 し、ステータスレジスター読み出しコマンドを受け取った以前の（呼び出し）モードに戻ります。 EA モードでは、EAC はプログラミングまたは不揮発性メモリアレイの消去のような自動アルゴリズムを実 行します。EA モード中にフラッシュメモリアレイの読み出しはできません。これはフラッシュデバイスア 12 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト ドレス空間全体が、データポーリング状態 ASO で置換されるためです。データポーリング状態は、デバイ スアドレス空間の中のすべてのワードで確認が可能です。 EA モードでは、プログラム / 消去一時停止コマンド、またはステータスレジスター読み出しコマンドのみが可能 です。その他のすべてのコマンドは無視されます。したがって、他の ASO は EA モードから入力できません。 組み込みアルゴリズムが中断されると、デバイスが EA で一時停止するまでデータポーリングステータス ＡＳＯ にアクセスされます。EA が一時停止しているとき、データポーリング ASO は終了し、フラッシュアレ イデータが利用できます。一時停止された EA が再開されると、EA が再度一時停止になるか終了するまで、 データポーリング ASO は再入力されます。組み込みアルゴリズムが完了すると、データポーリング ASO は終 了し、デバイスは（エンベデッドアルゴリズムが開始された）以前の読み出しモードに移行します。 ASO モードでは、残っているオーバーレイアドレス空間の 1 つが入力されます（メインのフラッシュアレイ アドレスマップにオーバーレイされます）。一度に入力できる ASO は 1 つだけです。デバイスへのコマン ドは、現在入力された ASO に影響を与えます。特定のコマンドのみ、各 ASO で有効です。これらは表の 各 ASO 関連セクション、表 6.1 (57 ページ ) にリストされています。 次の ASO は、1 を 0 に変更するためにプログラムできる、不揮発性領域を持っています。 セキュアシリコン領域 ロックレジスター 恒久的な保護ビット (PPB) パスワード PPB ASO だけが、0 を 1 に変更するために消去できる不揮発性データを持ちます 非揮発性 ASO の 1 つが入力されている間に、プログラムまたは消去コマンドが発行されると、EA は ASO 上で動作します。ASO は EA がアクティブな間は読み出せません。EA が完了すると、ASO が入力された まま残り、再度読み出し可能です。これら ASO では、EA 動作中のサスペンドとレジュームコマンドは無視 されます。 2.1 フラッシュメモリアレイ S29GL-S ファミリーは、均一な 128ｋB のセクターサイズのセクターアーキテクチャを採用しています。 表 2.1 から 表 2.4 は、4 つのデバイスのセクターアーキテクチャを示しています。 表 2.1 S29GL01GS セクターとメモリアドレスマップ セクターサイズ ( キロバイト ) セクター数 128 1024 セクター範囲 アドレス範囲 (16 ビット ) 説明 SA00 0000000h-000FFFFh セクター開始アドレス : : ‒ SA1023 3FF0000h-3FFFFFFh セクター終了アドレス 表 2.2 S29GL512S セクターとメモリアドレスマップ セクターサイズ （キロバイト） セクター数 128 512 セクター範囲 アドレス範囲 （16 ビット） 説明 SA00 0000000h-000FFFFh セクター開始アドレス : : ‒ SA511 1FF0000h-1FFFFFFh セクター終了アドレス 表 2.3 S29GL256S セクターとメモリアドレスマップ セクターサイズ （キロバイト） 128 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 セクター数 256 セクター範囲 アドレス範囲 （16 ビット） 説明 SA00 0000000h-000FFFFh セクター開始アドレス : : ‒ SA255 0FF0000h-0FFFFFFh セクター終了アドレス GL-S MirrorBit® ファミリー 13 デ ー タ シ ー ト 表 2.4 S29GL128S セクターとメモリアドレスマップ セクターサイズ （キロバイト） セクター数 128 128 セクター範囲 アドレス範囲 （16 ビット） 説明 SA00 0000000h-000FFFFh セクター開始アドレス : : ‒ SA127 07F0000h-07FFFFFh セクター終了アドレス 注意：これらの表は SA001-SA510 のような明示的に記載されていない、すべてのセクターで、同じのアド レス範囲パターンやサイズで形成されていること簡略的に示しています。例えば、すべての 128 kB セク ターは XXX0000h-XXXFFFFh のアドレス範囲パターンになります。 2.2 デバイス ID と CFI (ID-CFI) ASO システムに搭載されたフラッシュメモリの種類を識別するため、システムでは 2 つの従来方式があります。 1 つはこれまで Auto Select として呼ばれてきたものであり、現在ではデバイス識別（ID）と呼ばれていま す。もう一つの方法は、共通フラッシュインターフェース (CFI) と呼ばれています。 ID について、ASO を有効にするためにコマンドは使用され、JEDEC 製造者識別（ID）、デバイス ID、フラッ シュメモリからのいくつかの構成情報と保護ステータス情報を取得するために、最大 16 ワードロケーショ ンを読み出すことができます。フラッシュデバイスを利用するための適切なドライバ ― ソフトウェアを選 択するために、システムは製造者 ＩＤ とデバイス ＩＤ を利用することができます。 CFI もまた、フラッシュメモリの構成や操作方法の基本情報についての拡張可能なテーブルを読み出すために ASO コマンドを使います。この方法を用いると、使用するメモリデバイス仕様に応じて、ドライバーソフト ウェアを記述する必要はありません。代わりに、ドライバーソフトウェアは多くの異なるデバイスを扱うため により一般的な方法で記述されますが、ドライバーの動作は CFI テーブルの情報に基づいて最適化されます。 これまでは、これら 2 つのアドレス空間は、別々のコマンドを使用し、別々のオーバーレイでした。しか し、これら 2 つのアドレス空間のマッピングは重複しないので、単一のアドレス空間に組み合わせ、単一 のオーバーレイの中で一緒に表示することが可能です。自動選択（ID）または CFI オーバーレイにアクセ スするために使用する従来のコマンドのどちらも、組み合わされた ID-CFI アドレスマップを表示させます。 ID-CFI アドレスマップは、ID-CFI 入力コマンド内で使用するアドレスによって選択されたセクター内に表示 され、フラッシュアレイデータをオーバーレイします。ID-CFI ASO が入力されている間、他のすべてのセ クターの内容は未定義です。 ID-CFI アドレスマップは、選択されたセクターの 0 位置から開始されます。ID-CFI ASO の最大定義アドレス 以上から選択したセクターの最大アドレスまでの位置には、未定義データがあります。ID-CFI 入力コマン ドは前世代のメモリが JEDEC 製造者 ID（自動選択）と共通フラッシュインターフェース（CFI）情報で使 用した、同じアドレスとデータ値を使用します。 表 2.5 ID-CFI アドレスマップ概要 ワードアドレス 説明 読み出し / 書き込み (SA) + 0000h から 000Fh デバイス ID（従来の自動選択値） 読み取り専用 (SA) + 0010h から 0079h CFI データ構造 読み取り専用 (SA) + 0080h から FFFFh 未定義 読み取り専用 完全なアドレスマップは、表 6.2 (60 ページ ) を参照してください。 2.2.1 デバイス ID JEDEC の標準 JEP106T は、準拠メモリのための製造元 ID を定義します。共通の業界の使用は、メモリデバ イスから製造者 ID とデバイス固有 ID を読み出す方法とフォーマットを定義しました。製造者 ID をとデバ 14 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト イス ID 情報を使用できます、主にプログラミング機器が対応するプログラミングアルゴリズムとデバイス を自動的に一致するように 設定されています。スパンションはこの 32 バイトのアドレス空間内に追加 フィールドを追加しました。 元の業界フォーマットは、例えば x8、x16、x32 のメモリデータバス幅で動作するように構成されました。 ID コード値は従来はバイト幅ですが、バス幅アドレス境界に位置しています。これはデバイスアドレス入力 のインクリメントが、常にデータバスの最下位バイトに位置する ID コード付きの連続バイト、ワード、ま たはダブルワード位置を読み出すためです。デバイスのデータバスはワード幅で、各コートバイトは、各 ワード位置の下半分に位置しています。元の業界フォーマットは、上位バイトを常に 0 にします。スパン ションはアドレス空間のいくつかのワードで両方のバイトを使用するためにフォーマットを変更しました。 デバイス ID アドレスの詳細説明については、表 6.2 (60 ページ ) を参照ください。 2.2.2 共通フラッシュメモリインターフェース JEDEC 共通フラッシュインターフェース（CFI）仕様 (JESD68.01) は、フラッシュメモリデバイスから読み 出すことができる標準化された仕様構造を定義し、全デバイスファミリーで使用されるベンダー固有ソフト ウェアアルゴリズムを可能にします。データ構造には、さまざまな電気的およびタイミングパラメーター、 デバイスがサポートする特別な機能などのシステム構成情報が含まれます。そのため、ソフトウェアサポー トはデバイスやデバイス ID に依存せず、全フラッシュデバイスファミリーで上位下位互換性があります。 システムは選択されたセクター内のアドレスで CFI 情報を読むことができます。デバイス ID と共通フラッ シュインターフェース（ID-CFI）の ASO マップ (60 ページ ) ページを参照してください。 デバイス ID 情報のように、CFI 情報は、例えば x8、x16、x32 のメモリデータバス幅で動作するように構 成されています。コード値は常にバイト幅ですが、データバス幅アドレス境界に位置しています。これはデ バイスアドレスのインクリメントが、常にデータバスの最下位バイトに位置するコード付きの連続バイト、 ワード、またはダブルワード位置を読み出すためです。データバスはワード幅であり、各コードバイトは各 ワード位置の下位部位置し、上位バイトは常に 0 であるためです。 詳細については、（以降）および JEDEC 仕様書 JEP137-A と JESD68.01 を参照ください。標準については JEDEC (http://www.jedec.org/) にお問い合わせください。スパンション CFI 仕様は、スパンションの Web サ イトでも見ることができます。 (http://www.spansion.com/Support/TechnicalDocuments/Pages/ApplicationNotes.aspx 本文書の発行時点 ) またはウェブサイトに一覧のある地域のスパンション営業所にご連絡ください。. 2.3 ステータスレジスター ASO ステータスレジスター ASO は、自動アルゴリズムの進捗状況を示すレジスタ化された揮発性ステータスから 成る単一のワードです。ステータスレジスターリードコマンドが発行されると、現在のステータスが（WE ＃の立ち上がりエッジによって）レジスターにキャプチャされ、ASO が有効になります。ステータスレジス ターの内容はすべてのワード位置に表示されます。ASO 状態はリードアクセス（CE# または OE# の立ち上が りエッジ）後に終了し、デバイスアドレス空間はステータスレジスターリードコマンドが発行される前の通 常状態に戻ります。なお、ライトコマンドではステータスレジスター ASO 状態は終了しません。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 15 デ ー タ シ ー ト 2.4 データポーリングステータス ASO データポーリングステータス ASO は、EA（自動アルゴリズム）の進捗状況を示す揮発性メモリから成る単 一のワードです。データポーリングステータス ASO 状態への遷移は、EA を開始するコマンドシーケンスの 最後のライトサイクルの直後に行われます。EA を開始するコマンドには次のものがあります。 ワードプログラム プログラムバッファー・ツー・フラッシュ ( コンファーム ) チップイレーズ セクタイレーズ イレーズレジューム / プログラムレジューム プログラムレジューム 拡張方式 ブランクチェック ロックレジスタープログラム パスワードプログラム PPB プログラム オール PPB イレーズ データポーリングによるステータスワードは、デバイスのアドレス空間のすべてのワード位置に割り付けら れます。EA が完了するとデータポーリングステータス ASO は終了し、デバイスアドレス空間は EA が開始 される前の通常状態に戻ります。 2.5 セキュアシリコン領域 ASO セキュアシリコン領域 (SSR) は、一回のみプログラム可能で、更なる変更から永久に保護される追加的なフ ラッシュメモリ領域として提供されます。つまりワンタイムプログラム（OTP）領域とも言えます。SSR は 長さが 1024 バイトです。これは 512 バイトの工場ロック済みセキュアシリコン領域と、512 バイトのカス タマーロック済みセキュアシリコン領域から構成されています。 SSR エントリコマンドによって指定されたセクタアドレスは、SSR アドレスマップとしてオーバレイされる フラッシュメモリアレイセクターを選択します。SSR は選択されたセクター内の先頭位置 0 からオーバーレ イされます。将来の互換性のため、セクター 0 のアドレスを使用することを推奨します。SSR ASO 状態の 間、選択されていない他のすべてのセクターの内容は未定義です。また、選択されたセクタ内で SSR ASO の 最大アドレスを超えるアドレスのデータも未定義となります。 表 2.6 セキュアシリコン領域 16 ワードアドレス範囲 内容 サイズ (SA) + 0000h から 00FFh 工場ロック用セキュアシリコン領域 512 バイト (SA) + 0100h から 01FFh カスタマーロック用セキュアシリコン領域 512 バイト (SA) + 0200h から FFFFh 未定義 127 キロバイト GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 2.6 2.6.1 セクタープロテクション制御 ロックレジスター ASO ロックレジスター ASO 時は、OTP メモリに割り付けられたロックレジスタの単一ワードです。ASO モー ドに遷移すると、ロックレジスタがデバイスアドレス空間のすべてのワード位置に割り付けられます。しか し、将来の互換性のため、ロックレジスターに対するリードまたはライトはデバイスアドレス空間の先頭位 置 0 でのみ行うことを推奨します。 2.6.2 永続的なプロテクションビット (PPB) ASO PPB ASO は、デバイス内の各セクターに対応したフラッシュメモリアレイから成るビットです。PPB ASO モードに遷移すると、そのセクターの PPB ビットが各セクター内アドレスの最下位ビット (LSB) に割り付 けられます。セクター内の他のアドレスへのリード時にも、そのセクターの PPB ビットの状態が出力され ます。しかし、将来の互換性のため、PPB ビットに対するリードまたはライトはセクター内の先頭位置 0 でのみ行うことを推奨します。本ビットが 0 の場合、セクターはプログラミングおよびイレーズ動作から 保護されています。本ビットが 1 の場合、セクターは PPB で保護されていません。セクターは、ASP の他 の機能でも保護されることがあります。 2.6.3 PPB ロック ASO PPB ロック ASO は、揮発性メモリから成る単一のビットです。本ビットは、PPB ASO の全ビットがプログ ラムまたはイレーズされるのをプロテクトできます。本ビットが 0 の場合、PPB ASO はプログラミングお よびイレーズ動作からプロテクトされます。本ビットが 1 の場合、PPB ASO はプロテクトされません。PPB ロック ASO モードに遷移すると、PPB ロックビットがデバイスアドレス空間内の各アドレスの最下位ビッ ト（LSB）に出力されます。しかし、将来の互換性のため、PPB ロックビットに対するリードまたはライト はデバイス内の先頭アドレス 0 でのみ行うことを推奨します。 2.6.4 パスワード ASO パスワード ASO は、OTP メモリから成る 4 ワードです。パスワート ASO モードに遷移すると、パスワードが デバイスアドレス空間内のアドレス 0 から出力されます。4 ワード以降のアドレスのデータは未定義です。 2.6.5 ダイナミックプロテクションビット (DYB) ASO DYB ASO は、デバイス内の各セクターに対応したフラッシュメモリアレイから成るビットです。セクター 内の他のアドレスへのリード時にも、そのセクターの DYＢ ビットの状態が出力されます。しかし、将来の 互換性のため、DYB ビットに対するリードまたはライトはセクター内の先頭位置 0 でのみ行うことを推奨 します。本ビットが 0 の場合、セクターはプログラミングおよびイレーズ動作から保護されています。本 ビットが 1 の場合、セクターは DYB で保護されていません。セクターは、ASP の他の機能でも保護される ことがあります。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 17 デ ー タ シ ー ト 3. データ保護 デバイスは、ハード機能的に任意のセクターの誤書込み・誤消去を防ぐためのいくつかの機能を提供します。 3.1 3.1.1 デバイス保護方法 電源投入時書き込み禁止 パワーオンリセット（POR）時には、RESET#、CE#、WE#、OE# は無視されます。POR 時、デバイスは選択 できず、WE# の立ち上がりエッジでコマンドを受け付けず、出力をさせません。ホストインターフェースコント ローラー（HIC）と組み込みアルゴリズムコントローラー（EAC）はスタンバイ状態にリセットされ、POR 時に はアレイデータ読み出し準備ができています。CE# または OE# は、POR(tvcs) の終了前に行う必要があります。 POR の終了時、デバイスの条件は以下のとおりです： 3.1.2 すべての内部構成情報がロードされている、 デバイスは読み出しモードである、 ステータスレジスターがデフォルト値である、 DYB ASO 内のすべてのビットが、すべてのセクターで未保護に設定されている、 ライトバッファにはすべて 1 がロードされている、 EAC はスタンバイ状態にある。 低 VCC 書き込み禁止 VCC が VLKO 以下の場合には、HIC はすべての書き込みサイクルと EAC リセットを受け付けません。これは VCC 電源投入時および電源切断時にデータを保護します。VCC が VLKO 以上の場合には、システムは意図し ない書き込みを防ぐため、適切な信号を制御ピンに提供する必要があります。 3.2 コマンド保護 組み込みアルゴリズムは、EAC コマンドメモリへの書き込みコマンドシーケンスによって開始されます。コマ ンドメモリアレイは、ホストシステムでは読み出しできず、ASO を持ちません。各ホストインターフェース書 き込みは、デバイスに対するコマンドまたはコマンドシーケンスの一部です。EAC は、書き込みが適切なコマ ンドシーケンスの一部かどうかを判断するために、各書き込み転送中のアドレスとデータを確認します。適切 なコマンドシーケンスが完了すると、ＥＡＣ は適切な自動アルゴリズム動作を開始します。 誤ったアドレスまたはデータ値を書き込む、またはイリーガルなシーケンスを発行すると、一般的には EAC がスタンバイ状態に戻ることになります。しかし、そのような不適切なコマンドシーケンスはデバイ スを不明な状態にすることがあり、そのような場合にはシステムがリセットコマンドを書き込むか、 RESET# 信号を L にすることでハードウェアリセットを提供し、EAC をスタンバイ状態に戻し、ランダム読 み出しの準備をする必要があります。 各書き込みに提供されたアドレスは、デバイスへのコマンドとして書き込みを識別するために役立つビット パターンを含むことができます。アドレスの上位部分は、コマンド動作を実行するセクターアドレスも選択 することができます。セクターアドレス（SA）には AMAX から A16 フラッシュアドレスビットまで (A17 ∼ Amax までのシステムバイトアドレス信号 ) が含まれます。コマンドビットパターンは A10 から AO フ ラッシュアドレスビット内に位置しています（A1 ∼ A11 までのシステムバイトアドレス信号）。 各書き込みのデータは次のとおりです。コマンドとして書き込みを識別するのに役立つビットパターン、実 行するコマンド動作を識別するコード、または動作を実行するために必要な提供情報。デバイスが受け入れ るすべてのコマンド一覧については、表 6.1 (57 ページ ) を参照ください。 3.3 セキュアシリコン領域 (OTP) セキュアシリコン領域 (SSR) は、一回プログラム可能で、恒久的に将来の変化から保護される追加的なフ ラッシュメモリ領域を提供します。つまりワンタイムプログラム（OTP）領域とも言えます。SSR は長さ が 1024 バイトです。これは 512 バイトの工場ロック済みセキュアシリコン領域と、512 バイトのカスタ マーロック済みセキュアシリコン領域から構成されています。 18 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 3.4 3.4.1 セクター保護方法 書き込み保護信号 WP# = VIL の場合、最下位または最上位アドレスセクターは、その他すべての ASP 構成とは独立して、プロ グラムまたは消去動作から保護されています。最下位または最上位セクターかどうかは、選択されたデバイ スオーダーオプション（モデル）に依存します。WP# = VIH の場合、最下位または最上位アドレスセク ターは WP# 信号によって保護されていません。しかし、ASP 構成の他の観点によって保護されています。 WP# は内部プルアップを持ち、未接続のときには、WP# は VIH にあります。 3.4.2 ASP アドバンストセクター保護（ASP）は、任意または全部のセクター内で、個別にプログラミングまたは消去 動作を無効 / 有効にするために用いる独立したハードウェアとソフトウェア方式のセットです。このセク ションでは、メモリアレイに保存されたデータのさまざまな保護方法を記載しています。これらの方法の概 要を、図 3.1 に示します。 図 3.1 アドバンストセクター保護の概要 ロックレジスター Lock Register (One Time Programmable) （一回だけプログラム可能） パスワード方式 Password Method 永続的な方法 Persistent Method (DQ2) (DQ1) 64ビッ トパスワード 64-bit Password (One Time Protect) （一回だけ保護） 1,2,3 PPBロックビッ ト PPB Lock Bit 00 == PPBロック済み PPBs Locked 11==PPBロック解除 PPBs Unlocked 1. volatile, and リセッ defaults to “1” on reset1(to 1. Bit ビッisトは揮発性で、 トでデフォルトの に戻る 0 ）。 “0” if in（パスワードモードの場合には Password Mode). 2. Programming 0 へのプログラミングは、 2. to “0” locksすべてのPPBを現 all PPBs to their 在の状態にロックします。 current state. 3. Once 一度 0programmed にプログラムされると、 ロック解除に 3. to “0”, requires hardware はハードウェアリセッ トまたはパスワードの reset to unlock or application of the 適用が必要です。 password. メモリアレイ Memory Array 永続的な Persistent 保護ビットBit Protection (PPB)5,6 セクター0 Sector 0 PPB 0 DYB 0 Sector 1 セクター1 PPB 1 DYB 1 Sector 2 セクター2 PPB 2 DYB 2 セクターN-2 Sector N-2 PPB N-2 DYB N-2 セクターN-1 Sector N-1 PPB N-1 DYB N-1 PPB N DYB N 4 Sector N セクターN4 4. N ==最上位アドレスセクター。 Highest Address Sector. 4. N 5. 0 = 保護済みセクター Sector Protected, Sector Unprotected. 11 == 保護されていないセクター 6. PPBs programmed individually, 6. 個別にプログラムされたPPB、 but cleared collectively しかし、 まとめて消去 ダイナミック Dynamic 保護ビット Bit Protection (DYB)7,8,9 7. 0 = 保護済みセクター 1 = 保護されていないセクター 8. 対応するPPBが“1”（保護なし）の場合のみ、保護は有効 9. 揮発性ビット：電源投入時にユーザー選択がデフォルト （オーダーオプションを参照）。 すべての主要なフラッシュアレイセクターは、それに関連する不揮発性（PPB）と揮発性（DYB）保護 ビットを持ちます。どちらかのビットが 0 の場合、セクターはプログラムおよび消去動作から保護されて います。 PPB ビットは、PPB ロックビットが 0 である場合に、プログラムやイレーズから保護されます。PPB ロック ビットの状態を管理する方式には、恒久保護およびパスワード保護の 2 つがあります。 恒久的な保護方法は、POR またはハードウェアリセット時に PPB ロックを 1 に設定し、PPB ビットがデ バイスリセットで保護されないようにする方法です。PPB ビットを保護するために、PPB ロックビットを 0 に消去するためのコマンドがあります。 恒久的な保護方法で PPB ロックビットを設定するコマンドはなく、次のパワーオフまたはハードウェアリ 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 19 デ ー タ シ ー ト セットまで、PPB ロックビットは 0 のままです。恒久的な保護方法は、プログラミングまたは PPB 消去に よってセクター変更を保護するオプションであるブートコードを可能にし、次に PPB ロックビットを消去 することで、通常のシステム動作の残りを、さらなる変化から PPB を保護します。これをブートコード制 御セクター保護と呼んでいます。 パスワード方式は PPB を保護するために、POR またはハードウェアリセット時に PPB ロックビットを 0 に消去します。パスワード方式では、64 ビットのパスワードを恒久的にプログラムし、隠すことができま す。コマンドはパスワードを提供し、隠しパスワードと比較するために使用できます。パスワードが一致し た場合には、PPB ロックビットは PPB を保護解除するために 1 に設定されます。PPB ロックビットを 0 に消去するために、コマンドを使用できます。 PPB ロック管理方法の選択は、使用方法を恒久的に選択するために、ロックレジスターの OTP ビットのプ ログラミングによって行われます。 ロックレジスターは SSR 保護用の OTP ビットも含みます。 スパンションから出荷時点で、すべての主なフラッシュアレイセクターは未保護となるように、PPB ビッ トは消去されています。セキュアシリコン領域はオーダーオプション（モデル）に応じて、工場出荷時保護 または未保護のままとすることができます。 3.4.3 PPB ロック 恒久的な保護ビットロックは、すべての PPB ビットを保護するための揮発性ビットです。0 に消去すると、 すべての PPB をロックし、1 に設定すると PPB の変更を許可します。デバイスごとに PPB ロックビット は 1 つしかありません。 PPB ロックコマンドを使用してビットを 0 にクリアします。PPB ロックビットは、必ずすべての PPB を目的 の設定に構成した後で、0 にクリアしてください。 恒久的な保護モードでは、POR またはハードウェアリセット時に PPB ロックは 1 に設定されます。消去さ れると、ソフトウェアコマンドシーケンスでは PPB をロックに設定できず、PPB ロックビットを設定でき るのはハードウェアリセットまたは電源投入だけです。 パスワード保護モードでは、POR またはハードウェアリセット時に PPB ロックは 0 に消去されます。PPB ロックは、パスワードロック解除コマンドシーケンスによってのみ、1 に設定できます。PPB ロックは、 PPB ロックビット消去コマンドで消去できます。 3.4.4 恒久的な保護ビット (PPB) 恒久的な保護ビット（PPB）は、個別の不揮発性フラッシュアレイに配置されます。PPB の 1 つは、各セク ターに割り当てられます。PPB が 0 の場合、その関連するセクターはプログラムおよび消去動作から保護さ れています。PPB は個別にプログラムされていますが、グループとして消去が必要です。これは個々のワー ドがメインアレイでプログラム可能ですが、消去については、全セクター一括で行う必要があります。消去 前のプリプログラミングとベリファイは、EAC によって処理されます。 PPB ビットのプログラミングは、一般的なワードプログラミング時間を必要とします。PPB ビットプログラ ミング動作または PPB ビット消去時、動作が完了するまで、データポーリング状態 DQ6 トグルビット I は トグルします。すべての PPB を消去するには、一般的なセクター消去時間が必要です。 PPB ロックが 0 の場合、PPB プログラムまたは消去コマンドは実行されず、タイムアウトします。 所定のセクターの PPB の保護状態は、PPB ASO への入力時に PPB 状態読み出しコマンドの実行によって 確認されます。 3.4.5 ダイナミック保護ビット (DYB) ダイナミック保護ビットは揮発性であり、各セクターに対して一意であり、個別に変更できます。DYB は、 消去した PPB を持つセクターの保護のみを制御します。DYB セットまたは消去コマンドシーケンスを発行 して、DYB は 0 に設定または 1 に消去されます。こうして、セクターの PPB が 1 の場合には、それぞれ保 護済みまたは未保護の状態に各セクターを配置します。この機能により、ソフトウェアで簡単にセクタを予 期せぬ書換えから保護できますが、変更が必要になった場合に簡単に保護解除することはできません。 DYB は必要に応じて 0 に設定するか、1 に消去できます。 20 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 3.4.6 セクター保護状態の概要 各セクターは、次の保護状態のどれか 1 つになります。 ロック解除 - このセクターは保護されておらず、保護は簡単なコマンドで変更できます。電源再投 入またはハードウェアリセット後の保護状態は、デフォルトで未保護です。 ダイナミックロック済み - このセクターは保護されており、保護は簡単なコマンドで変更できま す。電源再投入またはハードウェアリセット前後で、保護状態は保存されません。 恒久的ロック - セクタは保護されています。PPB ロックビットが 1 にセットされている場合のみ、プロ テクトを変更できます。プロテクトの状態は不揮発性で、パワーサイクルまたはハードウェアリセッ ト後も保存されます。保護状態の変更には、プログラミングまたは PPB ビットの消去が必要です。 表 3.1 セクター保護状態 保護ビット値 3.4.7 セクター状態 PPB ロック PPB DYB 1 1 1 保護なし - PPB と DYB は変更可能 1 1 0 保護あり - PPB と DYB は変更可能 1 0 1 保護あり - PPB と DYB は変更可能 1 0 0 保護あり - PPB と DYB は変更可能 0 1 1 保護なし - PPB は変更不可、DYB は変更可能 0 1 0 保護あり - PPB は変更不可、DYB は変更可能 0 0 1 保護あり - PPB は変更不可、DYB は変更可能 0 0 0 保護あり - PPB は変更不可、DYB は変更可能 ロックレジスター ロックレジスターは SSR の保護制御のために不揮発性 OTP ビットを保持し、PPB ロックビット管理方法 を決定します（保護モード）。 表 3.2 ロックレジスター ビット デフォルト値 名前 15-9 1 予約済み 8 0 予約済み 7 X 予約済み 6 1 SSR リージョン 1（カスタマー）ロックビット 5 1 予約済み 4 1 予約済み 3 1 予約済み 2 1 パスワード保護モードロックビット 1 1 恒久的な保護モードロックビット 0 0 SSR リージョン 0（工場）ロックビット セキュアシリコン領域（SSR）保護ビットは、注意して使用してください。これは一度ロックされると、 セキュアシリコン領域の保護部分をロック解除するための手段がなく、保護されたセキュアシリコン領域の メモリスペースをどのようにしても変更できなくなるためです。セキュアシリコン領域が保護されると、プ ログラムする領域が保護されているというステータスが表示され、それ以降この領域へのプログラムのあら ゆる試みは失敗します。リージョン 0 インジケータービットは、ビット位置 0 のロックレジスターと、 ビット位置 6 のリージョン 1 に位置します。 工場出荷時はすべてのデバイスはデフォルトで恒久的な保護方法に設定され、電源が供給されるとすべての セクターは未保護です。