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本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。
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用されることを意図して設計・製造されています。(1) 極めて高度な安全性が要求され、仮に当該安全性が確保されない場合、社会的に重
大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を伴う用途 (原子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御, 航空交通管
制, 大量輸送システムにおける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器システムにおけるミサイル発射制御等をいう) 、ならびに(2) 極
めて高い信頼性が要求される用途 (海底中継器, 宇宙衛星等をいう) に使用されるよう設計・製造されたものではありません。上記の製品
の使用法によって惹起されたいかなる請求または損害についても、Spansion は、お客様または第三者、あるいはその両方に対して責任を一
切負いません。半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても、結果的に人身事故, 火災事故, 社会的
な損害を生じさせないよう、お客様において、装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過電流防止対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計をお
願いします。本資料に記載された製品が、外国為替及び外国貿易法、米国輸出管理関連法規などの規制に基づき規制されている製品または
技術に該当する場合には、本製品の輸出に際して、同法に基づく許可が必要となります。
商標および注記
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せん。
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FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS709-00003-1v0-J
32-bit ARM® CortexTM-M4F based Microcontroller
MB9B360R シリーズ
MB9BF366M/N/R, MB9BF367M/N/R,
MB9BF368M/N/R
 概要
MB9B360R シリーズは、高速処理と低コストを求める組込み制御用途向けに設計された、高集積
32 ビットマイクロコントローラです。
本シリーズは、CPU に ARM Cortex-M4F プロセッサを搭載し、フラッシュメモリおよび SRAM の
オンチップメモリとともに、周辺機能として、モータ制御用タイマ, A/D コンバータ, 各種通信
インタフェース(USB, UART, CSIO, I2C, LIN)により構成されます。
(注意事項) ・ARM is the registered trademark of ARM Limited in the EU and other countries.
・Cortex is the trademark of ARM Limited in the EU and other countries.
Copyright©2013 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2013.11
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
r1.0
MB9B360R シリーズ
 特長
・32 ビット ARM Cortex-M4F コア
・ プロセッサ版数 : r0p1
・ 最大動作周波数 : 160 MHz
・ FPU 搭載
・ DSP 命令対応
・ メモリ保護ユニット(MPU) : 組込みシステムの信頼性を向上させます。
・ ネスト型ベクタ割込みコントローラ(NVIC) : 1 チャネルの NMI(ノンマスカブル割込み)と
128 チャネルの周辺割込みに対応。16 の割込み優先度レベルを設定できます。
・ 24 ビットシステムタイマ(Sys Tick) : OS タスク管理用のシステムタイマです。
・オンチップメモリ
[フラッシュメモリ]
本シリーズは、2 つの独立したフラッシュメモリを搭載します。
・ メインフラッシュメモリ
・ 最大 1024 K バイト
・ 16 K バイトのトレースバッファメモリを使用した、フラッシュメモリアクセラレータ機能を
内蔵
・ フラッシュメモリへのリードアクセスは、動作周波数 72 MHz までは 0 wait-cycle です。
72 MHz より大きい場合でも、フラッシュメモリアクセラレータ機能により、0 wait-cycle と
同等なアクセスを行えます。
・ コード保護用セキュリティ機能
・ ワークフラッシュメモリ
・ 32 K バイト
・ リードサイクル:
・ 6 wait-cycle 動作周波数が 120 MHz を超え、160 MHz 以下の場合
・ 4 wait-cycle 動作周波数が 72 MHz を超え、120 MHz 以下の場合
・ 2 wait-cycle 動作周波数が 40 MHz を超え、72 MHz 以下の場合
・ 0 wait-cycle 動作周波数が 40 MHz 以下の場合
・ セキュリティ機能はコード保護用セキュリティ機能と共有
[SRAM]
本シリーズのオンチップ SRAM は、3 つの独立した SRAM (SRAM0, SRAM1,SRAM2) により構成
されます。SRAM0 は、Cortex-M4F コアの I-Code バス, D-Code バスに接続します。SRAM1,SRAM2
は、Cortex-M4F コアの System バスに接続します。
・ SRAM0: 最大 64 K バイト
・ SRAM1: 最大 32 K バイト
・ SRAM2: 最大 32 K バイト
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DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・外部バスインタフェース
・ SRAM, NOR と NAND フラッシュおよび SDRAM デバイスに対応
・ 最大 9 チップセレクト CS0~CS8 (CS8 は SDRAM 専用)
・ 8/16 ビットデータ幅
・ 最大 25 ビットのアドレスビット
・ アドレス/データマルチプレクスをサポート
・ 外部 RDY 機能をサポート
・ スクランブル機能サポート
・ 外部領域 0x6000_0000~0xDFFF_FFFF の領域を 4 M バイト単位でスクランブルの有効/無効
を設定可能
・ スクランブルキーを 2 種類設定可能
(注意事項) 本機能を使用するためには、専用のソフトウェアライブラリが必要です。
・USB インタフェース
USB インタフェースはファンクションとホストで構成されます。
[USB ファンクション]
・ USB2.0 Full-Speed 対応
・ 最大 6 本のエンドポイントをサポートします。
・ エンドポイント 0 はコントロール転送
・ エンドポイント 1, 2 はバルク転送, インタラプト転送, アイソクロナス転送を選択可能
・ エンドポイント 3~5 はバルク転送, インタラプト転送を選択可能
・ エンドポイント 1~5 はダブルバッファ構成
・ 各エンドポイントのサイズは下記のとおり
- エンドポイント 0, 2 ~ 5 : 64 バイト
- エンドポイント 1 : 256 バイト
[USB ホスト]
・ USB2.0 Full-Speed / Low-Speed 対応
・ バルク転送, インタラプト転送, アイソクロナス転送をサポート
・ USB デバイスの接続/切断の自動検出
・ IN/OUT トークン時のハンドシェークパケットの自動処理
・ 最大パケット長 256 バイトをサポート
・ ウェイクアップ機能をサポート
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r1.0
MB9B360R シリーズ
・マルチファンクションシリアルインタフェース(最大 8 チャネル)
・ 64 バイト FIFO あり(FIFO 段数は通信モード・ビット長の設定により可変)
・ チャネルごとに動作モードを次の中から選択できます。
・ UART
・ CSIO
・ LIN
・ I2C
[UART]
・ 全二重ダブルバッファ
・ パリティあり/なし選択可能
・ 専用ボーレートジェネレータ内蔵
・ 外部クロックをシリアルクロックとして使用可能
・ ハードウェアフロー・コントロール : CTS/RTS による送受信自動制御(ch.4 のみ)
・ 豊富なエラー検出機能(パリティエラー, フレーミングエラー, オーバランエラー)
[CSIO]
・ 全二重ダブルバッファ
・ 専用ボーレートジェネレータ内蔵
・ オーバランエラー検出機能
・ シリアルチップセレクト機能(ch.6, ch.7 のみ)
・ 高速 SPI 対応(ch.4, ch.6 のみ)
・ データ長 5~16 ビット
[LIN]
・ LIN プロトコル Rev.2.1 対応
・ 全二重ダブルバッファ
・ マスタ/スレーブモード対応
・ LIN break field 生成(13~16 ビット長に変更可能)
・ LIN break デリミタ生成(1~4 ビット長に変更可能)
・ 豊富なエラー検出機能(パリティエラー, フレーミングエラー, オーバランエラー)
2
[I C]
・ 標準モード(最大 100 kbps)/高速モード(最大 400 kbps)に対応
・ 高速モードプラス(Fm+) (最大 1000 kbps, ch.3=ch.A, ch.7=ch.B のみ)に対応
・DMA コントローラ(8 チャネル)
DMA コントローラは、CPU とは独立した DMA 専用バスを持ち、CPU と並列動作できます。
・ 8 つを独自に構成かつ動作可能なチャネル
・ ソフトウェア要求または内蔵周辺機能要求による転送開始可能
・ 転送アドレス空間:32 ビット(4 G バイト)
・ 転送モード : ブロック転送/ バースト転送/ デマンド転送
・ 転送データタイプ : バイト/ ハーフワード/ ワード
・ 転送ブロック数 : 1~16
・ 転送回数 : 1~65536
・DSTC (Descriptor System data Transfer Controller) (128 チャネル)
DSTC は、CPU を介さずにデータを高速に転送できます。Descriptor システム方式を採用しており、
あらかじめメモリ上に構築された Descriptor の指定内容に従って、メモリ/Peripheral デバイスに直
接アクセスを行い、データ転送動作を実行できます。
ソフトウェア起動, ハードウェア起動, Chain 起動機能サポート
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r1.0
MB9B360R シリーズ
・AD コンバータ(最大 24 チャネル)
・ 逐次比較型
・ 3 ユニット搭載
・ 変換時間 : 0.5μs @5V
・ 優先変換可能(2 レベルの優先度)
・ スキャン変換モード
・ 変換データ格納用 FIFO 搭載(スキャン変換用 : 16 段, 優先変換用 : 4 段)
・DA コンバータ(最大 2 チャネル)
・ R-2R 型
・ 12 ビット分解能
・ベースタイマ(最大 8 チャネル)
チャネルごとに動作モードを次の中から選択できます。
・ 16 ビット PWM タイマ
・ 16 ビット PPG タイマ
・ 16/32 ビットリロードタイマ
・ 16/32 ビット PWC タイマ
・汎用 I/O ポート
本シリーズは、端子が外部バスまたは周辺機能に使用されていない場合、汎用 I/O ポートとして
使用できます。また、どの I/O ポートに周辺機能を割り当てるかを設定できるポートリロケート
機能を搭載しています。
・ 端子ごとにプルアップ制御可能
・ 端子レベルを直接読出し可能
・ ポートリロケート機能
・ 最大 100 本の高速汎用 I/O [email protected] Package
・ 一部のポートは、5V トレラントに対応
該当する端子については「端子機能一覧」と「入出力回路形式」を参照してください。
・多機能タイマ(最大 2 ユニット)
多機能タイマは、次のブロックで構成されます。
最小分解能: 6.25ns
・ 16 ビットフリーランタイマ×3 チャネル / ユニット
・ インプットキャプチャ×4 チャネル / ユニット
・ アウトプットコンペア×6 チャネル / ユニット
・ A/D 起動コンペア×6 チャネル / ユニット
・ 波形ジェネレータ×3 チャネル / ユニット
・ 16 ビット PPG タイマ×3 チャネル / ユニット
モータ制御を実現するために次の機能を用意しています。
・ PWM 信号出力機能
・ DC チョッパ波形出力機能
・ デッドタイマ機能
・ インプットキャプチャ機能
・ A/D コンバータ起動機能
・ DTIF(モータ緊急停止)割込み機能
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MB9B360R シリーズ
・リアルタイムクロック(RTC : Real Time Clock)
01 年~99 年までの年/月/日/時/分/秒/曜日のカウントを行います。
・ 日時指定(年/月/日/時/分/秒/曜日)での割込み機能、年/月/日/時/分だけの個別設定も可能
・ 設定時間後/設定時間ごとのタイマ割込み機能
・ カウントを継続して時刻書換え可能
・ うるう年の自動カウント
・クアッドカウンタ (QPRC : Quadrature Position/Revolution Counter) (最大 2 チャネル)
クアッドカウンタ(QPRC)は、ポジションエンコーダの位置を測定するために使います。また、
設定によりアップダウンカウンタとしても使用できます。
・ 3 つの外部イベント入力端子 AIN, BIN, ZIN の検出エッジを設定可能
・ 16 ビット位置カウンタ
・ 16 ビット回転カウンタ
・ 2 つの 16 ビットコンペアレジスタ
・デュアルタイマ(32/16 ビットダウンカウンタ)
デュアルタイマは、2 つのプログラム可能な 32/16 ビットダウンカウンタで構成されます。
各タイマチャネルの動作モードを次の中から選択できます。
・ フリーランモード
・ 周期モード(=リロードモード)
・ ワンショットモード
・時計カウンタ
時計カウンタは低消費電力モードからのウェイクアップに使用します。クロックソースはメイン
クロック/サブクロック/内蔵高速 CR クロック/内蔵低速 CR クロックから選択可能です。
インターバルタイマ : 最大 [email protected](32.768 kHz)
・外部割込み制御ユニット
・ 外部割込み入力端子 : 最大 16 本
・ ノンマスカブル割込み(NMI)入力端子 : 1 本
・ウォッチドッグタイマ(2 チャネル)
ウォッチドッグタイマは、タイムアウト値に達すると割込みまたはリセットを発生します。
本シリーズには、"ハードウェア"ウォッチドッグと"ソフトウェア"ウォッチドッグの 2 つの異な
るウォッチドッグがあります。
"ハードウェア"ウォッチドッグタイマは内蔵低速 CR 発振で動作するため、STOP 以外のすべての
低消費電力モードで動作します。
・CRC (Cyclic Redundancy Check)アクセラレータ
CRC アクセラレータは、ソフト処理負荷の高い CRC 計算を行い、受信データおよびストレージ
の整合性確認処理負荷の軽減を実現します。
CCITT CRC16 と IEEE-802.3 CRC32 をサポートします。
・ CCITT CRC16 Generator Polynomial: 0x1021
・ IEEE-802.3 CRC32 Generator Polynomial: 0x04C11DB7
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r1.0
MB9B360R シリーズ
・SD カードインタフェース
下記規格に準拠した SD カードが使用できます。
・ Part 1 Physical Layer Specification version 3.01
・ Part E1 SDIO Specification version 3.00
・ Part A2 SD Host Controller Standard Specification version 3.00
・ 1 ビットまたは 4 ビットのデータバス幅
・クロック/リセット
[クロック]
5 種類のクロックソース(2 種類の外部発振, 2 種類の内蔵 CR 発振, メイン PLL)から選択できます。
・ メインクロック
・ サブクロック
・ 内蔵高速 CR クロック
・ 内蔵低速 CR クロック
・ メイン PLL クロック
: 4 MHz~48 MHz
: 32.768 kHz
: 4 MHz
: 100 kHz
[リセット]
・ INITX 端子からのリセット要求
・ 電源投入リセット
・ ソフトウェアリセット
・ ウォッチドッグタイマリセット
・ 低電圧検出リセット
・ クロックスーパバイザリセット
・クロック監視機能(CSV : Clock Super Visor)
内蔵 CR 発振による生成クロックを用いて外部クロックの異常を監視します。
・ 外部クロック異常(クロック停止)が検出されると、リセットがアサートされます。
・ 外部周波数異常が検出されると、割込みまたはリセットがアサートされます。
・低電圧検出機能(LVD : Low-Voltage Detect)
本シリーズは、2 段階で VCC の電圧を監視します。設定した電圧より VCC 端子の電圧が下がっ
た場合、低電圧検出機能により割込みまたはリセットが発生します。
・ LVD1 : 割込みによりエラーを報告
・ LVD2 : オートリセット動作
・低消費電力モード
6 種類の低消費電力モードに対応します。
・ スリープ
・ タイマ
・RTC
・ ストップ
・ディープスタンバイ RTC(RAM 保持あり・なし選択可能)
・ディープスタンバイストップ(RAM 保持あり・なし選択可能)
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r1.0
MB9B360R シリーズ
・VBAT
RTC(カレンダ回路)/32 kHz 発振回路に独立した電源を供給することで、RTC 動作時の消費電力を
低減できます。
VBAT には以下の回路が含まれます。
・ RTC
・ 32 kHz 発振回路
・ パワーオン回路
・ バックアップレジスタ: 32 バイト
・ ポート回路
・デバッグ
・ シリアル・ワイヤ JTAG デバッグ・ポート (SWJ-DP)
・ エンベデッド・トレース・マクロセル(ETM)
・ユニーク ID
41 ビットのデバイス固有の値を設定済み
・電源
3 種類の電源
・ワイドレンジ電圧対応 : VCC
= 2.7V~5.5V
・USB I/O 用電源
: USBVCC = 3.0V~3.6V(USB 使用時)
= 2.7V~5.5V(GPIO 使用時)
・VBAT 用電源
: VBAT
= 2.7V~5.5V
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MB9B360R シリーズ
 品種構成
・メモリサイズ
品種名
MB9BF366M/N/R
MB9BF367M/N/R
MB9BF368M/N/R
メインフラッシュメモリ
ワークフラッシュメモリ
オンチップ SRAM
SRAM0
SRAM1
SRAM2
512 K バイト
32 K バイト
64 K バイト
32 K バイト
16 K バイト
16 K バイト
768 K バイト
32 K バイト
96 K バイト
48 K バイト
24 K バイト
24 K バイト
1024 K バイト
32 K バイト
128 K バイト
64 K バイト
32 K バイト
32 K バイト
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r1.0
MB9B360R シリーズ
・ファンクション
品種名
端子数
CPU
周波数
電源電圧範囲
USB2.0 (Function/Host)
DMAC
DSTC
外部バスインタフェース
マルチファンクションシリアル
(UART/CSIO/LIN/I2C)
ベースタイマ
(PWC/リロードタイマ/PWM/PPG)
A/D 起動コンペア
6ch.
多
4ch.
機 インプットキャプチャ
3ch.
能 フリーランタイマ
タ アウトプットコンペア
6ch.
イ
波形ジェネレータ
3ch.
マ
PPG
3ch.
SD カードインタフェース
クアッドカウンタ
デュアルタイマ
リアルタイムクロック
時計カウンタ
CRC アクセラレータ
ウォッチドッグタイマ
外部割込み
I/O ポート
12 ビット A/D コンバータ
MB9BF366M
MB9BF367M
MB9BF368M
MB9BF366N
MB9BF367N
MB9BF368N
MB9BF366R
MB9BF367R
MB9BF368R
80
100/112
120/144
Cortex-M4F, MPU, NVIC 128ch.
160 MHz
2.7V~5.5V
1ch.
8ch.
128ch.
Addr:25-bit (最大),
Addr:25-bit (最大),
Addr:19-bit (最大),
R/W data: 8/16-bit
R/W data: 8/16-bit
R/W data: 8-bit
(最大),
(最大),
(最大),
CS:9 (最大),
CS:9 (最大),
CS:5 (最大),
SRAM,
SRAM,
SRAM,
NOR フラッシュ,
NOR フラッシュ,
NOR フラッシュ
NAND フラッシュ,
SDRAM
SDRAM
8ch. (最大)
8ch. (最大)
2 unit (最大)
63pin (最大)
16ch. (3 unit)
1 unit
2ch. (最大)
1 unit
1 unit
1 unit
Yes
1ch. (SW) + 1ch. (HW)
16pin (最大)+ NMI × 1
80pin (最大)
100pin (最大)
24ch. (3 unit)
12 ビット D/A コンバータ
2 unit (最大)
クロック監視機能(CSV)
Yes
低電圧検出機能(LVD)
2ch.
高速
4 MHz (±2%)
内蔵 CR
低速
100 kHz (標準)
デバッグ機能
SWJ-DP/ETM
ユニーク ID
Yes
(注意事項) 各製品に搭載される周辺機能の信号は、パッケージの端子数制限により、すべて割り当
てることはできません。ご使用される機能に応じて、I/O ポートのポートリロケート機能
を用いて、端子を割り当ててください。
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DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
 パッケージと品種対応
品種名
パッケージ
LQFP: FPT-80P-M37 (0.5mm pitch)
LQFP: FPT-80P-M40 (0.65mm pitch)
QFP: FPT-100P-M36 (0.65mm pitch)
LQFP: FPT-100P-M23 (0.5mm pitch)
LQFP: FPT-120P-M37 (0.5mm pitch)
BGA: BGA-112P-M05 (0.5mm pitch)
BGA: BGA-144P-M09 (0.5mm pitch)
MB9BF366M
MB9BF367M
MB9BF368M


