English/Japanese

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
EconoPACK™4モジュールニュートラル ポイント クランプ2トポロジー内蔵andPressFIT/
NTCサーミスタ
EconoPACK™4modulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC
暫定データ/PreliminaryData
VCES = 1200V
IC nom = 400A / ICRM = 800A
一般応用
• ソーラーアプリケーション
• UPSシステム
TypicalApplications
• SolarApplications
• UPSSystems
電気的特性
• 拡張された動作温度Tvjop
• 低スイッチング損失
• 低VCEsat飽和電圧
• トレンチIGBT4
• Tvjop=150°C
• 正温度特性を持ったVCEsat飽和電圧
ElectricalFeatures
• ExtendedOperationTemperatureTvjop
• LowSwitchingLosses
• LowVCEsat
• TrenchIGBT4
• Tvjop=150°C
• VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
機械的特性
• 絶縁されたベースプレート
• コンパクトデザイン
• PressFIT接合技術
• 標準ハウジング
MechanicalFeatures
• IsolatedBasePlate
• Compactdesign
• PressFITContactTechnology
• StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:2.0
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
暫定データ
PreliminaryData
IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
400
600
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
800
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
2150
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 400 A, VGE = 15 V
IC = 400 A, VGE = 15 V
IC = 400 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 15,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,75
2,05
2,10
2,15
V
V
V
VGEth
5,2
5,8
6,4
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
3,30
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
1,8
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
25,0
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
1,35
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
td on
0,20
0,22
0,23
µs
µs
µs
tr
0,11
0,12
0,12
µs
µs
µs
td off
0,40
0,48
0,50
µs
µs
µs
tf
0,07
0,10
0,11
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 2650 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 150°C
Eon
8,75
13,0
13,5
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2300 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
18,0
26,0
28,5
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
2200
1900
A
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,046
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:2.0
2
tP ≤ 10 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
0,07 K/W
K/W
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
暫定データ
PreliminaryData
ダイオード,D2/D3/Diode,D2/D3
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 650
V
IF
400
A
IFRM
800
A
I²t
6700
6150
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,55
1,50
1,45
1,95
A²s
A²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 400 A, VGE = 0 V
IF = 400 A, VGE = 0 V
IF = 400 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 400 A, - diF/dt = 2650 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
145
205
215
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 400 A, - diF/dt = 2650 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
13,5
26,0
28,5
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 400 A, - diF/dt = 2650 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
3,40
6,35
7,15
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,077
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:2.0
3
V
V
V
0,22 K/W
K/W
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
暫定データ
PreliminaryData
IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
650
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 0°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
400
360
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
800
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
880
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 400 A, VGE = 15 V
IC = 400 A, VGE = 15 V
IC = 400 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 4,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,75
2,00
2,10
2,15
V
V
V
VGEth
4,9
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
3,20
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
1,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
18,5
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,57
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
td on
0,08
0,10
0,10
µs
µs
µs
tr
0,09
0,10
0,10
µs
µs
µs
td off
0,35
0,37
0,38
µs
µs
µs
tf
0,08
0,11
0,11
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 3300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,5 Ω
Tvj = 150°C
Eon
6,30
9,40
11,0
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3350 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 1,5 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
20,0
23,5
24,5
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
1800
1400
A
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,074
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:2.0
4
tP ≤ 10 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
0,17 K/W
K/W
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
暫定データ
PreliminaryData
ダイオード,D1/D4/Diode,D1/D4
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 1200
V
IF
400
A
IFRM
800
A
I²t
15500
11500
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,80
1,85
1,90
2,30
A²s
A²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 400 A, VGE = 0 V
IF = 400 A, VGE = 0 V
IF = 400 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 400 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
255
310
325
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 400 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
29,0
56,0
65,0
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 400 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
8,70
16,5
19,0
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,056
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
V
V
V
0,16 K/W
K/W
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:2.0
5
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
沿面距離
Creepagedistance
2,5
kV
Cu
Al2O3
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
25,0
12,5
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
11,0
7,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
VISOL min.
typ.
max.