デバイスプログラマーやホストシステムは、どのセクター保護方法を使用するか選 択できます。2 つのプログラミング（一回プログラム可能、不揮発性ビット）は、以下のモードで恒久的に 部分をロックします。 恒久的な保護モードロックビット (DQ1) パスワード保護モードロックビット (DQ2) 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 21 デ ー タ シ ー ト 両方のロックビットが同時にプログラムするように選択されている場合には、動作は中断します。パスワー ドモードロックビットがプログラムされると、恒久的モードロックビットは永久に無効とされ、保護方式に 対する変更は許可されません。同様に、恒久的モードロックビットがプログラムされている場合、パスワー ドモードは永久に無効です。 パスワードモードが選択されると、対応するロックレジスタービットを設定する前に、パスワードをプログ ラムする必要があります。パスワード保護モードロックビットの設定をプログラムすると、PPB アレイを 保護するために PPB ロックビットを 0 に設定するために、電源再投入、ハードウェアリセット、または PPB ロックビット設定コマンドが要求されます。 ロックレジスターのプログラミング時間は、一般的なワードプログラミング時間と同じです。ロックレジスター プログラミング EA の間、データポーリング状態 DQ6 トグルビット I は、プログラミングが完了するまでトグ ルします。システムはまた、ステータスレジスターを読み出すことで、ロックレジスタープログラミング状態を 決定できます。これらのステータスビットの情報は ステータスレジスター (37 ページ ) を参照ください。 ユーザーは DQ2 または DQ1、および DQ6 または DQ0 ビットを同時にプログラムすることは要求されませ ん。これはデバイス保護スキームを選択前後に、ユーザーが SSR をロックすることを可能にします。ロッ クビットをプログラムする場合、リザーブビットは 1（マスク済み）でなくてはいけません。 3.4.8 恒久的な保護モード 恒久的な保護方法は、POR またはハードウェアリセット時に PPB ロックを 1 に設定し、PPB ビットがデ バイスリセットで保護されないようにする方法です。PPB を保護するために、PPB ロックビットを 0 に消 去するためのコマンドがあります。恒久的な保護方法で PPB ロックを 1 に設定するコマンドはなく、次の パワーオフまたはハードウェアリセットまで、PPB ロックビットは 0 のままです。 3.4.9 3.4.9.1 パスワード保護モード PPB パスワード保護モード PPB パスワード保護モードは、PPB ロック設定に 64 ビットパスワードを要求することで、恒久的なセク ター保護モードより高いレベルのセキュリティを可能にします。このパスワード要件に加えて、電源投入と リセット後、電源投入時に保護を確実にするために PPB ロックは 0 に消去されます。すべてのパスワード を入力することで、パスワードロック解除コマンドを正常に実行して PPB ロックを 1 に設定し、セクター PPB の変更を可能にします。 パスワード保護の注意： 22 パスワードプログラムコマンドは、0 のプログラミングだけが可能です。 スパンションからの出荷時、パスワードはすべて 1 です。これは独自のメモリ空間に配置され、パ スワードプログラムおよびパスワード読み出しコマンドの使用によってアクセスできます。 すべての 64 ビットパスワードの組み合わせは、パスワードとして有効です。 パスワードがプログラムされ検証されると、パスワードの読み出しまたは変更を防ぐためにパス ワードモードロックビットを設定しなければなりません。 パスワードモードロックビットがプログラムされると、データバス上の 64 ビットパスワードの読み出し と、さらなるパスワードプログラミングは行えません。パスワード領域に対するさらなるプログラムと 読み出しコマンドは無効にされ（データは 1 として読み出される）、これらのコマンドは無視されます。 パスワード保護モードロックビットがプログラムされた後に、パスワードが何であるかを確認する方法 はありません。パスワード検証は、パスワード保護モードを選択する前にのみ許可されています。 パスワードモードロックビットは消去できません。 ロック解除機能を実行するためには、正確なパスワードを入力する必要があります。 アドレスは任意の順番でロードできますが、正しく一致するには 4 ワードすべてが必要です。 セクターアドレスとワードラインアドレスはパスワードアドレス／データがロードされている間に 比較されます。セクターアドレスが一致しない場合、書き込みサイクルの最後にエラーが報告され ます。ステータスレジスターは、プログラミング動作の失敗を表す、プログラム状態ビットの 1 設 定、プログラム状態レジスタービットの 1 設定、ライトバッファ中断ステータスビットの 1 設定 がされて、スタンバイ状態に戻ります。有効なパスワードがなく、なお保護状態にあるので、PPB ロックビットの状態の変更は失敗します。データポーリング状態は、DQ7 がパスワードロック解 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 除コマンドの最後のワードの DQ7 ビットの補完に設定され、DQ6 トグルで、アクティブなままで す。RY/BY# は L ままになります。 Program Buffer To Flash（プログラムバッファーからフラッシュ）コマンドが与えられた後、特定 のアドレスとデータが比較されます。それらが内部の設定値と一致しない場合、ステータスレジス ターは、プログラミング動作が失敗したことを示すプログラム状態ビットの 1 設定とプログラムス テータスレジスタビットの 1 設定がされて、スタンバイ状態に戻ります。有効なパスワードがな く、なお保護状態にあるので、PPB ロックビットの状態の変更は失敗します。データポーリング 状態は、DQ7 がパスワードロック解除コマンドの最後のワードの DQ7 ビットの補完に設定され、 DQ6 トグルで、アクティブなままです。RY/BY# は低のままになります。 デバイスは、有効な 64 ビットパスワードがデバイスに与えられた後、PPB ロックを設定するため に約 100μ 秒必要とします。 パスワードロック解除コマンドは、1 回につき 100μ 秒 ± 20μ 秒よりも短い時間で受け付けること はできません。これによって、ハッカーが正しく一致するパスワードを全試行するために 64 ビッ トすべての組み合わせを実行するには、非現実的な長さの時間（5800 万年）かかります。EAC が 新しいパスワードコマンドを受け入れる準備ができたときは、EA ステータス確認方式を決定する ために使用できます。 パスワードモードロックビット設定後にパスワードが失われた場合、PPB ロックを消去する方法は ありません。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 23 デ ー タ シ ー ト 4. 4.1 読み出し動作 非同期読み出し 各読み出しアクセスは、メモリ（ランダムアクセス）中のあらゆる場所に行えます。各ランダムアクセス は、CE# またはアドレスから有効なデータへ遅延時間がかかります。 （tACC または tCE） 4.2 ページモード読み出し 各ランダム読み出しは、並行して 32 バイトページの全体にアクセスします。同じページ内の以降の読み出 しは、高速な読み出しアクセス速度となります。ページは上位アドレスビット（A4 ∼ Amax）によって選 択され、ページの特定のワードは最下位アドレスビット A0 ∼ A3 で選択されます。上位アドレスビットは 一定に保たれ、同じページの異なるワードを選択するためには A0 ∼ A3 だけが変更されます。これは CE# は L のまま、OE# は L のまま、非同期ページアクセスタイム (tPACC) が満たされたときの、DQ15-DQ0 上 に出現するデータの非同期アクセスです。CE# が H となり、以降のアクセスで L が返された場合、ランダ ム読出しアクセスタイムが必要です。(tACC または tCE)。 24 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 5. 自動アルゴリズム動作 5.1 自動アルゴリズムコントローラー (EAC) EAC はプログラミングとフラッシュメモリアレイの消去のため、ホストアレイからコマンドを受け取り、 不揮発メモリ状態を変更するために必要なすべての制御をデバイス内部で処理します。この機能により、ホ ストシステムは、書き込みおよび消去動作の管理を行う必要がありません。 4 つの EAC 動作カテゴリーがあります： 5.1.1 スタンバイ（読み出しモード） アドレス空間切り替え 組み込みアルゴリズム (EA) アドバンストセクター保護 (ASP) 管理 EAC スタンバイ スタンバイモードでは、消費電流は大幅に低減されます。コマンドが処理されず、組み込みアルゴリズムが 進行中でないとき、EAC はスタンバイモードに入ります。組み込みアルゴリズムの途中で、デバイスが解 除（CE#=H）されると、動作が完了するまで、デバイスには、アクティブ電流が流れ続けます (ICC3)。 直流特性 (74 ページ ) の ICC4 は、ホストインターフェースと EAC の両方がスタンバイ状態にあるときの スタンバイ電流仕様を示しています。 5.1.2 アドレス空間切り替え 特定のアドレスとデータ配列（コマンドシーケンス）を書き込むと、メインフラッシュアレイからアドレス 空間オーバーレイ（ASO）の 1 つに、メモリデバイスアドレス空間を切り替えます。 組み込みアルゴリズムは、現在アクティブな（入力された）ASO に表示された情報を動作します。システ ムが ASO 終了コマンドを発行、ハードウェアリセットを実行する、またはデバイスの電源が切られるま で、システムは ASO へのアクセスを継続します。ASO 終了コマンドは、ASO をメインフラッシュアレイ アドレス空間に戻すように切り替えます。特定の ASO が入力され、コマンド定義テーブルの ASO 入力と 終了コマンドの間にリストされると、コマンドが許可されます。すべてのコマンドシーケンスのアドレスと データ条件については コマンド定義 (57 ページ ) を参照ください。 5.1.3 組み込みアルゴリズム (EA) メモリアレイ内の不揮発性データの 書換えには、自動アルゴリズム（EA）と呼んでいる動作シーケンスを 必要とします。アルゴリズムはデバイス内部組み込みアルゴリズムコントローラー（EAC）によって完全 に管理されています。メインのアルゴリズムがメインアレイのデータと ASO のプログラムとイレーズを実 行します。ホストシステムはコマンドコードをフラッシュデバイスのアドレス空間にライトします。EAC はコマンドを受け取り、コマンドを完了するのに必要なすべてのステップを実行し、EA の進行中にステー タス情報を提供します。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 25 デ ー タ シ ー ト 5.2 プログラムと消去の概要 フラッシュデータビットは、セクターと呼ばれる大きなグループの中で並列に消去されます。消去動作は、 論理 1 状態（H）のセクター内に各データビットを配置します。フラッシュデータビットは、消去された 1 状態からプログラムされた論理 0（L）状態に個別にプログラムできます。0 のデータビットをプログラム で 1 に戻すことはできません。続けて読出しを行うと、 「0」のままであることがわかります。0 から 1 に変 換できるのは、イレーズ動作のみです。同じワードロケーションを別の 0 ビットで複数回プログラムする と、直前のデータの論理積となって、新しいデータがプログラムされることになります。 プログラムの期間と消去動作は 自動アルゴリズム性能表 (46 ページ ) に示します。 プログラムと消去動作は一時停止されることがあります。 他のセクター（消去セクターではない）のプログラミングまたは読み出しを可能にするために、消 去動作が一時停止されることがあります。消去の一時停止中に、他の消去動作は開始できません。 他の場所（プログラムされるライン内ではない）を読み出すことを可能にするために、プログラム 動作を一時停止することもできます。 その他のプログラムまたは消去動作は、プログラム動作の一時停止中に開始することができませ ん。プログラムまたは消去コマンドは、プログラム動作の一時停止中には無視されます。 プログラム動作または読み出しアクセスへの割り込みが完了後、一時停止中の消去またはプログラ ム動作は再開されます。デバイスが別のコマンド実行のプロセス中でないと想定されると、一時停 止後にいつでも再開ができます。 プログラムと消去動作は必要に応じて中断されることがあります。しかし、プログラムまたは消去 動作が進行して完了するためには、一時停止と次の再開コマンドの間に 自動アルゴリズム性能表 (46 ページ ) にある tPRS または tERS 以上の時間が必要です。 組み込みアルゴリズム (EA) が完了すると、EAC は EA が開始された動作モードとアドレス空間に戻 ります（消去一時停止または EAC スタンバイ）。 システムはステータスレジスターを読み出すまたはデータポーリング状態を使用して、プログラムまたは消 去動作の状態を決定できます。これらのステータスビットの情報は ステータスレジスター (37 ページ ) を 参照ください。詳細については データポーリングステータス (38 ページ ) を参照ください。 組み込みプログラムアルゴリズムの実行中にデバイスに書き込まれるコマンドは、プログラム一時停止とス テータス読み出しコマンド以外は無視されます。 組み込み消去アルゴリズムの実行中にデバイスに書き込まれるコマンドは、消去一時停止とステータス読み 出しコマンド以外は無視されます。 ハードウェアリセットは、プログラム／消去動作を直ちに終了し、tRPH 時間後に読み出しモードに戻りま す。データの整合性を確保するため、終了した動作は、デバイスがアイドル状態に戻ったら再開する必要が あります。 パフォーマンスと信頼性の理由から、読み出しとプログラミングは、32 バイトページ上で内部的に行われ ています。 直流特性 (74 ページ ) の ICC3 は、書き込み（組み込みアルゴリズム）動作のアクティブ電流仕様を表して います。 5.2.1 プログラムの単位 S29GL-S は、ワードプログラミングとライトバッファプログラミングの 2 つのプログラミング方法をサポー トしています。産業用温度バージョン（-40°C ∼ +85°C）では、必要に応じてワードプログラミングとラ イトバッファプログラミングの双方が使用されます。車載用バージョン（-40°C ∼ +105°C）では、消去 後に各 32 バイトページに対して 1 回のライトバッファプログラミング動作だけをサポートし、シングル ワードプログラミングコマンドはサポートされません。 ワードプログラミングは、コマンドで転送されたデータとアドレス指定されたメモリアレイワードのデータ を比較して、各メモリセルが 0 にプログラムできるかを確認します。 同様にライトバッファプログラミングは、コマンドでバッファー転送されたデータと指定されたメモリアレイ ワードページのデータを比較します。なお、ライトバッファの全てをデータで満たす必要はありません。単一 ビット、複数ビット、単一ワード、複数ワード、1 ページ、複数ページ、またはバッファー全てのプログラミン グ動作が可能です。ライトバッファプログラムングの使用は、ホストシステムのオーバヘッドを削減することが 26 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト できます。プログラム動作に関するメモリーデバイス内部処理を効率的に動作させることで全体のオーバヘッド を削減し、ワードプログラミングコマンドを使って個々のワードをプログラミングするより高速になります。 5.2.2 インクリメンタルプログラミング 同じワード位置は、ワードまたはライトバッファプログラミング方式のいずれによっても、1 から 0 へのイ ンクリメントな変更が 1 回以上プログラム可能です。 5.3 コマンド設定 5.3.1 5.3.1.1 プログラム方法 ワードプログラミング ワードプログラミングは、メインフラッシュメモリアレイの任意の場所に単一ワードをプログラムするため に使用されます。 ワードプログラミングコマンドは、4 つの書き込みサイクルシーケンスです。プログラムコマンドシーケン スは、2 つのロック解除書き込みサイクルから開始され、プログラム設定コマンドが続きます。プログラム アドレスとデータが次に書き込まれ、順番に組み込みワードプログラムアルゴリズムが開始されます。シス テムは、さらに制御やタイミングを提供する必要はありません。デバイスは自動的にプログラムパルスを生 成し、内部的にプログラムされたセルマージンを検証します。自動ワードプログラムアルゴリズムが完了す ると、EAC はスタンバイモードに戻ります。 システムは、データポーリング状態の使用、ステータスレジスターの読み出し、または RY/BY# 出力の監 視によって、プログラム動作の状態を調べることができます。これらのステータスビットの情報は ステー タスレジスター (37 ページ ) を参照ください。これらのステータスビットの情報は データポーリングス テータス (38 ページ ) を参照ください。プログラミング動作図については、図 5.1 (27 ページ ) を参照くださ い。 組み込みプログラムアルゴリズムの実行中、デバイスへ書き込まれるプログラム一時停止コマンド以外はす べて無視されます。ハードウェアリセット (RESET# = VIL) は直ちにプログラミング動作を終了し、デバイ スは tRPH 時間後に読み出しモードに戻ります。データの整合性を保証するため、プログラムコマンドシー ケンスは、デバイスがハードウェアリセット動作を完了後に再開する必要があります。 アンロックサイクルなしのワードプログラミングコマンドは、ロックレジスター、パスワード、PPB ASO に入るときのプログラミングとして使用されています。PPB ロックと DYB ASO に入るときに、揮発性 ビットを変更するために、同じコマンドが使用されます。プログラムコマンドシーケンスについては、 表 6.1 (57 ページ ) を参照ください。 図 5.1 ワードプログラム動作 START 開始 Write 書き込みプログラムコマンド Program Command シーケンス Sequence Data Poll from System システムからのデータポーリング Embedded 組み込み Program プログラム アルゴリズム algorithm 進行中 in progress ワードを検証しますか？ No いいえ はい No いいえ 最後のアドレスですか？ Increment Address インクリメントアドレス はい プログラミング完了 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 27 デ ー タ シ ー ト 5.3.1.2 ライトバッファプログラミング ライトバッファは、512 バイト境界（ライン）上に配置した 512 バイトアドレス範囲内のデータをプログラム するために使用されます。このように、フルサイズのライトバッファプログラミング動作は、ライン単位で行 う必要があります。フル 512 バイト以下のプログラミング動作は、任意のワード境界で開始できますが、ライ ン境界をまたぐことはできません。ライトバッファプログラミング動作の開始時、バッファー中のすべての ビット位置はすべて 1（FFFFh ワード）であり、そのためロードされない任意の位置には、既存のデータが保 持されます。アドレスマップについての詳細は、製品概要 (10 ページ ) を参照ください。 ライトバッファプログラミングは、最大 512 バイトを一回の動作でプログラムできます。各ライトバッ ファプログラミング動作では、1 ビットから 512 バイトまでのプログラムが可能です。複数ページに書き込 み、各ページは 1 回だけ書き込むことを推奨しています。最高のパフォーマンスを得るには、512 バイト境 界上の 512 バイト整列ライン全体でプログラミングを行う必要があります。 ライトバッファプログラミングは、メインフラッシュアレイまたは SSR ASO でのみサポートされています。 ライトバッファプログラミング動作は、2 つのック解除サイクルの最初の書き込みで開始されます。この 後、プログラミングが発生しているセクターアドレス（SA）で、バッファーへの書き込みコマンドの 3 回 目の書き込みサイクルが続きます。次にシステムは、プログラムするワードロケーション数 - 1 をライトし ます。これにより、デバイスはデータをロードするライトバッファアドレス数を認識し、したがって、プロ グラムバッファ - ツー - フラッシュ確認コマンドの実行タイミングを知ることになります。セクターアドレ スは、バッファーへの書き込みコマンドと、ワード数書き込みコマンドの中で一致することが必要です。プ ログラムされるセクターはロック解除（未保護）されていることが必要です。 次にシステムは、開始アドレス / データの組み合わせを書き込みます。この開始アドレスはプログラムされ る最初のアドレス / データのペアであり、ライトバッファラインアドレスを選択します。セクターアドレス は、バッファーセクターアドレスへの書き込みに一致する必要があり、そうでない場合には、動作が中断さ れ、開始状態に戻ります。すべての以降のアドレス / データペアは、連続した順序であることが必要です。 すべてのライトバッファアドレスは、同じライン内になければなりません。システムがこの範囲外のデータ をロードしようとすると、動作は中断され、初期状態に戻ります。 カウンターは、毎回のデータロード動作でデクリメントしていきます。データ書き込みをカウントダウンし ながら、毎回の書き込みは、ライトバッファへのデータのロードと見なされることにご注意ください。ライ トバッファロード期間中は、すべてのコマンドが不可能です。ライトバッファのロードを停止する唯一の方 法は、プログラミング動作のライン外にあるアドレスを使って書き込むことです。この無効なアドレスは、 直ちにバッファーへの書き込みコマンドを中断します。 指定された数のライトバッファ位置がロードされると、システムはセクターアドレスに、フラッシュへのプ ログラムバッファーコマンドを書き込む必要があります。デバイスはビジー状態になります。自動プログラ ムアルゴリズムは自動的に、正しいデータパターンをプログラムし、検証します。システムは、これらの動 作中に、制御やタイミングを提供する必要はありません。ライトバッファ位置の不正な数がロードされてい る場合、動作は中断され、開始状態に戻ります。ワードカウントの最後が期待されているコマンドで、フ ラッシュへのプログラムバッファー以外のものが書き込まれると、中断されます。 ライトバッファ組み込みプログラミング動作は、プログラム一時停止コマンドを使用して一時停止できま す。自動プログラムアルゴリズム が完了すると、EAC はプログラミング動作が開始された EAC スタンバ イまたは消去一時停止状態に戻ります。 システムは、データポーリング状態の使用、ステータスレジスターの読み出し、または RY/BY# 出力の監視に よって、プログラム動作の状態を調べることができます。これらのステータスビットの情報は ステータスレジ スター (37 ページ ) を参照ください。これらのステータスビットの情報は データポーリングステータス (38 ページ ) を参照ください。プログラミング動作図については、図 5.2 (29 ページ ) を参照ください。 ライトバッファプログラミングシーケンスは、以下の条件で中断されます： バッファーサイズ（255）よりも大きなワードカウント値をロード。 バッファーへの書き込みコマンドで提供されたライン外のアドレスを書き込む。 データワードの書き込みワードカウント数がロードされた後、フラッシュへのプログラムバッ ファーコマンドが発行されていない。 条件のどれかがライトバッファコマンドの中断の原因になった場合、イリーガル条件の直後に中断が発生 し、ライトバッファ中断ビット位置 3（WBASB = 1）のため、ビット位置 4（PSB = 1）のステータスレジ スターの中のプログラムが失敗したことを示します。次の成功するプログラム動作は、失敗ステータスを消 去するか、PSB 状態ビットを消去するために、ステータスレジスターの消去を発行できます。 ライトバッファプログラミングシーケンスは、以下によって停止できます：ハードウェアリセットまたは電 源再投入。しかし、これらの方法のいずれかの使用は、中間的な不安定な状態のデータになってしまう場合 28 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト があります。この場合、同じ領域を同じデータで再プログラムするか、適切にプログラムに書き直す必要が あります。 図 5.2 データポーリング状態でライトバッファプログラミング動作 “バッファーへの書き込み” コマンドセクターアドレスへの書き込み Write “Word Count” プログラムへの“ワードカウント” to program (WC) 書き込み-- 1 1 (WC) Sector Address 開始アドレス/データの書き込み Write Starting Address/Data はい Yes WC = 0? Write to a different Sector Address 別のセクターアドレスへの書き込み いいえ バッファーへの 書き込み操作を中止？ はい バッファーへの書き込み中断。 読み出しモードに戻るには、 バッファーへの書き込 み中断、 リセット コマンドシーケンス の書き込みが必要 いいえ （注意4） (Note 4) 次のアドレス/データペアの書き込み WC = WC - 1 プログラムバッファーからフラッシュ への書き込み確認、セクターアドレス DQ7-DQ0読み出し Addr = 最後にロードされたアドレス はい DQ7 = データ? いいえ いいえ いいえ DQ1 = 1? はい DQ5 = 1? はい DQ7-DQ0読み出し Addr = 最後にロードされたアドレス はい DQ7 = データ? いいえ FAILまたはABORT （注意2） PASS 注意： 1. DQ7 は DQ5 と同時に変更することがあるため、DQ5 = 1 の場合でも DQ7 を再チェックしてください。 2. DQ5 = 1 のため、このフローチャートの場所に到達した場合、デバイスは失敗しました。DQ1 = 1 のため、このフローチャートの場所 に到達した場合、ライトバッファ動作は中断されました。いずれの場合も、デバイスを読み出しモードに戻すには、デバイスに適切な りセットコマンドを書き込む必要があります。DQ1 = 1 の場合ライトバッファプログラミング中断一時停止、DQ5 = 1 の場合ソフト ウェアリセットまたはライトバッファプログラミング中断リセット。 3. ライトバッファプログラミングに必要なコマンドシーケンスについては、表 6.1 コマンド定義 (57 ページ ) を参照ください。 4. セクターアドレスが指定されると、選択されたセクター内の任意のアドレスが許容可能です。しかし、ライトバッファアドレス位置に データをロードする場合、すべてのアドレスが選択されたライトバッファページ内になければなりません。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 29 デ ー タ シ ー ト 図 5.3 ステータスレジスター付きのライトバッファプログラミング動作 “バッファーへの書き込み” コマンドセクターアドレスへの書き込み プログラムへの“ワードカウント ”書き込み - 1 (WC) 開始アドレス/データの書き込み はい Yes WC = 0? 別のセクターアドレス への書き込み いいえ バッファーへの書込 み動作を中断？ はい バッファーへの書き込み中断。 読み出しモードに戻るには、“ バッファーへの書き込み中断、 リセット”コマンドシーケンス の書き込みが必要 いいえ Write next Address/Data pair (Note 2) 次のアドレス/データペアの書き込み （注意2） WC = WC - 1 プログラムバッファーからフラッシュへ Write Program Buffer to Flash の書き込み確認、セクターアドレス Confirm, Sector Address ステータスレジスターの読み出し Read Status Register DRB SR[7] = 0? Yes はい いいえ No PSB SR[4] = 0? Yes はい いいえ No プログラム失敗 Program Fail はい Yes プログラム成功 Program Successful WBASB SR[3] = 1? No いいえ SLSB SR[1] = 0? Yes はい いいえ バッファーへの書き込みコマンド Program aborted during 実行中のプログラム中断 Write to Buffer command セクターロック済みエラー Sector Locked Error Program Fail プログラム失敗 注意： 1. ライトバッファプログラミングに必要なコマンドシーケンスについては、表 6.1 コマンド定義 (57 ページ ) を参照ください。 2. セクターアドレスが指定されると、選択されたセクター内の任意のアドレスが許容可能です。しかし、ライトバッファアドレス位置に データをロードする場合、すべてのアドレスが選択されたライトバッファページ内になければなりません。 30 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 表 5.1 ライトバッファプログラミングコマンドシーケンス アドレス データ アンロックコマンド 1 を実行 シーケンス 555/AAA AA アンロックコマンド 2 を実行 備考 2AA/555 55 セクタアドレスでライト - ツー - バッファ・ コマンドを実行 SA 0025h セクタアドレスでロケーション数を実行 SA WC WC = プログラムするワード数 - 1 開始アドレス / データのペアをロード 開始アドレス PD ライト - バッファ - ページを選択し、アドレス / データの ペアをロード 次のアドレス / データのペアをロード WBL PD アドレスはすべて、選択したライトバッファページの境界内 に収まり、逐次的な順序でロードされる必要があります。 最後のアドレス / データのペアをロード WBL PD アドレスはすべて、選択したライトバッファページの境界内 に収まり、逐次的な順序でロードされる必要があります。 SA 0029h このコマンドは、ロードされた最後のライトバッファロ ケーションの直後に実行します。それ以外の場合は動作が 終了します。 例：WC of 0 = 1 words to pgm WC of 1 = 2 words to pgm セクタアドレスでライトバッファプログラ ム確認コマンドを実行 デバイスがビジーになる。 凡例 : SA = セクターアドレス（非セクターアドレスビットは任意。セクター内の任意のアドレスで十分）。 WBL = ライトバッファロケーション ( 開始アドレスによって指定されたライト - バッファ - ラインの境界内である必要があります )。 WC = ワードカウント PD = プログラムデータ 5.3.2 プログラム一時停止 / プログラム再開コマンド プログラム一時停止コマンドにより、システムは自動プログラム動作を中断し、一時停止していない他のラ インからデータを読み出すことができます。プログラムプロセス中にプログラムサスペンドコマンドをライ トすると、デバイスは tPSL ( プログラムサスペンドレイテンシー ) の間、そのプログラム動作を停止して、 ステータスビットを更新します。プログラム一時停止コマンドを書き込む際、アドレスは任意です。 プログラム一時停止に使用できるコマンドは 2 つあります。従来からの組み合わせであるイレーズ / プログ ラムサスペンドコマンド (B0h コマンドコード ) と、個別のプログラムサスペンドコマンド (51h コマンド コード ) です。プログラムレジューム用にも 2 つのコマンドがあります。従来からの組み合わせであるイ レーズ / プログラムレジュームコマンド (30h コマンドコード ) と、個別のプログラムレジュームコマンド (50h コマンドコード ) です。プログラム用には、個別のプログラム一時停止コマンドとプログラム再開コマ ンドを使用し、消去の一時停止と再開には、従来の組み合わせのコマンドを使用することを推奨します。 プログラム動作が中断すると、システムは一時停止していない任意のラインからデータアレイを読み出しで きます。イレーズサスペンド中で他のセクタにプログラムをしている場合でも、プログラムサスペンドが可 能です。この場合、消去一時停止またはプログラム一時停止となっていない任意のアドレスからデータを読 み出しすることができます。 プログラム再開コマンドを書き込むと、デバイスはプログラム動作に戻り、ステータスビットが更新されま す。システムは、ステータスレジスタを読み出すか、またはデータポーリングにより、プログラム動作のス テータスを調べることができます。これらのステータスビットの情報は、ステータスレジスター (37 ページ ) を参照してください。詳細については、データポーリングステータス (38 ページ ) を参照してください。 プログラムサスペンド中に有効なアクセスとコマンドは次のとおりです。 非消去一時停止セクターへの読み出し 非プログラム一時停止ラインへの読み出し ステータス読み出しコマンド ASO 終了またはコマンドセット終了 プログラム再開コマンド プログラム一時停止モードを終了して、プログラム動作を継続するには、プログラム再開コマンドを書き込 む必要があります。また、この後にプログラムレジュームコマンドをライトしても無視されます。デバイス がプログラミングを再開すれば、別のプログラム一時停止コマンドを書き込みできます。