-
-
MB9BF366N
MB9BF367N
MB9BF368N
MB9BF366R
MB9BF367R
MB9BF368R


-

-


 : 対応
(注意事項) 各パッケージの詳細は「パッケージ・外形寸法図」を参照してください。
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
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r1.0
MB9B360R シリーズ
 端子配列図
・ FPT-80P-M37/M40
VSS
P81/UDP0
P80/UDM0
USBVCC
P60/TIOA2_2/SCK5_0/NMIX/WKUP0/MRDY_0
P61/UHCONX0/TIOB2_2/SOT5_0/RTCCO_0/SUBOUT_0
P62/ADTG_3/SIN5_0/INT04_1/S_WP_0/MOEX_0
P63/CROUT_1/INT03_0/S_CD_0/MWEX_0
P00/TRSTX/MCSX7_0
P01/TCK/SWCLK
P02/TDI/MCSX6_0
P03/TMS/SWDIO
P04/TDO/SWO
P09/AN19/TIOA3_2/SOT1_0/S_DATA2_0/MCSX5_0
P0A/SIN1_0/FRCK1_0/INT12_2/S_DATA3_0/MCSX1_0
P0B/TIOB6_1/SIN6_1/IC10_0/INT00_1/S_DATA0_0/MCSX0_0
P0C/TIOA6_1/SOT6_1/IC11_0/S_DATA1_0/MALE_0
P0D/TIOA5_2/SCK6_1/IC12_0/S_CMD_0/MDQM0_0
P0E/TIOB5_2/SCS6_1/IC13_0/S_CLK_0/MDQM1_0
VCC
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
(TOP VIEW)
VCC
1
60
VSS
P50/CTS4_0/AIN0_2/RTO10_0/INT00_0/MADATA00_0
2
59
P21/AN17/SIN0_0/INT06_1
P51/RTS4_0/BIN0_2/RTO11_0/INT01_0/MADATA01_0
3
58
P22/CROUT_0/AN16/TIOB7_1/SOT0_0
P52/SCK4_0/ZIN0_2/RTO12_0/MADATA02_0
4
57
P23/AN15/TIOA7_1/SCK0_0/RTO00_1
P53/TIOA1_2/SOT4_0/RTO13_0/MADATA03_0
5
56
P1B/AN11/SCK4_1/IC02_1/MAD18_0
P54/TIOB1_2/SIN4_0/RTO14_0/INT02_0/MADATA04_0
6
55
P1A/AN10/SOT4_1/IC01_1/MAD17_0
P55/ADTG_1/SIN6_0/RTO15_0/INT07_2/MADATA05_0
7
54
P19/AN09/SIN4_1/IC00_1/INT05_1/MAD16_0
P56/SOT6_0/DTTI1X_0/INT08_2/MADATA06_0
8
53
P18/AN08/SCK2_2/MAD15_0
P30/TIOB0_1/RTS4_2/INT15_2/WKUP1/MADATA07_0
9
52
AVRH
P31/TIOB1_1/SIN3_1/INT09_2/MADATA08_0
10
51
AVRL
P32/TIOB2_1/SOT3_1/INT10_1/MADATA09_0
11
50
AVSS
P33/ADTG_6/TIOB3_1/SCK3_1/INT04_0/MADATA10_0
12
49
AVCC
P39/ADTG_2/DTTI0X_0/RTCCO_2/SUBOUT_2
13
48
P17/AN07/SOT2_2/WKUP3/MAD14_0
P16/AN06/SIN2_2/INT14_1/MAD13_0
LQFP - 80
P3A/TIOA0_1/AIN0_0/RTO00_0
14
47
P3B/TIOA1_1/BIN0_0/RTO01_0
15
46
P15/AN05/SCK0_1/MAD12_0
P3C/TIOA2_1/ZIN0_0/RTO02_0
16
45
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<注意事項>
XXX_1, XXX_2 のように「_ (アンダバー)」がついている端子の、「_」以降の数字はリロケー
ションポート番号を示しています。
これらの端子は 1 つのチャネルに複数の機能があり、それぞれの機能ごとに端子名があります。
拡張ポート機能レジスタ(EPFR)によって利用する端子名を選択してください。
12
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
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<注意事項>
XXX_1, XXX_2 のように「_ (アンダバー)」がついている端子の、「_」以降の数字はリロケー
ションポート番号を示しています。
これらの端子は 1 つのチャネルに複数の機能があり、それぞれの機能ごとに端子名があります。
拡張ポート機能レジスタ(EPFR)によって利用する端子名を選択してください。
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
13
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MB9B360R シリーズ
・FPT-120P-M37
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(TOP VIEW)
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<注意事項>
XXX_1, XXX_2 のように「_ (アンダバー)」がついている端子の、「_」以降の数字はリロケー
ションポート番号を示しています。
これらの端子は 1 つのチャネルに複数の機能があり、それぞれの機能ごとに端子名があります。
拡張ポート機能レジスタ(EPFR)によって利用する端子名を選択してください。
14
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r5.0
MB9B360R シリーズ
・FPT-100P-M36
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48
P1E/AN14/ADTG_5/FRCK0_1/MAD21_0
P54/TIOB1_2/SIN4_0/RTO14_0/INT02_0/MADATA04_0
84
47
P1D/AN13/RTS4_1/DTTI0X_1/MAD20_0
P55/ADTG_1/SIN6_0/RTO15_0/INT07_2/MADATA05_0
85
46
P1C/AN12/CTS4_1/IC03_1/MAD19_0
P56/SOT6_0/DTTI1X_0/INT08_2/MADATA06_0
86
45
P1B/AN11/SCK4_1/IC02_1/MAD18_0
P30/TIOB0_1/RTS4_2/INT15_2/WKUP1/MADATA07_0
87
44
P1A/AN10/SOT4_1/IC01_1/MAD17_0
P31/TIOB1_1/SIN3_1/INT09_2/MADATA08_0
88
43
P19/AN09/SIN4_1/IC00_1/INT05_1/MAD16_0
P32/TIOB2_1/SOT3_1/INT10_1/MADATA09_0
89
42
P18/AN08/SCK2_2/MAD15_0
P33/ADTG_6/TIOB3_1/SCK3_1/INT04_0/MADATA10_0
90
41
AVRH
P34/TIOB4_1/FRCK0_0/MADATA11_0
91
40
AVRL
P35/TIOB5_1/IC03_0/INT08_1/MADATA12_0
92
39
AVSS
QFP - 100
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
P47/X1A
P48/VREGCTL
P49/VWAKEUP
VBAT
C
VSS
VCC
P4B/TIOB1_0/SCS7_1/MAD03_0
P4C/TIOB2_0/SCK7_1/AIN1_2/MAD04_0
P4D/TIOB3_0/SOT7_1/BIN1_2/INT13_2/MAD05_0
P4E/TIOB4_0/SIN7_1/ZIN1_2/FRCK1_1/INT11_1/WKUP2/MAD06_0
PE0/MD1
MD0
PE2/X0
PE3/X1
VSS
30
12
P46/X0A
29
11
INITX
VCC
10
P45/TIOB0_0/RTO15_1/DA1
P10/AN00/SIN1_1/FRCK0_2/INT02_1/MAD07_0
9
P11/AN01/SOT1_1/IC00_2/MAD08_0
8
P12/AN02/SCK1_1/IC01_2/RTCCO_1/SUBOUT_1/MAD09_0
31
P44/TIOA4_0/RTO14_1/DA0
P13/AN03/SIN0_1/IC02_2/INT03_1/MAD10_0
32
P43/ADTG_7/TIOA3_0/RTO13_1/MCSX8_0
33
99
P3D/TIOA3_1/RTO03_0/MAD00_0 100
7
98
P3C/TIOA2_1/ZIN0_0/RTO02_0/MCASX_0
P42/TIOA2_0/RTO12_1/MSDWEX_0
P3B/TIOA1_1/BIN0_0/RTO01_0/MRASX_0
6
P14/AN04/SOT0_1/IC03_2/MAD11_0
5
P15/AN05/SCK0_1/MAD12_0
34
P41/TIOA1_0/RTO11_1/INT13_1
35
97
P40/TIOA0_0/RTO10_1/INT12_1
96
P3A/TIOA0_1/AIN0_0/RTO00_0/MSDCKE_0
4
P16/AN06/SIN2_2/INT14_1/MAD13_0
P39/ADTG_2/DTTI0X_0/RTCCO_2/SUBOUT_2/MSDCLK_0
3
36
VCC
95
2
P17/AN07/SOT2_2/WKUP3/MAD14_0
P38/SCK5_2/IC00_0/INT06_2/MADATA15_0
1
AVCC
37
VSS
38
94
P3F/TIOA5_1/RTO05_0/MAD02_0
93
P3E/TIOA4_1/RTO04_0/MAD01_0
P36/SIN5_2/IC02_0/INT09_1/MADATA13_0
P37/SOT5_2/IC01_0/INT05_2/MADATA14_0
<注意事項>
XXX_1, XXX_2 のように「_ (アンダバー)」がついている端子の、「_」以降の数字はリロケー
ションポート番号を示しています。
これらの端子は 1 つのチャネルに複数の機能があり、それぞれの機能ごとに端子名があります。
拡張ポート機能レジスタ(EPFR)によって利用する端子名を選択してください。
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
15
r5.0
MB9B360R シリーズ
・BGA-112P-M05
(TOP VIEW)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A
VSS
UDP0
UDM0
USBVCC
VSS
TCK/
SWCLK
VSS
AN21
P0A
P0B
VSS
P0E
VSS
B
VCC
VSS
P60
P61
P62
TRSTX SWDIO
AN22
AN19
P0C
P0D
VSS
VCC
C
P50
P51
P52
AN23
AN20
VSS
AN18
AN17
D
P53
P54
AN16
AN15
E
P55
P56
P30
AN14
AN13
AVRH
F
P31
P32
P33
AN12
AN11
AVRL
G
P34
P35
P36
AN10
AN09
AVSS
H
VSS
P37
P38
AN08
AN07
AVCC
J
P39
P3A
P3B
AN06
AN05
AN04
K
P3C
P3D
AN03
AN02
L
P3E
P3F
P43
VSS
AN01
AN00
M
VCC
VSS
P42
N
VSS
P40
P41
P63
TMS/
TDI
TDO/
SWO
index
P45
P48
P4B
P4C
P4E
P44
VSS
INITX
P49
VCC
P4D
MD1
MD0
VSS
VCC
VSS
X0A
X1A
VSS
VBAT
C
VSS
X0
X1
VSS
<注意事項>
XXX_1, XXX_2 のように「_ (アンダバー)」がついている端子の、「_」以降の数字はリロケー
ションポート番号を示しています。
これらの端子は 1 つのチャネルに複数の機能があり、それぞれの機能ごとに端子名があります。
拡張ポート機能レジスタ(EPFR)によって利用する端子名を選択してください。
16
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r5.0
MB9B360R シリーズ
・BGA-144P-M09
(TOP VIEW)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
A
VSS
UDP0
UDM0
USBVCC
VSS
P66
VSS
VSS
AN21
VSS
P0C
VCC
VSS
B
VCC
VSS
P60
P61
P63
P67
TCK/
SWCLK
TDO/
SWO
AN20
P0B
VSS
VSS
P0E
C
P50
P51
VSS
P62
P64
P68
TDI
AN23
AN19
P0D
VSS
AN18
VSS
D
P52
P53
P54
VSS
P65
AN22
P0A
VSS
AN17
AN16
AN15
E
P55
P56
P57
P58
index
P24
P25
P26
P27
F
P59
P5A
P5B
P30
P1F
AN14
AN13
AN12
G
P31
P32
P33
P34
AN11
AN10
AN09
AVRH
H
P35
P36
P37
P38
AN08
AN07
AN06
AVRL
J
P39
P3A
P3B
P3C
AN05
AN04
AN03
AVSS
K
VSS
P3D
P3E
VSS
P45
P49
P4C
P70
P72
VSS
AN02
AN01
AVCC
L
P3F
P41
VSS
P44
VSS
P48
P4B
P4E
P71
P74
VSS
AN00
VSS
M
VCC
VSS
P43
VSS
X1A
VSS
VSS
P4D
VCC
P73
MD0
VSS
VCC
N
VSS
P40
P42
INITX
X0A
VSS
VBAT
C
VSS
MD1
X0
X1
VSS
TMS/
TRSTX SWDIO
<注意事項>
XXX_1, XXX_2 のように「_ (アンダバー)」がついている端子の、「_」以降の数字はリロケー
ションポート番号を示しています。
これらの端子は 1 つのチャネルに複数の機能があり、それぞれの機能ごとに端子名があります。
拡張ポート機能レジスタ(EPFR)によって利用する端子名を選択してください。
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
17
r5.0
MB9B360R シリーズ
 端子機能一覧
 端子番号別
XXX_1, XXX_2 のように、「_(アンダバー)」がついている端子の、「_」以降の数字はリロケー
ションポート番号を示しています。
これらの端子は 1 つのチャネルに複数の機能があり、それぞれの機能ごとに端子名があります。
拡張ポート機能レジスタ(EPFR)によって利用する端子名を選択してください。
端子番号
LQFP120
LQFP100
LQFP80
QFP100
BGA112
BGA144
1
1
1
79
B1
B1
2
2
2
80
C1
C1
3
3
3
81
C2
C2
4
4
4
82
C3
D1
5
5
5
83
D1
D2
6
6
6
84
D2
D3
7
7
7
85
E1
E1
18
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子名
VCC
P50
CTS4_0
AIN0_2
RTO10_0
(PPG10_0)
INT00_0
MADATA00_0
P51
RTS4_0
BIN0_2
RTO11_0
(PPG10_0)
INT01_0
MADATA01_0
P52
SCK4_0
(SCL4_0)
ZIN0_2
RTO12_0
(PPG12_0)
MADATA02_0
P53
TIOA1_2
SOT4_0
(SDA4_0)
RTO13_0
(PPG12_0)
MADATA03_0
P54
TIOB1_2
SIN4_0
RTO14_0
(PPG14_0)
INT02_0
MADATA04_0
P55
ADTG_1
SIN6_0
RTO15_0
(PPG14_0)
INT07_2
MADATA05_0
入出力
回路
形式
-
端子状態
形式
-
E
K
E
K
E
I
E
I
E
K
E
K
DS709-00003-1v0-J
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子番号
LQFP120
LQFP100
LQFP80
QFP100
BGA112
BGA144
8
8
8
86
E2
E2
9
-
-
-
-
E3
10
-
-
-
-
E4
11
-
-
-
-
F1
12
-
-
-
-
F2
13
-
-
-
-
F3
9
9
87
E3
-
-
-
-
10
10
88
F1
14
14
15
15
-
-
-
-
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
F4
F4
G1
G1
端子名
P56
SOT6_0
(SDA6_0)
DTTI1X_0
INT08_2
MADATA06_0
P57
SCK6_0
(SCL6_0)
MADATA07_0
P58
SIN4_2
AIN1_0
INT04_2
MADATA08_0
P59
SOT4_2
(SDA4_2)
BIN1_0
INT07_1
MADATA09_0
P5A
SCK4_2
(SCL4_2)
ZIN1_0
MADATA10_0
P5B
CTS4_2
MADATA11_0
P30
TIOB0_1
RTS4_2
INT15_2
WKUP1
MADATA07_0
MADATA12_0
P31
TIOB1_1
SIN3_1
INT09_2
MADATA08_0
MADATA13_0
入出力
回路
形式
端子状態
形式
E
K
E
I
E
K
E
K
E
I
E
I
E
Q
I
K
19
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子番号
LQFP120
16
16
17
17
18
18
19
19
LQFP100
LQFP80
QFP100
BGA112
11
11
89
F2
-
-
-
-
12
12
90
F3
-
-
-
-
13
-
91
G1
-
-
-
-
14
-
92
G2
-
-
-
-
20
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
BGA144
G2
G2
G3
G3
G4
G4
H1
H1
端子名
P32
TIOB2_1
SOT3_1
(SDA3_1)
INT10_1
MADATA09_0
MADATA14_0
P33
ADTG_6
TIOB3_1
SCK3_1
(SCL3_1)
INT04_0
MADATA10_0
MADATA15_0
P34
TIOB4_1
FRCK0_0
MADATA11_0
MNALE_0
P35
TIOB5_1
IC03_0
INT08_1
MADATA12_0
MNCLE_0
入出力
回路
形式
端子状態
形式
N
K
N
K
E
I
E
K
DS709-00003-1v0-J
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子番号
LQFP120
20
20
21
21
22
LQFP100
LQFP80
QFP100
BGA112
15
-
93
G3
-
-
-
-
16
-
94