LsCE
38
nH
RCC'+EE'
0,75
mΩ
Tstg
-40
125
°C
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM5
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,0
-
6,0
Nm
質量
Weight
G
400
g
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:2.0
6
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT,T1/T4(Typical)
outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT,T1/T4(Typical)
outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
800
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
640
640
560
560
480
480
400
400
320
320
240
240
160
160
80
80
0
0,0
0,5
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
720
IC [A]
IC [A]
720
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
0
3,5
伝達特性IGBT,T1/T4(Typical)
transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
スイッチング損失IGBT,T1/T4(Typical)
switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.5Ω,RGoff=1.5Ω,VCE=300V
800
80
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
720
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
70
640
60
560
50
E [mJ]
IC [A]
480
400
320
40
30
240
20
160
10
80
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:2.0
7
0
100
200
300
400
IC [A]
500
600
700
800
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT,T1/T4(Typical)
switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=400A,VCE=300V
過渡熱インピーダンスIGBT,T1/T4
transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4
ZthJC=f(t)
80
0,1
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
70
ZthJC : IGBT
60
ZthJC [K/W]
E [mJ]
50
40
0,01
30
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,00481 0,00743 0,05654 0,00346
τi[s]:
0,00048 0,00808 0,03994 4,14691
10
0
0
1
2
3
4
5
6
0,001
0,001
7 8 9 10 11 12 13 14 15
RG [Ω]
逆バイアス安全動作領域IGBT,T1/T4(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.5Ω,Tvj=150°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性ダイオード,D2/D3(typical)
forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical)
IF=f(VF)
900
800
IC, Modul
IC, Chip
800
720
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
640
700
560
600
IF [A]
IC [A]
480
500
400
400
320
300
240
200
160
100
0
80
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:2.0
8
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失ダイオード,D2/D3(Typical)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.5Ω,VCE=300V
スイッチング損失ダイオード,D2/D3(Typical)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(RG)
IF=400A,VCE=300V
10
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
8
8
7
7
6
6
5
5
4
4
3
3
2
2
1
1
0
0
100
200
300
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
9
E [mJ]
E [mJ]
9
400
IF [A]
500
600
700
0
800
過渡熱インピーダンスダイオード,D2/D3
transientthermalimpedanceDiode,D2/D3
ZthJC=f(t)
0
1
2
3
4
5
6
7 8 9 10 11 12 13 14 15
RG [Ω]
出力特性IGBT,T2/T3(Typical)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
1
800
ZthJC : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
720
640
560
IC [A]
ZthJC [K/W]
480
0,1
400
320
240
160
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,02066 0,03561 0,14341 0,02234
τi[s]:
0,00031 0,0085 0,04141 0,9406
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
80
0
10
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:2.0
9
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT,T2/T3(Typical)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
伝達特性IGBT,T2/T3(Typical)
transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
800
800
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
700
600
700
600
500
IC [A]
IC [A]
500
400
300
200
200
100
100
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
0
5,0
スイッチング損失IGBT,T2/T3(Typical)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.5Ω,RGoff=1.5Ω,VCE=300V
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
13
100
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
90
80
80
60
60
E [mJ]
70
50
50
40
40
30
30
20
20
10
10
0
100
200
300
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
90
70
0
5
スイッチング損失IGBT,T2/T3(Typical)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=400A,VCE=300V
100
E [mJ]
400
300
0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
400
IC [A]
500
600
700
0
800
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:2.0
10
0
1
2
3
4
5
6
7 8 9 10 11 12 13 14 15
RG [Ω]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
暫定データ
PreliminaryData
過渡熱インピーダンスIGBT,T2/T3
transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3
ZthJC=f(t)
逆バイアス安全動作領域IGBT,T2/T3(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.5Ω,Tvj=150°C
1
900
ZthJC : IGBT
IC, Modul
IC, Chip
800
700
600
IC [A]
ZthJC [K/W]
0,1
0,01
500
400
300
200
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,01921 0,12312 0,02338 0,00837
τi[s]:
0,00113 0,03104 0,17309 3,25128
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
100
0
10
順電圧特性ダイオード,D1/D4(typical)
forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical)
IF=f(VF)
100
200
300
400
VCE [V]
500
600
700
スイッチング損失ダイオード,D1/D4(Typical)
switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.5Ω,VCE=300V
800
700
0
30
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
28
26
24
600
22
20
18
E [mJ]
IF [A]
500
400
16
14
12
300
10
8
200
6
4
100
2
0
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
VF [V]
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:2.0
11
0
100
200
300
400
IF [A]
500
600
700
800
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失ダイオード,D1/D4(Typical)
switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
Erec=f(RG)
IF=400A,VCE=300V
過渡熱インピーダンスダイオード,D1/D4
transientthermalimpedanceDiode,D1/D4
ZthJC=f(t)
24
1
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
22
ZthJC : Diode
20
18
16
ZthJC [K/W]
E [mJ]
14
12
10
0,1
8
6
4
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,02046 0,10956 0,02205 0,00681
τi[s]:
0,00108 0,03036 0,16873 3,29829
2
0
0
1
2
3
4
5
6
0,01
0,001
7 8 9 10 11 12 13 14 15
RG [Ω]
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:2.0
12
0,01
0,1
t [s]
1
10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
J
パッケージ概要/packageoutlines
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:2.0
13
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
F3L400R12PT4_B26
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
利用規約
このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が
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ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。
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havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
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Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:2.0
14
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