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 31 デ ー タ シ ー ト プログラム動作は、何度でも必要なだけ中断できますが、プログラム動作を進捗させ完了させるためには、 再開コマンドと次の一時停止の間で、自動アルゴリズムコントローラー (EAC) (25 ページ ) に記載された tPRS 以上の時間が必要です。 プログラムの一時停止と再開は、ASO に入っている間はサポートされません。プログラムの一時停止中は、 ASO に入ることはサポートされません。 5.3.3 ブランクチェック ブランクチェックコマンドにより、選択したメインフラッシュアレイセクターが消去されているかどうかを 確認できます。ブランクチェックコマンドの実行中は、対象アレイへの読出しはできなくなります。このコ マンドの実行中に対象アレイへの読み出しが行われると、不明なデータが返されます。 任意のセクタでブランクチェックを開始するには、EAC がスタンバイ状態になっているときに、そのセク タのアドレス 555h に 33h をライトします。 デバイスがプログラムまたはイレーズを実行中、またはサスペンド中であると、ブランクチェックコマンド が書き込まれない場合があります。 ステータスレジスターの読み出しコマンドを使用して、デバイスがビジーであるかどうか、また、完了後に セクターがブランクになっているかどうかを確認します。ステータスレジスタのビット 7 に、デバイスがブ ランクチェックを実行中であるかどうかが示されます ( イレーズ動作と同様 )。ステータスレジスターの ビット 5 は、セクターが消去された場合は 0 に消去され、消去されなかった場合は 1 にセットされます。 消去されなかったビットを発見するとすぐに、デバイスは動作を停止して、結果を報告します。 ブランクチェックが完了すると、EAC はスタンバイ状態に戻ります。 5.3.4 5.3.4.1 消去方法 チップイレーズ チップ消去機能は、メインのフラッシュメモリアレイ全体を消去します。イレーズの前にユーザがプリプロ グラムをする必要はありません。自動イレーズアルゴリズムが自動的にプログラムし、電気的な消去を行う 前に、メモリ全体がすべて 0 になっているかが検証されます。チップイレーズが正常に完了すると、デバイ ス内のすべての領域が FFFFh になります。システムは、これらの動作中に、制御やタイミングを提供する 必要はありません。アンロックサイクル（2 回）の後に、プログラムセットアップコマンドをライトして、 チップイレーズコマンドシーケンスを開始します。さらに、アンロックライトサイクル（2 回）の後にチッ プイレーズコマンドをライトすると、自動イレーズアルゴリズムがスタートします。WE# が H の場合、6 番目のサイクルの最後で、RY/BY# は L になります。 自動消去アルゴリズムが完了すると、EAC はスタンバイ状態に戻ります。自動イレーズ動作の実行中は、 デバイスからのデータの読出しはできません。システムは、RY/BY# の読み出し、ステータスレジスター、 またはデータポーリングを使用して、消去動作のステータスを調べることができます。これらのステータス ビットの情報は、ステータスレジスター (37 ページ ) を参照してください。詳細については、データポーリ ングステータス (38 ページ ) を参照してください。 チップ消去動作が始まると、ステータス読み出し、ハードウェアリセット、電源再投入のみが有効となりま す。その他のすべてのコマンドは無視されます。ただし、ハードウェアリセットまたは電源再投入を実行す ると、直ちに消去動作が終了し、tPRS 時間後に読み出しモードに戻ります。チップ消去動作が終了した場 合は、デバイスがアイドル状態に戻ったらチップ消去コマンドシーケンスを再度実行して、データの完全性 を確保してください。 パラメーターとタイミング図については、表 5.4 (46 ページ ), 非同期ライト動作 (83 ページ ) 、CE# コント ロールライト動作 (89 ページ ) を参照ください。 ASP DYB および PPB ロックビットによって保護されたセクターは消去されません。ASP (19 ページ ) . を参照 ください。チップイレーズは、保護されたセクタをスキップして、次のセクタのイレーズを続行します。保 護されたセクターで失敗した消去があっても、ステータスレジスターの消去ステータスビットとセクター ロックビットは 1 にセットされません。 32 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 5.3.4.2 セクタイレーズ セクタイレーズ機能は、メモリアレイ内の 1 つのセクターを消去します。イレーズの前にユーザがプリプロ グラムをする必要はありません。自動イレーズアルゴリズムが自動的にプログラムし、電気的な消去を行う 前に、セクタ全体がすべて 0 になっているかを検証します。セクタイレーズが正常に完了すると、イレーズ されたセクタ内のすべての領域が FFFFh になります。システムは、これらの動作中に、制御やタイミング を取る必要はありません。セクタイレーズコマンドシーケンスは、アンロックサイクル（2 回）の後に、 セットアップコマンドをライトすると開始します。次に、追加の 2 つのアンロックライトサイクルの後に、 イレーズ対象セクタのアドレスと、セクタイレーズコマンドが続きます。WE# が H の場合、6 番目のサイ クルの最後で、RY/BY# は L になります。 システムは、ステータスレジスターを読み出すか、またはデータポーリングを使用して、消去動作のステータス を調べることができます。ステータスレジスタのステータスビットの情報は、ステータスレジスター (37 ページ ) を、データポーリングについては、データポーリングステータス (38 ページ ) を参照してください。 セクター消去動作が始まると、実行可能なコマンドはステータスレジスターリードコマンドと、イレーズサスペ ンドコマンドのみとなります。ます。その他コマンドはすべて無視されます。ただし、ハードウェアリ 1 セットを 実行すると、直ちにイレーズ動作が終了し、tPRH 後に読出しモードに戻ります。この場合、デバイスがリード モードに戻った後、セクタイレーズコマンドを再度実行して、データの完全性を確保してください。 パラメーターとタイミング図については、自動アルゴリズムコントローラー (EAC) (25 ページ ) を参照くだ さい。 DYB および PPB によって保護されたセクターは消去されません。詳細は ASP (19 ページ ) を参照ください。 図 5.4 セクター消去動作 書き込みロック解除サイクル： アドレス555h、 データAAh アドレス2AAh、 データ55h ロック解除サイクル1 ロック解除サイクル2 書き込みセクター消去サイクル： アドレス555h、 データ80h アドレス555h、 データAAh アドレス2AAh、 データ55h セクターアドレス、 データ30h 書込み動作の実行 ステータスアルゴリズム はい コマンドサイクル1 コマンドサイクル2 コマンドサイクル3 消去のために最初のセクターを指定 ステータスは、ステータスレジスターポーリングまた はデータポーリングメソッドで取得できます。 完了？ いいえ 消去エラー？ いいえ エラー条件（タイミングリミットを超過） はい Pass。 デバイスはリードモードに戻ります。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 Fail。 リセットコマンドを発行 すると、 リードモードに戻ります。 GL-S MirrorBit® ファミリー 33 デ ー タ シ ー ト 5.3.5 イレーズサスペンド / イレーズレジューム / 消去再開 イレーズサスペンドコマンドを実行すると、デバイスはイレーズ動作を中断し、イレーズ対象となっていな いセクタに対して、リードやプログラムが行えます。このコマンドはセクタイレーズ動作中のみ有効です。 チップ消去動作中に書き込んでも、消去一時停止コマンドは無視されます。 セクタイレーズ中にセクタイレーズサスペンドコマンドがライトされると、デバイスはイレーズ動作を一時 中断するまでに最大 tSEL( イレーズサスペンド以降時間 ) を必要とします。 消去動作が一時停止後、デバイスはサスペンドモードに入ります。このとき、システムは、メインフラッシュア レイとの間でデータを読み出したり、データをプログラムできるようになります。イレーズサスペンドの対象セ クタ内のいずれかのアドレスから読み出すと、不確定なデータとなります。システムは、ステータスレジスタを 読み出すか、またはデータポーリングにより、セクタがイレーズ中かどうか、あるいはイレーズサスペンド中か どうかを調べることができます。ステータスレジスタのステータスビットの情報は、ステータスレジスター (37 ページ ) を、データポーリングについては、データポーリングステータス (38 ページ ) を参照してください。 消去一時停止中のプログラム動作が完了すると、EAC は消去一時停止状態に戻ります。通常のプログラム 動作のときと同じように、システムは、ステータスレジスターを読み出することで、プログラム動作のス テータスを調べることができます。 消去一時停止中にプログラムが失敗した場合は、消去またはリセットコマンドにより、デバイスを消去一時 停止状態に戻すことができます。そのメモリアレイのプログラムを再度試みる前に、消去を再開し完了させ る必要があります。 イレーズサスペンド中に有効なアクセスとコマンドは次のとおりです。 一時停止状態でないセクターの読み出し 一時停止状態でないセクターへのプログラム ステータスレジスタリード ステータスレジスタクリア DYB ASO への移行 DBY セット DBY クリア DBY ステータスリード ASO 終了またはコマンドセット終了 消去再開コマンド セクタイレーズ動作を再開させるには、イレーズレジュームコマンドをライトする必要があります。デバイ スはイレーズ動作に戻り、ステータスビットが更新されます。また、この後にレジュームコマンドをライト しても無視されます。チップが消去を再開すると、別の消去一時停止コマンドを書き込みできます。 消去一時停止と再開は、ASO に入っている間はサポートされません。消去一時停止中は、ASO に入ること はサポートされません。 34 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 5.3.6 5.3.6.1 ASO への移行と終了 ID-CFI ASO システムは読み出しモード中に ID-CFI 入力コマンドシーケンスを発行することで、ID-CFI ASO にアクセスでき ます。このエントリコマンドは、コマンド内のセクタアドレス (SA) を使用して、どのセクタがオーバレイされ、 セクタがプロテクト状態かどうか確認できます。詳細な説明は、表 6.2 (60 ページ ) を参照ください。 ID-CFI ASO では次の動作が可能です。 入力コマンドで使用したのと同じ SA を使用した、ID-CFI ASO の読み出し。 セクターアドレス (SA) + 2h でセクタプロテクト状態の読み出し。SA(SA) + 2h は、セクタのプロテ クト情報を提供します。セクタが PPB=0 または DYB=0 のいずれかによって保護設定されている場 合は、表示される状態が保護設定となるように、ロケーション 2h にあるビット 0 には、PPB およ び DYB ビットの論理 NAND が示されます。(1= セクタは保護設定、0= セクタは保護未設定 )。この プロテクト状態は、ID-CFI ASO に入るときに選択された SA に対してのみ示されます。他の SA を 読み出しても未定義データが返されます。別の SA 保護状態を読み出すには、ASO の終了コマンド を使用し、再度 ID-CFI ASO に入るときに新しい SA を選択します。 ASO 終了。 以下に示すのは、CFI の入力および終了機能を使用した、C ソースコード例です。スパンションフラッシュ メモリソフトウェア開発ガイドラインに関する一般情報については、スパンションローレベルドライバー ユーザーガイド（ www.spansion.com）を参照してください。 /* 例： CFI 移行コマンド */ *( (UINT16 *)base_addr + 0x55 ) = 0x0098; /* エントリコマンドのライト */ /* 例： CFI 終了コマンド */ *( (UINT16 *)base_addr + 0x000 ) = 0x00F0; /* 終了コマンドのライト */ 5.3.6.2 ステータスレジスター ASO ステータスレジスター ASO には、自動アルゴリズムのための登録済み揮発性ステータスの単一ワードが含 まれます。ステータスレジスター読み出しコマンドが発行されると、現在のステータスが（WE ＃の立ち上 がりエッジによって）レジスターにキャプチャされ、ASO は入力されます。ステータスレジスターの内容は すべてのワード位置に表示されます。最初の読み出しアクセスはステータスレジスター ASO（CE# または OE# の立ち上がりエッジ）を終了し、ステータスレジスター読み出しコマンドが発行されると、使用中のア ドレス空間マップに戻ります。書き込みコマンドはステータスレジスター ASO 状態を終了しません。 5.3.6.3 セキュアシリコン領域 ASO システムは、読み出しモード中にセキュアシリコン領域移行コマンドシーケンスを発行することで、セキュ アシリコン領域にアクセスできます。この移行コマンドは、コマンド内のセクターアドレス（SA）を使用 して、どのセクターがオーバーレイされるのかを調べます。 セキュアシリコン領域 ASO では次の動作が可能です。 セキュアシリコン領域の読み出し。 ワードまたはライトバッファプログラミングコマンドを使用して、カスタマーセキュアシリコン領 域のプログラムが可能です。 ソフトウェア下位互換性のための、レガシーのセキュアシリコン終了コマンドを使用した ASO 終了。 すべての ASO に共通の終了コマンドを使用した ASO 終了。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 35 デ ー タ シ ー ト 5.3.6.4 ロックレジスター ASO システムは、読み出しモード中にロックレジスター入力コマンドシーケンスを発行することで、ロックレジ スターにアクセスできます。このエントリコマンドは、エントリコマンドからのセクタアドレスを使用しま せん。デバイスアドレス空間のワードロケーション 0 にロックレジスタが現れます。デバイスアドレス空間 の他のすべての場所は未定義となります。 ロックレジスタ ASO では次の動作が可能です。 5.3.6.5 デバイスのアドレス位置 0 を使用した、ロックレジスターの読み出し。 ワードプログラミングコマンドと類似したコマンドを使用した、カスタマーロックビットの プログラム。 ソフトウェア下位互換性のための、レガシーのコマンドセット終了コマンドを使用した ASO 終了。 すべての ASO に共通の終了コマンドを使用した ASO EXIT。 パスワード ASO システムは、読み出しモード中にパスワード入力コマンドシーケンスを発行することで、パスワード ASO にアクセスできます。このエントリコマンドは、エントリコマンドからのセクタアドレスを使用しません。 パスワードは、デバイスアドレス空間のワードロケーション 0 ∼ 3 に現れます。デバイスアドレス空間の他 のすべての場所は未定義となります。 パスワード ASO では次の動作が可能です。 5.3.6.6 デバイスのアドレス位置 0 ∼ 3 を使用した、パスワードの読み出し。 アンロックサイクルなしのワードプログラミングコマンドを使用した、パスワードのプログラム。 パスワードアンロックコマンドを使用した、PPB ロックビットのロック解除。 ソフトウェア下位互換性のための、レガシーのコマンドセット終了コマンドを使用した ASO 終了。 すべての ASO に共通の終了コマンドを使用した ASO 終了。 PPB ASO システムは、読み出しモード中に PPB 入力コマンドシーケンスを発行することで、PPB ASO にアクセス できます。このエントリコマンドは、エントリコマンドからのセクタアドレスを使用しません。セクターの PPB ビットが、そのセクター内のすべてのワード位置のビット 0 に現れます。 PPB ASO では次の動作が可能です。 5.3.6.7 セクター内の任意のワードのビット 0 内にあるセクターの PPB 保護ステータスを読み出す。 アンロックサイクルなしのワードプログラミングコマンドを使用した、PPB ビットのプログラム。 PPB 消去コマンドによる、すべての PPB ビットの消去。 ソフトウェア下位互換性のための、レガシーのコマンドセット終了コマンドを使用した ASO 終了。 すべての ASO に共通の終了コマンドを使用した ASO 終了。 PPB ロック ASO システムは、読み出しモード中に PPB ロック入力コマンドシーケンスを発行することで、PPB ロック ASO にアクセスできます。このエントリコマンドは、エントリコマンドからのセクタアドレスを使用しません。 PPB ロックビットが、デバイス中のすべてのワード位置のビット 0 に現れます。 PPB ロック ASO では次の動作が可能です。 36 デバイスアドレス空間の任意のワードの PPB ロック保護ステータスのビット 0 を読み出します。 アンロックサイクルなしのワードプログラミングコマンドを使用した、PPB ロックビットの設定。 ソフトウェア下位互換性のための、レガシーのコマンドセット終了コマンドを使用した ASO 終了。 すべての ASO に共通の終了コマンドを使用した ASO 終了。 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 5.3.6.8 DYB ASO システムは、読み出しモード中に DYB 入力コマンドシーケンスを発行することで、DYB ASO にアクセス できます。このエントリコマンドは、エントリコマンドからのセクタアドレスを使用しません。あるセク ターの DYB ビットが、そのセクター内のすべてのワード位置のビット 0 に現れます。 DYB ASO では次の動作が可能です。 5.3.6.9 セクター内の任意のワードのビット 0 のセクターの DYB 保護ステータスを読み出し。 アンロックサイクルなしのワードプログラミングコマンドを使用した、DYB ビットの設定。 ソフトウェア下位互換性のための、レガシーのコマンドセット終了コマンドを使用した ASO 終了。 すべての ASO に共通の終了コマンドを使用した ASO 終了。 ソフトウェア（コマンド）リセット /ASO 終了 ソフトウェアリセットはコマンドセットの一部で（表 6.1 コマンド定義 (57 ページ ) 参照）、EAC をスタン バイ状態に戻します。以下の条件の場合に使用してください。 ID/CFI モードの終了 タイムアウト発生時に、データポーリング用のタイムアウトビット (DQ5) を消去 ソフトウェアリセットは、EA モードに影響しません。いったんプログラムまたはイレーズが開始された後 は、その動作が完了するまで、リセットコマンドは無視されます。ソフトウェアリセットは出力に影響しま せん。ソフトウェアリセットの第一の役割は、ASO モードから、または失敗したプログラムまたは消去動 作から、読み出しモードに戻ることです。 ソフトウェアリセットを実行すると、無効なコマンドシーケンスに由来する未定義状態から読み出しモード に戻ることがあります。しかし、一部の未定義状態から通常動作に戻るには、ハードウェアリセットが必要 になる場合があります。 ソフトウェアリセット遅延条件はありません。リセットコマンドは、tWPH 時間の間に実行されます。 5.4 ステータス監視 EA ステータス監視には 3 つの方式があります。前世代の S29GL フラッシュファミリでは、 データポーリング、 および Ready/Busy# (RY/BY#) 信号と呼ばれる方式を使用していました。これらの方式は、S29GL-S ファミ リでもサポートされています。もう 1 つの追加された方法は、ステータスレジスターを読み出すことです。 5.4.1 ステータスレジスター プログラムおよび消去動作のステータスは、単一 16 ビットのステータスレジスターによって提供されます。 ステータスはステータスレジスタリードコマンドライト後のリード動作によって読みだされます。ステータ スレジスター読み出しコマンドが発行されると、現在のステータスが（WE ＃の立ち上がりエッジによって） レジスターにキャプチャされ、ASO は入力されます。ステータスレジスターの内容が、メモリアドレス空間 のすべてで、エイリアス（オーバーレイ）されます。任意の有効な読み出し（CE# および OE# Low）アクセ スは、ステータスレジスター ASO の間に（tCEPH/tOEPH 時間の CE# または OE# 立ち上がりエッジで） ASO を終了させ、ステータスレジスターの読み出しコマンドが発行されたときに使用中であったアドレス空 間マップに戻ります。 ステータスレジスタには、最も直近に完了した自動アルゴリズム (EA) の結果 ( 成功または失敗 ) に関する ビットが、次のように示されます。 消去ステータス（ビット 5） プログラムステータス（ビット 4） ライトバッファ中断（ビット 3） セクターロック済みステータス（ビット 1） RFU（ビット 0） また、処理中の EA の現在の状態に関するビットが、次のように示されます。 デバイスビジー（ビット 7） 消去一時停止（ビット 6） 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 37 デ ー タ シ ー ト プログラム一時停止（ビット 2） 現在の状態ビットは、EA が現在処理中か、サスペンド ( 中断 ) 中か、完了かを示しています。 上位 8 ビット（ビット 15:8）は予約済みです。これらのビットは未定義の High または Low の値を持ってお り、この値は、あるステータス読出しから別のステータス読出しに変更可能です。これらのビットは、任意 として扱うべきであり、任意のソフトウェア読み出しステータスからは無視されます。 ソフトウェアリセットコマンドはステータスレジスターを 0 ビット [5, 4, 1, 0] に消去します。（ステータス レジスタービット 3 = 0 の場合）。現在の状態ビットには影響しません。クリアステータスレジスタコマンド は、ステータスレジスタの結果関連ビットを 0 にクリアしますが、現在の状態ビットには影響しません。 表 5.2 ステータスレジスター ビット # 15:8 7 6 5 4 3 2 1 0 ビットの 説明 予約済み デバイスレ ディ・ ビット イレーズサ スペンドス テータス・ ビット イレーズス テータス・ ビット プログラム ステータ ス・ビット ライトバッ ファアボー トステータ ス・ビット プログラム サスペンド ステータ ス・ビット セクタロッ クステータ ス・ビット 予約済み DRB ESSB ESB PSB WBASB PSSB SLSB ビット名 リセットス テータス X 1 0 0 0 0 0 0 0 Busy ス テータス 無効 0 無効 無効 無効 無効 無効 無効 無効 0= サスペン ド中のプロ グラムなし 0= 動作中 のセクタ ロックなし 1= プログ ラムサスペ ンド中 1= セクタ ロックによ るエラー Ready ス テータス X 1 0= サスペ ンド中のイ レーズなし 1= イレー ズサスペン ド中 0= プログ ラムの中断 なし 0= イレー ズ成功 0= プログ ラム成功 1= イレー ズ失敗 1= プログ ラム失敗 1= ライト ツー バッファコ マンドの実 行中にプロ グラムの中 断あり X 注意： 1. ビット 15-8、および 0 は、将来の使用のために予約されており、0 または 1 を表示します。ステータスをチェックするときは、これら のビットを無視（マスク）する必要があります。 2. デバイスに実行中の組み込みアルゴリズムがない場合、ビット 7 は 1 です。 3. ビット 6-1 は、ビット 7 が 1 の場合にのみ有効です。 4. すべてのビットは、コールドリセットまたはウォームリセットが実行されるとリセットのステータスになります。 5. 消去ステータスレジスターコマンド、またはリセットコマンドが実行されると、ビット 5、4、3、1 は、0 に消去されます。 6. 消去一時停止コマンド発行時、ユーザーは DRB が 1 になるまでステータスの読み取りを継続する必要があります。 7. 消去再開コマンドを実行すると ESSB は 0 に消去されます。 8. ESB には、最新の消去 動作の成功または失敗が反映されます。 9. PSB には、最新のプログラム動作の成功または失敗が反映されます。 10. 消去一時停止中に、その中断しているセクターをプログラムすると、そのプログラムは失敗し、プログラムのステータスビットが 1 に 設定されます。 11. プログラム一時停止コマンド発行時、ユーザーは DRB が 1 になるまでステータスの読み取りを継続する必要があります。 12. プログラム再開コマンドにより、PSSB は 0 に消去されます。 13. SLSB は、セクターがロックされているために、プログラムまたは消去動作が失敗したことを示します。 14. SLSB には最新のプログラムまたは消去動作のステータスが反映されます。 5.4.2 データポーリングステータス アクティブな自動アルゴリズム中は、EAC はデータポーリング ASO に切り替わり、あらゆる読み出しアク セスに対して EA ステータスを表示します。1 ワードのステータス情報が、デバイスアドレス空間のすべて のロケーションにおいて出力されます。ステータスワードには、ある EA のステータスを判定するための ビットが複数あります。これらは、ある EA が実行される間、読出しアクセス中はデータバス上に現れるた め、DQ ビットと呼ばれます。DQ ビット 15 ∼ 8、DQ4、および DQ0 は、未使用であり、未定義データを 返します。ステータス監視ソフトウェアは、予約ビットをマスクする必要があり、それらを任意として取り 扱います。表 5.3 (42 ページ ) および次のサブセクションでは、残りのビットの機能を説明します。 38 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 5.4.2.1 DQ7：Data# ポーリング Data# ポーリングビット（DQ7）は、自動アルゴリズムが実行中であるか、完了しているかを、ホストシス テムに示します。Data# ポーリングは、プログラム / イレーズコマンドシーケンスの最後の WE# パルスの 立上りの後に有効になります。ライトバッファプログラムの場合、Data# ポーリングは、ライトバッファ ページにプログラムした最後のワードアドレスに対してのみ有効です。ライトバッファページにプログラム した最後のワードアドレス以外のアドレスからデータポーリングステータスを読みだすと正常なステータス 情報が出力されません。 自動プログラムアルゴリズムが実行されている間、デバイスは DQ7 にプログラムされたデータビットの補 数を DQ7 に出力します。この DQ7 状態は、イレーズサスペンドモード時のプログラムにも当てはまりま す。自動プログラムアルゴリズムが完了すると、デバイスはプログラムされたデータビットを、プログラム された最後のワードのビット 7 に出力します。プログラムサスペンドの場合は、アレイデータの読出しのみ ができます。プログラムアドレスが保護されたセクター内のアドレスである場合、DQ7 の Data# ポーリン グは約 20 マイクロ秒の間アクティブになり、その後、デバイスはリードモードに戻ります。 自動消去またはブランクチェックアルゴリズムを実行している間、Data# ポーリングは DQ7 に 0 を出力し ます。アルゴリズムが完了するか、デバイスが消去一時停止モードに入ると、Data# ポーリングは DQ7 に 1 を出力します。有効なステータス情報を DQ7 から読み出すため、システムは、消去の対象として選択され たセクタ内にあるアドレスを指定する必要があります。 消去コマンドシーケンスが書き込まれた後、消去のために選択されたセクターが保護されていると、DQ7 の Data# ポーリングは約 100 マイクロ秒の間アクティブとなり、その後、デバイスは読み出しアレイデー タに戻ります。 システムは、DQ7 が補数から真のデータに変更されていることを検出すると、その後の読み出しサイクルで DQ15 ∼ DQ0 にある有効なデータを読み出しできます。これは、出力イネーブル（OE#）が Low にアサートされ ていると、DQ7 が DQ6-DQ0 と非同期的に変化することがあるためです。これは 図 10.16 (88 ページ ) 、表 5.3 (42 ページ ) で説明しています。図 5.2 (29 ページ ) は DQ7 の Data# ポーリングの出力を示します。図 5.2（29 ページ）は、ライトバッファプログラミングで使用する Data# ポーリングアルゴリズムを示します。 有効な DQ7 データポーリングステータスは、以下から読出しできます。 ライトバッファプログラミング動作用にライトバッファにロードされた最後のワードのアドレス 単一ワードプログラミング動作の位置 または、消去またはブランクチェック対象のセクター内の位置 または、チップ消去時の任意のセクター内の位置 図 5.5 Data# ポーリングアルゴリズム 開始 読み出しDQ7-DQ0 DQ7 = データ？ はい いいえ いいえ DQ5 = 1? はい 読み出しDQ7-DQ0 DQ7 = データ？ はい いいえ FAIL PASS 注意： 1. DQ7 は DQ5 と同時に変化する場合がありますので、DQ5 = 「1」の場合でも、DQ7 を再チェックする必要があります。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 39 デ ー タ シ ー ト 5.4.2.2 DQ6：トグルビット I DQ6 のトグルビット I は、自動プログラムまたはイレーズアルゴリズムが実行中であるか、完了しているか、 あるいは、デバイスがプログラム一時停止または消去一時停止モードになっているかを示します。トグル ビット I は任意のアドレスで読み出しでき、コマンドシーケンスの最後の WE# パルスの立ち上りの後（プ ログラムまたは消去動作の前）に有効になります。 自動プログラムまたは消去アルゴリズム動作の実行中、任意のアドレスへの連続リードサイクルで DQ6 が トグルします。( システムは、OE# または CE# のいずれかにより、読出しサイクルを制御できます。) 動作 が完了すると、DQ6 のトグルが停止します。 消去コマンドシーケンスが書き込まれた後、消去の対象として選択したセクターが保護されていると、DQ6 は約 100 マイクロ秒の間トグルし、その後、EAC はスタンバイ（リードモード）戻ります。自動イレーズ ア ルゴリズムはプロテクトされていないセクタのみを消去し、プロテクトされているセクタは無視します。 システムは DQ6 と DQ2 を一緒に使用して、セクターが消去中か、消去一時停止中かを調べることができ ます。デバイスがイレーズ実行中の場合（つまり、自動イレーズアルゴリズムが実行中の場合）、DQ6 はト グルします。デバイスがプログラムサスペンドモードまたはイレーズサスペンドモードになると、DQ6 は トグルを停止します。ただし、システムは DQ2 を使用すれば、イレーズ動作中またはイレーズサスペンド 中のセクタを調べることができます。あるいは、DQ7 を使用することもできます（DQ7：Data# ポーリング (39 ページ ) を参照してください）。 DQ6 は、イレーズ - サスペンド - プログラムモードの間もトグルしますが、自動プログラムアルゴリズムが完 了すればトグルを停止します。 表 5.3 (42 ページ ) は DQ6 のトグルビット I の出力を示します。図 5.6 (41 ページ ) はフローチャートの形式 でトグルビットアルゴリズムを示し、トグルビット DQ6/DQ2 の読み出し (41 ページ ) はアルゴリズムを説 明します。図 5.6 (41 ページ ) は、トグルビットタイミング図を示します。図 5.2 (29 ページ ) は DQ2 と DQ6 の違いをグラフで示します。DQ2：トグルビット II (40 ページ ) も参照ください。 5.4.2.3 DQ3: セクタイレーズタイマ セクター消去コマンドシーケンスを書き込みした後、システムは DQ3 を読み出し、消去が開始されたかを 調べることができます。詳細については、セクタイレーズ (33 ページ ) を参照ください。 セクター消去コマンドが書き込まれた後、システムは DQ7（Data# ポーリング）、または DQ6（トグルビッ ト I）のステータスを読み出し、デバイスがコマンドシーケンスを受け付けたことを確認し、DQ3 を読み出 ししなければなりません。DQ3 が 1 の場合は、自動消去アルゴリズムが開始しています。消去動作が完了 するまで、これ以降のコマンドは（消去一時停止コマンドを除き）無視されます。表 5.3 (42 ページ ) は他の ステータスビットに関連する DQ3 のステータスを示します。 5.4.2.4 DQ2：トグルビット II DQ2 のトグルビット II は、DQ6 と一緒に使用すると、指定されたセクターが消去中であるか（つまり、自動 消去アルゴリズムの実行中であるか）、または、そのセクターが消去一時停止中であるかを示します。トグ ルビット II は、コマンドシーケンスの最後の WE# パルスの立ち上りのエッジ後に有効になります。 消去の対象として選択されたセクター内のアドレスをシステムが読み出すと、DQ2 はトグルします。( シス テムは、OE# または CE# のいずれかにより、読出しサイクルを制御できます。) ただし、DQ2 からは、セ クタがイレーズ中であるか、イレーズサスペンド中であるかを識別できません。これと対照的に、DQ6 は デバイスがイレーズ動作中か、イレーズサスペンド中かを示しますが、消去の対象として選択されたセクタ かを区別できません。したがって、セクタならびにモード情報を得るには、これらのステータスビットが両 方とも、必要となります。DQ2 と DQ6 の出力を比較するには、表 5.3 (42 ページ ) を参照ください。