H2
-
-
-
-
17
-
95
H3
-
23
BGA144
H2
H2
H3
H3
H4
-
18
13
96
J1
J1
97
J2
J2
98
J3
J3
-
24
19
14
-
25
20
15
-
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子名
P36
SIN5_2
IC02_0
INT09_1
MADATA13_0
MNWEX_0
P37
SOT5_2
(SDA5_2)
IC01_0
INT05_2
MADATA14_0
MNREX_0
P38
SCK5_2
(SCL5_2)
IC00_0
INT06_2
MADATA15_0
P39
ADTG_2
DTTI0X_0
RTCCO_2
SUBOUT_2
MSDCLK_0
P3A
TIOA0_1
AIN0_0
RTO00_0
(PPG00_0)
MSDCKE_0
P3B
TIOA1_1
BIN0_0
RTO01_0
(PPG00_0)
MRASX_0
入出力
回路
形式
端子状態
形式
E
K
E
K
E
K
L
I
G
I
G
I
21
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子番号
LQFP120
26
LQFP100
21
LQFP80
16
QFP100
BGA112
BGA144
99
K1
J4
-
27
22
17
100
K2
K2
28
23
18
1
L1
K3
29
24
19
2
L2
L1
30
31
25
26
20
-
3
4
N1
M1
N1
M1
32
27
-
5
N2
N2
33
28
-
6
N3
L2
34
29
-
7
M3
N3
35
30
-
8
L3
M3
36
31
21
9
M4
L4
22
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子名
P3C
TIOA2_1
ZIN0_0
RTO02_0
(PPG02_0)
MCASX_0
P3D
TIOA3_1
RTO03_0
(PPG02_0)
MAD00_0
P3E
TIOA4_1
RTO04_0
(PPG04_0)
MAD01_0
P3F
TIOA5_1
RTO05_0
(PPG04_0)
MAD02_0
VSS
VCC
P40
TIOA0_0
RTO10_1
(PPG10_1)
INT12_1
P41
TIOA1_0
RTO11_1
(PPG10_1)
INT13_1
P42
TIOA2_0
RTO12_1
(PPG12_1)
MSDWEX_0
P43
ADTG_7
TIOA3_0
RTO13_1
(PPG12_1)
MCSX8_0
P44
TIOA4_0
RTO14_1
(PPG14_1)
DA0
入出力
回路
形式
端子状態
形式
G
I
G
I
G
I
G
I
-
-
G
K
G
K
G
I
G
I
R
J
DS709-00003-1v0-J
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子番号
LQFP120
LQFP100
LQFP80
QFP100
BGA112
BGA144
37
32
22
10
L5
K5
38
33
23
11
M6
N4
39
34
24
12
N5
N5
40
35
25
13
N6
M5
41
36
26
14
L6
L6
42
37
27
15
M7
K6
43
44
45
46
38
39
40
41
28
29
30
31
16
17
18
19
N8
N9
N10
M8
N7
N8
N9
M9
47
42
32
20
L7
L7
48
43
33
21
L8
K7
49
44
34
22
M9
M8
50
45
35
23
L9
L8
51
-
-
-
-
K8
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子名
P45
TIOB0_0
RTO15_1
(PPG14_1)
DA1
INITX
P46
X0A
P47
X1A
P48
VREGCTL
P49
VWAKEUP
VBAT
C
VSS
VCC
P4B
TIOB1_0
SCS7_1
MAD03_0
P4C
TIOB2_0
SCK7_1
(SCL7_1)
AIN1_2
MAD04_0
P4D
TIOB3_0
SOT7_1
(SDA7_1)
BIN1_2
INT13_2
MAD05_0
P4E
TIOB4_0
SIN7_1
ZIN1_2
FRCK1_1
INT11_1
WKUP2
MAD06_0
P70
TIOA4_2
AIN0_1
IC13_1
入出力
回路
形式
端子状態
形式
R
J
B
C
P
S
Q
T
O
U
O
U
-
-
E
I
N
I
N
K
I
Q
E
I
23
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子番号
LQFP120
LQFP100
LQFP80
QFP100
BGA112
BGA144
52
-
-
-
-
L9
53
-
-
-
-
K9
54
-
-
-
-
M10
55
-
-
-
-
L10
56
46
36
24
M10
N10
57
47
37
25
M11
M11
58
48
38
26
N11
N11
59
49
39
27
N12
N12
60
61
50
51
40
-
28
29
N13
M13
N13
M13
62
52
41
30
L13
L12
63
53
42
31
L12
K12
24
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子名
P71
TIOB4_2
BIN0_1
IC12_1
INT15_1
P72
TIOA6_0
SIN2_0
ZIN0_1
IC11_1
INT14_2
P73
TIOB6_0
SOT2_0
(SDA2_0)
IC10_1
INT03_2
P74
SCK2_0
(SCL2_0)
DTTI1X_1
PE0
MD1
MD0
PE2
X0
PE3
X1
VSS
VCC
P10
AN00
SIN1_1
FRCK0_2
INT02_1
MAD07_0
P11
AN01
SOT1_1
(SDA1_1)
IC00_2
MAD08_0
入出力
回路
形式
端子状態
形式
E
K
E
K
E
K
E
I
C
E
J
D
A
A
A
B
-
-
F
M
F
L
DS709-00003-1v0-J
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子番号
LQFP120
LQFP100
LQFP80
QFP100
BGA112
BGA144
64
54
43
32
K13
K11
65
55
44
33
K12
J12
66
56
45
34
J13
J11
67
57
46
35
J12
J10
68
58
47
36
J11
H12
69
59
48
37
H12
H11
70
71
72
73
60
61
62
63
49
50
51
52
38
39
40
41
H13
G13
F13
E13
K13
J13
H13
G13
74
64
53
42
H11
H10
75
65
54
43
G12
G12
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子名
P12
AN02
SCK1_1
(SCL1_1)
IC01_2
RTCCO_1
SUBOUT_1
MAD09_0
P13
AN03
SIN0_1
IC02_2
INT03_1
MAD10_0
P14
AN04
SOT0_1
(SDA0_1)
IC03_2
MAD11_0
P15
AN05
SCK0_1
(SCL0_1)
MAD12_0
P16
AN06
SIN2_2
INT14_1
MAD13_0
P17
AN07
SOT2_2
(SDA2_2)
WKUP3
MAD14_0
AVCC
AVSS
AVRL
AVRH
P18
AN08
SCK2_2
(SCL2_2)
MAD15_0
P19
AN09
SIN4_1
IC00_1
INT05_1
MAD16_0
入出力
回路
形式
端子状態
形式
F
L
F
M
F
L
F
L
F
M
F
P
-
-
F
L
F
M
25
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子番号
LQFP120
LQFP100
LQFP80
QFP100
BGA112
BGA144
76
66
55
44
G11
77
67
56
45
F12
78
68
-
46
F11
F13
79
69
-
47
E12
F12
80
70
-
48
E11
F11
81
-
-
-
-
F10
82
-
-
-
-
E13
83
-
-
-
-
E12
84
-
-
-
-
E11
26
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
G11
G10
端子名
P1A
AN10
SOT4_1
(SDA4_1)
IC01_1
MAD17_0
P1B
AN11
SCK4_1
(SCL4_1)
IC02_1
MAD18_0
P1C
AN12
CTS4_1
IC03_1
MAD19_0
P1D
AN13
RTS4_1
DTTI0X_1
MAD20_0
P1E
AN14
ADTG_5
FRCK0_1
MAD21_0
P1F
ADTG_4
TIOB6_2
RTO05_1
(PPG04_1)
P27
TIOA6_2
RTO04_1
(PPG04_1)
INT02_2
P26
TIOB5_0
SCK2_1
(SCL2_1)
RTO03_1
(PPG02_1)
P25
TIOA5_0
SOT2_1
(SDA2_1)
RTO02_1
(PPG02_1)
入出力
回路
形式
端子状態
形式
M
L
M
L
F
L
F
L
F
L
E
I
E
K
E
I
E
I
DS709-00003-1v0-J
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子番号
LQFP120
LQFP100
85
-
86
71
LQFP80
-
57
QFP100
BGA112
BGA144
-
-
E10
49
D13
D13
50
D12
D12
51
C13
D11
-
87
72
58
59
88
73
89
74
-
52
C12
C12
90
91
75
76
60
61
53
54
A13
B13
A13
A12
92
77
62
55
A12
B13
93
78
63
56
B11
C10
59
-
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子名
P24
SIN2_1
RTO01_1
(PPG00_1)
INT01_2
P23
AN15
TIOA7_1
SCK0_0
(SCL0_0)
RTO00_1
(PPG00_1)
MAD22_0
P22
CROUT_0
AN16
TIOB7_1
SOT0_0
(SDA0_0)
ZIN1_1
P21
AN17
SIN0_0
BIN1_1
INT06_1
MAD23_0
P20
AN18
AIN1_1
INT05_0
MAD24_0
VSS
VCC
P0E
TIOB5_2
SCS6_1
IC13_0
S_CLK_0
MDQM1_0
P0D
TIOA5_2
SCK6_1
(SCL6_1)
IC12_0
S_CMD_0
MDQM0_0
入出力
回路
形式
端子状態
形式
E
K
F
L
F
L
F
M
F
M
-
-
L
I
L
I
27
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子番号
LQFP120
LQFP100
LQFP80
QFP100
BGA112
BGA144
94
79
64
57
B10
A11
95
80
65
58
A10
B10
96
81
66
59
A9
D9
60
B9
C9
67
97
82
67
98
83
-
61
C9
B9
99
84
-
62
A8
A9
100
85
-
63
B8
D8
28
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子名
P0C
TIOA6_1
SOT6_1
(SDA6_1)
IC11_0
S_DATA1_0
MALE_0
P0B
TIOB6_1
SIN6_1
IC10_0
INT00_1
S_DATA0_0
MCSX0_0
P0A
SIN1_0
FRCK1_0
INT12_2
S_DATA3_0
MCSX1_0
P09
AN19
TRACED0
TIOA3_2
SOT1_0
(SDA1_0)
S_DATA2_0
MCSX5_0
P08
AN20
TRACED1
TIOB3_2
SCK1_0
(SCL1_0)
MCSX4_0
P07
AN21
TRACED2
TIOA0_2
SCK7_0
(SCL7_0)
MCLKOUT_0
P06
AN22
TRACED3
TIOB0_2
SOT7_0
(SDA7_0)
MCSX3_0
入出力
回路
形式
端子状態
形式
L
I
L
K
L
K
M
N
F
N
M
N
F
N
DS709-00003-1v0-J
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子番号
LQFP120
LQFP100
LQFP80
QFP100
BGA112
BGA144
101
86
-
64
C8
C8
102
87
68
65
C7
B8
103
88
69
66
B7
D7
104
89
70
67
C6
C7
105
90
71
68
A6
B7
106
91
72
69
B6
D6
107
92
-
70
A5
A7
108
-
-
-
-
C6
109
-
-
-
-
B6
110
-
-
-
-
A6
111
-
-
-
-
D5
112
-
-
-
-
C5
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子名
P05
AN23
ADTG_0
TRACECLK
SIN7_0
INT01_1
MCSX2_0
P04
TDO
SWO
P03
TMS
SWDIO
P02
TDI
MCSX6_0
P01
TCK
SWCLK
P00
TRSTX
MCSX7_0
VSS
P68
TIOB7_2
SCK3_0
(SCL3_0)
INT00_2
P67
TIOA7_2
SOT3_0
(SDA3_0)
P66
ADTG_8
SIN3_0
INT11_2
P65
TIOB7_0
SCK5_1
(SCL5_1)
P64
TIOA7_0
SOT5_1
(SDA5_1)
INT10_2
入出力
回路
形式
端子状態
形式
F
O
E
G
E
G
E
H
E
G
E
H
-
-
E
K
E
I
E
K
E
I
E
K
29
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子番号
LQFP120
LQFP100
LQFP80
QFP100
BGA112
93
73
71
C5
-
-
-
-
93
73
71
C5
114
94
74
72
B5
C4
115
95
75
73
B4
B4
116
96
76
74
B3
B3
117
97
77
75
A4
A4
118
98
78
76
A3
A3
119
99
79
77
A2
A2
120
-
100
-
80
-
78
-
A1
A7
B2
B12
C11
H1
N4
M5
N7
L11
A11
M12
M2
A1
A5
A8
A10
B2
B11
B12
C3
C11
C13
D4
D10
K1
113
30
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
BGA144
B5
端子名
P63
CROUT_1
SIN5_1
INT03_0
S_CD_0
MWEX_0
P62
ADTG_3
SIN5_0
INT04_1
S_WP_0
MOEX_0
P61
UHCONX0
TIOB2_2
SOT5_0
(SDA5_0)
RTCCO_0
SUBOUT_0
P60
TIOA2_2
SCK5_0
(SCL5_0)
NMIX
WKUP0
MRDY_0
USBVCC
P80
UDM0
P81
UDP0
VSS
入出力
回路
形式
端子状態
形式
E
K
I
K
E
I
I
F
-
-
H
R
H
R
-
-
DS709-00003-1v0-J
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子番号
LQFP120
LQFP100
LQFP80
QFP100
BGA112
BGA144
-
-
-
-
-
K4
K10
L3
L5
L11
L13
M2
M4
M6
M7
M12
N6
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子名
VSS
入出力
回路
形式
-
端子状態
形式
-
31
r5.0
MB9B360R シリーズ
 端子機能別
XXX_1, XXX_2 のように、「_(アンダバー)」がついている端子の、「_」以降の数字はリロケー
ションポート番号を示しています。
端子
機能
ADC
ベース
タイマ
0
ベース
タイマ
1
端子名
ADTG_0
ADTG_1
ADTG_2
ADTG_3
ADTG_4
ADTG_5
ADTG_6
ADTG_7
ADTG_8
AN00
AN01
AN02
AN03
AN04
AN05
AN06
AN07
AN08
AN09
AN10
AN11
AN12
AN13
AN14
AN15
AN16
AN17
AN18
AN19
AN20
AN21
AN22
AN23
TIOA0_0
TIOA0_1
TIOA0_2
TIOB0_0
TIOB0_1
TIOB0_2
TIOA1_0
TIOA1_1
TIOA1_2
TIOB1_0
TIOB1_1
TIOB1_2
機能説明
A/D コンバータ外部トリガ入力端子
A/D コンバータアナログ入力端子。
ANxx は ADC ch.xx を示す。
ベースタイマ ch.0 の TIOA 端子
ベースタイマ ch.0 の TIOB 端子
ベースタイマ ch.1 の TIOA 端子
ベースタイマ ch.1 の TIOB 端子
32
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP LQFP LQFP QFP
120 100
80
100
101
7
23
114
81
80
17
35
110
62
63
64
65
66
67
68
69
74
75
76
77
78
79
80
86
87
88
89
97
98
99
100
101
32
24
99
37
14
100
33
25
5
47
15
6
86
7
18
94
70
12
30
52
53
54
55
56
57
58
59
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
82
83
84
85
86
27
19
84
32
9
85
28
20
5
42
10
6
7
13
74
12
41
42
43
44
45
46
47
48
53
54
55
56
57
58
59
67
14
22
9
15
5
32
10
6
64
85
96
72
48
90
8
30
31
32
33
34
35
36
37
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
60
61
62
63
64
5
97
62
10
87
63
6
98
83
20
88
84
BGA
112
BGA
144
C8
E1
J1
B5
E11
F3
L3
L13
L12
K13
K12
J13
J12
J11
H12
H11
G12
G11
F12
F11
E12
E11
D13
D12
C13
C12
B9
C9
A8
B8
C8
N2
J2
A8
L5
E3
B8
N3
J3
D1
L7
F1
D2
C8
E1
J1
C4
F10
F11
G3
M3
A6
L12
K12
K11
J12
J11
J10
H12
H11
H10
G12
G11
G10
F13
F12
F11
D13
D12
D11
C12
C9
B9
A9
D8
C8
N2
J2
A9
K5
F4
D8
L2
J3
D2
L7
G1
D3
DS709-00003-1v0-J
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子
機能
ベース
タイマ
2
ベース
タイマ
3
ベース
タイマ
4
ベース
タイマ
5
ベース
タイマ
6
ベース
タイマ
7
端子名
TIOA2_0
TIOA2_1
TIOA2_2
TIOB2_0
TIOB2_1
TIOB2_2
TIOA3_0
TIOA3_1
TIOA3_2
TIOB3_0
TIOB3_1
TIOB3_2
TIOA4_0
TIOA4_1
TIOA4_2
TIOB4_0
TIOB4_1
TIOB4_2
TIOA5_0
TIOA5_1
TIOA5_2
TIOB5_0
TIOB5_1
TIOB5_2
TIOA6_0
TIOA6_1
TIOA6_2
TIOB6_0
TIOB6_1
TIOB6_2
TIOA7_0
TIOA7_1
TIOA7_2
TIOB7_0
TIOB7_1
TIOB7_2
機能説明
ベースタイマ ch.2 の TIOA 端子
ベースタイマ ch.2 の TIOB 端子
ベースタイマ ch.3 の TIOA 端子
ベースタイマ ch.3 の TIOB 端子
ベースタイマ ch.4 の TIOA 端子
ベースタイマ ch.4 の TIOB 端子
ベースタイマ ch.5 の TIOA 端子
ベースタイマ ch.5 の TIOB 端子
ベースタイマ ch.6 の TIOA 端子
ベースタイマ ch.6 の TIOB 端子
ベースタイマ ch.7 の TIOA 端子
ベースタイマ ch.7 の TIOB 端子
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP LQFP LQFP QFP
120 100
80
100
34
26
116
48
16
115
35
27
97
49
17
98
36
28
51
50
18
52
84
29
93
83
19
92
53
94
82
54
95
81
112
86
109
111
87
108
29
21
96
43
11
95
30
22
82
44
12
83
31
23
45
13
24
78
14
77
79
80
71
72
-
16
76
33
11
75
17
67
34
12
21
18
35
19
63
62
64
65
57
58
-
7
99
74
21
89
73
8
100
60
22
90
61
9
1
23
91
2
56
92
55
57
58
49
50
-
BGA
112
BGA
144
M3
K1
B3
L8
F2
B4
L3
K2
B9
M9
F3
C9
M4
L1
L9
G1
L2
B11
G2
A12
B10
A10
D13
D12
-
N3
J4
B3
K7
G2
B4
M3
K2
C9
M8
G3
B9
L4
K3
K8
L8
G4
L9
E11
L1
C10
E12
H1
B13
K9
A11
E13
M10
B10
F10
C5
D13
B6
D5
D12
C6
33
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子
機能
端子名
SWCLK
SWDIO
デバッガ
外部
バス
SWO
TCK
TDI
TDO
TMS
TRACECLK
TRACED0
TRACED1
TRACED2
TRACED3
TRSTX
MAD00_0
MAD01_0
MAD02_0
MAD03_0
MAD04_0
MAD05_0
MAD06_0
MAD07_0
MAD08_0
MAD09_0
MAD10_0
MAD11_0
MAD12_0
MAD13_0
MAD14_0
MAD15_0
MAD16_0
MAD17_0
MAD18_0
MAD19_0
MAD20_0
MAD21_0
MAD22_0
MAD23_0
MAD24_0
機能説明
シリアルワイヤデバッグインタ
フェースクロック入力端子
シリアルワイヤデバッグインタ
フェースデータ入出力端子
シリアルワイヤビューワ出力端子
J-TAG テストクロック入力端子
J-TAG テストデータ入力端子
J-TAG デバッグデータ出力端子
J-TAG テストモード状態入出力端子
ETM のトレース CLK 出力端子
ETM のトレースデータ出力端子
J-TAG テストリセット入力端子
外部バスインタフェースアドレスバ
ス
34
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP LQFP LQFP QFP
120 100
80
100
BGA
112
BGA
144
105
90
71
68
A6
B7
103
88
69
66
B7
D7
102
105
104
102
103
101
97
98
99
100
106
27
28
29
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48
49
50
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63
64
65
66
67
68
69
74
75
76
77
78
79
80
86
88
89
87
90
89
87
88
86
82
83
84
85
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22
23
24
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68
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74
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71
70
68
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18
19
32
33
34
35
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42
43
44
45
46
47
48
53
54
55
56
-
65
68
67
65
66
64
60
61
62
63
69
100
1
2
20
21
22
23
30
31
32
33
34
35
36
37
42
43
44
45
46
47
48
49
51
52
C7
A6
C6
C7
B7
C8
B9
C9
A8
B8
B6
K2
L1
L2
L7
L8
M9
L9
L13
L12
K13
K12
J13
J12
J11
H12
H11
G12
G11
F12
F11
E12
E11
D13
C13
C12
B8
B7
C7
B8
D7
C8
C9
B9
A9
D8
D6
K2
K3
L1
L7
K7
M8
L8
L12
K12
K11
J12
J11
J10
H12
H11
H10
G12
G11
G10
F13
F12
F11
D13
D11
C12
DS709-00003-1v0-J
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子
機能
外部
バス
端子名
MCSX0_0
MCSX1_0
MCSX2_0
MCSX3_0
MCSX4_0
MCSX5_0
MCSX6_0
MCSX7_0
MCSX8_0
MADATA00_0
MADATA01_0
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MADATA04_0
MADATA05_0
MADATA06_0
MADATA07_0
MADATA08_0
MADATA09_0
MADATA10_0
MADATA11_0
MADATA12_0
MADATA13_0
MADATA14_0
MADATA15_0
MDQM0_0
MDQM1_0
MALE_0
MRDY_0
MCLKOUT_0
MNALE_0
MNCLE_0
MNREX_0
MNWEX_0
MOEX_0
MWEX_0
機能説明
外部バスインタフェースチップセレ
クト出力端子
外部バスインタフェースデータバス
外部バスインタフェースバイトマス
ク信号出力端子
マルチプレクス時アドレスラッチイ
ネーブル信号
外部 RDY 入力信号
外部バスクロック出力端子
NAND フラッシュ出力端子をコント
ロールする外部バスインタフェース
ALE 信号
NAND フラッシュ出力端子をコント
ロールする外部バスインタフェース
CLE 信号
NAND フラッシュをコントロール
する外部バスインタフェースリード
許可信号
NAND フラッシュをコントロール
する外部バスインタフェースライト
許可信号
SRAM の外部バスインタフェース
リード許可信号
SRAM の外部バスインタフェース
ライト許可信号
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP LQFP LQFP QFP
120 100
80
100
BGA
112
BGA
144
95
96
101
100
98
97
104
106
35
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
93
92
80
81
86
85
83
82
89
91
30
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
78
77
65
66
67
70
72
2
3
4
5
6
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9
10
11
12
63
62
58
59
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63
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60
67
69
8
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
56
55
A10
A9
C8
B8
C9
B9
C6
B6
L3
C1
C2
C3
D1
D2
E1
E2
E3
F1
F2
F3
G1
G2
G3
H2
H3
B11
A12
B10
D9
C8
D8
B9
C9
C7
D6
M3
C1
C2
D1
D2
D3
E1
E2
E3
E4
F1
F2
F3
F4
G1
G2
G3
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79
64
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B10
A11
116
99
96
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76
-
74
62
B3
A8
B3
A9
18
-
-
-
-
G4
19
-
-
-
-
H1
21
-
-
-
-
H3
20
-
-
-
-
H2
114
94
74
72
B5
C4
113
93
73
71
C5
B5
35
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子
機能
端子名
MSDCLK_0
MSDCKE_0
外部
バス
MRASX_0
MCASX_0
MSDWEX_0
外部
割込み
INT00_0
INT00_1
INT00_2
INT01_0
INT01_1
INT01_2
INT02_0
INT02_1
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INT06_1
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INT07_1
INT07_2
INT08_1
INT08_2
INT09_1
INT09_2
INT10_1
INT10_2
INT11_1
INT11_2
INT12_1
INT12_2
INT13_1
INT13_2
INT14_1
INT14_2
INT15_1
INT15_2
NMIX
機能説明
SDRAM インタフェース
SDRAM クロック出力端子
SDRAM インタフェース
SDRAM クロックイネーブル端子
SDRAM インタフェース
SDRAM カラムアクティブ端子
SDRAM インタフェース
SDRAM ロウアクティブ端子
SDRAM インタフェース
SDRAM ライトイネーブル端子
外部割込み要求 00 の入力端子
外部割込み要求 01 の入力端子
外部割込み要求 02 の入力端子
外部割込み要求 03 の入力端子
外部割込み要求 04 の入力端子
外部割込み要求 05 の入力端子
外部割込み要求 06 の入力端子
外部割込み要求 07 の入力端子
外部割込み要求 08 の入力端子
外部割込み要求 09 の入力端子
外部割込み要求 10 の入力端子
外部割込み要求 11 の入力端子
外部割込み要求 12 の入力端子
外部割込み要求 13 の入力端子
外部割込み要求 14 の入力端子
外部割込み要求 15 の入力端子
ノンマスカブル割込み入力端子
36
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP LQFP LQFP QFP
120 100
80
100
BGA
112
BGA
144
23
18
-
96
J1
J1
24
19
-
97
J2
J2
25
20
-
98
J3
J3
26
21
-
99
K1
J4
34
29
-
7
M3
N3
2
95
108
3
101
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6
62
82
113
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54
17
114
10
89
75
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88
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7
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8
20
15
16
112
50
110
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96
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49
68
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52
14
116
2
80
3
86
6
52
93
55
12
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74
65
16
73
17
7
14
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10
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27
81
28
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9
96
2
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3
6
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44
12
74
54
59
7
8
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71
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43
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86
93
88
89
23
5
59
6
22
36
87
74
C1
A10
C2
C8
D2
L13
C5
K12
F3
B5
C12
G12
H2
C13
H3
E1
G2
E2
G3
F1
F2
L9
N2
A9
N3
M9
J11
E3
B3
C1
B10
C6
C2
C8
E10
D3
L12
E13
B5
J12
M10
G3
C4
E4
C12
G12
H3
D11
H4
F1
E1
H1
E2
H2
G1
G2
C5
L8
A6
N2
D9
L2
M8
H12
K9
L9
F4
B3
DS709-00003-1v0-J
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子
機能
端子名
GPIO
P00
P01
P02
P03
P04
P05
P06
P07
P08
P09
P0A
P0B
P0C
P0D
P0E
P10
P11
P12
P13
P14
P15
P16
P17
P18
P19
P1A
P1B
P1C
P1D
P1E
P1F
P20
P21
P22
P23
P24
P25
P26
P27
機能説明
汎用入出力ポート 0
汎用入出力ポート 1
汎用入出力ポート 2
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP LQFP LQFP QFP
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80
100
106
105
104
103
102
101
100
99
98
97
96
95
94
93
92
62
63
64
65
66
67
68
69
74
75
76
77
78
79
80
81
89
88
87
86
85
84
83
82
91
90
89
88
87
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
52
53
54
55
56
57
58
59
64
65
66
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68
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74
73
72
71
-
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
41
42
43
44
45
46
47
48
53
54
55
56
59
58
57
-
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
30
31
32
33
34
35
36
37
42
43
44
45
46
47
48
52
51
50
49
-
BGA
112
BGA
144
B6
A6
C6
B7
C7
C8
B8
A8
C9
B9
A9
A10
B10
B11
A12
L13
L12
K13
K12
J13
J12
J11
H12
H11
G12
G11
F12
F11
E12
E11
C12
C13
D12
D13
-
D6
B7
C7
D7
B8
C8
D8
A9
B9
C9
D9
B10
A11
C10
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L12
K12
K11
J12
J11
J10
H12
H11
H10
G12
G11
G10
F13
F12
F11
F10
C12
D11
D12
D13
E10
E11
E12
E13
37
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子
機能
端子名
GPIO
P30
P31
P32
P33
P34
P35
P36
P37
P38
P39
P3A
P3B
P3C
P3D
P3E
P3F
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P41
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P44
P45
P46
P47
P48
P49
P4B
P4C
P4D
P4E
P50
P51
P52
P53
P54
P55
P56
P57
P58
P59
P5A
P5B
機能説明
汎用入出力ポート 3
汎用入出力ポート 4
汎用入出力ポート 5
38
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP LQFP LQFP QFP
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80
100
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