図 5.5 (39 ページ ) はフローチャートの形式でトグルビットアルゴリズムを示し、トグルビット DQ6/DQ2 の読み 出し (41 ページ ) はアルゴリズムを説明します。図 5.6 (41 ページ ) は、トグルビットタイミング図を示しま すので、こちらも参照ください。図 5.2 (29 ページ ) は DQ2 と DQ6 の違いをグラフで示します。 40 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 5.4.2.5 トグルビット DQ6/DQ2 の読み出し 以下の詳細は 図 5.5 (39 ページ ) を参照ください。システムがトグルビットの状態を読み出し始める場合は、 トグルビットがトグルしているかを調べるため、少なくとも 2 回以上続けて DQ7 ∼ DQ0 を読み出す必要 があります。通常、システムは 1 回目の読出しの後、トグルビットの値を保存します。2 回目の読出しの後、 システムはトグルビットの新しい値と、前の値を比較します。トグルビットがトグルしていない場合、デバ イスはプログラム動作またはイレーズ動作を完了していることになります。次の読み出しサイクルでは、シ ステムは DQ15-DQ0 から出力されるデータアレイを読み出しできます。 ただし、最初の 2 回の読み出しサイクルの後、トグルビットがトグルを継続していると判断されるなら、 システムは DQ5 の値が H となっているかを調べる必要があります（DQ5：タイミングリミット超過 (41 ページ ) を参照）。High の場合、DQ5 が High になったときにトグルビットがトグルを停止した可能性もあ るため、システムはトグルビットがトグルしているかを再度確認する必要があります。トグルビットがトグ ルしていないなら、デバイスはプログラム動作またはイレーズ動作を正常に完了していることになります。 トグルビットがトグルを継続しているなら、デバイスは動作を正常に完了しておらず、システムはリセット コマンドを書き込み、アレイデータの読み出しに戻る必要があります。 この他、システムからの確認の結果、トグルビットがトグルを継続していることが判明し、さらに、DQ5 が High になっていない場合があります。この場合、システムは、次の読出しサイクルからトグルビットと DQ5 のモニタを継続し、項目で説明した状態を確認します。あるいは、他のシステムタスクの実行を選択す ることもできます。この場合、システムは復帰した時点でアルゴリズムの最初から開始して、動作のステー タスを調べる必要があります（図 5.6 (41 ページ ) の一番上）。 図 5.6 トグルビットアルゴリズム 開始 読み出しDQ7-DQ0 読み出しDQ7-DQ0 (注1) トグルビット = トグル？ いいえ はい いいえ DQ5 = 1? はい DQ7-DQ0を2回読み出し（注1、2） トグルビット = トグル？ いいえ はい 消去/プログラム 動作は未完了、 リセットコマン ドライト 消去/プログラム 動作完了 注意： 1. トグルビットを 2 回読み出し、トグルしているかどうかを調べます。本文参照。 2. DQ5 が 1 に変わったためにトグルを停止している場合があるため、トグルビットを再チェックします。本文参照。 5.4.2.6 DQ5：タイミングリミット超過 DQ5 は、プログラム時間または消去時間があらかじめ決められている内部パルスカウントの上限を超過し たかを示します。この条件では、DQ5 は 1 を出力します。これは、プログラムまたはイレーズのサイクル が正常に完了しなかったことを示します。デバイスをリードモードに復帰させるには、システムはリセット コマンドを実行する必要があります。 タイムアウトが発生した場合は、ソフトウェアはタイムアウトビット (DQ5) を消去し、EAC をリードモー ドに戻すため、リセットコマンドを発行する必要があります。この場合、リセットコマンドが送信された 後、最大 2 us の間、フラッシュはビジー状態で通信を継続することが可能です。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 41 デ ー タ シ ー ト 5.4.2.7 DQ1：ライトツー バッファのアボート DQ1 は、ライト ツー バッファ動作がアボートされたことを示します。アボートされた場合、DQ1 には H が出 力されます。システムは、ライト ツー バッファ アボート リセット コマンド シーケンスを発行して、EAC を スタンバイ ( リードモード ) に戻さなければなりません。これにより、ライトバッファアボートステータス ビットがクリアされます。詳細については、ライトバッファプログラミング (28 ページ ) を参照ください。 表 5.3 データポーリングステータス DQ7 動作 ( 注 2) 自動プログラムアルゴリズム 標準 モード 消去対象セクタ内での読出し 消去対象セクタの外側での読出し プログラム サスペンド モード ( 注 3) 消去 サスペンド モード バッファへ のライト ( 注 4, 5) DQ6 DQ5 ( 注 1) DQ3 DQ2 DQ1 ( 注 2) ( 注 4) RY/BY# DQ7# トグル 0 N/A トグル なし 0 0 0 トグル 0 1 トグル N/A 0 1 トグル なし N/A 0 0 トグル 0 無効 無効 無効 無効 無効 無効 ( 不可 ) ( 不可 ) ( 不可 ) ( 不可 ) ( 不可 ) ( 不可 ) データ データ データ データ データ データ 1 イレーズがサスペンドされているセクタ内で の読出し 1 いいえ トグル 0 N/A トグル N/A 1 イレーズがサスペンドされていないセクタ内 での読出し データ データ データ データ データ データ 1 消去が一時停止されていないセクター内での プログラミング セクター DQ7# トグル 0 N/A N/A N/A 0 BUSY 状態 DQ7# トグル 0 N/A トグル なし 0 0 タイミングリミット超過 DQ7# トグル 1 N/A N/A 0 0 中止状態 DQ7# トグル 0 N/A N/A 1 0 プログラムがサスペンドされているセクタ内 での読出し プログラムがサスペンドされていないセク ター内での読み出し セクター 1 注意： 1. 自動プログラムまたは組み込み消去 動作が最大タイミングリミットを超過すると、DQ5 は「1」に切り替わります。詳細情報について は、DQ5：タイミングリミット超過 (41 ページ ) を参照してください。 2. ステータス情報を読み出す際、DQ7 および DQ2 には有効なアドレスが必要です。詳しくは、関連するサブセクションを参照してください。 3. プログラムが一時停止されているライン内のアドレスに対してデータは無効です。プログラム一時停止ライン以外のすべてのデータ は、正しいデータとして読み出せます。 4. DQ1 は、ライトバッファプログラミング動作中の、バッファーへの書き込み中断ステータスを示します。 5. プログラム動作のみに適用。 5.5 エラーの種類と消去手順 自動アルゴリズム動作ステータス方式によりレポートされるエラーには 3 種類あります。エラーの種類に よって、レポートされるステータスと、エラーステータスをクリアする方法が異なります。以下に、エラー ステータスの消去について説明します。 42 エラーの前に ASO に入っていた場合は、デバイスは ASO に入ったままとなり、ASO の読み出しま たはコマンド待機状態となります。 エラーの前に消去が一時停止していた場合は、デバイスは消去一時停止状態に戻り、フラッシュア レイの読み出しまたはコマンドの待機状態となります。 これ以外の場合は、デバイスはスタンバイ状態になり、フラッシュアレイの読み出しまたはコマン ドの待機状態となります。 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 5.5.1 自動アルゴリズム動作のエラー 自動アルゴリズム動作（プログラム、消去、ブランクチェック、パスワードアンロック）の間にエラーが発 生した場合は、デバイス（EAC）はビジーのままになります。RY / BY# 出力は Low のままとなり、データ ポーリングステータスはすべてのアドレスロケーションに継続的にオーバーレイされ、ステータスレジスタ は有効なステータスビットによりレディ状態を示します。ホストシステムステータスモニターによりエラー ステータスが検出され、エラーステータスが消去されるまで、デバイスはビジーのままになります。 自動アルゴリズムがエラーステータスにある間は、データポーリングのステータスは次のようになります。 DQ7 は、ライトバッファにロードされた最後のワード（パスワードロック解除コマンドの場合は、 パスワードの最後のワード）の中の DQ7 ビットの反転データです。DQ7 = 0 は、消去またはブラ ンクチェックの失敗を示す DQ6 はトグルを継続 DQ5 = 1 は、自動アルゴリズム動作の失敗 DQ4 は RFU であり、任意（マスク）として扱う DQ3 = 1 は、自動セクター消去が進行中であることを示す DQ2 は、ステータス読み出しに使用されるアドレスとは関係なく、トグルを継続する DQ1 = 1、ライトバッファアボート DQ0 は RFU であり、任意（マスク）として扱う 自動アルゴリズム (EA) がエラーステータスにある間は、ステータスレジスタのステータスは次のようにな ります。 SR[7] = 1、有効ステータスを表示 SR[6] = X、EA エラー中に消去一時停止が可能かどうかを示す SR[5] = 1、消去またはブランクチェックのエラー。それ以外は 0 SR[4] = 1、プログラムまたはパスワードロック解除エラー。それ以外は 0 SR[3] = 0、ライトバッファアボート SR[2] = 0、プログラムが一時停止中 SR[1] = 0、保護されたセクター SR[0] = X、RFU。任意（マスク）として扱う 自動アルゴリズムエラーステータスが検出された場合、リード、またはコマンドライトを行うためには、エ ラーステータスをクリアし、リードモードに戻す必要があります。エラーステータスは、以下を書き込むこ とで消去できます。 リセットコマンド ステータスレジスター消去コマンド 自動アルゴリズムがエラーステータスにある間に受付けられるコマンドは次のとおりです。 ステータスレジスタリード リセットコマンド ステータスレジスター消去コマンド 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 43 デ ー タ シ ー ト 5.5.2 保護エラー プロテクトされた領域に対して自動アルゴリズムによるデータ変更が行われた場合、デバイスは 20-100us の間ビジーになった後、リードモードに戻ります。ビジー期間中は RY/BY# からの出力は L となり、デー タポーリングステータスはすべてのアドレス空間で連続的にオーバーレイされます。ステータスレジスター は Invalid Status(SR[7]=0) を返します。 プロテクトエラーステータスによるビジー期間中は、データポーリングのステータスは次のようになります。 DQ7 は、ライトバッファにロードされた最後のワードの DQ7 ビットの反転データです。DQ7 = 0 は、 消去失敗を示す DQ6 は、ステータスの読み出しに使用するアドレスとは関係なく、トグルを継続する DQ5 = 0、ビジー期間中に自動アルゴリズム動作の失敗がなかったことを示す DQ4 は RFU であり、任意（マスク）として扱う DQ3 = 1 は、組み込みセクター消去が進行中であることを示す DQ2 は、ステータス読み出しに使用されるアドレスとは関係なく、トグルを継続する DQ1 = 0、ライトバッファ中断エラー DQ0 は RFU で、任意（マスク） として扱い、保護エラーステータスビジー期間中に受け付けられるコマンドは次の通り ステータスレジスタリード ビジー期間が終了すると、デバイスはリードモードに戻り、データポーリングステータスはそれ以上オーバー レイされず、RY/BY# は H になり、ステータスレジスタは Ready のステータスを示します。デバイスは、フ ラッシュアレイへの新しいコマンドの読み出しと書き込みの準備ができています。 プロテクトエラーステータスによるビジー期間後は、ステータスレジスタの表示は次のようになります。 SR[7] = 1、有効ステータスを表示 SR[6] = X、保護エラーによるビジー期間後に消去一時停止があったかどうかを示す SR[5] = 1 は、消去エラーを示す。それ以外は 0 SR[4] = 1 は、プログラムエラーを示す。それ以外は 0 SR[3] = 0、プログラムは中断なし SR[2] = 0、一時停止中のプログラムなし SR[1] = 1、保護エリア書換え処理実行エラー SR[0] = X、RFU。任意（マスク）として扱う プロテクトエラーステータスによるビジー期間後に受付けられるコマンドは次のとおりです。 44 すべてのコマンド GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 5.5.3 ライトバッファアボート バッファーへの書き込みコマンドの実行中にエラーが発生すると、デバイス（EAC）はビジーのままにな ります。RY / BY# 出力は Low のままとなり、データポーリングステータスはすべてのアドレスロケーショ ンに継続的にオーバーレイされ、ステータスレジスタは有効なステータスビットによりレディ状態を示しま す。ホストシステムステータスモニターによりエラーステータスが検出され、エラーステータスが消去され るまで、デバイスはビジーのままになります。 ライト - ツー - バッファ - アボート (WBA) によるエラーステータスの間は、データポーリングのステータス は次のようになります。 DQ7 は、ライトバッファにロードされた最後のワード内の DQ7 ビットの反転データです DQ6 は、ステータスの読み出しに使用するアドレスとは関係なく、トグルを継続する DQ5 = 0、プログラム動作に失敗なしを示します。WBA は、プログラム動作が始まる前にバッ ファーへの書き込みコマンドによって入力された値の中のエラーです。 DQ4 は RFU であり、任意（マスク）として扱う DQ3 は消去が進行中でなければ、プログラム動作後には任意です。消去動作が一時停止後にライト バッファプログラム動作が開始されると、DQ3 = 1 です。消去動作が進行中でない場合、DQ3 は 任意でマスクが必要です。 DQ2 は、トグルしません。イレーズサスペンド中にライトバッファプログラム動作が開始されると、 DQ2 は消去動作が一時停止中のセクター内（それ以外のセクター内ではない）でトグルします。消去動 作が進行中でない場合、DQ2 は任意でマスクが必要です。 DQ1 = 1：ライトバッファ中断エラー DQ0 は RFU であり、任意（マスク）として扱う 自動アルゴリズム (EA) がエラーステータスにある間は、ステータスレジスタのステータスは次のようにな ります。 SR[7] = 1、有効ステータスを表示 SR[6] = X、WBA のエラーステータスで、消去一時停止があったかどうかを示す SR[5] = 0、消去成功 SR[4] = 1 は、プログラム関係のエラー SR[3] = 1、ライトバッファ中断 SR[2] = 0、一時停止中のプログラムなし SR[1] = 0、動作中にセクターはロックされていない SR[0] = X、RFU。任意（マスク）として扱う WBA のエラーステータスが検出された場合は、通常動作（RY/BY# H にして、新しい読み出しまたはコマン ド書き込みを行えるようにする）に戻すためには、エラーステータスを消去する必要があります。エラース テータスは消去でき、デバイスは次のコマンドをライトすることで、通常動作に戻ります。 ライトバッファ中断リセットコマンド ‒ステータスレジスターを消去し、通常動作に戻ります ステータスレジスター消去コマンド 自動アルゴリズムがエラーステータスにある間に受付けられるコマンドは次のとおりです。 ステータスレジスタリード ライトバッファ中断リセットコマンド ステータスレジスター消去コマンド 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 45 デ ー タ シ ー ト 5.6 自動アルゴリズム性能表 表 5.4 自動アルゴリズム特性 (-40°C ∼ +85°C) パラメータ 標準値 ( 注 2) 最大値 ( 注 3) 単位 備考 消去前のプリプログラミングを 含む ( 注 5) セクタイレーズタイム (128K バイト ) 275 1100 ms シングルワードプログラミング時間 ( 注 1) µs バッファープログラミング時間 ライトバッファプログラム ワード 当たりの動作 125 400 2- バイト ( 注 1) 125 750 32- バイト ( 注 1) 160 750 64- バイト ( 注 1) 175 750 128- バイト ( 注 1) 198 750 256- バイト ( 注 1) 239 750 512- バイト 340 750 512- バイト 1.33 セクタプログラミング時間 128K バイト ( 512- byte バッファ - プログラミング ) 108 µs µs 192 ms イレーズサスペンド / イレーズレジューム (tESL) 40 µs プログラムサスペンド / プログラムレジューム (tPSL) 40 µs ( 注 6) イレーズレジュームから次のイレーズサスペンド (tERS) 100 µs 最小 60 ns。ただし、イレーズ動 作を開始させるためには標準値 100us 以上の時間が必要です。 プログラムレジュームから次のプログラムサスペンド (tPRS) 100 µs 最小 60 ns。ただし、プログラム 動作を開始させるためには標準値 100us 以上の時間が必要です。 ブランクチェック 6.2 NOP ( プログラム動作数 =Number of Programoperations/ ライン ) 8.5 ms 256 注意： 1. Not 100% tested。 2. プログラムおよび消去時間の標準値は下記の条件を想定したものです。25°C、3.0V VCC、10,000 サイクル、ランダムデータパターン。 3. ワースト条件（90 ℃、VCC = 2.70V、100,000 サイクル、ランダムデータパターン）の場合。 4. 「ライトバッファプログラム ワード当たりの実効時間」は、512 バイトのライトバッファプログラミングを使用した時のものです。 5. 自動消去アルゴリズムのプリプログラミング段階では、セクターとチップの消去前にすべてのワードが 0000h にプログラムされます。 6. システムレベルのオーバーヘッドは、プログラムコマンドのバスサイクルシーケンスを実行するのに要する時間です。コマンド定義の 詳細情報は 表 6.1 コマンド定義 (57 ページ ) を参照ください。 46 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 表 5.5 自動アルゴリズム特性 (-40°C ∼ +105 ℃ ) パラメータ 標準値 ( 注 2) 最大値 ( 注 3) 単位 備考 消去前のプリプログラミングを 含む ( 注 5) セクタイレーズタイム (128K バイト ) 275 1100 ms シングルワードプログラミング時間 ( 注 1) 125 400 µs バッファープログラミング時間 実効ライトバッファプログラム ワード当たりの動作 2- バイト ( 注 1) 150 1050 32- バイト ( 注 1) 200 1050 64- バイト ( 注 1) 220 1050 128- バイト ( 注 1) 250 1050 256- バイト ( 注 1) 320 1050 512- バイト 420 1050 512- バイト 1.64 セクタプログラミング時間 128K バイト ( 512- byte バッファ - プログラミング ) 108 µs µs 269 ms イレーズサスペンド / イレーズレジューム (tESL) 50 µs プログラムサスペンド / プログラムレジューム (tPSL) 50 µs ( 注 6) イレーズレジュームから次のイレーズサスペンド (tERS) 100 µs 最小 60 ns。ただし、イレーズ動 作を開始させるためには標準値 100us 以上の時間が必要です。 プログラムレジュームから次のプログラムサスペンド (tPRS) 100 µs 最小 60 ns。ただし、プログラム 動作を開始させるためには標準値 100us 以上の時間が必要です。 ブランクチェック 7.6 NOP ( プログラム動作数 =Number of Program-operations/ ライン ) 9.0 ms 1/16 ワード 注意： 1. Not 100% tested。 2. プログラムおよび消去時間の標準値は下記の条件を想定したものです。25°C、3.0V VCC、10,000 サイクル、ランダムデータパターン。 3. ワースト条件（105°C、VCC = 2.70V、100,000 サイクル、ランダムデータパターン）の場合。 4. 「ライトバッファプログラム ワード当たりの実効時間」は、512 バイトのライトバッファプログラミングを使用した時のものです。 5. 自動消去アルゴリズムのプリプログラミング段階では、セクターとチップの消去前にすべてのワードが 0000h にプログラムされます。 6. システムレベルのオーバーヘッドは、プログラムコマンドのバスサイクルシーケンスを実行するのに要する時間です。コマンド定義の 詳細情報は 表 6.1 コマンド定義 (57 ページ ) を参照ください。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 47 デ ー タ シ ー ト 5.6.1 コマンド状態遷移 表 5.6 リードコマンド状態遷移 コマンドおよ び条件 現在の状態 読出し ソフトウェア リセット / ASO 終了 ステータスレ ジスターリー ドエンタ ステータスレ ジスター クリア アンロック 1 ブランク チェック CFI エントリ アドレス RA xh x555h x555h x555h (SA)555h (SA)55h データ RD xF0h x70h x71h xAAh x33h x98h - - リード 読出しプロテ クト = 偽 読出し 読出し READSR ( リード ) 読出し READUL1 READSR - ( 復帰 ) - - - - CFI BLCK - - 表 5.7 リードアンロックコマンド状態遷移 現在の 状態 READU L1 読出し ステータ スレジス ター読出 しエンタ アン ロック 2 ワード プログ ラムエ ントリ ライト - ツー バッ ファエ ンター アドレス RA x555h x2AAh x555h (SA)xh x555h データ RD x70h x55h xA0h x25h - - コマンド および 条件 READU READSR ( READU L1 リード ) L2 読出しプ ロテクト =真 READU L2 読出しプ ロテクト =偽 イ レー ズエ ン ター ID ( オート セレク ト)エ ントリ PPB ロッ クエ ント リ SSR エ ントリ ロック レジス タエン トリ パス ワード ASO エ ントリ (SA)555 h (SA)555 h x555h x555h x555h x555h x555h x80h x90h x88h x40h x60h xC0h x50h xE0h - - - - - - - - - - - - - - - PPBLB DYB PPB エン トリ DYB ASO エン トリ READU READSR ( L2 リード ) - リードプ ロテクト = 偽、かつ LR(8)= 0 CFI PG1 WB ER PP SSR LR PPB 表 5.8 イレーズコマンド状態遷移 現在の 状態 読出し ソフト ウェアリ セット / ASO 終了 ステータ スレジス ターリー ドエンタ ステータス レジスター クリア アンロッ ク1 アンロッ ク2 チップイ レーズ開始 セクター イレーズ 開始 イレーズサ スペンド拡 張方式 (2) アドレス RA xh x555h x555h x555h x2AAh x555h (SA)xh xh データ RD xF0h x70h x71h xAAh x55h x10h x30h xB0h - ERUL1 - - - - ER - ER - READSR (READ) ERUL1 - ERUL1 - READSR (READ) - - ERUL2 - - - ERUL2 - ERUL2 - READSR (READ) - - - CER SER - - CER - ERSR (CER) - - - - - - - - - - ESR (ES) - - - - - CER (1) SER (1) BLCK (1) ERSR 48 コマンド および 条件 SR(7) = 0 SR(7) = 1 SR(7) = 0 SR(7) = 1 - SER BLCK READ READ ERSR (SER) ERSR (BLCK) READ READ ( 復帰 ) GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 注意： 1. 状態は動作完了時に自動的に読み出し状態に移行します。 2. 従来方式のイレーズサスペンド / プログラムサスペンドも同様です。 表 5.9 イレーズサスペンドコマンド状態移 コマンドおよ び条件 現在の状態 読出し ステータスレ ジスターリー ドエンタ ステータスレ ジスター クリア アンロック 1 セクターイ レーズ開始 アドレス RA xh x555h x555h x555h (SA)xh データ RD xF0h x70h x71h xAAh x30h - ESR ERSR (ESR) - - - ESR (1) SR(7) = 0 ES ソフトウェアリ セット / ASO 終了 ES ES ESSR (ES) ES ESUL1 ( 復帰 ) - - - - SR(7) = 1 ESSR - SER - 注意： 1. 状態は、tESL により自動的に ES 状態に移行します。 表 5.10 イレーズサスペンド - アンロック コマンド状態遷移 コマンド および 状態 現在の 状態 ソフト ウェア 読出し リセッ ト / ASO 終了 ステー タスレ ジス ター読 出しエ ンタ アン ロック 1 ワード プログ ラムエ ントリ ライト・ ライ ツー・ イレー ト・ バッ ズレ ツー・ ファー・ ジュー バッ アボー ム 拡張 ファエ トリ 方式 (1) ントリ セット 開始 DYB ASO エン トリ 有効な「ライト・ツー・バッ ファー・アボートリセット」 コマンドではない アドレス RA xh x555h x2AAh x555h (SA)xh x555h xh x555h NOT x555h xh NOT x2AA h xh データ RD xF0h x70h x55h xA0h x25h xF0h x30h xE0h xh NOT xF0h xh NOT x55h - - ESUL1 - ESSR (ES) ESUL2 - - - - - - - ESPG ESPG - - - ESUL1 SR(3) = 1 DQ(1) = 1 - - 読み出し 保護 = 失敗 ESUL2 ES ESSR (ES) ESUL2 SR(3) = 1 - ESPG1 ES_WB SER - DQ(1) = 1 ESDYB ES - ESPG ESPG 注意： 1. 従来方式のイレーズサスペンド / プログラムサスペンドも同様です。 表 5.11 イレーズサスペンド - DYB コマンド状態遷移 現在の状態 ステータス ソフトウェ ステータス コマンド DYB セッ パスワード レジスター コマンド アリセット / レジスタク セット終了 ト / クリア ワードカウ 読出しエ セット終了 ASO 終了 リア エントリ エントリ ント ンタ コマンドおよ び状態 読出し アドレス RA xh x555h x555h xh xh xh xh データ RD xF0h x70h x71h x90h x00h xA0h x03h ESDYB ESDYBEXT - ESDYBSET - ESDYB - ESDYB ES ESSR (ESDYB) ESDYBSET - ESDYBSET - - - - - - - ESDYBEXT - ESDYBEXT - - - - ES - ES 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 49 デ ー タ シ ー ト 表 5.12 イレーズサスペンド - プログラム コマンド状態遷移 現在の状態 ES_WB ソフトウェア ステータスレ ステータスレ リセット / ジスター読出 ジスタクリア ASO 終了 しエンタ アンロッ ク1 イレーズ プログラ サスペン ムサスペ ド 拡張方 ンド 拡張 式 (1) 方式 コマンドおよ び状態 読出し アドレス RA xh x555h x555h x555h xh xh xh データ RD xF0h x70h x71h xAAh xB0h x51h xh ES_WB - - - - - - WC > 256 ま たは SA ≠ SA WC ≤ 256 お よび SA = SA ESPG WC < 0 また はライトバッ ファ ≠ ライト バッファ ES_WB_D ESPG1 ESPG ESPGSR WC > 0 およ びライトバッ ファ = ライ トバッファ - SR(7) = 1 - ES_WB_ D ESPG ES_WB_D - - - - - ES_WB_ D ESPG1 SR(7) = 0 データ ライト ESPG ( 復帰 ) - - - - - - ESPG ES ESPGSR (ESPG) - - ES ESUL1 ESPSR (ESPG) ESPSR (ESPG) ESPG - - - - - - ( 復帰 ) 注意： 1. 従来方式のイレーズサスペンド / プログラムサスペンドも同様です。 表 5.13 イレーズサスペンド - プログラムサスペンド コマンド状態遷移 現在の状態 コマンドお よび状態 読出し ソフトウェ アリセット / ASO 終了 ステータスレ ジスター読出 しエンタ ステータス レジスタク リア アンロッ ク1 アンロッ ク2 イレーズ レジュー ム 拡張方 式 (2) プログラ ムレ ジューム 拡張方式 アドレス RA xh x555h x555h x555h x2AAh xh xh データ RD xF0h x70h x71h xAAh x55h x30h x50h ESPSR (1) - ESPSR - ESPGSR (ESPSR) - - - - - ESPS - ESPS ESPS ESPSSR (ESSP) ESPS ESPSUL1 - ESPG ESPG ESPSSR - ( 復帰 ) - - - - - - - ESPSUL1 - ESPSUL1 - ESPSSR (ESPS) - - ESPSUL2 - - ESPSUL2 - ESPSUL2 - ESPSSR (ESPS) - - - ESPG ESPG 注意： 1. 状態は、tPSL により自動的に ESPS 状態に移行します。 2. 従来方式のイレーズサスペンド / プログラムサスペンドも同様です。 50 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 表 5.14 プログラムコマンド状態遷移 現在の 状態 コマンドおよび 読出し 状態 ステータ スレジス ター読出 しエンタ ステータス レジスタク リア アンロッ ク1 プログラム イレーズ バッファー・ サスペン ツー・フ ド 拡張方 ラッシュ ( コ 式 (2) ンファーム ) プログラ ムサスペ ンド 拡張 方式 データラ イト アドレス RA xh x555h x555h x555h (SA)xh xh xh xh データ RD xF0h x70h x71h xAAh x29h xB0h x51h xh WB - - - - - - - WC > 256 また は SA ≠ SA WB ソフト ウェアリ セット / ASO 終了 PG WC ≤ 256 およ び SA = SA WB_D ライトバッファ ≠ ライトバッ ファ WB_D WC = 0 WB_D PG - - - - - - - PBF WC > 0 およびラ イトバッファ = ライトバッファ WB_D PBF - - - - - - PG - - PG PG1 - PG1 - - - - - - - PG - - PSR (PG) PSR (PG) リード WBUL1 - - SR(7) = 0 - SR(7) = 1 PG (1) PG SR(7) = 1 かつ SR(1) = 0 リード PGSR (PG) - PG 注意： 1. 状態は動作完了時に自動的に読み出し状態に移行します。 2. 従来方式のイレーズサスペンド / プログラムサスペンドも同様です。 表 5.15 プログラム - アンロック コマンド状態遷移 現在の状 態 コマンド および状 態 読出し ソフトウェアリセッ ト / ASO 終了 ステータスレジス ター読出しエンタ アンロック 2 アドレス RA xh x555h x2AAh x555h ではない xh x2AAh ではない xh データ RD xF0h x70h x55h xh NOT xF0h xh NOT x55h ではない - - WBUL1 - - WBUL2 - - PG PG - - PG PG - - - - - - 有効な「ライト・ツー・バッファー・アボートリ セット」コマンドではない WBUL1 SR(3) = 1 DQ(1) = 1 - WBUL2 SR(3) = 1 WBUL2 リード - - ( 復帰 ) - - - DQ(1) = 1 PGSR - 表 5.16 プログラムサスペンドコマンド状態遷移 コマンドおよ び状態 イレーズレジューム 拡張方式 (2) 読出し ステータスレジス ター読出しエンタ ステータスレジス タクリア アドレス RA x555h x555h xh xh データ RD x70h x71h x30h x50h PSR (1) - PSR PGSR (PSR) - - - PS - PS PSSR (PS) PS PG PG PSSR - ( 復帰 ) - - - - 現在の状態 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー プログラムレ ジューム 拡張方式 51 デ ー タ シ ー ト 注意： 1. 