32
33
34
35
36
37
39
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41
42
47
48
49
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2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
27
28
29
30
31
32
34
35
36
37
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43
44
45
2
3
4
5
6
7
8
-
9
10
11
12
13
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15
16
17
18
19
21
22
24
25
26
27
32
33
34
35
2
3
4
5
6
7
8
-
87
88
89
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91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
1
2
5
6
7
8
9
10
12
13
14
15
20
21
22
23
80
81
82
83
84
85
86
-
BGA
112
BGA
144
E3
F1
F2
F3
G1
G2
G3
H2
H3
J1
J2
J3
K1
K2
L1
L2
N2
N3
M3
L3
M4
L5
N5
N6
L6
M7
L7
L8
M9
L9
C1
C2
C3
D1
D2
E1
E2
-
F4
G1
G2
G3
G4
H1
H2
H3
H4
J1
J2
J3
J4
K2
K3
L1
N2
L2
N3
M3
L4
K5
N5
M5
L6
K6
L7
K7
M8
L8
C1
C2
D1
D2
D3
E1
E2
E3
E4
F1
F2
F3
DS709-00003-1v0-J
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子
機能
GPIO
端子名
P60
P61
P62
P63
P64
P65
P66
P67
P68
P70
P71
P72
P73
P74
P80
P81
PE0
PE2
PE3
SIN0_0
SIN0_1
SOT0_0
(SDA0_0)
マルチ
ファンク
ション
シリアル
0
SOT0_1
(SDA0_1)
SCK0_0
(SCL0_0)
SCK0_1
(SCL0_1)
SIN1_0
SIN1_1
SOT1_0
(SDA1_0)
マルチ
ファンク
ション
シリアル
1
SOT1_1
(SDA1_1)
SCK1_0
(SCL1_0)
SCK1_1
(SCL1_1)
機能説明
汎用入出力ポート 6
汎用入出力ポート 7
汎用入出力ポート 8
汎用入出力ポート E
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.0 の入力端子
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.0 の出力端子。
UART/CSIO/LIN 端子(動作モード 0~
3)として使用するときは SOT0 とし
て、I2C 端子(動作モード 4)として使用
するときは SDA0 として機能します。
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.0 のクロック I/O 端子。
CSIO 端子(動作モード 2)として使用
するときは SCK0 として、I2C 端子(動
作モード 4)として使用するときは
SCL0 として機能します。
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.1 の入力端子
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.1 の出力端子。
UART/CSIO/LIN 端子(動作モード 0~
3)として使用するときは SOT1 とし
て、I2C 端子(動作モード 4)として使用
するときは SDA1 として機能します。
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.1 のクロック I/O 端子。
CSIO 端子(動作モード 2)として使用
するときは SCK1 として、I2C 端子(動
作モード 4)として使用するときは
SCL1 として機能します。
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP LQFP LQFP QFP
120 100
80
100
BGA
112
BGA
144
116
115
114
113
112
111
110
109
108
51
52
53
54
55
118
119
56
58
59
88
65
96
95
94
93
98
99
46
48
49
73
55
76
75
74
73
78
79
36
38
39
59
44
74
73
72
71
76
77
24
26
27
51
33
B3
B4
B5
C5
A3
A2
M10
N11
N12
C13
K12
B3
B4
C4
B5
C5
D5
A6
B6
C6
K8
L9
K9
M10
L10
A3
A2
N10
N11
N12
D11
J12
87
72
58
50
D12
D12
66
56
45
34
J13
J11
86
71
57
49
D13
D13
67
57
46
35
J12
J10
96
62
81
52
66
41
59
30
A9
L13
D9
L12
97
82
67
60
B9
C9
63
53
42
31
L12
K12
98
83
-
61
C9
B9
64
54
43
32
K13
K11
39
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子
機能
マルチ
ファンク
ション
シリアル
2
端子名
SIN2_0
SIN2_1
SIN2_2
SOT2_0
(SDA2_0)
SOT2_1
(SDA2_1)
SOT2_2
(SDA2_2)
SCK2_0
(SCL2_0)
SCK2_1
(SCL2_1)
SCK2_2
(SCL2_2)
SIN3_0
SIN3_1
SOT3_0
(SDA3_0)
マルチ
ファンク
ション
シリアル
3
SOT3_1
(SDA3_1)
SCK3_0
(SCL3_0)
SCK3_1
(SCL3_1)
マルチ
ファンク
ション
シリアル
4
SIN4_0
SIN4_1
SIN4_2
SOT4_0
(SDA4_0)
SOT4_1
(SDA4_1)
SOT4_2
(SDA4_2)
SCK4_0
(SCL4_0)
SCK4_1
(SCL4_1)
SCK4_2
(SCL4_2)
CTS4_0
CTS4_1
CTS4_2
RTS4_0
RTS4_1
RTS4_2
機能説明
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.2 の入力端子
端子番号
LQFP LQFP LQFP QFP
120 100
80
100
BGA
112
BGA
144
53
85
68
58
47
36
J11
K9
E10
H12
54
-
-
-
-
M10
84
-
-
-
-
E11
69
59
48
37
H12
H11
55
-
-
-
-
L10
83
-
-
-
-
E12
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.2 の出力端子。
UART/CSIO/LIN 端子(動作モード 0~
3)として使用するときは SOT2 とし
て、I2C 端子(動作モード 4)として使用
するときは SDA2 として機能します。
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.2 のクロック I/O 端子。
CSIO 端子(動作モード 2)として使用
するときは SCK2 として、I2C 端子(動
作モード 4)として使用するときは
SCL2 として機能します。
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.3 の入力端子
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.3 の出力端子。
UART/CSIO/LIN 端子(動作モード 0~
3)として使用するときは SOT3 とし
て、I2C 端子(動作モード 4)として使用
するときは SDA3 として機能します。
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.3 のクロック I/O 端子。
CSIO 端子(動作モード 2)として使用
するときは SCK3 として、I2C 端子(動
作モード 4)として使用するときは
SCL3 として機能します。
74
64
53
42
H11
H10
110
15
10
10
88
F1
A6
G1
109
-
-
-
-
B6
16
11
11
89
F2
G2
108
-
-
-
-
C6
17
12
12
90
F3
G3
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.4 の入力端子
6
75
10
6
65
-
6
54
-
84
43
-
D2
G12
-
D3
G12
E4
5
5
5
83
D1
D2
76
66
55
44
G11
G11
11
-
-
-
-
F1
4
4
4
82
C3
D1
77
67
56
45
F12
G10
12
-
-
-
-
F2
2
78
13
3
79
14
2
68
3
69
9
2
3
9
80
46
81
47
87
C1
F11
C2
E12
E3
C1
F13
F3
C2
F12
F4
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.4 の出力端子。
UART/CSIO/LIN 端子(動作モード 0~
3)として使用するときは SOT4 とし
て、I2C 端子(動作モード 4)として使用
するときは SDA4 として機能します。
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.4 のクロック I/O 端子。
CSIO 端子(動作モード 2)として使用
するときは SCK4 として、I2C 端子(動
作モード 4)として使用するときは
SCL4 として機能します。
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.4 の CTS 入力端子
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.4 の RTS 出力端子
40
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子
機能
マルチ
ファンク
ション
シリアル
5
端子名
SIN5_0
SIN5_1
SIN5_2
SOT5_0
(SDA5_0)
SOT5_1
(SDA5_1)
SOT5_2
(SDA5_2)
SCK5_0
(SCL5_0)
SCK5_1
(SCL5_1)
SCK5_2
(SCL5_2)
SIN6_0
SIN6_1
SOT6_0
(SDA6_0)
マルチ
ファンク
ション
シリアル
6
SOT6_1
(SDA6_1)
SCK6_0
(SCL6_0)
SCK6_1
(SCL6_1)
SCS6_1
SIN7_0
SIN7_1
SOT7_0
(SDA7_0)
マルチ
ファンク
ション
シリアル
7
SOT7_1
(SDA7_1)
SCK7_0
(SCL7_0)
SCK7_1
(SCL7_1)
SCS7_1
機能説明
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.5 の入力端子
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.5 の出力端子。
UART/CSIO/LIN 端子(動作モード 0~
3)として使用するときは SOT5 とし
て、I2C 端子(動作モード 4)として使用
するときは SDA5 として機能します。
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.5 のクロック I/O 端子。
CSIO 端子(動作モード 2)として使用
するときは SCK5 として、I2C 端子(動
作モード 4)として使用するときは
SCL5 として機能します。
マルチファンクションシリアル
インタフェース ch.6 の入力端子
マルチファンクションシリアル
インタフェース ch.6 の出力端子。
UART/CSIO/LIN 端子(動作モード 0~
3)として使用するときは SOT6 とし
て、I2C 端子(動作モード 4)として使用
するときは SDA6 として機能します。
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.6 のクロック I/O 端子。
CSIO 端子(動作モード 2)として使用
するときは SCK6 として、I2C 端子(動
作モード 4)として使用するときは
SCL6 として機能します。
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.6 のシリアルチップセ
レクト端子
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.7 の入力端子
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.7 の出力端子。
UART/CSIO/LIN 端子(動作モード 0~
3)として使用するときは SOT7 とし
て、I2C 端子(動作モード 4)として使用
するときは SDA7 として機能します。
マルチファンクションシリアルイン
タフェース ch.7 のクロック I/O 端子。
CSIO 端子(動作モード 2)として使用
するときは SCK7 として、I2C 端子(動
作モード 4)として使用するときは
SCL7 として機能します。
マルチファンクションシリアルイン
タフェースの ch.7 シリアルチップセ
レクト端子
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP LQFP LQFP QFP
120 100
80
100
BGA
112
BGA
144
114
113
20
94
15
74
-
72
93
B5
G3
C4
B5
H2
115
95
75
73
B4
B4
112
-
-
-
-
C5
21
16
-
94
H2
H3
116
96
76
74
B3
B3
111
-
-
-
-
D5
22
17
-
95
H3
H4
7
95
7
80
7
65
85
58
E1
A10
E1
B10
8
8
8
86
E2
E2
94
79
64
57
B10
A11
9
-
-
-
-
E3
93
78
63
56
B11
C10
92
77
62
55
A12
B13
101
50
86
45
35
64
23
C8
L9
C8
L8
100
85
-
63
B8
D8
49
44
34
22
M9
M8
99
84
-
62
A8
A9
48
43
33
21
L8
K7
47
42
32
20
L7
L7
41
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子
機能
端子名
機能説明
DTTI0X_0
多機能タイマ 0 の RTO00~RTO05 出
力を制御する波形ジェネレータの入
力信号
DTTI0X_1
多機能
タイマ
0
FRCK0_0
FRCK0_1
FRCK0_2
IC00_0
IC00_1
IC00_2
IC01_0
IC01_1
IC01_2
IC02_0
IC02_1
IC02_2
IC03_0
IC03_1
IC03_2
RTO00_0
(PPG00_0)
RTO00_1
(PPG00_1)
RTO01_0
(PPG00_0)
RTO01_1
(PPG00_1)
RTO02_0
(PPG02_0)
RTO02_1
(PPG02_1)
RTO03_0
(PPG02_0)
RTO03_1
(PPG02_1)
RTO04_0
(PPG04_0)
RTO04_1
(PPG04_1)
RTO05_0
(PPG04_0)
RTO05_1
(PPG04_1)
16 ビットフリーランタイマ ch.0 の
外部クロック入力端子
多機能タイマ 0 の 16 ビットインプッ
トキャプチャの入力端子。
ICxx は、チャネル数を示します。
多機能タイマ 0 の波形ジェネレータ
出力端子。
PPG0 出力モードで使用するときは、
PPG00 として機能します。
多機能タイマ 0 の波形ジェネレータ
出力端子。
PPG0 出力モードで使用するときは、
PPG00 として機能します。
多機能タイマ 0 の波形ジェネレータ
出力端子。
PPG0 出力モードで使用するときは、
PPG02 として機能します。
多機能タイマ 0 の波形ジェネレータ
出力端子。
PPG0 出力モードで使用するときは、
PPG02 として機能します。
多機能タイマ 0 の波形ジェネレータ
出力端子。
PPG0 出力モードで使用するときは、
PPG04 として機能します。
多機能タイマ 0 の波形ジェネレータ
出力端子。
PPG0 出力モードで使用するときは、
PPG04 として機能します。
42
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP LQFP LQFP QFP
120 100
80
100
BGA
112
BGA
144
23
18
13
96
J1
J1
79
69
-
47
E12
F12
18
80
62
22
75
63
21
76
64
20
77
65
19
78
66
13
70
52
17
65
53
16
66
54
15
67
55
14
68
56
41
54
42
55
43
56
44
45
91
48
30
95
43
31
94
44
32
93
45
33
92
46
34
G1
E11
L13
H3
G12
L12
H2
G11
K13
G3
F12
K12
G2
F11
J13
G4
F11
L12
H4
G12
K12
H3
G11
K11
H2
G10
J12
H1
F13
J11
24
19
14
97
J2
J2
86
71
57
49
D13
D13
25
20
15
98
J3
J3
85
-
-
-
-
E10
26
21
16
99
K1
J4
84
-
-
-
-
E11
27
22
17
100
K2
K2
83
-
-
-
-
E12
28
23
18
1
L1
K3
82
-
-
-
-
E13
29
24
19
2
L2
L1
81
-
-
-
-
F10
DS709-00003-1v0-J
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子
機能
端子名
機能説明
DTTI1X_0
多機能タイマ 1 の RTO10~RTO15 出
力を制御する波形ジェネレータの入
力信号
16 ビットフリーランタイマ ch.1 の外
部クロック入力端子
DTTI1X_1
多機能
タイマ
1
クアッド
カウンタ
0
FRCK1_0
FRCK1_1
IC10_0
IC10_1
IC11_0
IC11_1
IC12_0
IC12_1
IC13_0
IC13_1
RTO10_0
(PPG10_0)
RTO10_1
(PPG10_1)
RTO11_0
(PPG10_0)
RTO11_1
(PPG10_1)
RTO12_0
(PPG12_0)
RTO12_1
(PPG12_1)
RTO13_0
(PPG12_0)
RTO13_1
(PPG12_1)
RTO14_0
(PPG14_0)
RTO14_1
(PPG14_1)
RTO15_0
(PPG14_0)
RTO15_1
(PPG14_1)
AIN0_0
AIN0_1
AIN0_2
BIN0_0
BIN0_1
BIN0_2
ZIN0_0
ZIN0_1
ZIN0_2
多機能タイマ 1 の 16 ビットインプッ
トキャプチャの入力端子。
ICxx は、チャネル数を示します。
多機能タイマ 1 の波形ジェネレータ
出力端子。
PPG1 出力モードで使用するときは、
PPG10 として機能します。
多機能タイマ 1 の波形ジェネレータ
出力端子。
PPG1 出力モードで使用するときは、
PPG10 として機能します。
多機能タイマ 1 の波形ジェネレータ
出力端子。
PPG1 出力モードで使用するときは、
PPG12 として機能します。
多機能タイマ 1 の波形ジェネレータ
出力端子。
PPG1 出力モードで使用するときは、
PPG12 として機能します。
多機能タイマ 1 の波形ジェネレータ
出力端子。
PPG1 出力モードで使用するときは、
PPG14 として機能します。
多機能タイマ 1 の波形ジェネレータ
出力端子。
PPG1 出力モードで使用するときは、
PPG14 として機能します。
QPRC ch.0 の AIN 入力端子
QPRC ch.0 の BIN 入力端子
QPRC ch.0 の ZIN 入力端子
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP LQFP LQFP QFP
120 100
80
100
BGA
112
BGA
144
8
8
8
86
E2
E2
55
-
-
-
-
L10
96
50
95
54
94
53
93
52
92
51
81
45
80
79
78
77
-
66
35
65
64
63
62
-
59
23
58
57
56
55
-
A9
L9
A10
B10
B11
A12
-
D9
L8
B10
M10
A11
K9
C10
L9
B13
K8
2
2
2
80
C1
C1
32
27
-
5
N2
N2
3
3
3
81
C2
C2
33
28
-
6
N3
L2
4
4
4
82
C3
D1
34
29
-
7
M3
N3
5
5
5
83
D1
D2
35
30
-
8
L3
M3
6
6
6
84
D2
D3
36
31
21
9
M4
L4
7
7
7
85
E1
E1
37
32
22
10
L5
K5
24
51
2
25
52
3
26
53
4
19
2
20
3
21
4
14
2
15
3
16
4
97
80
98
81
99
82
J2
C1
J3
C2
K1
C3
J2
K8
C1
J3
L9
C2
J4
K9
D1
43
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子
機能
クアッド
カウンタ
1
リアル
タイム
クロック
端子名
AIN1_0
AIN1_1
AIN1_2
BIN1_0
BIN1_1
BIN1_2
ZIN1_0
ZIN1_1
ZIN1_2
RTCCO_0
RTCCO_1
RTCCO_2
SUBOUT_0
SUBOUT_1
SUBOUT_2
UDM0
USB
UDP0
UHCONX0
WKUP0
低消費
電力
WKUP1
WKUP2
WKUP3
DA0
DAC
DA1
VREGCTL
VBAT
VWAKEUP
S_CLK_0
S_CMD_0
SD I/F
S_DATA1_0
S_DATA0_0
S_DATA3_0
S_DATA2_0
S_CD_0
S_WP_0
RESET
INITX
機能説明
QPRC ch.1 の AIN 入力端子
QPRC ch.1 の BIN 入力端子
QPRC ch.1 の ZIN 入力端子
リアルタイムクロックの 0.5 秒パルス
出力端子
サブクロック出力端子
USB ファンクション/ホストの
D - 端子
USB ファンクション/ホストの
D + 端子
USB 外部プルアップ制御端子
ディープスタンバイモード復帰信号
入力端子 0
ディープスタンバイモード復帰信号
入力端子 1
ディープスタンバイモード復帰信号
入力端子 2
ディープスタンバイモード復帰信号
入力端子 3
D/A コンバータ ch.0 のアナログ出力
端子
D/A コンバータ ch.1 のアナログ出力
端子
オンボードレギュレータ制御用端子
ハイバネーション状態からの復帰信
号入力端子
SD メモリカードインタフェース
SD クロック出力端子
SD メモリカードインタフェース
SD コマンド出力端子
SD メモリカードインタフェース
SD データバス
SD メモリカードインタフェース
SD カード検出端子
SD メモリカードインタフェース
SD ライトプロテクト端子
外部リセット入力端子。
INITX=L のとき、リセットが有効。
44
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP LQFP LQFP QFP
120 100
80
100
BGA
112
BGA
144
10
89
48
11
88
49
12
87
50
115
64
23
115
64
23
74
43
73
44
72
45
95
54
18
95
54
18
33
34
35
75
43
13
75
43
13
52
21
51
22
50
23
73
32
96
73
32
96
C12
L8
C13
M9
D12
L9
B4
K13
J1
B4
K13
J1
E4
C12
K7
F1
D11
M8
F2
D12
L8
B4
K11
J1
B4
K11
J1
118
98
78
76
A3
A3
119
99
79
77
A2
A2
115
95
75
73
B4
B4
116
96
76
74
B3
B3
14
9
9
87
E3
F4
50
45
35
23
L9
L8
69
59
48
37
H12
H11
36
31
21
9
M4
L4
37
32
22
10
L5
K5
41
36
26
14
L6
L6
42
37
27
15
M7
K6
92
77
62
55
A12
B13
93
78
63
56
B11
C10
94
95
96
97
79
80
81
82
64
65
66
67
57
58
59
60
B10
A10
A9
B9
A11
B10
D9
C9
113
93
73
71
C5
B5
114
94
74
72
B5
C4
38
33
23
11
M6
N4
DS709-00003-1v0-J
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子
機能
端子名
MD1
MODE
MD0
VCC
機能説明
モード 1 端子。
フラッシュメモリのシリアル書込み
時は、MD1=L を入力してください。
モード 0 端子。
通常動作時は、MD0=L を入力してく
ださい。フラッシュメモリのシリアル
書込み時は、MD0=H を入力してくだ
さい。
GND
VSS
CLOCK
X0
X1
X0A
X1A
CROUT_0
CROUT_1
BGA
112
BGA
144
56
46
36
24
M10
N10
57
47
37
25
M11
M11
電源端子
1
31
46
61
91
1
26
41
51
76
1
31
61
79
4
19
29
54
B1
M1
M8
M13
B13
B1
M1
M9
M13
A12
USB I/O のための 3.3V 電源供給ポー
ト
117
97
77
75
A4
A4
107
30
45
60
90
120
58
59
39
40
87
113
92
25
40
50
75
100
48
49
34
35
72
93
20
30
40
60
80
38
39
24
25
58
73
70
3
18
28
53
78
26
27
12
13
50
71
A5
N1
N10
N13
A13
A1
A7
B2
B12
C11
H1
N4
M5
N7
L11
A11
M12
M2
N11
N12
N5
N6
D12
C5
A7
N1
N9
N13
A13
A1
A5
A8
A10
B2
B11
B12
C3
C11
C13
D4
D10
K1
K4
K10
L3
L5
L11
L13
M2
M4
M6
M7
M12
N6
N11
N12
N5
M5
D12
B5
POWER
USBVCC
端子番号
LQFP LQFP LQFP QFP
120 100
80
100
GND 端子
メインクロック(発振)入力端子
メインクロック(発振)I/O 端子
サブクロック(発振)入力端子
サブクロック(発振)I/O 端子
高速内蔵 CR 発振クロック出力ポー
ト
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
45
r5.0
MB9B360R シリーズ
端子
機能
端子名
AVCC
ADC
POWER
AVRL
AVRH
VBAT
POWER
ADC
GND
C 端子
VBAT
AVSS
C
機能説明
A/D コンバータ, D/A コンバータの
アナログ電源端子
A/D コンバータのアナログ基準電圧
入力端子
A/D コンバータのアナログ基準電圧
入力端子
VBAT 電源端子バックアップ電源(電
池など)やシステム電源からの供給
A/D コンバータ, D/A コンバータの
GND 端子
電源安定化容量端子
46
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
端子番号
LQFP LQFP LQFP QFP
120 100
80
100
BGA
112
BGA
144
70
60
49
38
H13
K13
72
62
51
40
F13
H13
73
63
52
41
E13
G13
43
38
28
16
N8
N7
71
61
50
39
G13
J13
44
39
29
17
N9
N8
DS709-00003-1v0-J
r5.0
MB9B360R シリーズ
 入出力回路形式
分類
回路
備考
メイン発振/GPIO 切換え可能
A
P-ch
P-ch
Digital output
X1
N-ch
Digital output
R
Pull-up resistor control
Digital input
メイン発振機能選択時
・発振帰還抵抗 : 約 1 MΩ
・スタンバイ制御あり
GPIO 機能選択時
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシス
入力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・IOH = -4 mA, IOL = 4 mA
Standby mode control
Clock input
Standby mode control
Digital input
Standby mode control
R
P-ch
P-ch
Digital output
N-ch
Digital output
X0
Pull-up resistor control
・CMOS レベルヒステリシス
入力
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
B
Pull-up resistor
Digital input
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
47
r1.0
MB9B360R シリーズ
分類
回路
備考
C
Digital input
・オープンドレイン出力
・CMOS レベルヒステリシス
入力
Digital output
N-ch
E
P-ch
Digital output
P-ch
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシス
入力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・IOH = -4 mA, IOL = 4 mA
Digital output
N-ch
R
Pull-up resistor control
Digital input
Standby mode control
F
P-ch
Digital output
P-ch
Digital output
N-ch
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシス
入力
・入力制御あり
・アナログ入力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・IOH = -4 mA, IOL = 4 mA
Pull-up resistor control
R
Digital input
Standby mode control
Analog input
Input control
48
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
分類
回路
備考
G
P-ch
Digital output
P-ch
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・IOH = -12 mA, IOL = 12 mA
Digital output
N-ch
R
Pull-up resistor
control
Digital input
Standby mode
control
USB IO/GPIO 切換え可能
H
GPIO Digital output
GPIO Digital input/output direction
GPIO Digital input
USB IO 機能選択時
高速, 低速制御
GPIO Digital input circuit control
UDP output
UDP/Pxx
USB Full-speed/Low-speed control
UDP input
Differential
UDM/Pxx
Differential input
USB/GPIO select
GPIO 機能選択時
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・スタンバイ制御あり
・IOH = -20.5 mA,
IOL = 18.5 mA
UDM input
UDM output
USB Digital input/output direction
GPIO Digital output
GPIO Digital input/output direction
GPIO Digital input
GPIO Digital input circuit control
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
49
r1.0
MB9B360R シリーズ
分類
回路
備考
I
P-ch
P-ch
N-ch
Digital output
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・プルアップ抵抗制御あり
・5V トレラント
・スタンバイ制御あり
・IOH = -4 mA, IOL = 4 mA
・PZR レジスタ制御可能
Digital output
R
Pull-up resistor
control
Digital input
Standby mode control
CMOS レベルヒステリシス
入力
J
Mode input
L
P-ch
P-ch
N-ch
R
Digital output
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・IOH = -8 mA, IOL = 8 mA
Digital output
Pull-up resistor
control
Digital input
Standby mode
control
50
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
分類
回路
備考
M
P-ch
P-ch
N-ch
Digital output
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・入力制御あり
・アナログ入力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・ IOH = -8 mA, IOL = 8 mA
Digital output
Pull-up resistor
control
Digital input
R
Standby mode
control
Analog input
Input control
N
P-ch
P-ch
N-ch
N-ch
R
Pull-up resistor
control
Digital output
Digital output
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・IOH = -4 mA, IOL = 4 mA
(GPIO)
・IOL = 20 mA
(Fast Mode Plus)
Fast mode
control
Digital input
Standby mode
control
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
51
r1.0
MB9B360R シリーズ
分類
回路
備考
O
P-ch
P-ch
N-ch
Pull-up resistor
control
Digital output
Digital output
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・5V トレラント
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・IOH = -4 mA, IOL = 4 mA
・IO の設定はペリフェラル
マニュアル『本編』の
『VBAT ドメイン』の章
を参照してください
R
Digital input
Standby mode
control
P
P-ch
P-ch
X0A
N-ch
Pull-up resistor
control
Digital output
Digital output
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・IOH = -4 mA, IOL = 4 mA
・IO の設定はペリフェラル
マニュアル『本編』の
『VBAT ドメイン』の章
を参照してください
R
Digital input
Standby mode
control
OSC
52
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
分類
回路
備考
サブ発振/GPIO 切換え可能
Q
Pull-up resistor
control
Digital output
P-ch
P-ch
X1A
Digital output
N-ch
R
Digital input
Standby mode
control
OSC
サブ発振機能選択時
・発振帰還抵抗 : 約 10 MΩ
・スタンバイ制御あり
GPIO 機能選択時
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・IOH = -4 mA, IOL = 4 mA
・IO の設定はペリフェラル
マニュアル『本編』の
『VBAT ドメイン』の章
を参照してください
RX
Standby mode
control
Clock input
R
P-ch
P-ch
N-ch
Pull-up resistor
control
Digital output
Digital output
・CMOS レベル出力
・CMOS レベルヒステリシ
ス入力
・アナログ出力
・プルアップ抵抗制御あり
・スタンバイ制御あり
・プルアップ抵抗 :
約 50 kΩ
・IOH = -12 mA, IOL = 12 mA
(4.5V~5.5V)
・IOH = -8 mA, IOL = 8 mA
(2.7V~4.5V)
R
Digital input
Standby mode
control
Analog output
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
53
r1.0
MB9B360R シリーズ
 取扱上のご注意
半導体デバイスは、ある確率で故障します。また、半導体デバイスの故障は、使用される条件(回
路条件, 環境条件など)によっても大きく左右されます。
以下に、半導体デバイスをより信頼性の高い状態で使用していただくために、注意・配慮しなけ
ればならない事項について説明します。
1.
設計上の注意事項
ここでは、半導体デバイスを使用して電子機器の設計を行う際に注意すべき事項について述べま
す。