状態は、tPSL により自動的に PS 状態に移行します。 2. 従来方式のイレーズサスペンド / プログラムサスペンドも同様です。 表 5.17 ロックレジスタエントリーコマンド状態遷移 コマンドお よび状態 現在の状態 読出し ソフトウア リセット / ASO 終了 ステータスレ ジスター読出 しエンタ ステータス レジスタク リア コマンド セット終了 エントリ PPB ロック ビットセッ トエントリ コマンド セット終 パスワー ドワード カウント アドレス RA xh x555h x555h xh xh xh Xh データ RD xF0h x70h x71h x90h x00h xA0h x03h LR - LR リード LRSR (LR) LR LREXT - LRPG1 - LRPG1 - LRPG1 - - - - - - - LRPG - LRPG - LRSR (LRPG) - - - - - LRSR - ( 復帰 ) - - - - - - - LREXT - LREXT - - - - リード - リード 表 5.18 CFI コマンド状態遷移 現在の状態 コマンドおよび状態 読出し ソフトウアリセット / ASO 終了 ステータスレジス ター読出しエンタ ステータスレジスタ クリア アドレス RA xh x555h x555h アドレス RD xF0h x70h x71h CFI - CFI リード CFISR (CFI) CFI CFISR - ( 復帰 ) - - - 表 5.19 セキュアーシリコンセクター コマンド状態遷移 現在の状態 コマンドおよび 状態 読出し ソフトウアリセ ット / ASO 終了 ステータスレジス ター読出しエンタ ステータスレジ スタクリア アンロック 1 アドレス RA xh x555h x555h x555h データ RD xF0h x70h x71h xAAh - SSR リード SSRSR (SSR) SSR SSRUL1 SSR 表 5.20 セキュアーシリコンセクター − アンロック コマンド状態遷移 現在の 状態 コマンド および状 態 ソフトウア 読出し リセット / ASO 終了 ステータ スレジス ターリー ドエンタ ライト・ コマンド ワードプ アンロッ ツー・ セット終 有効な「ライト・ツー・バッファー・ア ログラム ク2 バッファ 了エント ボートリセット」コマンドではない エントリ エントリ リー アドレス RA xh x555h x2AAh x555h (SA)xh x555h NOT x555h xh NOT x2AAh xh データ RD xF0h x70h x55h xA0h x25h x90h xh NOT xF0h xh NOT x55h - - リード SSRSR (SSR) SSRUL2 - - - - - SSRPG SSRPG - - SSRPG SSRPG - - SSRUL1 DQ(1) = 1 SSRUL1 SR(3) = 1 - SSRUL2 DQ(1) = 1 SSRUL2 SSR - - SSRPG1 SSR_WB SR(3) = 1 52 GL-S MirrorBit® ファミリー SSREXT S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 表 5.21 セキュアーシリコンセクター − プログラム コマンド状態遷移 コマンドおよび 状態 現在の状態 読出し ステータスレジ スタクリア アンロック 1 RA xh x555h x555h x555h xh RD xF0h x70h x71h xAAh x00h - SSRPG1 - - SSRPG1 - - SSR_WB - - - - - SSR_WB_D - - - - - WC ≤ 256 および = SA WC < 0 またはライト バッファ≠ ライトバッファ WC > 0 および ライトバッファ ＝ ライトバッファ SR(7) = 0 - - SR(7) = 1 SR(7) = 1 かつ DQ(1) = 0 SSRPG コマンドセッ ト終了 データ WC > 256 または ≠ SA SSR_WB_D ステータスレ ジスター読出 しエンタ アドレス SSRPG1 SSR_WB ソフトウアリ セット / ASO 終了 リード SSRPG DQ(1) = 1 SSRSR (SSRPG) - SR(3) = 1 - SSR - - SSRUL1 SSRSR - ( 復帰 ) - - - - - SSREXT - SSREXT - SSRSR (SSR) - - リード 表 5.22 パスワードプロテクション コマンド状態遷移 現在の 状態 コマンド および状 態 読出し ソフトウ アリセ ット / ASO 終了 ステータ スレジス ター読出 しエンタ ステータ スレジス タクリア パスワー ド ASO アンロッ クエンタ パスワー コマンド コマンド ド ASO ア セット終了 セット終了 ンロック エントリ 開始 プログラ ムエン トリ パスワー ドワード カウント アドレス RA xh x555h x555h 0h 0h xh xh xh Xh データ RD xF0h x70h x71h x25h x29h x90h x00h xA0h x03h PP - PP リード PPSR (PP) PP PPWB25 - PPEXT - PPPG1 - PPWB25 - PPWB25 - - - - - - - - PPD - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - PPD PPPG1 WC > 0 PPD WC ≤ 0 - - PPPG1 PPPG PPPG - PPPG - PPSR (PPPG) PPSR - ( 復帰 ) - - - - - - - - - PPEXT - PPEXT - - - - - - リード - - 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 53 デ ー タ シ ー ト 表 5.23 不揮発性プロテクション コマンド状態遷移 現在の 状態 コマンド および 状態 読出し ソフトウ アリセ ット / ASO 終了 アドレス RA xh データ RD PPB PPBPG1 PPBPG PPBER ステータス ステータ レジスター スレジス リードエ タクリア ンタ xh (SA)xh Xh 0h xF0h x70h x71h x90h x00h xA0h x00h x80h x30h PPB PPBEXT - PPBPG1 - PPBPG1 - - PPBPG - PPB - PPBER - - - - - - - - - - - - - PPBPG1 リード - - PPBSR (PPBPG) - リード - PPBER SR(7) = 1 オール PPB イ レーズ 開始 xh リード SR(7) = 0 オール PPB イ レーズエ ンタ xh PPB PPBPG DYB セッ ト開始 x555h - SR(7) = 1 プログラ ムエン トリ x555h PPBSR (PPB) SR(7) = 0 コマンド コマンド セット終了 セット終了 エントリ リード - リード PPBSR (PPBER) リード PPBSR - ( 復帰 ) - - - - - - - - - PPBEXT - PPBEXT - - - - リード - - - - 表 5.24 PPB ロックビット コマンド状態遷移 現行の状態 コマンドおよ び状態 ソフトウェア リセット / ASO 終了 読出し ステータスレ ステータスレジ コマンドセット コマンドセッ ジスター読出 スタクリア 終了エントリ ト終了 しエンタ プログラムエ ントリ アドレス RA xh x555h x555h xh xh xh データ RD xF0h x70h x71h x90h x00h xA0h PPBLB - PPBLB リード PPBLBSR (PPBLB) PPBLB PPBLBEXT - PPBLBSET PPBLBSR - ( 復帰 ) - - - - - - PPBLBSET LR(2) = 0 かつ LR(5) = 0 PPBLBSET - - - - PPBLB - PPBLBEXT - PPBLBEXT - - - - リード - 表 5.25 揮発性セクタープロテクション コマンド状態遷移 現行の 状態 読出し ソフト ウェアリ セット / ASO 終了 ステータ スレジス ター読出 しエンタ ステータ スレジス タクリア アドレス RA xh x555h x555h xh データ RD xF0h x70h x71h コマンド および 状態 DYB - DYB リード DYBSR (DYB) DYBSR - ( 復帰 ) - - コマンド コマンド セット終了 セット終了 エントリ プログラ ムエン トリ DYB セッ ト開始 DYB クリ ア開始 xh xh (SA)xh (SA)xh x90h x00h xA0h x00h x01h DYB DTBEXT - DYBSET - - - - - - - - DYBSET - DYBSET - - - - - - DYB DYB DYBEXT - DYBEXT - - - - リード - - - 54 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 表 5.26 状態遷移定義 ( シート １／２ ) コマンド遷移 定義 BLCK 現行状態 表 5.8 ブランクチェック CER 表 5.8 チップイレーズ開始 CFI 表 5.18 ID ( オートセレクト ) CFISR 表 5.18 ID ( オートセレクト ) - ステータスレジスタ読出し DYB 表 5.25 DYB ASO DYBEXT 表 5.25 DYB ASO - コマンド終了 DYBSET 表 5.25 DYB ASO - セット DYBSR 表 5.25 DYB ASO - ステータスレジスタ読出し ER 表 5.8 イレーズへの移行 ERSR 表 5.8 イレーズ - ステータスレジスタ読出し ERUL1 表 5.8 イレーズ - アンロックサイクル 1 ERUL2 表 5.8 イレーズ - アンロックサイクル 2 ES 表 5.9 イレーズサスペンド ESDYB 表 5.11 イレーズサスペンド中 - DYB ASO ESDYBEXT 表 5.11 イレーズサスペンド中 - DYB コマンド終了 ESDYBSET 表 5.11 イレーズサスペンド中 - DYB セット / クリア ESPG 表 5.12 イレーズサスペンド中 - プログラム ESPGSR 表 5.12 イレーズサスペンド中 - プログラム - ステータスレジスタ読出し ESPG1 表 5.12 イレーズサスペンド中 - ワードプログラム ESPS 表 5.13 イレーズサスペンド中 - プログラムサスペンド中 ESPSR 表 5.13 イレーズサスペンド中 - プログラムサスペンド ESPSSR 表 5.13 イレーズサスペンド中 - プログラムサスペンド - ステータスレジスタ読出し ESPSUL1 表 5.13 イレーズサスペンド中 - プログラムサスペンド - アンロック 1 ESPSUL2 表 5.13 イレーズサスペンド中 - プログラムサスペンド - アンロック 2 ESR 表 5.9 イレーズサスペンド要求 ESSR 表 5.9 イレーズサスペンド中 - ステータスレジスタ読出し ESUL1 表 5.10 イレーズサスペンド中 - アンロックサイクル 1 ESUL2 表 5.10 イレーズサスペンド中 - アンロックサイクル 2 ES_WB 表 5.12 イレーズサスペンド中 - ライト・ツー・バッファ ES_WB_D 表 5.12 イレーズサスペンド中 - ライト - ツー - バッファデータ LR 表 5.17 ロックレジスター LREXT 表 5.17 ロックレジスタ - コマンド終了 LRPG 表 5.17 ロックレジスタ - プログラム LRPG1 表 5.17 ロックレジスタ - プログラム開始 LRSR 表 5.17 ロックレジスタ - ステータスレジスタ読出し PBF 表 5.14 ページバッファがフル PG 表 5.14 プログラム PGSR 表 5.15 プログラム - ステータスレジスタ読出し PG1 表 5.14 ワードプログラム PP 表 5.22 パスワード ASO PPB 表 5.23 PPB PPBER 表 5.23 PPB - イレーズ PPBEXT 表 5.23 PPB - コマンド終了 PPBLB 表 5.24 PPB ロックビット PPBLBEXT 表 5.24 PPB ロックビット - コマンド終了 PPBLBSET 表 5.24 PPB ロックビット - セット PPBLBSR 表 5.24 PPB ロックビット - ステータスレジスタ読出し PPBPG 表 5.23 PPB - プログラム 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 55 デ ー タ シ ー ト 表 5.26 状態遷移定義 ( シート ２／２ ) 現行状態 56 コマンド遷移 定義 PPBPG1 表 5.23 PPB - プログラム要求 PPBSR 表 5.23 PPB - ステータスレジスタ読出し PPD 表 5.22 パスワード ASO - データ PPEXT 表 5.22 パスワード ASO - コマンド終了 PPPG 表 5.22 パスワード ASO - プログラム PPPG1 表 5.22 パスワード ASO - プログラム要求 PPSR 表 5.22 パスワード ASO - ステータスレジスタ読出し PS 表 5.16 プログラムサスペンド中 PSR 表 5.16 プログラムサスペンド要求 PSSR 表 5.16 プログラムサスペンド中 - ステータスレジスタ読出し PPWB25 表 5.22 パスワード ASO - アンロック リード 表 5.6 アレイリード READSR 表 5.6 ステータスレジスターの読み出し READUL1 表 5.7 読出し - アンロックサイクル 1 READUL2 表 5.7 読出し - アンロックサイクル 2 SER 表 5.8 セクタイレーズ開始 SSR 表 5.19 セキュアシリコン SSREXT 表 5.21 セキュアシリコン - コマンド終了 SSRPG 表 5.21 セキュアシリコン - プログラム SSRPG1 表 5.21 セキュアシリコン - ワードプログラム SSRSR 表 5.21 セキュアシリコン - ステータスレジスタ読出し SSRUL1 表 5.20 セキュアシリコン - アンロックサイクル 1 SSRUL2 表 5.20 セキュアシリコン - アンロックサイクル 2 SSR_WB 表 5.21 セキュアシリコン - ライト・ツー・バッファ SSR_WB_D 表 5.21 セキュアシリコン - ライト・ツー・バッファ - データライト WB 表 5.14 ライト・ツー・バッファ WBUL1 表 5.15 ライトバッファ - アンロックサイクル 1 WBUL2 表 5.15 ライトバッファ - アンロックサイクル 2 WB_D 表 5.14 ライト - ツー - バッファ・データライト GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 6. ソフトウェアインターフェース参考資料 6.1 コマンド定義 コマンドシーケンス ( 注 1) サイクル 表 6.1 コマンド定義 ( シート １／３ ) バスサイクル ( 注 2-5) 1 回目 2 回目 3 回目 4 回目 5 回目 6 回目 7 回目 アドレ アドレ アドレ アドレ アドレ アドレ アドレ データ データ データ データ データ データ データ ス ス ス ス ス ス ス リード ( 注 6) 1 RA リセット /ASO 終了 ( 注 7, 16) 1 XXX RD F0 ステータスレジスタ読出し 2 555 70 ステータスレジスタクリア 1 555 71 XXX RD ワードプログラム 4 555 AA 2AA 55 555 A0 PA PD ライト・ツー・バッファ 6 555 AA 2AA 55 SA 25 SA WC WBL PD WBL PD プログラムバッファー・ツー・ 1 フラッシュ ( コンファーム ) SA 29 ライト・ツー・バッファー・ アボートリセット ( 注 11) 3 555 AA 2AA 55 555 F0 チップイレーズ 6 555 AA 2AA 55 555 80 555 AA 2AA 55 555 10 セクタイレーズ 6 555 AA 2AA 55 555 80 555 AA 2AA 55 SA 30 イレーズサスペンド / プログラ ムサスペンド 従来方式 ( 注 9) 1 XXX B0 1 XXX 30 プログラムサスペンド 拡張方式 1 XXX 51 プログラムレジューム 拡張方式 1 XXX 50 1 (SA) 555 33 ID ( オートセレクト ) エントリー 3 555 AA 2AA 55 (SA) 555 90 CFI エンター ( 注 8) 1 (SA) 55 98 ID-CFI 読出し 1 RA RD リセット /ASO 終了 ( 注 7, 16) 1 XXX F0 WBL PD WBL PD イレーズサスペンド 拡張方式 イレーズレジューム / プログラ ムレジューム従来方式 ( 注 10) イレーズレジューム 拡張方式 ID-CFI ( オートセレクト ) ASO ブランクチェック セキュアシリコン領域のコマンド定義 セキュアシリコン領域 (SSR) ASO SSR エントリー 3 555 AA 2AA 55 (SA) 555 88 リード ( 注 6) 1 RA RD ワードプログラム 4 555 AA 2AA 55 555 A0 PA PD ライト・ツー・バッファ 6 555 AA 2AA 55 SA 25 SA WC プログラムバッファー・ ツー・フラッシュ ( コンファーム ) 1 SA 29 ライト・ツー・バッ ファー・アボートリセット ( 注 11) 3 555 AA 2AA 55 555 F0 SSR 終了 ( 注 11) 4 555 AA 2AA 55 555 90 XX 0 リセット /ASO 終了 ( 注 7, 16) 1 XXX F0 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 57 デ ー タ シ ー ト コマンドシーケンス ( 注 1) サイクル 表 6.1 コマンド定義 ( シート ２／３ ) バスサイクル ( 注 2-5) 1 回目 2 回目 3 回目 4 回目 5 回目 6 回目 7 回目 アドレ アドレ アドレ アドレ アドレ アドレ アドレ データ データ データ データ データ データ データ ス ス ス ス ス ス ス ロックレジスタ ASO ロックレジスタのコマンドセット定義 ロックレジスタエントリー 3 555 AA 2AA 55 プログラム ( 注 15) 2 XXX A0 XXX PD リード ( 注 15) 1 0 RD コマンドセット終了 ( 注 12, 16) 2 XXX 90 XXX 0 リセット /ASO 終了 ( 注 7, 16) 1 XXX F0 パスワード ASO エントリー 3 555 AA 2AA 55 PWDx 555 40 パスワード ASO パスワードプロテクトのコマンドセット定義 555 60 プログラム ( 注 14) 2 XXX A0 PWA x リード ( 注 13) 4 0 PWD0 1 PWD1 2 PWD2 3 PWD 3 アンロック 7 0 25 0 3 0 PWD0 1 PWD 1 コマンドセット終了 ( 注 12, 16) 2 XXX 90 XXX 0 リセット /ASO 終了 ( 注 7, 16) 1 XXX F0 2 PWD2 3 PWD 3 0 29 PPB ( 不揮発性セクタプロテクト ) 不揮発性セクタプロテクトのコマンドセット定義 PPB エントリー 3 555 AA 2AA 55 PPB プログラム ( 注 17) 2 XXX A0 SA 0 オール PPB イレーズ ( 注 17) 2 XXX 80 0 30 XXX 0 PPB リード ( 注 17) 1 SA RD (0) コマンドセット終了 ( 注 12, 16) 2 XXX 90 リセット /ASO 終了 ( 注 7, 16) 1 XXX F0 PPB ロックエントリー 3 555 AA 2AA 55 PPB ロックビットクリ アード 2 XXX A0 XXX 0 PPB ロックステータスク リア ( 注 17) 1 XXX RD (0) コマンドセット終了 ( 注 12, 16) 2 XXX 90 XXX 0 リセット /ASO 終了 ( 注 16) 1 XXX F0 555 C0 PPB ロックビット グローバル不揮発性セクタプロテクトフリーズのコマンドセット定義 58 555 50 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 表 6.1 コマンド定義 ( シート ３／３ ) コマンドシーケンス ( 注 1) サイクル バスサイクル ( 注 2-5) DYB ASO エントリー 3 555 AA 2AA 55 DYB セット ( 注 17) 2 XXX A0 SA 0 DYB クリア ( 注 17) 2 XXX A0 SA 1 DYB ステータスリード ( 注 17) 1 SA RD (0) コマンドセット終了 ( 注 12, 16) 2 XXX 90 XXX 0 リセット /ASO 終了 ( 注 16) 1 XXX F0 1 回目 2 回目 3 回目 4 回目 5 回目 6 回目 7 回目 アドレ アドレ アドレ アドレ アドレ アドレ アドレ データ データ データ データ データ データ データ ス ス ス ス ス ス ス DYB ( 揮発性セクタプロテクト ) ASO 揮発性セクタプロテクトのコマンドセット定義 555 E0 凡例 : X = 任意。 RA = 読出しメモリアドレス。 RD = 読出し動作中に RA から読み出されるデータ。 RA = プログラム対象のメモリロケーションのアドレス。 PD = ロケーション PA でプログラムされるデータ。 SA = 選択されたセクターのアドレス。アドレスビット AMAX-A16 は、一意にセクターを選択します。 WBL = ライトバッファ位置。このアドレスは、同じライン内でなければなりません。 WC = ワードカウントは、ロードするライトバッファロケーション数 - 1。 PWAx = ワード 0 = 00h、ワード 1 = 01h、ワード 2 = 02h、ワード 3 = 03h のパスワードアドレス。 PWDx = ワード 0、ワード 1、ワード 2、ワード 3 のパスワードデータ 注意： 1. バス動作の説明については、表 8.1 インターフェース状態 (67 ページ ) を参照ください。 2. 数値はすべて 16 進表記です。 3. 以下を除いて、バスサイクルはすべて書き込みサイクルです。読出し中の読出しサイクル、ID/CFI 読出し ( 製造 ID/ デバイス ID)、インジ ケータビット、セキュアシリコン領域読出し、SSR ロック読出し、2 サイクル目のステータスレジスタ読出し。 4. データビット DQ15 ∼ DQ8 はコマンドシーケンスでは任意となります ( ただし RD、PD、WC、PWD を除く )。 5. アドレスビット AMAX-A11 は、ロック解除およびコマンドサイクルでは任意となります ( ただし、 SA または PA が必要である場合を除く )。 (AMAX は最上位アドレスピン )。 6. アレイデータを読み出す際、ロック解除またはコマンドサイクルは不要です。 7. デバイスが ID-CFI（自動選択）モードのとき、または（デバイスがステータスデータを提供している間に）DQ5 が H になったときは、 データアレイの読み出しに戻るには、リセットコマンドが必要です。 8. デバイスがアレイデータを読み出す準備ができているとき、またはデバイスが ID-CFI（自動選択）モードのとき、コマンドが有効にな ります。 9. イレーズサスペンドモードのとき、消去対象となっていないセクタを読出し / プログラムしたり、サスペンドをプログラムしたり、IDCFI ASO に移行することができます。イレーズサスペンドコマンドは、セクタイレーズ動作時のみ有効です。 10. 消去再開 / プログラム再開コマンドは、消去一時停止 / プログラム一時停止モード時のみ有効です。 11. デバイスがバッファーへの書き込み中断状態にあることを検出後に、読み出しモードに戻るには、このコマンドシーケンスを発行します。 重要 : 中断をリセットする場合は、フルコマンドシーケンスが必要です。 12. 終了コマンドは、デバイスをアレイの読み出しに復帰させます。 13. パスワード領域を対象とする移行や読み出しは、64 ビットのパスワードがすべて入力され、読まれさえすれば、任意の順序で行うこ とができます。 14. PWDx の場合は、プログラムできるパスワード領域は、A0 コマンド 1 回につき、1 つだけです。パスワード領域は、逐次的な順序 （PWD0 ∼ PWD3）でプログラムする必要があります。 15. ロックレジスターのビットはすべて、1 回のみプログラム可能です。プログラム状態 =0 で、イレーズ状態 =1 です。また、恒久的プロ テクトモード・ロックビットと、パワードプロテクトモード・ロックビットは、同時にプログラムできません。同時にプログラムする と、ロックレジスタビットプログラム動作が中断され、デバイスが読出しモードに復帰します。将来の使用のために予約されている ロックレジスタービットは未定義であり、0 でも 1 でもかまいません。 16. いずれかのエントリーコマンドを発行したら、終了コマンドを発行してデバイスを読み出しモードにリセットする必要があります。 17. 保護された状態 =00h、非保護の状態 =01h です。DYB 設定、DYB 消去、または PPB プログラムコマンドのセクターアドレスは、そのセ クター内の任意の場所でかまいません。セクターアドレスの下位ビットは任意です。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 59 デ ー タ シ ー ト 6.2 デバイス ID と共通フラッシュインターフェース（ID-CFI）の ASO マップ ASO ( ワードロケーション 0h ∼ 0Fh) のデバイス ID 領域には、メーカー ID、デバイス ID、セクタプロテク ト状態、およびデバイスの基本機能セットの情報が入っています。 ID-CFI 位置 02h は、ID-CFI エンターコマンドで使用されたセクターアドレス（SA）によって選択されたセク ターのセクター保護状態を示します。複数のセクタのプロテクト状態を読み出すには、いったん ID ASO を 終了し、新しい SA を使用して ID ASO に入る必要があります。ロケーション 02h を読み出すためのアクセ スタイムは常に tACC であり、このロケーションを読み出すには、読出しの前に CE# を High にし、Low に 復帰させて読出しを開始する必要があります ( 非同期読出しアクセス )。 02h 以外の ID ロケーション間のページモード読出しはサポートされています。 詳細状態については、ID-CFI ASO (35 ページ ) . を参照ください。 表 6.2 ID （自動選択）アドレスマップ 説明 アドレス 製造メーカ ID (SA) + 0000h デバイス ID (SA) + 0001h 227Eh (SA) + 0002h セクター保護状態 (1 = セクター保護済み、0 = セクター未保護）。このプロテクト状態は、 ID-CFI ASO に入るときに選択された SA に対してのみ示されます。他の SA を読み出しても 未定義データが返されます。別の SA 保護状態を読み出すには、ASO の終了コマンドを使 用し、新しい SA を用いて再度 ID-CFI ASO に入ります。 保護 検証 データ読出し 0001h DQ15 ∼ DQ08 = 1 ( 未使用 ) DQ7 - 工場でロックされるセキュアーシリコン領域 1 = ロック済み 1 = ロック済み 0 = 未ロック インジケータビット (SA) + 0003h DQ6 - お客様がロックしたセキュアーシリコン領域 1 = ロック済み 0 = ロックなし DQ5 = 1 ( 予約済み ) DQ4 - WP# プロテクト 0 = 最下位アドレスセクター 1 = 最上位アドレスセクター DQ3 - DQ0 = 1 ( 予約済み ) RFU (SA) + 0004h 予約済み (SA) + 0005h 予約済み (SA) + 0006h 予約済み (SA) + 0007h 予約済み (SA) + 0008h 予約済み (SA) + 0009h 予約済み (SA) + 000Ah 予約済み (SA) + 000Bh 予約済み ビット 0 - ステータスレジスターサポート 1 = ステータスレジスターサポート済み 0 = ステータスレジスター未サポート ビット 1 - DQ ポーリングサポート 1 = DQ ビットポーリングサポート 下位ソフトウェア ビット (SA) + 000Ch 0 = DQ ビットポーリングサポートなし ビット 3-2 - コマンド設定サポート 11 = 予約済み 10 = 予約済み 01 = 短縮コマンドセット 00 = 古いコマンドセット ビット 4-15 - 未使用 = 0 60 上位ソフトウェア ビット (SA) + 000Dh 予約済み デバイス ID (SA) + 000Eh 2228h = 1 Gb 2223h = 512 Mb 2222h = 256 Mb 2221h = 128 Mb デバイス ID (SA) + 000Fh 2201h GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 表 6.3 CFI クエリ識別文字列 ワードアドレス データ (SA) + 0010h 0051h (SA) + 0011h 0052h (SA) + 0012h 0059h (SA) + 0013h 0002h (SA) + 0014h 0000h (SA) + 0015h 0040h (SA) + 0016h 0000h (SA) + 0017h 0000h (SA) + 0018h 0000h (SA) + 0019h 0000h (SA) + 001Ah 0000h 説明 固有 ASCII クエリ文字列「QRY」 プライマリ OEM コマンドセット プライマリ拡張テーブルのアドレス 代替 OEM コマンドセット (00h = 未使用 ) 代替 OEM 拡張テーブルのアドレス (00h = 未使用 ) 表 6.4 CFI システムインターフェース文字列 ワードアドレス データ (SA) + 001Bh 0027h VCC 最小 ( 消去 / プログラム ) (D7-D4：V，D3 ∼ D0：100 mV) 説明 (SA) + 001Ch 0036h VCC 最大 ( 消去 / プログラム ) (D7-D4：V，D3 ∼ D0：100 mV) (SA) + 001Dh 0000h VPP 最小電圧（00h = VPP ピンなし） (SA) + 001Eh 0000h VPP 最大電圧（00h = VPP ピンなし） (SA) + 001Fh 0008h 1 ワード書き込み時の標準時間 2N µs (SA) + 0020h 0009h 最大マルチバイトプログラム の標準時間、2N µs (00h = サポートなし ) (SA) + 0021h 0008h 個別ブロック消去標準時間 2N ms 0012h (1 Gb) (SA) + 0022h 0011h (512 Mb) 0010h (256 Mb) 完全チップ消去標準時間 2N ミリ秒（00h = サポートなし） 000Fh (128 Mb) (SA) + 0023h 0001h 1 ワード書き込み時の最大時間は標準の 2N 倍 (SA) + 0024h 0002h バッファー書き込み時の最大時間は標準の 2N 倍 (SA) + 0025h 0003h 個別ブロック消去最大時間は、標準時間の 2N 倍 (SA) + 0026h 0003h チップ一括消去の最大時間は標準時間の 2N 倍 (00h = サポートなし ) 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 61 デ ー タ シ ー ト 表 6.5 CFI デバイスジオメトリー定義 ワードアドレス データ 説明 001Bh (1 Gb) (SA) + 0027h 001Ah (512 Mb) 0019h (256 Mb) デバイスサイズ = 2N バイト。 