絶対最大定格の遵守
半導体デバイスは、過剰なストレス (電圧, 電流, 温度など) が加わると破壊する可能性がありま
す。この限界値を定めたものが絶対最大定格です。従って、定格を一項目でも超えることのない
ようご注意ください。

推奨動作条件の遵守
推奨動作条件は、半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は、全
てこの条件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を越え
て使用すると、信頼性に悪影響を及ぼすことがあります。
本資料に記載されていない項目, 使用条件, 論理組み合わせでの使用は、保証していません。記
載されている以外の条件での使用をお考えの場合は、必ず事前に営業部門までご相談ください。

端子の処理と保護
半導体デバイスには、電源および各種入出力端子があります。これらに対して以下の注意が必要
です。
(1) 過電圧・過電流の防止
各端子に最大定格を超える電圧・電流が印加されると、デバイスの内部に劣化が生じ、著し
い場合には破壊に至ります。機器の設計の際には、このような過電圧・過電流の発生を防止
してください。
(2) 出力端子の保護
出力端子を電源端子または他の出力端子とショートしたり、大きな容量負荷を接続すると大
電流が流れる場合があります。この状態が長時間続くとデバイスが劣化しますので、このよ
うな接続はしないようにしてください。
(3) 未使用入力端子の処理
インピーダンスの非常に高い入力端子は、オープン状態で使用すると動作が不安定になる場
合があります。適切な抵抗を介して電源端子やグランド端子に接続してください。

ラッチアップ
半導体デバイスは、基板上に P 型と N 型の領域を形成することにより構成されます。外部から異
常な電圧が加えられた場合、内部の寄生 PNPN 接合 (サイリスタ構造) が導通して、数百 mA を越
える大電流が電源端子に流れ続けることがあります。これをラッチアップと呼びます。この現象
が起きるとデバイスの信頼性を損ねるだけでなく、破壊に至り発熱・発煙・発火の恐れもありま
す。これを防止するために、以下の点にご注意ください。
(1) 最大定格以上の電圧が端子に加わることが無いようにしてください。異常なノイズ, サージ
等にも注意してください。
(2) 電源投入シーケンスを考慮し、異常な電流が流れないようにしてください。
管理番号: DS00-00004-2a
54
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.2
MB9B360R シリーズ

安全等の規制と規格の遵守
世界各国では、安全や、電磁妨害等の各種規制と規格が設けられています。お客様が機器を設計
するに際しては、これらの規制と規格に適合するようお願いします。

フェイル・セーフ設計
半導体デバイスは、ある確率で故障が発生します。半導体デバイスが故障しても、結果的に人身
事故, 火災事故, 社会的な損害を生じさせないよう、お客様は、装置の冗長設計, 延焼対策設計,
過電流防止設計, 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。

用途に関する注意
本資料に記載された製品は、通常の産業用, 一般事務用, パーソナル用, 家庭用などの一般的用途
に使用されることを意図して設計・製造されています。極めて高度な安全性が要求され、仮に当
該安全性が確保されない場合、社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危
険性を伴う用途 (原子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御,航空交通管制, 大量輸送
システムにおける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器システムにおけるミサイル発射制
御をいう), ならびに極めて高い信頼性が要求される用途 (海底中継器, 宇宙衛星をいう) に使用
されるよう設計・製造されたものではありません。当社は、これらの用途に当該製品が使用され
たことにより発生した損害などについては、責任を負いかねますのでご了承ください。
2.
パッケージ実装上の注意事項
パッケージには、リード挿入形と表面実装形があります。いずれの場合も、はんだ付け時の耐熱
性に関する品質保証は,当社の推奨する条件での実装に対してのみ適用されます。実装条件の詳細
については営業部門までお問い合わせください。

リード挿入形
リード挿入形パッケージのプリント板への実装方法は、プリント板へ直接はんだ付けする方法と
ソケットを使用してプリント板に実装する方法とがあります。
プリント板へ直接はんだ付けする場合は、プリント板のスルーホールにリード挿入後、噴流はん
だによるフローはんだ方法 (ウェーブソルダリング法) が一般的に使用されます。この場合、は
んだ付け実装時には、通常最大定格の保存温度を上回る熱ストレスがリード部分に加わります。
当社の実装推奨条件で実装してください。
ソケット実装方法でご使用になる場合、ソケットの接点の表面処理と IC のリードの表面処理が異
なるとき、長時間経過後、接触不良を起こすことがあります。このため、ソケットの接点の表面
処理と IC のリードの表面処理の状態を確認してから実装することをお勧めします。

表面実装形
表面実装形パッケージは、リード挿入形と比較して、リードが細く薄いため、リードが変形し易
い性質をもっています。また、パッケージの多ピン化に伴い、リードピッチも狭く、リード変形
によるオープン不良や、はんだブリッジによるショート不良が発生しやすいため、適切な実装技
術が必要となります。
当社ははんだリフロー方法を推奨し、製品ごとに実装条件のランク分類を実施しています。当社
推奨のランク分類に従って実装してください。

鉛フリーパッケージ
BGA パッケージの Sn-Ag-Cu 系ボール品を Sn-Pb 共晶はんだにて実装した場合、使用状況により
接合強度が低下することがありますのでご注意願います。
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
55
r1.2
MB9B360R シリーズ

半導体デバイスの保管について
プラスチックパッケージは樹脂でできているため、自然の環境に放置することにより吸湿します。
吸湿したパッケージに実装時の熱が加わった場合、界面剥離発生による耐湿性の低下やパッケー
ジクラックが発生することがあります。以下の点にご注意ください。
(1) 急激な温度変化のある所では製品に水分の結露が起こります。このような環境を避けて、温
度変化の少ない場所に保管してください。
(2) 製品の保管場所はドライボックスの使用を推奨します。相対湿度 70%RH 以下, 温度 5°C~
30°C で保管をお願いします。ドライパッケージを開封した場合には湿度 40%~70%RH を推奨
いたします。
(3) 当社では必要に応じて半導体デバイスの梱包材として防湿性の高いアルミラミネート袋を用
い、乾燥剤としてシリカゲルを使用しております。半導体デバイスはアルミラミネート袋に
入れて密封して保管してください。
(4) 腐食性ガスの発生する場所や塵埃の多い所は避けてください。

ベーキングについて
吸湿したパッケージはベーキング (加熱乾燥) を実施することにより除湿することが可能です。
ベーキングは、当社の推奨する条件で実施してください。
条件:125°C/24 時間