0018h (128 Mb) 62 (SA) + 0028h 0001h (SA) + 0029h 0000h (SA) + 002Ah 0009h (SA) + 002Bh 0000h (SA) + 002Ch 0001h (SA) + 002Dh 00XXh (SA) + 002Eh 000Xh (SA) + 002Fh 0000h (SA) + 0030h 000Xh (SA) + 0031h 0000h (SA) + 0032h 0000h (SA) + 0033h 0000h (SA) + 0034h 0000h (SA) + 0035h 0000h (SA) + 0036h 0000h (SA) + 0037h 0000h (SA) + 0038h 0000h (SA) + 0039h 0000h (SA) + 003Ah 0000h (SA) + 003Bh 0000h フラッシュデバイスインタフェースの説明 0 = x8- 固定、1 = x16- 固定 2 = x8/x16 対応 マルチバイト書き込み時の最大バイト数 = 2N ( ただし、00 = 未対応 ) デバイス内のイレーズブロックの種類 1 = ユニフォームデバイス、2 = ブートデバイス イレーズブロック 1 の情報 (JEDEC の JESD68-01 または JEP137 仕様を参照 ) 00FFh, 0003h, 0000h, 0002h =1 Gb ビット 00FFh, 0001h, 0000h, 0002h = 512 ビット 00FFh, 0000h, 0000h, 0002h = 256 ビット 007Fh, 0000h, 0000h, 0002h = 128 ビット イレーズブロック 2 の情報（「CFI Publication 100」を参照） イレーズブロック 3 の情報（「CFI Publication 100」を参照） イレーズブロック 4 の情報（「CFI Publication 100」を参照） (SA) + 003Ch 0000h (SA) + 003Dh FFFFh 予約済み (SA) + 003Eh FFFFh 予約済み (SA) + 003Fh FFFFh 予約済み GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 表 6.6 CFI プライマリベンダー固有拡張クエリ ( シート １／２ ) ワードアドレス データ (SA) + 0040h 0050h (SA) + 0041h 0052h (SA) + 0042h 0049h 説明 固有 ASCII クエリ文字列「PRI」 (SA) + 0043h 0031h メジャーバージョン番号（ASCII） (SA) + 0044h 0035h マイナーバージョン番号 (ASCII) コマンド入力時のアドレス（ビット 1 ∼ 0） 00b = 必要 01b = 不要 プロセステクノロジ ( ビット 5-2) 0000b = 0.23 フローティングゲート 0001b = 0.17 フローティングゲート (SA) + 0045h 001Ch 0010b = 0.23 ミラービット 0011b = 0.13 フローティングゲート 0100b = 0.11 ミラービット 0101b = 0.09 ミラービット 0110b = 0.09 フローティングゲート 0111b = 0.065 ミラービット Eclipse 1000b = 0.065 ミラービット 1001b = 0.045 ミラービット (SA) + 0046h 0002h イレーズ サスペンド 0 = 未サポート 1 = 読み取り専用 2 = 読み出しと書き込み (SA) + 0047h 0001h セクタプロテクト 00 = 未対応 0000h 一時的セクタプロテクト解除 00 = 未サポート X = 最小グループ内のセクタ数 (SA) + 0048h 01 = サポート (SA) + 0049h 0008h セクタプロテクト設定 / 解除方式 04 = 高電圧方式 05 = ソフトウェアコマンドロック方法 08 = 高度なセクター保護方法 (SA) + 004Ah 0000h 同時動作 00 = 未サポート X = バンク数 (SA) + 004Bh 0000h バーストモードタイプ 00 = 未サポート 01 = サポート ページモードタイプ 00 = 未サポート (SA) + 004Ch 0003h 01 = 4 ワードページ 02 = 8 ワードページ 03=16 ワードページ (SA) + 004Dh 0000h ACC（アクセラレーション）供給最小 00 = サポートなし D7-D4: 電圧 D3-D0: 100 mV (SA) + 004Eh 0000h ACC（アクセラレーション）供給最大 00 = サポートなし D7-D4: 電圧 D3-D0: 100 mV 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 63 デ ー タ シ ー ト 表 6.6 CFI プライマリベンダー固有拡張クエリ ( シート ２／２ ) ワードアドレス データ 説明 WP# プロテクト 00h = WP プロテクトなしのフラッシュデバイス ( ブートなし ) 01h = WP により 8×8K バイトの先頭および最終セクターを保護設定（デュアルブート） 02h = WP 保護による最終ブートデバイス（ボトムブート） (SA) + 004Fh 0004h ( 最終 ) 03h = 先頭セクタブートデバイス (WP プロテクトにより保護設定 ) ( トップブート ) 0005h ( 先頭 ) 04h = ユニフォーム、最終セクタを WP プロテクトにより保護設定 ( ユニフォームボトムブート ) 05h = ユニフォーム、先頭セクタを WP プロテクトにより保護設定 ( ユニフォームトップブート ) 06h = すべてのセクタを WP プロテクトにより保護設定 07h = ユニフォーム、先頭と最終 WP 保護 (SA) + 0050h 0001h プログラムサスペンド 00 = 未サポート 0000h アンロックバイパス 00 = 未サポート 01 = サポート (SA) +0051h 01 = サポート (SA) + 0052h 0009h セキュアドシリコンセクター（カスタマー OTP 領域）サイズ 2N ( バイト ) ソフトウェアの特徴 ビット 0: ステータスレジスターポーリング (1 = 対応、0 = 未対応 ) ビット 1: DQ ポーリング (1 = 対応、0 = 未対応 ) ビット 2: 新しいプログラム一時停止 / 再開コマンド（1 = 対応、0 = 未対応） (SA) + 0053h 008Fh ビット 3: ワードプログラミング（1 = 対応、0 = 未対応） ビット 4: ビットフィールドプログラミング（1 = 対応、0 = 未対応） ビット 5: 自動検出プログラミング（1 = 対応、0 = 未対応） ビット 6: RFU ビット 7: ラインあたり複数の書き込み（1 = 対応、0 = 未対応） (SA) + 0054h 0005h ページサイズ = 2N バイト (SA) + 0055h 0006h 消去一時停止タイムアウト最大 < 2N (µs) (SA) + 0056h 0006h プログラム一時停止タイムアウト最大 < 2N (µs) FFFFh 予約済み (SA) + 0078h 0006h 組み込みハードウェアリセットタイムアウト最大 < 2N (µs) リセットピンによるリセット (SA) + 0079h 0009h 非組み込みハードウェアリセットタイムアウト最大 < 2N (µs) パワーオンリセット (SA) + 0057h から (SA) + 0077h 64 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト ハードウェアインターフェース 7. 信号の説明 7.1 アドレスとデータの構成 アドレスとデータは、個別の信号入力と入出力端子を通じて並列に接続されています (ADP)。 7.2 入力 / 出力の概要 表 7.1 I/O の概要 シンボル 7.3 タイプ 説明 RESET# 入力 ハードウェアリセット。Low = デバイスはリセットされ、データアレイのリードモードに 戻ります。 CE# 入力 チップ有効。VIL 時、デバイスを、ホストのメモリコントローラのデータ転送を行うデバイ スとして選択します OE# 入力 出力有効。VIL 時、出力が実際に行われます。VIH 時、出力が高インピーダンス (High-Z) になります。 WE# 入力 書き込み有効。VIL 時、データ転送がホストからデバイスであることを示します。VIH 時、 データ転送がデバイスからホストであることを示します。 AMAX-A0 入力 アドレス入力。 S29GL01GS の場合、A25-A0 S29GL512S の場合、A24-A0 S29GL256S の場合、A23-A0 S29GL128S の場合、A22-A0 DQ15-DQ0 入出力 データの入力および出力 WP# 入力 書き込み保護。VIL 時、デバイスの最下位または最上位アドレス 64K ワード（128K バイ ト）セクターでのプログラムおよび消去機能を無効にします。VIH 時、このセクタはプロ テクトされていません。WP# は内部プルアップを持っており、何も接続しないと WP# は VIH となります。 RY/BY# オープンドレイ ン出力 レディ / ビジー。自動アルゴリズムが実行中であるか、完了しているかを示します。VIL 時、 デバイスはイレーズやプログラムなどの自動アルゴリズムを実際に行っています。High-Z 時、デバイスは読出しまたは新しいコマンドライトを行える状態です。High-Z 状態を検 出するためには、外部プルアップレジスタを必要です。複数のデバイスの RY/BY# 出力を まとめて、すべてのデバイスがレディになったときに検出することができます。 VCC 電源 コア電源 VIO 電源 Versatile I/O 電源 VSS 電源 電源グラウンド NC 接続なし 内部的に接続されていません。このピン / ボールの位置は、プリント基板（PCB）でルー ティングチャネルの一部として使用される場合があります。 RFU 接続なし 将来の使用のために予約済み。現在は内部的に接続されていませんが、将来的な互換性の ため、この端子 / ボールのロケーションは、未接続のままとし、PCB のルーティングチャ ネルで使用しないでください。このピン / ボールは将来的に使用される場合があります。 DNU 予約済み 使用できません。Spansion による使用のために予約されています。この端子 / ボールは内 部的に接続されています。入力は、VSS までの内部的なプルダウン抵抗を持っています。ピ ン / ボールは、オープンのままにすることも、PCB 上の VSS に接続することもできます。 Versatile I/O 機能 デバイスが駆動できる最大出力電圧レベルと、デバイスが受容できる最大入力電圧レベルは、VIO 電源に よって決められます。この電源によりデバイスは、同じバス（デバイスのコア電圧とは異なるインター フェース信号レベルを持つ）上の、他のデバイスとの間で信号を送受信できます。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 65 デ ー タ シ ー ト 7.4 レディ / ビジー # (RY/BY#) RY/BY# は、自動アルゴリズム、パワーオンリセット (POR)、またはハードウェアリセットが実行中である か、完了しているかを示す専用のオープンドレイン型の出力ピンです。RY / BY# ステータスは、コマンド シーケンスの最後の WE# パルスの立上りの後、POR 中に VCC が最小 VCC を上回ったとき、または RESET# の立下りの後に有効になります。RY / BY# はオープンドレイン出力であるため、数本の RY / BY# 端 子を並列にまとめて VIO にプルアップ抵抗を通して接続することができます。 出力が Low（Busy）ならば、デバイスはアクティブに消去、プログラム、またはリセットしています。( こ れは、イレーズサスペンドモードにおけるプログラムにも当てはまります )。出力が High（Ready）なら ば、デバイスはデータを読出しできる ( イレーズサスペンドモード中も含め ) 状態にあります。 表 5.3 データポーリングステータス (42 ページ ) は、各動作内の RY/BY# の出力を示します。 自動アルゴリズムが失敗した ( 最大パルスが原因でプログラム / イレーズが失敗した、またはセクタがロッ クされた ) 場合はステータスレジスタビット 4 と 5 がクリアされ、リセットコマンドが実行されるまで、 RY / BY# は Low ( ビジー ) のままになります。これは、ロックされたセクタでのイレーズまたはプログラム にも当てはまります。 7.5 ハードウェアリセット RESET# 入力は、デバイスをハードウェア的にリセットする方法を提供します。RESET# が tRP に達すると、 デバイスは直ちに下記の動作に入ります。 実行中の動作をすべて終了させ、 すべての ASO を終了し、 出力端子をすべて High-Z にし、 ステータスレジスタをリセットし、 EAC をスタンバイ状態にリセットします。 CE# はリセット動作の間 (tRPH) は無視されます。 リセット電流仕様 (ICC5) を満たすには、CE# は H のままであることが必要です。 データ完全性を保証するには、デバイスがコマンド シーケンスを受けられるようになり次第、中断された 動作を再実行する必要があります。 66 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 8. 信号プロトコル 以下のセクションには、29GL-S ファミリのフラッシュデバイスに対する、ホストシステムインタフェース の信号の振る舞いとタイミングが記載されています。 8.1 インターフェース状態 表 8.1 は、インターフェース信号の値の要件を、インターフェースの状態ごとに示します。 表 8.1 インターフェース状態 インタフェースの状態 VCC VIO RESET# CE# OE# WE# AMAX-A0 DQ15 ∼ DQ0 ハードウェアデータプロテク ト状態での電源切断 < VLKO ≤ VCC X X X X X High-Z X X X X X High-Z L X X X X High-Z H H X X X High-Z H L X X 有効 出力 利用可能 H L H H 有効 High-Z H L L H 有効 出力 有効 Power-On ( コールド ) リセット ≥ VCC min ハードウェア ( ウォーム ) リ セット ≥ VCC min インタフェーススタンバイ ≥ VCC min オートマチックスリープ ( 注 1, 3) ≥ VCC min 出力禁止で読み出し ( 注 2) ≥ VCC min ランダム読出し ≥ VCC min ページ読出し ≥ VCC min ライト ≥ VCC min ≥ VIO min ≤ VCC ≥ VIO min ≤ VCC ≥ VIO min ≤ VCC ≥ VIO min ≤ VCC ≥ VIO min ≤ VCC ≥ VIO min ≥ VIO min ≤ VCC ≥ VIO min ≤ VCC H L L H H L H L AMAX-A4 有効 A3-A0 変更 済み 有効 出力 有効 入力有効 凡例 : L = VIL H = VIH X = VIL または VIH L/H = 立上り H/L = 立下り 有効 = すべてのバス信号の L または H レベルが安定している 変更 = 前の有効状態とは異なる有効状態 可能 = 読出しデータが内部的に格納され、出力ドライバが OE# によって制御されている 注意： 1. WE# と OE# は同時には VIL にすることはできません。 2. 出力禁止で読み出しとは、OE# H の状態で読み出しが開始されることです。 3. オートマチックスリープは、読出し / ライト動作において、CE# が High にならない状態でデータが長時間にわたってバス上にドライブ され、デバイスの内部ロジックが電力を節約するためスタンバイモードに入っている状態。 8.2 ハードウェアデータ保護付きパワーオフ メモリは、コア電源（VCC）がロックアウト電圧（VLKO）を下回った場合に、デバイスは電源切断された ものと認識します。VCC が VLKO を下回っているときは、メモリアレイ全体がプログラムまたはイレーズ動 作から保護されています。これにより、電源変動時でも、メモリの内容が誤って変更されないようにしてい ます。電源切断に至るまで電源変動時は、VIO は VCC 以下を保つ必要があります。 VCC が VRST（最小）を下回り、その後 VRST（最小）∼ VCC（最小）以上に復帰すると、パワーオンリセッ トインターフェースの状態に入り、EAC はコールドリセット自動アルゴリズムを開始します。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 67 デ ー タ シ ー ト 8.3 8.3.1 スタンバイモード インターフェーススタンバイ デバイスがホストからデータ転送を行うよう選択されていない間 (CE# = H)、インターフェースはデフォル トの低電力状態であるスタンバイになっています。この状態では、すべての入力は無視され、RY/BY# 以外 のすべての出力は高インピーダンスです。RY / BY# は、EAC のダイレクト出力であり、ホストインタ フェースによる制御ではありません。 8.3.2 オートマチックスリープ オートマチックスリープモードは、ランダム読み出しアクセスタイムを完了した後、デバイスインターフェー スの電力消費をスリープレベル（ICC6）まで低減します。tACC + 30 ns にわたってアドレスが変わらないと、 デバイスは自動的にこのモードになります。スリープモードでは、出力データはラッチされているため、シス テムはいつでも使用することができます。データの出力は OE# 信号のレベルによって異なりますが、オートマ チックスリープモード電流は OE# 信号レベルとは関係ありません。アドレスが変わると、標準のアドレスアク セスタイミング (tACC or tPACC) により、新しいデータが出力されます。直流特性 (74 ページ ) の ICC6 は、オー トマチックスリープモード電流特性を表します。 ホストシステムのクロックを下げて出力を低減する場合には特に、オートマチックスリープは消費電流の低 減に役立ちます。システムクロックが低速のときは、システムが高速で動作しているときに比べて、読出し とライトのサイクルの長さが何倍も長くなる場合があります。CE# はこのように長くなったデータ転送サイ クルの間ずっと Low ではありますが、メモリデバイスのホストインタフェースは tACC + 30 ns のオートマ チックスリープ電流になります。デバイスは tASSB の間、オートマチックスリープ電流を維持します。その 後、デバイスはスタンバイ電流レベルに遷移します。これによりメモリデバイスは、ホストシステムに選ば れている間、常に読出し電力をいっぱいまで消費するのではなく、長時間のデータ転送サイクルの大半にお いてオートマチックスリープまたはスタンバイの電力レベルを保つことができます。 ただし、EAC は、ホストインターフェースのオートマチックスリープモードとは無関係に動作し、組み込 みアルゴリズムが実行されている間は常に電流を消費します。ホストインターフェースと EAC の両方がス タンバイ状態にあるときのみ、スタンバイレベル電流が達成されます。 8.4 8.4.1 リード動作 リード時の出力停止 CE# 信号が Low にアサートされると、ホストシステムのメモリコントローラは読出しとライトのデータ転送を 開始します。CE# が L、アドレスが有効、OE# が H、かつ WE# が H のときは、通常、データ転送の最初に一 定時間が存在します。この状態の間、読出しアクセスが想定され、データ出力は高インピーダンスのまま、ラ ンダム読出しプロセスが開始されます。OE# 信号が Low になると、インタフェースはランダム読出し状態に遷 移するとともに、データ出力は実際にドライブされます。WE# 信号が Low にアサートされると、インタフェー スはライト状態に遷移します。ここで注意が必要なのは、ホストシステムとメモリの間にデータバスの競合が 起きないようにするため、OE# と WE# が同時に L になってはなりません。 68 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 8.4.2 ランダム（非同期）読み出し ホストシステムインターフェースが CE# を L にすることによってメモリデバイスを選ぶと、デバイスイン ターフェースはスタンバイ状態のままにします。CE# が Low になったときに WE# が High の場合は、ラン ダム読出しアクセスが開始されます。 データ出力は、アドレスマップのモードと、読出しアクセスが開始されたときに提供されたアドレスに依存 します。CE# が Low、OE# が Low、WE# が High のまま、アドレスが固定のまま、かつ非同期アクセスタ イムが満たされた場合は、データは DQ15 ∼ DQ0 に現れます。アドレスアクセスタイム (tACC) は、固定ア ドレスから有効出力データまでの遅延と等しくなります。 チップイレーズアクセスタイム (tCE) は、出力における、固定 CE# から有効データまでの遅延です。読み出 しデータがデータ出力にドライブされるようにするには、少なくとも有効データが利用可能になるまでの出 力可能タイム（tOE）中は、OE# 信号が L でなければなりません。CE# アクティブ（tCE）、アドレス固定 （tACC）、または OE# アクティブ（tOE）のうち、最後に実行されたものから、ランダムアクセスタイムを 完了した時点で、データ出力は、現在アクティブになっているアドレスマップモードから、有効読み出し データを提供します。CE# は L のまま、AMAX ∼ A4 アドレス信号はどれもが新しい値に変わり、新しいラ ンダム読み出しアクセスが始まります。CE# が Low のまま、OE# が High になると、インタフェースは「出 力ディセーブル状態での読出し」に遷移します。CE# が Low のまま、OE# が High になり、かつ WE# が Low になると、インタフェースはライト状態に遷移します。CE# が High に復帰すると、インタフェースはス タンバイ状態になります。バック・トゥ・バックアクセス（あるアクセスから別のアクセスに移行しても CE# は低のまま）では、2 つ目のアクセスを開始するためには、アドレス変更が必要となります。 非同期読出し動作 (80 ページ ) . を参照ください。 8.4.3 ページ読み出し ランダム読み出しアクセスが完了した後、CE# が L、OE# が L、AMAX ∼ A4 アドレス信号が固定のまま で、かつ A3 ∼ A0 アドレス信号がすべて変わっていると、同じページ内での新しいアクセスが始まります。 ページ読み出しは、ランダム読み出しアクセスよりもはるかに速く（tPACC）完了します。 8.5 8.5.1 ライト動作 非同期書き込み CE が低になった後、WE# が L になると、いずれかの読み出し状態から書き込み状態への遷移が発生します。 CE# が L になる前に WE# が L であると、読み出しアクセスが始まらずに、スタンバイ状態から直接書き込み 状態への遷移が発生します。 CE# が L で、OE# が H で、WE# が L になると、書き込みデータ転送が始まります。ここで注意が必要なのは、 ホストシステムとメモリの間にデータバスの競合が起きないようにするため、OE# と WE# が同時に L に なってはなりません。 非同期ライトサイクルのタイミング要件が満たされると、WE# は High に移行して、アドレスとデータ値を EAC コマンドメモリにキャプチャすることができます。 アドレスは、WE# または CE# の立ち下り（いずれか遅い方）でキャプチャされます。データは、WE# また は CE# の立上り（いずれか早い方）でキャプチャされます。 WE# が L になる前に CE# が L であり、WE# が H になった後も CE# が L のままであると、このアクセスは WE# によ り制御される書き込みと呼ばれます。WE# が High のときに、CE# が High になると、スタンバイ状態への遷移 が発生します。CE# が L のまま、WE# が H になると、出力禁止で読み出し状態への遷移が発生します。 CE#がLになる前にWE#がLであり、CE#がHになった後もWE#がLのままであると、このアクセスはCE#により 制御される書き込みと呼ばれます。CE# により制御される書き込みは、スタンバイ状態に遷移します。 CE# が L になる前に WE# が L であると、L に移行する CE# によって、書き込み転送が開始されます。CE# が High になった後に WE# が Low であると、CE# の立上りによって、アドレスとデータがキャプチャされます。 これらの書込みシーケンスを CE# コントロール書込みシーケンスと呼んでいます。 ライトの後に読出しが続くアクセス ( あるアクセスから別のアクセスに移行しても CE# は Low のままにな る ) では、後に続く読出しアクセスを開始するためには、アドレス変更が必要となります。 EAC コマンドメモリアレイは、ホストシステムからは読み出しできず、ASO も行われません。EAC は各書き 込み転送のアドレスとデータを照合して、その書き込みが正しいコマンドシーケンスの一部であるかを確認 します。正しいコマンドシーケンスが完了すると、EAC は適切な EA をスタートします。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 69 デ ー タ シ ー ト 8.5.2 書き込みパルス「グリッチ」保護 WE# に 5 ns（標準）未満のノイズパルスが発生しても、ライトサイクルは開始されません。 8.5.3 論理的禁止 OE# が VIL、または CE# が VIH、または WE# が VIH に保持されると、書き込みサイクルが禁止されます。書き込み サイクルを開始するには、CE# と WE# が L（VIL）であり、一方、OE# が H（VIH) である必要があります。 70 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 9. 電気的仕様 9.1 絶対最大定格 表 9.1 絶対最大定格 保存温度プラスチックパッケージ -65°C ∼ +150°C 周囲温度 ( 通電時 ) -65°C ∼ +125°C グランド (G) に対する電圧 RESET# 以外の他のすべてのピン ( 注 1) -0.5V から (VIO + 0.5V) RESET# ( 注 1) -0.5V から (VCC + 0.5V) 出力短絡回路電流 ( 注 2) 100 mA VCC -0.5V ∼ +4.0V VIO -0.5V ∼ +4.0V 注意： 1. 入力または I/O ピンの最小直流電圧は -0.5V です。電圧変動時、継続時間が 20 ns 未満のアンダーシュートでは VSS ∼ -2.0V まで許容 されます。図 9.3 (73 ページ ) を参照ください。入力または I/O ピンの最大直流電圧は VCC +0.5V です。電圧変動時、継続時間が 20 ns 未満のオーバーシュートでは VCC +2.0V まで許容されます。図 9.4 (73 ページ ) 2. 複数の出力を同時に VSS に短絡することはできません。短絡時間は 1 秒を超えることはできません。 3. これら 絶対最大定格 の一覧を越えるストレスは、デバイスを完全に破壊する可能性があります。ただし、これはストレスのみに対する定 格となります。上記の条件、あるいは本データシートの動作説明の各セクションに記載されている条件を超える条件におけるデバイスの 機能動作は保証されません。長時間にわたってデバイスを絶対最大定格条件に放置すると、デバイスの信頼性に影響を及ぼします。 9.2 ラッチアップ特性 この製品は、JEDEC 標準の JESD78C ラッチアップテスト要件に準拠しています。 9.3 9.3.1 動作範囲 温度範囲 インダストリアル（Ⅰ）デバイス 周囲温度 (TA) 9.3.2 -40°C ∼ +85°C 電源電圧 VCC 2.7V から 3.6V VIO 1.65V から VCC + 200 mV 動作範囲は、デバイスの正常な機能が保証される範囲を定めたものです。 9.3.3 電源投入および電源切断 電源投入および電源切断時、VCC は、必ず VIO (Vcc ≧ VIO) 以上であることが必要です。 デバイスは、VCC と VIO が両方とも上昇し、最小しきい値 VCC と VIO を越える状態を継続した時点から、 tVCS の遅延時間が経過するまで、すべての入力を無視します tVCS の間、デバイスはパワーオンリセットの 動作を実行しています。 電源切断中、または電圧が VCC 最大ロックアウト（VLKO）を下回ると、VCC と VIO 電圧は、tPD の間、 VCC リセット（VRST）未満になって、VCC と VIO が再び動作範囲まで上昇したときにパーツが正常に初期化 できるようにしなければなりません。図 9.2 (72 ページ ) を参照ください。電圧低下中に、VCC が最大 VLKO を上回ったままの場合は、パーツはイニシャライズされた状態のままとなり、VCC が再び最小 VCC を上 回ったときに、正常に動作します。誤った初期化によりパーツがロックアップした場合は、ハードウェアリ セットによりパーツを正常に初期化することができます。 VCC および VIO 電源を安定させるためのサプライのデカップリングには、標準的な予防措置を講じてください。 システム内のそれぞれのデバイスには、パッケージ端子に隣接する最適なコンデンサ（通常、0.1μF のオー ダー）によりデカップリングされた VCC および VIO 電源が必要です。VIO が VCC (VCC ≥ VIO - 200 mV) より 200 mV 以上を上回ってはなりません。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 71 デ ー タ シ ー ト 表 9.2 電源投入 / 電源切断の電圧とタイミング シンボル 最小値 最大値 VCC VCC 電源 パラメータ 2.7 3.6 単位 V VLKO 再初期化以下の VCC レベルが要求される ( 注 1) 2.25 2.5 V VRST 初期化を確実に行うために、VCC および VIO 低電圧が必要です。( 注 1) 1.0 V tVCS 初回アクセスを行うためには、VCC および VIO ?最小 ( 注 1) 300 µs tPD VCC の長さ ? VRST（最小）( 注 1) 15 µs 注意： 1. 100％出荷試験は行っておりません。 図 9.1 パワーアップ 電源電圧 V cc (最大) V cc (最小) V IO (最大) V IO (最小) V cc tVC S V IO フルデバイスアクセス 時間 図 9.2 電源切断と電圧低下 V C C と V IO V C C (最大) デバイスアクセスの許可なし V C C (最小) tVC S V L K O (最大) フルデバイス アクセス 許可 V R S T (最小) tP D 時間 72 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 9.3.4 入力信号オーバーシュート 図 9.3 最大オーバーシュート波形（負） 20 ns 20 ns VIL 最大 VIL 最小 –2 .0 V 20 ns 図 9.4 最大オーバーシュート波形（正） 20 ns VIO + 2.0 V VIH 最大 VIH 最小 20 ns 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 20 ns 73 デ ー タ シ ー ト 9.4 直流特性 表 9.3 直流特性 (-40°C ∼ +85°C) パラメー タ 説明 テスト条件 最小値 通常 ( 注 2) 最大値 単位 ILI 入力負荷電流 VIN = VSS to VCC, VCC = VCC 最大 +0.02 ±1.0 µA ILO 出力リーク電流 VOUT = VSS to VCC, VCC = VCC 最大 +0.02 ±1.0 µA ICC1 VCC アクティブリード電流 CE# = VIL, OE# = VIH, アドレス スイッチング @ 5 MHz, VCC = VCC 最大 55 60 mA ICC2 VCC ページ内リード電流 CE# = VIL, OE# = VIH, アドレス スイッチング @ 33 MHz, VCC = VCC 最大 9 25 mA ICC3 VCC アクティブ消去 / プログラム 電流（注 1, 2) CE# = VIL, OE# = VIH, VCC = VCC 最大 45 100 mA ICC4 VCC スタンバイ電流 CE#, RESET#, OE# = VIH, VIH = VIO VIL = VSS, VCC = VCC 最大 70 100 µA ICC5 VCC リセット電流 ( 注 2, 7) CE# = VIH, RESET# = VIL, VCC = VCC 最大 10 20 mA VIH = VIO, VIL = VSS , VCC = VCC 最大 , tACC + 30 ns 3 6 mA ICC6 オートマチックスリープモード ( 注 3) VIH = VIO, VIL = VSS, VCC = VCC 最大 , tASSB 100 150 µA RESET# = VIO, CE# = VIO, OE# = VIO, VCC = VCC 最大 , 53 80 mA ICC7 VCC パワーアップ時電流（注 2, 6) VIL 入力 L 電圧 ( 注 4) -0.5 0.3 x VIO V VIH 入力 H 電圧 ( 注 4) 0.7 x VIO VIO + 0.4 V VOL 出力 L 電圧（注 4, 8) IOL = 100μA(DQ15 ∼ DQ0) IOL = 2mA（RY/BY#） 0.15 x VIO V VOH 出力 H 電圧 ( 注 4) IOH = 100 µA VLKO 低 VCC ロックアウト電圧 ( 注 2) VRST 低 VCC パワーオンリセット電圧 ( 注 2) 0.85 x VIO V 2.25 2.5 1.0 V V 注意： 1. 組み込みアルゴリズムの実行中は ICC はアクティブです。 2. 100％出荷試験は行っておりません。 3. 指定された時間、アドレスが安定なままだと、オートマチックスリープモードが低電源モードを有効にします。 4. VIO = 1.65V ∼ VCC または 2.7V ∼ VCC（モデルにより異なります）。 5. VCC = 3V および VIO = 3V または 1.8V。VIO は 1.8V のとき、I/O ピンは 1.8V 以上では動作できません。 6. 電源投入時にはスパイク電流があり、パーツの正常なイニシャライズを保証するため、システムはこの電流を供給する必要があります 7. リセットの開始時点で自動アルゴリズム動作が実行中である場合は、リセットにより自動アルゴリズム動作が停止されるまで、消費電流は 自動アルゴリズム動作の仕様のままとなります。リセットの開始時点で自動アルゴリズム動作が開始されていない場合、また自動アルゴリ ズム動作が停止された直後は、tRPH の残りの間は、ICC5 が消費されます。tRPH 終了後は、次の読み出しまたは書き込みまで、デバイスは スタンバイモードになります。 8. RY/BY# 出力の推奨プルアップ抵抗は 5K ∼ 10K オームです。 74 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 表 9.4 直流特性 (-40°C ∼ +105°C) パラメー タ 説明 テスト条件 最小値 通常 ( 注 2) 最大値 単位 ILI 入力負荷電流 VIN = VSS to VCC, VCC = VCC 最大 +0.02 ±1.0 µA ILO 出力リーク電流 VOUT = VSS to VCC, VCC = VCC 最大 +0.02 ±1.0 µA ICC1 VCC アクティブリード電流 CE# = VIL, OE# = VIH, アドレススイッチング @ 5 MHz, VCC = VCC 最大 55 60 mA ICC2 VCC ページ内リード電流 CE# = VIL, OE# = VIH, アドレス スイッチング @ 33 MHz, VCC = VCC 最大 9 25 mA ICC3 VCC アクティブ消去 / プログラム 電流（注 1, 2) CE# = VIL, OE# = VIH, VCC = VCC 最大 45 100 mA ICC4 VCC スタンバイ電流 CE#, RESET#, OE# = VIH, VIH = VIO VIL = VSS, VCC = VCC 最大 70 200 µA ICC5 VCC リセット電流（注 2, 7) CE# = VIH, RESET# = VIL, VCC = VCC 最大 10 20 mA VIH = VIO, VIL = VSS , VCC = VCC 最大 , tACC + 30 ns 3 6 mA ICC6 オートマチックスリープモード ( 注 3) VIH = VIO, VIL = VSS, VCC = VCC 最大 , tASSB 100 200 µA RESET# = VIO, CE# = VIO, OE# = VIO, VCC = VCC 最大、 53 80 mA -0.5 0.3 x VIO V 0.7 x VIO VIO + 0.4 V 0.15 x VIO V ICC7 VCC パワーアップ時電流（注 2, 6) VIL 入力低電圧 ( 注 4) VIH 入力高電圧 ( 注 4) VOL 出力低電圧（注 4, 8) IOL = 100μA(DQ15 ∼ DQ0) IOL = 2 mA （RY/BY#） VOH 出力高電圧 ( 注 4) IOH = 100 µA VLKO 低 VCC ロックアウト電圧 ( 注 2) VRST 低 VCC パワーオンリセット電圧 ( 注 2) 0.85 x VIO V 2.25 2.5 1.0 V V 注意 : 1. 組み込みアルゴリズムの実行中は ICC はアクティブです。 2. 完全にテストされているわけではありません。 3. 指定された時間、アドレスが安定なままだと、オートマチックスリープモードが低電源モードを有効にします。 4. VIO = 1.65V ∼ VCC または 2.7V ∼ VCC（モデルにより異なります）。 5. VCC = 3V および VIO = 3V または 1.8V。VIO は 1.8V のとき、I/O ピンは 1.8V 以上では動作できません。 6. 電源投入時にはスパイク電流があり、パーツの正常なイニシャライズを保証するため、システムはこの電流を供給する必要があります。 7. リセットの開始時点で自動アルゴリズム動作が実行中である場合は、リセットにより自動アルゴリズム動作が停止されるまで、消費電 流は自動アルゴリズム動作の仕様のままとなります。リセットの開始時点で自動動作が実行されていない場合、または自動動作が停止 された直後は、tRPH の残りの間は、ICC7 が消費されます。tRPH 終了後は、次の読み出しまたは書き込みまで、デバイスはスタンバイ モードになります。 8. RY/BY# 出力の推奨プルアップ抵抗は 5K ∼ 10K オームです。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 75 デ ー タ シ ー ト 9.5 コネクタの特性 表 9.5 コネクタの特性（FBGA（LAA）パッケージ） パラメータシンボル パラメータの説明 測定条件 標準値 最大値 CIN 入力端子容量 VIN = 0 8 9 単位 pF COUT 出力端子容量 VOUT = 0 5 7 pF CIN2 制御端子容量 VIN = 0 4 8 pF RY/BY# 出力端子容量 VOUT = 0 3 4 pF 単位 注意： 1. 測定条件、100％出荷試験は行っておりません。 2. 測定条件 TA = 25°C、f = 1.0 MHz 表 9.6 コネクタの特性（FBGA（LAE）パッケージ） パラメータシンボル パラメータの説明 測定条件 標準値 最大値 CIN 入力端子容量 VIN = 0 7 8 pF COUT 出力端子容量 VOUT = 0 5 6 pF CIN2 制御端子容量 VIN = 0 3 7 pF RY/BY# 出力端子容量 VOUT = 0 3 4 pF 単位 注意： 1. 測定条件 100％出荷試験は行っておりません。 2. 測定条件 TA = 25°C、f = 1.0 MHz. 表 9.7 コネクタの特性（TSOP パッケージ） パラメータシンボル パラメータの説明 測定条件 標準値 最大値 CIN 入力端子容量 VIN = 0 7 8 pF COUT 出力端子容量 VOUT = 0 5 6 pF CIN2 制御端子容量 VIN = 0 3 7 pF RY/BY# 出力端子容量 VOUT = 0 3 4 pF 注意： 1. 測定条件、100％出荷試験は行っておりません。 2. 測定条件 TA = 25°C、f = 1.0 MHz. 76 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 10. タイミング仕様 10.1 波形遷移 波 形 入 力 出 力 確定 H ⇒ L 変化点 L ⇒ H の変化点 10.2 任意、変化を許容 変化、状態未確定 適用せず 中心線は高インピーダンス状態（High-Z） 交流テスト条件 図 10.1 テスト設定 テスト中 のデバ イス CL 表 10.1 テスト仕様 パラメータ 出力負荷容量、CL 入力パルス立上り時間 / 立下り時間 ( 注 1) 全速バージョン 単位 30 pF 1.5 ns 0.0-VIO V 入力タイミング測定基準レベル VIO/2 V 出力タイミング測定基準レベル VIO/2 V 入力パルスレベル 注意： 1. VIL （最大）と VIH （最小）の間の測定値です。 図 10.2 入力波形および測定レベル VIO 0.0 V 入力 0.5 VIO 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 測定レベル GL-S MirrorBit® ファミリー 0.5 VIO 出力 77 デ ー タ シ ー ト 10.3 パワーオンリセット (POR) とウォームリセット VCC および VIO 電源を安定させるための電源のデカップリングには、一般的な対策を講じてください。シス テム内の各デバイスには、パッケージ端子に隣接する最適なコンデンサ ( 通常、約 0.1μF) によりデカップ ルされた VCC および VIO 電源が必要です。 表 10.2 パワーオンとリセットのパラメータ パラメータ 説明 tVCS 最初のアクセスまでの VCC セットアップ時間 （注 1, 2) 限界 値 単位 最小値 300 µs tVIOS 最初のアクセスまでの VIO セットアップ時間（注 1, 2) 最小値 300 µs tRPH RESET# Low から CE# Low まで 最小値 35 µs tRP RESET# パルス幅 最小値 200 ns tRH RESET# (High) と CE# (Low) の間の時間 最小値 50 ns tCEH CE# パルス幅（High） 最小値 20 ns 注意： 1. 100％出荷試験は行っておりません。 2. VCC （最小）に達する VCC と VIO （最小）に達する VIO VIH （リセット時）および VIL （CE# 時）の間のタイミング測定値です。 3. RESET# Low は、POR 中のオプションです。POR 中に RESET がアサートされた場合は、tRPH、tVIOS、または tVCS の後者は、CE# が Low になった時に特定されます。tVIOS、 または tVCS が満たされた後で RESET# が Low のままになった場合は、tRPH は、tVIOS または tVCS の最後から測定されます。RESET は、CE# が Low になる前に、High tRH でなければなりません。 4. 電源投入時 VCC ≥ VIO - 200 mV 5. VCC および VIO のランプ速度は線形以外であってもかまいません。 6. tRP と tRH の合計が、tRPH 以上であることが必要です。 10.3.1 Power-On（コールド）リセット（POR） 電源の立ち上がり中、VIO 電源電圧は、VCC 電源電圧以下である必要があります。また、VIH は、VIO 電源電 圧以下である必要があります。 コールドリセット組み込みアルゴリズムは、すべての EAC アルゴリズムとデフォルト状態を不揮発性メモ リからロードするのに、比較的長い、数 100 μs の時間（tVCS）を必要とします。コールドリセット中は、 CE# および RESET# を含むすべての制御信号が無視されます。tVCS 中に CE# が Low であると、デバイスは tVCS 中の通常 POR 電流よりも多くの電流を消費する場合がありますが、CE# のレベルはコールドリセット EA には影響しません。CE# または OE# は、tVCS の有効な読み出しまたは書き込み動作の後、High から Low に遷移する必要があります。RESET# は、tVCS 中、High でも Low でもかまいません。tVCS 中 に RESET# が Low であると、デバイスをハードウェアリセット状態に保つため、tVCS の最後に Low のままになる場合が あります。tVCS の最後に RESET# が High の場合は、デバイスはスタンバイ状態に入ります。 最初に電力を印加したときに、電源電圧が VRST を下回っており、その後動作最小範囲に達した場合は、内 部のデバイス構成とウォームリセットのアクティビティが開始されます。CE# は POR 動作 (tVCS または tVIOS) の間は無視されます。この POR 中の RESET# Low はオプションです。RESET# が POR 中に Low に なった場合は、RESET# はハードウェアリセットのパラメータ tRP および tRPH を満たす必要があります。そ の場合、リセット動作は、tVCS、tVIOS または tRPH の後に終了します。. コールドリセット中は、デバイスは ICC7 電流を消費します。 図 10.3 パワーアップ図 tVCS VCC tVIOS VIO RESET# tRH tCEH CE# 78 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 10.3.2 ハードウェア（ウォーム）リセット ハードウェアリセット中（tRPH）、デバイスは ICC5 電流を消費します。 RESET# が継続的に VSS に保持されると、デバイスは CMOS ス タンバイ電流（ICC4）を消費します。 RESET# が VIL に保持されていても、VSS になっていないと、スタンバイ電流は大きくなります。 tVCS 後に RESET# が Low にアサートされたときに、デバイスによるコールドリセットが完了していない と、ウォームリセットに代わってコールドリセットが実行されますが、これには完了までに tVCS 時間が必 要となります。 図 10.4, ハードウェアリセット （79 ページ）を参照。 デバイスが POR を完了し、スタンバイ状態に入った後は、その後のハードウェアリセット状態への遷移は すべて、自動ウォームリセットアルゴリズムを起動させます。ウォームリセットはコールドリセットよりも はるかに短時間であり、完了までに要するのは数 10 μs（tRPH）です。自動ウォームリセットアルゴリズム 中は、進行中の組み込みアルゴリズムはすべて停止され、EAC は POR 状態に戻され、不揮発性メモリから EAC アルゴリズムがリロードされることもありません。自動ウォームリセットアルゴリズムが完了した後、 RESET# が Low のままであると、インターフェースはハードウェアリセット状態のままとなります。 RESET# が High に復帰すると、インターフェースはスタンバイ状態に遷移します。RESET# が High の場合 は、自動ウォームリセットアルゴリズムの最後に、インターフェースは直接スタンバイ状態に遷移します。 tVCS の最後までに POR が正しく完了していない場合は、その後、ハードウェアリセット状態への遷移があ ると、これに起因して Power-On-Reset インターフェースへの遷移が行われ、自動コールドリセットアルゴ リズムが開始されます。これにより、システム電源投入時の電圧のランプアップに起因して、POR が開始 されない、あるいは正しく完了しないといったことがあったとしても、デバイスがコールドリセットを完了 することが保証されます。コールドリセットまたはウォームリセット中は、RY/BY# ピンは Low であり、デ バイスがリセット動作を実行中 ( ビジー ) であることを示します。 ハードウェアリセットは、VIL に移行する RESET# 信号により開始されます。 図 10.4 ハードウェアリセット tRP RESET# tRH tRPH tCEH CE# 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 79 デ ー タ シ ー ト 10.4 交流特性 10.4.1 非同期読出し動作 表 10.3 読み出し動作 VIO = VCC = 2.7V ∼ 3.6V (-40°C ∼ +85°C) パラメータ 説明 標準 tAVAV tRC 読出しサイクル時間 ( 注 1) tAVQV tACC アドレスから出力までの 遅延 CE# = VIL OE# = VIL tELQV tCE チップイネーブルから データ出力までの遅延 OE# = VIL tPACC スピード 測定条件 JEDEC 128M ビット、256M ビット 512M ビット、1G ビット 128M ビット、256M ビット 512M ビット、1G ビット 128M ビット、256M ビット 512M ビット、1G ビット 128M ビット、256M ビット ページアクセス時間 512M ビット、1G ビット 90 最小値 最大値 最大値 最大値 90 100 100 100 90 110 100 100 15 110 100 100 90 110 110 20 15 20 単位 ns ns ns ns tOE 出力イネーブルから出力までの遅延 最大値 25 ns tAXQX tOH 前サイクルデータ出力保持時間、CE# または OE# ( いずれか早い方 ) 最大値 0 ns tEHQZ tDF チップイネーブルまたは出力イネーブ ルから出力（High Z）まで ( 注 1) 最大値 15 ns 読出し 最小値 0 ns tOEH 出力イネーブル保持時間 ( 注 1) トグルおよ び Data# ポーリング 最小値 10 ns tASSB オートマチックスリープからスタンバ イ時間まで ( 注 1) 標準値 5 µs 最大値 8 µs tGLQV CE# = VIL, アドレス固定 注意 : 1. 100％出荷試験は行っておりません。 表 10.4 読み出し動作 VIO = 1.65V ∼ VCC、VCC = 2.7V ∼ 3.6V（-40°C ∼ +85°C） パラメータ 標準 tAVAV tRC 読出しサイクル時間 ( 注 1) tAVQV tACC アドレスから出力までの 遅延 CE# = VIL OE# = VIL tELQV tCE チップイネーブルから データ出力までの遅延 OE# = VIL tPACC スピードオプション 測定条件 p 説明 JEDEC 128M ビット、256M ビット 512M ビット、1G ビット 128M ビット、256M ビット 512M ビット、1G ビット 128M ビット、256M ビット 512M ビット、1G ビット 128M ビット、256M ビット ページアクセス時間 512M ビット、1G ビット 最小値 最大値 最大値 最大値 100 110 100 110 110 100 120 110 110 25 120 110 110 100 120 120 30 25 30 単位 ns ns ns ns tOE 出力イネーブルから出力までの遅延 最大値 35 ns tAXQX tOH 前サイクルデータ出力保持時間、CE# ま たは OE# ( いずれか早い方 ) 最小値 0 ns tEHQZ tDF チップイネーブルまたは出力イネーブ ルから出力（High Z）まで ( 注 1) 最大値 20 ns 読出し 最大値 0 ns tOEH 出力イネーブル保持時間 ( 注 1) トグルおよ び Data# ポーリング 最大値 10 ns tASSB オートマチックスリープからスタンバイ 時間まで ( 注 1) 標準値 5 µs 最大値 8 µs tGLQV CE# = VIL, アドレス固定 注意： 1. 100％出荷試験は行っておりません 80 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 表 10.5 読み出し動作 VIO = VCC = 2.7V ∼ 3.6V（-40°C ∼ +105 ℃） パラメータ 説明 標準 tAVAV tRC 読出しサイクル時間 ( 注 1) tAVQV tACC アドレスから出力まで の遅延 CE# = VIL OE# = VIL tELQV tCE チップイネーブルからデー タ出力までの遅延 OE# = VIL tPACC スピード 測定条件 JEDEC 128M ビット、256M ビット 512M ビット、1G ビット 128M ビット、256M ビット 512M ビット、1G ビット 128M ビット、256M ビット 512M ビット、1G ビット 128M ビット、256M ビット ページアクセス時間 512M ビット、1G ビット 最小値 最大値 最大値 100 110 100 110 120 110 100 120 110 110 100 120 110 110 15 最大値 120 20 15 20 単 位 ns ns ns ns tOE 出力イネーブルから出力までの遅延 最大値 25 ns tAXQX tOH 前サイクルデータ出力保持時間、CE# また は OE# ( いずれか早い方 ) 最小値 0 ns tEHQZ tDF チップイネーブルまたは出力イネーブルか ら出力（High Z）まで ( 注 1) 最大値 15 ns 読出し 最小値 0 ns tOEH 出力イネーブル保持時間 ( 注 1) トグルおよび Data# ポーリ ング 最小値 10 ns tASSB オートマチックスリープからスタンバイ時 間まで ( 注 1) 標準値 5 µs 最大値 8 µs tGLQV CE# = VIL, Address stable 注意： 1. 100％出荷試験は行っておりません。 表 10.6 読み出し動作 VIO = 1.65V ∼ VCC、VCC = 2.7V ∼ 3.6V（-40°C ∼ +105 ℃） パラメータ 説明 標準 tAVAV tRC 読出しサイクル時間 ( 注 1) tAVQV tACC アドレスから出力までの遅 CE# = VIL 延 OE# = VIL 128M ビット、256M ビット tELQV tCE チップイネーブルからデー OE# = VIL タ出力までの遅延 128M ビット、256M ビット tPACC スピード 測定条件 JEDEC 128M ビット、256M ビット 512M ビット、1G ビット 512M ビット、1G ビット 512M ビット、1G ビット 128M ビット、256M ビット ページアクセス時間 512M ビット、1G ビット 110 最小値 最大値 最大値 最大値 110 120 120 120 110 130 120 120 25 130 120 120 110 130 130 30 25 30 単位 ns ns ns ns tOE 出力イネーブルから出力までの遅延 最大値 35 ns tAXQX tOH 前サイクルデータ出力保持時間、CE# また は OE# ( いずれか早い方 ) 最小値 0 ns tEHQZ tDF チップイネーブルまたは出力イネーブルか ら出力（High Z）まで ( 注 1) 最大値 20 ns 読出し 最小値 0 ns tOEH 出力イネーブル保持時間 ( 注 1) トグルおよび Data# ポーリ ング 最小値 10 ns tASSB オートマチックスリープからスタンバイ時 間まで ( 注 1) 標準値 5 µs 最大値 8 µs tGLQV CE# = VIL, アドレス固定 注意： 1. 100％出荷試験は行っておりません。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 81 デ ー タ シ ー ト 図 10.5 連続リード（tACC）動作タイミング図 tACC tOH Amax-A0 tDF tCE tOH CE# tDF tOE tOH OE# DQ15-DQ0 図 10.6 連続リード動作（tRC）タイミング図 tRC tACC tOH Amax-A0 tCE CE# tOE tOH tDF OE# DQ15-DQ0 注意： 連続リード動作 ( あるアクセスから別のアクセスに移行しても CE# は Low のままになる ) では、2 つ目のアクセスを開始するためには、 アドレス変更が必要となります。 図 10.7 ページ読出しタイミング図 tACC Amax-A4 A3-A0 tCE CE# tOE OE# tPACC DQ15-DQ0 注意： ワード構成 : A0、A1、A2、A3 をトグル。 82 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 10.4.2 非同期ライト動作 表 10.7 ライト動作 パラメータ VIO = 2.7V ∼ VCC 説明 VIO = 1.65V ∼ VCC 単位 JEDEC Std tAVAV tWC ライトサイクル時間 ( 注 1) 最小値 60 ns tAVWL tAS アドレスセットアップ時間 最小値 0 ns tASO アドレスセットアップ時間から OE#「L」まで（トグル ビットのポーリング時） 最小値 15 ns tAH アドレス保持時間 最小値 45 ns tAHT CE# または OE#「H」からアドレス保持時間まで（トグ ルビットのポーリング時） 最小値 0 ns tDVWH tDS データセットアップ時間 最小値 30 ns tWHDX tDH データ保持時間 最小値 0 ns トグルビットのポーリング時、または後に続くステータ スレジスタ読出し時の出力イネーブル (High) 最小値 20 ns 最小値 0 ns ns tWLAX tOEPH tGHWL tGHWL ライト前の読出し復帰時間 （OE# High から WE# Low まで） tELWL tCS CE# セットアップ時間 最小値 0 tWHEH tCH CE# 保持時間 最小値 0 ns tWLWH tWP WE# パルス幅 最小値 25 ns tWHWL tWPH WE# パルス幅 (High) 最小値 20 ns 注意： 1. 100％出荷試験は行っておりません。 図 10.8 連続ライト動作タイミング図 tWC Amax-A0 tAS tAH tCS tCH CE# OE# tWP tWPH WE# tDS tDH DQ15-DQ0 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 83 デ ー タ シ ー ト 図 10.9 連続（CE#VIL）ライト動作タイミング図 tWC Amax-A0 tAS tAH tCS CE# OE# tWP tWPH WE# tDS tDH DQ15-DQ0 図 10.10 ライトからリード（tACC）動作タイミング図 tAH tAS tSR_W tACC tOH Amax-A0 tOH tCS tDF CE# tOH tOEH tOE tDF OE# tWP WE# tDH tDS DQ15-DQ0 84 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 図 10.11 ライトからリード（tCE）動作タイミング図 tAH tAS tSR_W tACC tOH Amax-A0 tOH tCS tCH tCE tDF CE# tOH tOEH tOE tDF OE# tWP WE# tDH tDS DQ15-DQ0 図 10.12 リードからライト（CE# VIL）動作タイミング図 tAS tACC tOH tAH Amax-A0 tCE tCH CE# tGHWL tOH tOE tDF OE# tWP WE# tDS tDH DQ15-DQ0 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 85 デ ー タ シ ー ト 図 10.13 リードからライト（CE# トグル）動作タイミング図 tAS tACC tOH tAH Amax-A0 tOH tCE tDF tCS tCH CE# tGHWL tOH tOE tDF OE# tWP WE# tDH tDS DQ15-DQ0 表 10.8 消去 / プログラム動作 パラメータ JEDEC VIO = 2.7V ∼ VCC 説明 標準 VIO = 1.65V ∼ VCC 単位 ライトバッファプログラム動作 標準値 ( 注 3) µs 標準値 ( 注 3) µs tWHWH1 tWHWH1 ワード当り実効ライトバッファプログラム時間 ワードまたはページ当りのプログラム動作 標準値 ( 注 3) µs tWHWH2 tWHWH2 セクタイレーズ動作 ( 注 1) 標準値 ( 注 3) ms tBUSY イレーズ / プログラム有効から RY/BY# 遅延まで 最大値 80 ns tSR/W 読出しとライト動作間のレイテンシー ( 注 2) 最小値 10 ns tESL イレーズサスペンドレイテンシー 最大値 ( 注 3) µs tPSL プログラムサスペンドレイテンシー 最大値 ( 注 3) µs tRB RY/BY# 復帰時間 最小値 0 µs 注意： 1. 100％出荷試験は行っておりません。 2. WE# が立上った際、別のアドレスに切り替わる前に tSR/W を待つ必要があります。 3. 特定の値については、表 5.4 (46 ページ ) および 表 5.5 (47 ページ ) を参照してください。 86 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 図 10.14 プログラム動作タイミング図 プログラムコマンドシーケンス （最後の 2 サイクル） tAS tWC 555h アドレス 読出しステータスデータ （最後の 2 サイクル） PA PA PA tAH CE# tCH OE# tWHWH1 tWP WE# tWPH tCS tDS tDH PD A0h Data 䕅㏚ tBUSY DOUT tRB RY / BY# 注意： 1. PA = プログラムアドレス、PD = プログラムデータ、DOUT は、プログラムアドレスにおける真のデータです。 図 10.15 チップ / セクタ消去動作タイミング図 イレーズコマンドシーケンス （最後の 2 サイクル） tAS tWC 2AAh アドレス 読出しステータスデータ （最後の 2 サイクル） SA チップイレーズ に対して 555h VA VA tAH CE# tCH OE# tWP WE# tWPH tCS tWHWH2 tDS tDH Data 進行中 30h 55h チップイレーズ に対して 10 tBUSY 完了 tRB RY / BY# 注意： 1. SA = セクタアドレス（セクタイレーズの場合）、VA = ステータスデータを読出しできる有効なアドレスです。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 87 デ ー タ シ ー ト 図 10.16 Data# ポーリングタイミング図（自動アルゴリズム実行時） tRC アドレス VA VA VA tACC tCE CE# tCH tOE OE# tOEH tDF WE# tOH DQ7 DQ6–DQ0 補数 補数 真 有効なデータ ステータスデータ ステータスデータ 真 有効なデータ High Z High Z tBUSY RY/BY# 注意： 1. VA = 有効なアドレス。図は、コマンドシーケンス後の最初の状態サイクル、最後の状態読出しサイクル、データアレイの読出しサイク ルを示しています。 図 10.17 トグルビットタイミング図（自動アルゴリズム実行時） tAHT tAS アドレス tAHT tASO CE# tCEPH tOEH WE# tOEPH OE# tDH DQ2 および DQ6 tOE 有効なス テータス 有効なス テータス 有効なス テータス （1 回目の読出し） （2 回目の読出し） （トグルの停止） 有効なデータ 有効なデータ RY / BY# 注意： 1. DQ6 は、デバイスがビジーのときは、任意の読出しアドレスでトグルします。アドレスが実際に消去中のセクタ内にあるときは、DQ2 がトグルします。 図 10.18 DQ2 と DQ6 の関連図 組み込み イレーズ に入る WE# イレーズ サ スペンド イレーズサスペンドプロ グラムに入る 消去 イレーズサス ペンドプログ ラムに入る イレーズレジ ューム イレーズサスペ ンドリード 消去 イレーズ完了 DQ6 DQ2 注意： 1. システムは、OE# または CE# を使用して、DQ2 と DQ6 をトグルすることができます。DQ2 がトグルするのは、イレーズがサスペンドさ れたセクタ内のアドレスを読み出すときのみとなります。 88 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 10.4.3 CE# コントロールライト動作 表 10.9 CE# コントロールライト動作 パラメータ VIO = 2.7V ∼ VCC 説明 VIO = 1.65V ∼ VCC 単位 JEDEC 標準 tAVAV tWC ライトサイクル時間 ( 注 1) 最小値 60 ns tAVWL tAS アドレスセットアップ時間 最小値 0 ns tASO アドレスセットアップ時間から OE#「L」まで（トグル ビットのポーリング時） 最小値 15 ns tAH アドレス保持時間 最小値 45 ns tAHT CE# または OE#「H」からアドレス保持時間まで（トグル ビットのポーリング時） 最小値 0 ns tDVWH tDS データセットアップ時間 最小値 30 ns tWHDX tDH データ保持時間 最小値 0 ns tCEPH CE# 「H」 （トグルビットのポーリング時） 最小値 20 ns t0EPH OE# 「H」（トグルビットのポーリング時） 最小値 20 ns 最小値 0 ns tWLAX tGHEK tGHEL ライト前の読出し復帰時間 （OE# High から WE# Low まで） tWLEL tWS WE# セットアップ時間 最小値 0 ns tELWH tWH WE# 保持時間 最小値 0 ns tELEH tCP CE# パルス幅 最小値 25 ns tEHEL tCPH CE# パルス幅（High） 最小値 20 ns 注意： 1. 100％出荷試験は行っておりません。 図 10.19 連続（CE#）ライト動作タイミング図 tWC Amax-A0 tAS tAH tCP tCPH CE# OE# tWS tWH WE# tDS tDH DQ15-DQ0 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 89 デ ー タ シ ー ト 図 10.20 (CE#) ライトからリード動作タイミング図 tWC tAS tACC Amax-A0 tAH tCE tDF CE# tOEH tOE OE# tWS tWH WE# tDH tDS tOH DQ15-DQ0 90 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 11. 物理インターフェース 11.1 56 ピン TSOP 11.1.1 端子配列図 図 11.1 56 ピンスタンダード TSOP GL128S 用 NC A23 A22 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A19 A20 WE# RESET# A21 WP# RY/BY# A18 A17 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 RFU DNU 56 1 56ピンTSOP 2 （シンスモールアウトラインパッケージ） 55 54 3 53 4 52 5 51 6 50 7 49 8 48 9 47 10 46 11 45 12 44 13 43 14 42 15 41 16 40 17 39 18 38 19 20 37 21 36 22 35 23 34 24 33 32 25 31 26 30 27 29 28 A24 A25 A16 RFU VSS DQ15 DQ7 DQ14 DQ6 DQ13 DQ5 DQ12 DQ4 VCC DQ11 DQ3 DQ10 DQ2 DQ9 DQ1 DQ8 DQ0 OE# VSS CE# A0 RFU VIO GL256S、GL128S 用 NC GL512S、GL256S、GL128S 用 NC 注意： 1. 端子 28 ( 使用不可 : Do Not Use=DNU) では、デバイスの内部信号がパッケージコネクタに接続されています。このコネクタは、 Spansion がテスト用または他の目的で使用します。ホストシステムの信号に接続するためのものではありません。これらのコネクタを PCB 信号経路設定チャネルには使用しないでください。推奨ではありませんが、直列抵抗を通して、端子 VCC または VSS に接続するこ とができます。 2. 2. 端子 27、30、および 53 は、将来のために予約されています (Reserved for Future Use=RFU)。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 91 デ ー タ シ ー ト 11.1.2 外形図 図 11.2 56 ピン TSOP ( 薄型スモールアウトラインパッケージ )、14×20 mm パッケージ シンボル MO-142 (B) EC 最小 標準 最大 1 管理寸法はミリメートル（mm）です。 （寸法および許容誤差は、ANSI Y14.5M-1982 に準拠しています。） A --- --- 1.20 2 標準端子出力用端子 1 識別子（ダイアップ）。 A1 0.05 --- 0.15 3 A2 0.95 1.00 1.05 シーティングプレーン -C- を決定するために。 シーティングプレーンは、 パッケージリードがフラットな水平面上に自由に留まる時にできる接触面 として定義されます。 b1 0.17 0.20 0.23 b c1 0.17 0.10 0.22 --- 0.27 0.16 4 寸法 D1 および E は、モールド突起には含まれません。 許容されるモールド突起は、サイドあたり 0.15 mm です。 5 c 0.10 --- 0.21 寸法 b は、ダムバー突起には含まれません。 許容されるダムバー突起は、 最高の材料条件で、寸法 bの総超過の 0.08 mm です。 突起と隣接するリードの間の最小スペースは、0.07 mm です。 6 これらの寸法は、リード先端から 0.10 mm から 0.25 mm のリードのフラット セクションに適用されます。 7 リードの平坦度は、シーティングプレーンから測定され、0.10 mm 以内であ る必要があります。 8 寸法「e」は、リードの中心線で測定されます。 D 19.80 20.00 20.20 D1 18.30 18.40 18.50 E 13.90 14.00 14.10 e 0.50 BASIC L 0.50 0.60 0.70 O 0° - 8° R 0.08 --- 0.20 N 92 注意： TS 56 JEDEC 56 3160\38.10A GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 11.2 64 ボール FBGA 11.2.1 端子配列図 図 11.3 64 ボール強化型 BGA（強化ボールグリッドアレイ） 上面図 製品の端子配列 A B C D E F G H NC for GL256S, GL128S - NC for GL128S NC for GL512S, GL256S, GL128S 8 NC A22 A23 Vio VSS A24 A25 NC 7 A13 A12 A14 A15 A16 RFU DQ15 VSS 6 A9 A8 A10 A11 DQ7 DQ14 DQ13 DQ6 5 WE# RESET# A21 A19 DQ5 DQ12 VCC DQ4 4 RY/BY# WP# A18 A20 DQ2 DQ10 DQ11 DQ3 3 A7 A17 A6 A5 DQ0 DQ8 DQ9 DQ1 2 A3 A4 A2 A1 A0 CE# OE# VSS 1 NC NC NC NC DNU Vio RFU NC 注意： 1. ボール E1 ( 使用不可 : Do Not Use=DNU) では、デバイスの内部信号がパッケージコネクタに接続されています。このコネクタは、 Spansion がテスト用または他の目的で使用します。ホストシステムの信号に接続するためのものではありません。これらのコネクタを PCB 信号経路設定チャネルには使用しないでください。推奨ではありませんが、直列抵抗を通して、ボールを VCC または VSS に接続す ることができます。 2. ボール F7 および G1 は、将来のために予約されています (RFU)。 3. ボボール A1、A8、C1、D1、H1、および H8 は、内部で接続されていません。( 接続無 =NC)。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 93 デ ー タ シ ー ト 11.2.2 外形図 ‒ LAE064 図 11.4 LAE064̶64 ボール強化型 BGA（強化ボールグリッドアレイ） 、9×9 mm 上面図 底面図 側面図 注意： パッケージ LAE 064 JEDEC 1. 寸法および許容誤差は、ASME Y14.5M-1994 に準拠しています。 N/A 2. すべての寸法はミリメートル単位です。 9.00 mm x 9.00 mm パッケージ シンボル 3. ボール位置指定はJESD95-1、SPP-010 に準拠しています。 最小 標準 最大 注 A --- --- 1.40 A1 0.40 --- --- スタンドオフ A2 0.60 --- --- 本体の厚さ 側面高 D 9.00 BSC. 本体サイズ E 9.00 BSC. 本体サイズ D1 7.00 BSC. マトリックスの実装面積 マトリックスの実装面積 4. e は、半田ボールグリッドピッチを表します。 5. シンボル「MD」は、 「D」方向のボールローマトリクスサイズです。 シンボル「ME」は、 「E」方向のボールコラムマトリクスサイズです。 N は、半田ボールの総数です。 6 寸法「b」は、データム C に平行な面内における最大ボール 直径で測定されます。 7 SD および SE は、データ A および B を基準に測定され、外部ロー における中央半田ボールの位置を定義します。 半田ボールが奇数個あるのはどのような場合ですか？ E1 7.00 BSC. MD 8 マトリックスサイズ（D 方向） ME 8 マトリックスサイズ（E 方向） N 64 ボール数 8. 未使用。 ボール直径 9. 「+」は、ポピュレーションを減らしたボールの論理的中心を示します。 b 0.50 0.60 0.70 eD 1.00 BSC. ボールピッチ - D 方向 eE 1.00 BSC. ボールピッチ - E 方向 SD / SE 0.50 BSC. なし 外部ローが、D または E 寸法に平行、それぞれ、SD または SE = 0.000 の場合。 外部ローに偶数個の半田ボールがあるのは、SD または SE = e/2 の場合。 半田ボールの配置 ポピュレーションを減らした半田ボール 3623 \ 16-038.12 \ 1.16.07 94 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 11.2.3 外形図 ‒ LAA064 上面図 底面図 側面図 注意： パッケージ LAA 064 JEDEC 1. 寸法および許容誤差は、ASME Y14.5M-1994 に準拠しています。 N/A 2. すべての寸法はミリメートル単位です。 13.00 mm x 11.00 mm パッケージ 3. ボール位置指定はJESD95-1、SPP-010 に準拠しています （ただし、表記のある場合は除きます）。 シンボル 最小 標準 最大 注 A --- --- 1.40 A1 0.40 --- --- スタンドオフ シンボル「ME」は、「E」方向のボールローマトリクスサイズです。 A2 0.60 --- --- 本体の厚さ N は、半田ボールの総数です。 プロファイル高 4. e は、半田ボールグリッドピッチを表します。 5. シンボル「MD」は、「D」方向のボールローマトリクスサイズです。 D 13.00 BSC. 本体サイズ E 11.00 BSC. 本体サイズ D1 7.00 BSC. マトリックスの実装面積 E1 7.00 BSC. マトリックスの実装面積 MD 8 マトリックスサイズ（D 方向） ME 8 マトリックスサイズ（E 方向） N 64 ボール数 8. 未使用。 ボール直径 9. 「+」は、ポピュレーションを減らしたボールの論理的中心を示します。 b 0.50 0.60 0.70 eD 1.00 BSC. ボールピッチ - D 方向 eE 1.00 BSC. ボールピッチ - E 方向 SD / SE 0.50 BSC. 半田ボールの配置 なし 6 寸法「b」は、データ C に平行な面内における最大ボー ル直径で測定されます。 7 SD および SE は、データ A および B を基準に測定され、 外部ローにおける 半田ボールの位置を定義します。 半田ボールが、D または E 寸法に対して平行な外部ロー 内に奇数個あるのは、それぞれ、SD または SE = 0.000 の場合です。 外部ローに偶数個の半田ボールがあるのは、SD または SE = e/2 の場合です。 ポピュレーションを減らした半田ボール 3354 \ 16-038.12d 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 95 デ ー タ シ ー ト 11.3 56 ボール FBGA 11.3.1 端子配列図 図 11.5 56 ボール強化型 BGA（強化ボールグリッドアレイ） 上面図 製品の端子配列 A B C D 512 Mb & 256 Mb Only 8 E F G H 512 Mb Only Supports WP# only, not WP#/ACC A15 A21 A22 A16 RFU/A24 VSS A11 A12 A13 A14 RFU DQ15 DQ7 DQ14 A8 A19 A9 A10 DQ6 DQ13 DQ12 DQ5 WE# RFU/A23 A20 DQ4 VIO RFU WP# RESET# RY/BY# DQ3 VCC DQ11 7 6 5 4 3 NC NC A18 A17 DQ1 DQ9 DQ10 DQ2 A7 A6 A5 A4 VSS OE# DQ0 DQ8 A3 A2 A1 A0 CE# DNU 2 1 注意： 1. ボール G1 ( 使用不可 : Do Not Use=DNU) では、デバイスの内部信号がパッケージコネクタに接続されています。このコネクタは、 Spansion® がテスト用または他の目的で使用します。ホストシステムシグナルに接続するためのものではありません。これらのコネク タを PCB 信号経路設定チャネルには使用しないでください。推奨ではありませんが、直列抵抗を通して、ボールを VCC または VSS に 接続することができます。 2. ボール E7、F8 および H5 は、将来のために予約されています (RFU)。 3. ボール A3 および B3 は、未接続（NC）です。 96 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 11.3.2 外形図 - VBU 056 A D D1 e 0.10 C (2X) 8 7 6 5 E 4 SE 7 E1 3 e 2 1 9 H A1 CORNER INDEX MARK B TOP VIEW G F E D C B A 6 SD 56 b 0.10 C A1 CORNER 7 0.08 M C 0.15 M C A B (2X) BOTTOM VIEW 0.10 C A A1 SEATING PLANE C 0.08 C SIDE VIEW 注意： VBU 056 パッケージ JEDEC N/A 9.00 mm x 7.00 mm 標準パッケージ シンボル 最小 標準 最大 A --- --- 1.00 A1 0.17 --- --- 注 側面高 ボール高さ D 9.00 BSC. 本体サイズ E 7.00 BSC. 本体サイズ D1 5.60 BSC. ボールの実装面積 E1 5.60 BSC. ボールの実装面積 MD 8 ローマトリックスサイズ（D 方向） ME 8 ローマトリックスサイズ（E 方向） N 56 b 0.35 0.40 合計ボール数 0.45 ボール直径 e 0.80 BSC. ボールピッチ SD / SE 0.40 BSC. 半田ボールの配置 A1,A8,D4,D5,E4,E5,H1,H8 ポピュレーションを減らした半田ボール 1. 寸法および許容誤差表記は、 ASME Y14.5M-1994 に準拠しています。 2. すべての寸法はミリメートル単位です。 3. ボール位置指定は、JEP95、セクション 4.3、SPP-010 に準拠して います。 4. e は、半田ボールグリッドピッチを表します。 5. シンボル「MD」は、 「D」方向のボールロー マトリクスサイズです。 シンボル「ME」は、 「E」方向のボールマトリクスサイズです。 N は、最大マトリクスサイズ MD x ME に対してポピュレートされ た半田ボール位置の総数です。 6 寸法「b」は、 データ C に平行な面内における最大ボール直径で 測定されます。 7 SD および SE は、 データムA および B を基準に測定され、外部 ローにおける 半田ボールの位置を定義します。 外部ローに奇数個の半田ボールがあるのは、 SD または SE = 0.000 の場合です。 外部ローに偶数個の半田ボールがあるのは、 SD または SE = e/2 の場合です。 8. 「+」は、ポピュレーションを減らしたボー ルの論理的中心を示します。 9 コーナー A1 は、面取り、 レーザー、インクマーク、金属化マーク、 または、他の手段により識別できるようにする必要があります。 10. 概要および寸法は顧客要件に従います。 g1055\ 16-038.25 \ 01.26.12 12. FBGA パッケージの取扱注意事項 FBGA パッケージのフラッシュメモリ製品の取扱いには注意してください。 FBGA パッケージのフラッシュメモリデバイスは超音波洗浄器に放置すると損傷する場合があります。パッ ケージ本体を長時間にわたって温度 150 °C 以上の環境に放置すると、パッケージならびにデータの完全 性が損なわれることがあります。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 97 デ ー タ シ ー ト 13. オーダ型格 有効な組み合わせ 表 13.1 は、注文時に選択できる構成をリストアップしたものです。新たな組み合わせが追加されたら、こ の表も更新されます。新たに追加される組み合わせ予定については、担当営業までお問い合わせください。 表 13.1 S29GL-S の有効な組み合わせ ( シート １／２ ) S29GL-S の有効な組み合わせ ベース OPN スピード (ns) 100 パッケージおよび温度 DHI, FHI, TFI ( 注 1) DHV, TFV S29GL01GS ( 注 1) モデル番号 ( 注 1) 120 DHV, TFV ( 注 1) オーダーパーツ番号 (yy = モデル番号、x = 梱包 ) S29GL01GS10DHIyyx S29GL01GS10FHIyyx 01, 02 S29GL01GS10TFIyyx S29GL01GS11DHVyyx 01, 02 110 DHI, FHI, TFI 梱包タイプ 0, 3 S29GL01GS11TFVyyx ( 注 2) S29GL01GS11DHIyyx V1, V2 S29GL01GS11FHIyyx S29GL01GS11TFIyyx S29GL01GS12DHVyyxx V1, V2 S29GL01GS12TFVyyxx S29GL512S10DHIyyx 100 DHI, FHI, GHI, TFI ( 注 1) S29GL512S10FHIyyx 01, 02 S29GL512S10GHIyyx S29GL512S10TFIyyx DHV, TFV ( 注 1) S29GL512S 01, 02 0, 3 ( 注 2) 110 DHI, FHI, TFI ( 注 1) S29GL512S11DHVyyx V1, V2 S29GL512S11TFVyyx S29GL512S11DHIyyx S29GL512S11FHIyyx S29GL512S11TFIyyx 120 DHV, TFV ( 注 1) S29GL512S12DHVyyxx V1, V2 S29GL512S12TFVyyxx S29GL256S90DHIyyx 90 DHI, FHI, GHI, TFI ( 注 1) S29GL256S90FHIyyx 01, 02 S29GL256S90GHIyyx S29GL256S90TFIyyx DHV, TFV ( 注 1) S29GL256S 01, 02 ( 注 1) 110 98 DHV, TFV ( 注 1) GL-S MirrorBit® ファミリー 0, 3 ( 注 2) 100 DHI, FHI, TFI S29GL256S10DHVyyx V1, V2 S29GL256S10TFVyyx S29GL256S10DHIyyx S29GL256S10FHIyyx S29GL256S10TFIyyx V1, V2 S29GL256S11DHVyyxx S29GL256S11TFVyyxx S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 表 13.1 S29GL-S の有効な組み合わせ ( シート ２／２ ) S29GL-S の有効な組み合わせ ベース OPN スピード (ns) パッケージおよび温度 モデル番号 梱包タイプ オーダーパーツ番号 (yy = モデル番号、x = 梱包 ) S29GL128S90DHIyyx 90 DHI, FHI, GHI, TFI ( 注 1) S29GL128S90FHIyyx 01, 02 S29GL128S90GHIyyx S29GL128S90TFIyyx DHV, TFV ( 注 1) S29GL128S 01, 02 ( 注 1) 110 DHV, TFV ( 注 1) 0, 3 ( 注 2) 100 DHI, FHI, TFI S29GL128S10DHVyyx V1, V2 S29GL128S10TFVyyx S29GL128S10DHIyyx S29GL128S10FHIyyx S29GL128S10TFIyyx V1, V2 S29GL128S11DHVyyxx S29GL128S11TFVyyxx 注意： 1. 将来上記以外のスピード、パッケージ、および温度の製品をご提供する場合があります。製品の在庫状況などは、担当営業までお問い 合わせください。 2. パッケージタイプ 0 が標準品となります。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 99 デ ー タ シ ー ト スタンダード製品として複数のパッケージ品および動作定格品が用意されています。オーダー番号（有効な 組合せ）は下記の要素の組合せで構成されます。 S29GL01GS 10 D H I 01 0 梱包タイプ 0 = トレイ 3 = 13 インチテープ＆リール モデル番号（VIO および VCC 範囲） 01 = VIO = VCC = 2.7 ∼ 3.6V、保護される最上位アドレスセクタ 02 = VIO = VCC = 2.7 ∼ 3.6V、保護される最下位アドレスセクタ V1 = VIO = 1.65 ∼ VCC、VCC = 2.7 ∼ 3.6V、保護される最上位アドレスセクタ V2 = VIO = 1.65 ∼ VCC、VCC = 2.7 ∼ 3.6V、保護される最下位アドレスセクタ 温度範囲 I = 産業用温度範囲 (-40°C ∼ +85°C) V = 車室内用温度範囲 (-40°C ∼ +105°C) パッケージ材セット F = 無鉛 ( 鉛フリー ) H = 低ハロゲン、鉛フリー パッケージタイプ D = 強化型 BGA（強化型ボールグリッドアレイ）パッケージ (LAE064) 9 mm×9 mm F = 強化型 BGA（強化型ボールグリッドアレイ）パッケージ (LAA064) 13 mm×11 mm G = 強化型 BGA（強化型ボールグリッドアレイ）パッケージ (VBU056) 9 mm×7 mm T = TSOP（薄型スモールアウトラインパッケージ）スタンダードの端子配列 スピードバージョン 90 = ランダムアクセスタイム： 90 ns 10 = ランダムアクセスタイム： 100 ns 11 = ランダムアクセスタイム： 110 ns 12 = ランダムアクセスタイム： 120 ns デバイス番号 / 説明 S29GL01GS, S29GL512S, S29GL256S, S29GL128S 3.0V コア、VIO オプション搭載、1024、512、256、128 M ビットページモードフラッシュメモリ、 65 nm MirrorBit Eclipse プロセステクノロジ採用 100 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 14. その他のリソース www.spansion.com から、以下の関連資料を入手していただけます。 14.1 ソフトウェアへのリンク フラッシュデバイスのサポートに関するダウンロードリンクと関連情報は、以下でご覧ください。 http://www.spansion.com/Support/Pages/DriversSoftware.aspx Spansion ローレベルドライバ 拡張フラッシュドライバ フラッシュファイルシステム シミュレーションモデリングと CAD モデリングのサポートに関するダウンロードリンクと関連情報は、以 下をご覧ください。 http://www.spansion.com/Support/Pages/SimulationModels.aspx VHDL および Verilog IBIS ORCAD 14.2 アプリケーションノートへのリンク 以下は、この製品に関するアプリケーションノートのリストです。Spansion のすべてのアプリケーション ノートは、http://www.spansion.com/Support/TechnicalDocuments/Pages/ApplicationNotes.aspx からご利 用いただけます。 Common Flash Interface Version 1.5 Vendor Specific Extensions ( 共通フラッシュメモリ・インターフェー ス、バージョン 1.5、ベンダ固有拡張 ) Common Flash Memory Interface Specification ( 共通フラッシュメモリ・インターフェース仕様 ) Connecting Unused Data Lines of MirrorBit Flash (MirrorBit フラッシュの未使用データラインの接続 ) Developing System-Level Validation Routines( システムレベルの検証ルーチンの開発 ) フラッシュメモリ： 概要 Interfacing i.MX3x to S29GL MirrorBit NOR Flash (i.MX3xとS29GL MirrorBit NOR型フラッシュとのイン ターフェーシング ) Interfacing the S29GL-S to Freescale Coldfire Processor(S29GL-S と Freescale Coldfire プロセッサとの インターフェーシング ) Interfacing Spansion GL MirrorBit Family to Freescale i.MX31 Processors(Spansion GL MirrorBit ファミ リと Freescale i.MX31 プロセッサとのインターフェーシング ) MirrorBit Flash Memory Write Buffer Programming and Page Buffer Read (MirrorBit フラッシュメモリ のライトバッファプログラムとページバッファ読出し ) Optimizing Program/Erase Times ( プログラム / イレーズ時間の最適化 ) Practical Guide to Endurance and Data Retention( 耐久性とデータ保持能力の実践ガイド ) Programmer s Guide for the Spansion 65 nm GL-S Eclipse Family Architecture(Spansion 65 nm GL-S Eclipse ファミリアーキテクチャのプログラマガイド ) Reset Voltage and Timing Requirements for MirrorBit Flash（MirrorBit フラッシュのリセット電圧とタ イミング要件） Signal Integrity and Reliable Flash Operations ( 信号の完全性と、フラッシュの動作の信頼性 ) Understanding AC Characteristics (AC 特性の理解 ) Understanding Load Capacitance and Access Time( 負荷容量とアクセスタイムの理解 ) Understanding Page Mode Flash Memory Devices( ページモード フラッシュメモリデバイスの理解 ) Using CFI to Read and Debug Systems(CFI を使用したシステムの読出しとデバッグ ) 多目的な I/O： DQ および拡張 Wear Leveling ( ウェアレベリング ) 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 101 デ ー タ シ ー ト 14.3 仕様公示 担当営業までお問い合わせください。 14.4 スパンションの連絡先 会社の所在地とお問合せ窓口については、下記の弊社 Web サイトをご覧ください。 http://www.spansion.com/About/Pages/Locations.aspx 102 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト 15. 改訂履歴 セクション 説明 改訂 01 (11.02.2011) 初版 改訂 02（21.03.2011) 全般 OPN コマンド定義の表 物理インターフェース 他のリソース ロックレジスタ表 資料を「ADVANCE INFORMATION ( 事前情報 )」から「PRELIMINARY ( 暫定 )」に変更 V1 & V2 のモデル番号用に FBGA パッケージオファリングを追加 KGD 情報を削除し、別の補足文書に記載 重複するコマンドを削除 CFI Enter のコマンドサイクルの数値を 3 から 1 に変更 56 ピン TSOP の端子配列図を更新 64 ボール FBGA の端子配列図を更新 「アプリケーションノートへのリンク」に追加のアプリケーションノートを追加 ロックレジスタのビット 7 のデフォルト値を変更 改訂 03（2011 年 7 月 8 日） 性能要約 表を更新。標準的ななプログラムと消去速度 セキュアシリコン領域 ASO 表を修正。セキュアシリコン領域 DQ1: バッファーへの書き込み中止 表を修正。データポーリングステータス 組み込みルゴリズム性能表 表を更新。自動アルゴリズム特性 表を修正。ソフトウェアリセット /ASO 終了データ値を 00F0h から xF0h に変更 表を修正。イレーズサスペンドアンロックコマンドの状態遷移 表を修正。イレーズサスペンド - DYB コマンドの状態遷移 表を修正。プログラムアンロックコマンドの状態遷移 コマンドの状態遷移 表を修正。ロックレジスタコマンドの状態遷移 表を修正。セキュアシリコンセクタプログラムコマンドの状態遷移 表を修正。パスワードプロテクトコマンドの状態遷移 表を修正。不揮発性プロテクトコマンドの状態遷移 表を修正。PPB ロックビットコマンドの状態遷移 表を修正。揮発性セクタプロテクトコマンドの状態遷移 デバイス ID と共通フラッシュインター フェース (ID-CFI) の ASO マップ DC 特性 Power-On-Reset (POR) とウォームリ セット Power-On ( コールド ) リセット (POR) 表を修正。ワードアドレス (SA) + 0045h に対する CFI プライマリベンダ固有拡張クエリの説明の修正 VIL 最大の更新 注記の更新 Updated Note 表を更新。表の一番下に行を追加 本文の更新 更新した図。電源投入時の図 ハードウェア ( ウォーム ) リセット 更新した図。ハードウェアリセット 非同期ライト動作 追加した図。連続 (CE#VIL) ライト動作タイミング図 更新した表： イレーズ / プログラム動作 外形図 - LAA064 追加した図。 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 103 デ ー タ シ ー ト セクション 説明 改訂 04（2011 年 10 月 3 日） 電源投入時のライト禁止 小規模な修正 PPB パスワードプロテクトモード 小規模な修正 自動アルゴリズム特性の表 バッファプログラム時間最大値の更新 絶対最大定格の表 DC 特性の表 分類を追加 「H」レベル出力電圧の分類 電源投入時 / 電源切断時の電圧とタイ ミングの表 分類を追加 電源投入時の図 分類を追加 Power-On ( コールド ) リセット (POR) 分類を追加 有効な組み合わせの表 表を更新。 改訂 05（2011 年 12 月 4 日） 全般 データシートの指定を予備からフル生産に変更 セクターの消去 : 標準イレーズ時間を更新 静電容量特性 更新したセクション オーダ型格 有効な組み合わせ用の注記の指定を修正 改訂 06（2012 年 3 月 16 日） 全般 9 mm x 7 mm パッケージを追加 105°C 提供を追加 オーダ型格 有効な組み合わせを更新 改訂 07（2012 年 12 月 21 日） 特徴 キャビン内の温度範囲を追加 ステータスレジスタ ASO 分類を追加 アドバンスト・セクタ・ プロテクトの概要 図を更新 PPB ロック 分類を追加 恒久的プロテクトビット (PPB) 分類を追加 ダイナミック・プロテクト・ ビット (DYB) 分類を追加 PPB パスワードプロテクトモード 分類を追加 チップイレーズ 分類を追加 セクタイレーズ 分類を追加 イレーズサスペンド / イレーズレ ジューム 分類を追加 ステータスレジスタ ASO 分類を追加 ステータスレジスタ 分類を追加 DQ7: Data# ポーリング 分類を追加 DQ1: バッファーへの書き込み中止 分類を追加 データポーリングステータス : 表を更新。 自動アルゴリズム動作のエラー 分類を追加 プロテクトエラー 分類を追加 ライトバッファアボート 分類を追加 性能表 組み込みアルゴリズム特性（-40°C ∼ +105 ℃）の表を更新 デバイス ID と共通フラッシュインター フェース (ID-CFI) の ASO マップ CFI デバイスジオメトリ定義の表を更新 非同期読出し動作 読出し動作 VIO = 1.65 (-40°C ∼ +105°C) の表を追加 非同期ライト動作 104 CFI プライマリベンダ固有拡張クエリの表を更新 リード - ツー - ライト (CE# VIL) の図を更新 リード - ツー - ライト（CE# トグル）の図を更新 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日 データ シ ー ト セクション 説明 改訂 08（2013 年 10 月 9 日） S29GL-S の有効な組合せの表 キャビン内温度範囲の自動車に対する VIO モデルを追加 2013 年 10 月 9 日 S29GL_128S_01GS_00_08 GL-S MirrorBit® ファミリー 105 デ ー タ シ ー ト 免責事項 本資料に記載された製品は、通常の産業用、一般事務用、パーソナル用、家庭用などの一般的用途（ただし、上記用途に限定されません）に使用 されることを意図して設計・製造されています。(1) 極めて高度な安全性が要求され、仮に当該安全性が確保されない場合、社会的に重大な影響を 与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を伴う用途（原子力施設における核反応制御、航空機自動飛行制御、航空交通管制、大量輸送シス テムにおける運行制御、生命維持のための医療機器、兵器システムにおけるミサイル発射制御等をいう）、ならびに (2) 極めて高い信頼性が要求さ れる用途（海底中継器、宇宙衛星等をいう）に使用されるよう設計・製造されたものではありません。上記の製品の使用法によって惹起されたい かなる請求または損害についても、Spansion は、お客様または第三者、あるいはその両方に対して責任を一切負いません。半導体デバイスはある 確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても、結果的に人身事故、火災事故、社会的な損害を生じさせないよう、お客様において、 装置の冗長設計、延焼対策設計、過電流防止対策設計、誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。本資料に記載された製品が、「外国為替お よび外国貿易法」に基づき規制されている製品または技術に該当する場合には、本製品の輸出に際して、同法に基づく許可が必要となります。 商標および注記 このドキュメントは、断りなく変更される場合があります。本資料には Spansion が開発中の Spansion 製品に関する情報が記載されている 場合があります。Spansion は、それらの製品に対し、予告なしに仕様を変更したり、開発を中止したりする権利を有します。このドキュメ ントに含まれる情報は、現状のまま、保証なしに提供されるものであり、その正確性、完全性、実施可能性および特定の目的に対する適合性 やその市場性および他者の権利を侵害しない事を保証するものでなく、また、明示、黙示または法定されているあらゆる保証をするものでも ありません。Spansion は、このドキュメントに含まれる情報を使用することにより発生したいかなる損害に対しても責任を一切負いません。 Copyright © 2004-2008 Spansion Inc. All rights reserved. 商標：Spansion®、Spansion ロゴ（図形マーク） 、MirrorBit®、MirrorBit® Eclipse ™、ORNAND ™、ORNAND2 ™、HD-SIM ™、EcoRAM ™ 及びこれ らの組合せは、米国・日本ほか諸外国における Spansion LLC の商標です。第三者の社名・製品名等の記載はここでは情報提供を目的として 表記したものであり、各権利者の商標もしくは登録商標となっている場合があります。 なお、この文書は原文を日本語で翻訳したものです。万が一対訳上の齟齬が生じた場合は原文が優先されますので、ご了承ください。 106 GL-S MirrorBit® ファミリー S29GL_128S_01GS_00_08 2013 年 10 月 9 日