静電気
半導体デバイスは静電気による破壊を起こしやすいため、以下の点についてご注意ください。
(1) 作業環境の相対湿度は 40 % ~ 70%RH にしてください。
除電装置 (イオン発生装置) の使用なども必要に応じて検討してください。
(2) 使用するコンベア, 半田槽, 半田ゴテ, および周辺付帯設備は大地に接地してください。
(3) 人体の帯電防止のため、指輪または腕輪などから高抵抗 (1 MΩ 程度) で大地に接地したり、
導電性の衣服・靴を着用し、床に導電マットを敷くなど帯電電荷を最小限に保つようにして
ください。
(4) 治具, 計器類は, 接地または帯電防止化を実施してください。
(5) 組立完了基板の収納時、発泡スチロールなどの帯電し易い材料の使用は避けてください。
56
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.2
MB9B360R シリーズ
3.
使用環境に関する注意事項
半導体デバイスの信頼性は、先に述べました周囲温度とそれ以外の環境条件にも依存します。ご
使用にあたっては、以下の点にご注意ください。
(1) 湿度環境
高湿度環境下での長期の使用は、デバイス自身だけでなくプリント基板等にもリーク性の不
具合が発生する場合があります。高湿度が想定される場合は、防湿処理を施す等の配慮をお
願いします。
(2) 静電気放電
半導体デバイスの直近に高電圧に帯電したものが存在すると、放電が発生し誤動作の原因と
なることがあります。
このような場合、帯電の防止または放電の防止の処置をお願いします。
(3) 腐食性ガス, 塵埃, 油
腐食性ガス雰囲気中や、塵埃, 油等がデバイスに付着した状態で使用すると、化学反応により
デバイスに悪影響を及ぼす場合があります。このような環境下でご使用の場合は、防止策に
ついてご検討ください。
(4) 放射線・宇宙線
一般のデバイスは、設計上、放射線, 宇宙線にさらされる環境を想定しておりません。したが
って、これらを遮蔽してご使用ください。
(5) 発煙・発火
樹脂モールド型のデバイスは、不燃性ではありません。発火物の近くでは、ご使用にならな
いでください。発煙・発火しますと、その際に毒性を持ったガスが発生する恐れがありま
す。
その他、特殊な環境下でのご使用をお考えの場合は、営業部門にご相談ください。
最新の取扱上のご注意については、下記の URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/jp/handling-j.pdf
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
57
r1.2
MB9B360R シリーズ
 デバイス使用上の注意
・ 電源端子について
VCC, VSS 端子が複数ある場合、デバイス設計上はラッチアップなどの誤動作を防止するために
デバイス内部で同電位にすべきものどうしを接続してありますが、不要輻射の低減・グランドレ
ベルの上昇によるストローブ信号の誤動作の防止・総出力電流規格を遵守などのために、必ずそ
れらすべてを外部で電源およびグランドに接続してください。また、電流供給源からできる限り
低インピーダンスで本デバイスの各電源端子と GND 端子に接続してください。
さらに、本デバイスの近くで各電源端子 と GND 端子の間に 0.1 μF 程度のセラミックコンデンサ
をバイパスコンデンサとして接続することを推奨します。
・ 電源端子について
電源電圧の変動が VCC の推奨動作条件内においても、急激な変化があると誤動作することがあり
ます。安定化の基準として VCC は、商用周波数 (50 Hz~60 Hz) におけるリプル変動(ピークピー
ク値) を推奨動作条件内の 10%以内にしてください。かつ電源切換えによる瞬間変動の過渡変動
率は 0.1 V/μs 以下にしてください。
・ 水晶発振回路について
X0/X1, X0A/X1A 端子の近辺のノイズは本デバイスの誤動作の原因となります。X0/X1, X0A/X1A
端子および水晶発振子さらにグランドへのバイパスコンデンサはできる限り近くに配置するよう
にプリント板を設計してください。
また、X0/X1, X0A/X1A 端子の周りをグランドで囲むようなプリント板アートワークは安定した
動作を期待できるため、強く推奨します。
実装基板にて、使用する水晶振動子の発振評価を実施してください。
・ サブクロック用水晶振動子について
本シリーズのサブクロック発振回路は消費電流を低く抑えた設計を行っており、増幅度が低い回
路となっています。安定した発振をさせるためサブクロック用水晶振動子には、以下の条件を満
たす水晶振動子の使用を推奨します。
・ 表面実装タイプ
サイズ :3.2 mm × 1.5 mm 以上
負荷容量:6 pF~7 pF 程度
・ リードタイプ
負荷容量: 6 pF~7 pF 程度
58
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DS709-00003-1v0-J
r1.2
MB9B360R シリーズ
・ 外部クロック使用時の注意
メインクロックの入力として外部クロックを使用する場合は、X0/X1 端子を外部クロック入力に
設定し、X0 端子にクロックを入力してください。X1(PE3)端子は汎用 I/O ポートとして使用でき
ます。
同様にサブクロックの入力として外部クロックを使用する場合は、X0A/X1A 端子を外部クロック
入力に設定し、X0A 端子にクロックを入力してください。X1A(P47)端子は汎用 I/O ポートとして
使用できます。
・外部クロック使用例
本デバイス
X0(X0A)
外部クロック入力
に設定
汎用 I/O ポートと
して使用可能
X1(PE3), X1A(P47)
・ マルチファンクションシリアル端子を I2C 端子として使用する場合の扱いについて
マルチファンクションシリアル端子を I2C 端子として使用する場合、デジタル出力 P-ch トランジ
スタは常にディセーブルです。しかし、I2C 端子もほかの端子と同様に、デバイスの電気的特性
を守り、電源をオフにしたまま外部 I2C バスシステムへ接続してはいけません。
・ C 端子について
本シリーズはレギュレータを内蔵しています。必ず C 端子と GND 端子の間にレギュレータ用の平
滑コンデンサ(CS)を接続してください。平滑コンデンサにはセラミックコンデンサまたは同程度
の周波数特性のコンデンサを使用してください。
なお、積層セラミックコンデンサは、温度による容量値の変化幅に特性(F 特性, Y5V 特性)を持つ
ものがあります。コンデンサの温度特性を確認し、使用条件において規格値を満たすコンデンサ
を使用してください。
本シリーズでは 4.7 μF 程度の平滑コンデンサを推奨します。
C
本デバイス
CS
VSS
GND
・ モード端子(MD0)について
モード端子(MD0)は VCC 端子または VSS 端子に直接接続してください。内蔵フラッシュメモリ書
換えなどの目的で、モード端子レベルを変更できるようにプルアップまたはプルダウンをする場
合には、ノイズによりデバイスが意図せずテストモードに入るのを防止するため、プルアップま
たはプルダウンに使用する抵抗値はできるだけ低く抑えると共に、モード端子から VCC 端子また
は VSS 端子への距離を最小にし、できるだけ低インピーダンスで接続するようにプリント基板を
設計してください。
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
59
r1.2
MB9B360R シリーズ
・ 電源投入時について
電源を投入/切断する際は同時か、あるいは次の順番で投入/切断を行ってください。
なお、A/D コンバータおよび D/A コンバータを使用しない場合でも、AVCC = VCC レベル,
AVSS = VSS レベルに接続してください。
投入時 : VBAT → VCC → USBVCC
VCC → AVCC → AVRH
切断時 : USBVCC → VCC → VBAT
AVRH → AVCC → VCC
・ シリアル通信について
シリアル通信においては、ノイズなどにより間違ったデータを受信する可能性があります。その
ため、ノイズを抑えるボードの設計をしてください。
また、万が一ノイズなどの影響により誤ったデータを受信した場合を考慮し、最後にデータの
チェックサムなどを付加してエラー検出を行ってください。エラーが検出された場合には、再送
を行うなどの処理をしてください。
・ メモリサイズの異なる製品間およびフラッシュメモリ製品と MASK 製品の特性差について
メモリサイズの異なる製品間およびフラッシュメモリ製品と MASK 製品ではチップレイアウトや
メモリ構造の違いにより消費電流や ESD, ラッチアップ, ノイズ特性, 発振特性等を含めた電気的
特性が異なります。
お客様にて同一シリーズの別製品に切り換えて使用する際は、電気的特性の評価を行ってくださ
い。
・ 5V トレラント I/O のプルアップ機能について
5V トレラント I/O のプルアップ機能使用時は VCC 電圧以上の信号を入力してはいけません。
・ 基板上の隣接配線について
水晶発振回路 X1A と P48/VREGCTL の配線を隣接して並走させると、P48/VREGCTL の変化で X1A
にノイズが載り、発振が誤カウントする可能性があります。それを避けるために、両者の配線の
距離をできるだけ離し、間にグランドパタンを挿入してください。
本デバイス
P46/
X0A
P47/
X1A
P48/
P49/
VREGCTL VWAKEUP
配線を並走させない
グランド
グランドパタン挿入
・ デバッグ機能を兼用している端子について
TDO/TMS/TDI/TCK/TRSTX, SWO/SWDIO/SWCLK と兼用している端子は出力のみで使用してくだ
さい。入力として使用してはいけません。
60
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.2
MB9B360R シリーズ
 ブロックダイヤグラム
MB9BF366M/N/R, F367M/N/R, F368M/N/R
TRSTX,TCK,
TDI,TMS
TDO
SWJ-DP
ETM*
TRACEDx,
TRACECLK
TPIU*
ROM
Table
SRAM0
32/48/64 Kbytes
SRAM1
16/24/32 Kbytes
Cortex-M4 Core I
@160 MHz(Max)
D
MPU NVIC
Sys
Multi-layer AHB (Max 160 MHz)
FPU
AHB-APB Bridge:
APB0(Max 80 MHz)
Dual-Timer
Watchdog Timer
(Software)
Clock Reset
Generator
INITX
Watchdog Timer
(Hardware)
CSV
SRAM2
16/24/32 Kbytes
MainFlash I/F
MainFlash
1 Mbytes/
768 Kbytes/
512 Kbytes
Trace Buffer
(16 Kbytes)
Security
WorkFlash
32 Kbytes
WorkFlash I/F
USB2.0
(Host/
Func)
PHY
USBVCC
UDP0,UDM0
UHCONX0
DMAC
8ch.
CLK
DSTC
SD-CARD I/F
X0A
X1A
Main
Osc
PLL
VBAT Domain
Sub
Osc
AHB-AHB Bridge
Source Clock
X0
X1
CR
100 kHz
CR
4 MHz
GPIO
PIN-Function-Ctrl
S_CLK,S_CMD
S_DATAx
S_CD,S_WP
P0x,
P1x,
.
.
.
PEx
CROUT
MADx
12-bit A/D Converter
Unit 0
Unit 1
Unit 2
TIOAx
Base Timer
16-bit 16ch./
32-bit 8ch.
AINx
BINx
ZINx
QPRC
2ch.
A/D Activation Compare
6ch.
IC0x
FRCK0
16-bit Input Capture
4ch.
16-bit Free-run Timer
3ch.
16-bit Output Compare
6ch.
USB Clock Ctrl
DTTI0X
RTO0x
MADATAx
PLL
Power-On
Reset
LVD Ctrl
LVD
IRQ-Monitor
Regulator
MCSXx,MDQMx,
MOEX,MWEX,
MALE,MRDY,
MNALE,MNCLE,
MNWEX,MNREX,
MCLKOUT,MSDWEX,
MSDCLK,MSDCKE,
MRASX,MCASX
C
CRC Accelerator
AHB-APB Bridge : APB2 (Max 80 MHz)
ANxx
ADTGx
TIOBx
External Bus I/F
AHB-APB Bridge : APB1 (Max 160 MHz)
AVCC,
AVSS,
AVRH
Waveform Generator
3ch.
Watch Counter
Deep Standby Ctrl
Peripheral Clock Gating
Low-speed CR Prescaler
VBAT Domain
Real-Time Clock
Port Ctrl.
VWAKEUP
VREGCTL
RTCCO,
SUBOUT
External Interrupt
Controller
16pin + NMI
INTx
NMIX
MODE-Ctrl
MD0,
MD1
Multi-function Serial I/F
8ch.
HW flow control(ch.4)
SCKx
SINx
SOTx
CTS4
RTS4
12-bit D/A Converter
2units
DAx
16-bit PPG
3ch.
Multi-function Timer × 2
WKUPx
*: MB9BF366M/367M/368M では、ETM は使用できません。
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
61
r1.0
MB9B360R シリーズ
 メモリサイズ
メモリサイズについては、
「品種構成」の「メモリサイズ」を参照してください。
 メモリマップ
 メモリマップ (1)
Peripherals Area
0x41FF_FFFF
Reserved
0x4007_0000
0x4006_F000
0x4006_E000
Reserved
0xFFFF_FFFF
Reserved
0xE010_0000
0xE000_0000
Cortex-M4 Private
Peripherals
0x4006_2000
0x4006_1000
0x4006_0000
0x4005_0000
0x4004_0000
0x4003_F000
External Device
Area
0x6000_0000
Reserved
0x4400_0000
0x4200_0000
32 Mbytes
Bit band alias
Peripherals
0x4000_0000
Reserved
0x2400_0000
0x2200_0000
32 Mbytes
Bit band alias
Reserved
0x2010_0000
0x200E_0000
0x200C_0000
メモリサイズの 詳細は
次項の「●メモリマップ(2)」
を参照してください。
0x2004_8000
0x2004_0000
0x2003_8000
0x2000_0000
0x1FFF_0000
0x0050_0000
0x0040_0000
GPIO
SD-Card I/F
WorkFlash I/F
WorkFlash
Reserved
SRAM2
SRAM1
Reserved
SRAM0
Reserved
Security/CR Trim
MainFlash
0x0000_0000
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
Reserved
USB ch.0
EXT-bus I/F
Reserved
0x4003_C800
0x4003_C100 Peripheral Clock Gating
0x4003_C000 Low Speed CR Prescaler
0x4003_B000
RTC/Port Ctrl
0x4003_A000
Watch Counter
0x4003_9000
CRC
0x4003_8000
MFS
Reserved
0x4003_7000
0x4003_6000
USB Clock ctrl
0x4003_5000
LVD/DS mode
Reserved
0x4003_4000
0x4003_3000
D/AC
Reserved
0x4003_2000
0x4003_1000
Int-Req.Read
0x4003_0000
EXTI
0x4002_F000
Reserved
0x4002_E000
CR Trim
0x4002_8000
0x4002_7000
0x4002_6000
0x4002_5000
0x4002_4000
0x4002_2000
0x4002_1000
0x4002_0000
0x4001_6000
0x4001_5000
0x4001_3000
0x4001_2000
0x4001_1000
0x4001_0000
0x4000_1000
0x4000_0000
62
DSTC
DMAC
Reserved
A/DC
QPRC
Base Timer
PPG
Reserved
MFT Unit1
MFT Unit0
Reserved
Dual Timer
Reserved
SW WDT
HW WDT
Clock/Reset
Reserved
MainFlash I/F
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
 メモリマップ (2)
MB9BF368M/N/R
0x2008_0000
MB9BF367M/N/R
0x2008_0000
Reserved
0x200C_8000
0x200C_0000
0x2008_0000
Reserved
0x200C_8000
WorkFlash
32 Kbytes
MB9BF366M/N/R
0x200C_0000
Reserved
Reserved
0x200C_8000
WorkFlash
32 Kbytes
0x200C_0000
Reserved
0x2004_8000
WorkFlash
32 Kbytes
Reserved
0x2004_6000
SRAM2
32 Kbytes
0x2004_0000
0x2004_0000
SRAM1
32 Kbytes
0x2003_A000
SRAM2
24 Kbytes
SRAM1
24 Kbytes
0x2004_4000
0x2004_0000
0x2003_C000
SRAM2
16 Kbytes
SRAM1
16 Kbytes
0x2003_8000
0x2000_0000
0x2000_0000
SRAM0
64 Kbytes
Reserved
Reserved
Reserved
0x1FFF_4000
0x2000_0000
SRAM0
48 Kbytes
0x1FFF_8000
SRAM0
32 Kbytes
0x1FFF_0000
0x0050_0000
0x0040_2000
0x0040_0000
0x0050_0000
CR trimming
Security
Reserved
Reserved
Reserved
0x0040_2000
0x0040_0000
0x0050_0000
CR trimming
Security
0x0040_2000
0x0040_0000
CR trimming
Security
Reserved
Reserved
0x0010_0000
Reserved
0x000C_0000
MainFlash
1 Mbytes
0x0000_0000
0x0008_0000
MainFlash
768 Kbytes
0x0000_0000
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
MainFlash
512 Kbytes
0x0000_0000
63
r1.0
MB9B360R シリーズ
 ペリフェラル・アドレスマップ
スタート
アドレス
エンド
アドレス
0x4000_0000
0x4000_1000
0x4001_0000
0x4001_1000
0x4001_2000
0x4001_3000
0x4001_5000
0x4001_6000
0x4002_0000
0x4002_1000
0x4002_2000
0x4002_4000
0x4002_5000
0x4002_6000
0x4002_7000
0x4002_8000
0x4002_E000
0x4002_F000
0x4003_0000
0x4003_1000
0x4003_2000
0x4003_3000
0x4003_4000
0x4003_5000
0x4003_5800
0x4003_6000
0x4003_7000
0x4003_8000
0x4003_9000
0x4003_A000
0x4003_B000
0x4003_C000
0x4003_C100
0x4003_C800
0x4003_F000
0x4004_0000
0x4005_0000
0x4006_0000
0x4006_1000
0x4006_4000
0x4006_E000
0x4006_F000
0x4006_7000
0x200E_0000
0x4000_0FFF
0x4000_FFFF
0x4001_0FFF
0x4001_1FFF
0x4001_2FFF
0x4001_4FFF
0x4001_5FFF
0x4001_FFFF
0x4002_0FFF
0x4002_1FFF
0x4003_FFFF
0x4002_4FFF
0x4002_5FFF
0x4002_6FFF
0x4002_7FFF
0x4002_DFFF
0x4002_EFFF
0x4002_FFFF
0x4003_0FFF
0x4003_1FFF
0x4003_4FFF
0x4003_3FFF
0x4003_4FFF
0x4003_57FF
0x4003_5FFF
0x4003_6FFF
0x4003_7FFF
0x4003_8FFF
0x4003_9FFF
0x4003_AFFF
0x4003_BFFF
0x4003_C0FF
0x4003_C7FF
0x4003_EFFF
0x4003_FFFF
0x4004_FFFF
0x4005_FFFF
0x4006_0FFF
0x4006_3FFF
0x4006_DFFF
0x4006_EFFF
0x4006_FFFF
0x41FF_FFFF
0x200E_FFFF
バス
AHB
APB0
APB1
APB2
AHB
AHB
64
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
周辺機能
MainFlash I/F レジスタ
予約
クロック・リセット制御
ハードウェアウォッチドッグタイマ
ソフトウェアウォッチドッグタイマ
予約
デュアルタイマ
予約
多機能タイマ unit0
多機能タイマ unit1
予約
PPG
ベースタイマ
クアッドカウンタ
A/D コンバータ
予約
内蔵 CR トリミング
予約
外部割込み
割込み要因確認レジスタ
予約
D/A コンバータ
予約
低電圧検出
ディープスタンバイ制御部
USB クロック生成回路
予約
マルチファンクションシリアル
CRC
時計カウンタ
RTC/Port Ctrl
低速 CR 補正
周辺クロック停止
予約
外部バス I/F
USB ch.0
予約
DMAC レジスタ
DSTC レジスタ
予約
SD-Card I/F
GPIO
予約
WorkFlash I/F レジスタ
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
 各 CPU ステートにおける端子状態
端子の状態として使用している語句は、以下の意味を持ちます。
・ INITX=0
INITX 端子が"L"レベルの期間です。
・ INITX=1
INITX 端子が"H"レベルの期間です。
・ SPL=0
スタンバイモードコントロールレジスタ(STB_CTL)のスタンバイ端子レベル設定ビット(SPL)
が"0"に設定された状態です。
・ SPL=1
スタンバイモードコントロールレジスタ(STB_CTL)のスタンバイ端子レベル設定ビット(SPL)
が"1"に設定された状態です。
・ 入力可
入力機能が使用可能な状態です。
・ 内部入力"0"固定
入力機能が使用できない状態です。内部入力は"L"に固定されます。
・ Hi-Z
端子駆動用トランジスタを駆動禁止状態にし、端子を Hi-Z にします。
・ 設定不可
設定できません。
・ 直前状態保持
本モードに遷移する直前の状態を保持します。
内蔵されている周辺機能が動作中であれば、その周辺機能にしたがいます。
ポートとして使用している場合は、その状態を保持します。
・ アナログ入力可
アナログ入力が許可されています。
・ トレース出力
トレース機能が使用可能な状態です。
・ GPIO 選択
ディープスタンバイモード時、汎用 I/O ポートに切り換わります。
・ 設定禁止
仕様制限により設定禁止です。
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
65
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 端子状態一覧表
端子
状態
形式
グループ
機能名
パワーオン
リセット
または
低電圧検出
状態
INITX
入力
状態
デバイス
内部
リセット
状態
ランモード
または
スリープ
モード
状態
タイマモード,
RTC モード
または
ストップモード
状態
電源安定
INITX=1
‐
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
電源不安定
電源安定
INITX=0
INITX=1
‐
‐
‐
‐
A
B
ディープスタンバイ
ディープ
RTC モード
スタンバイ
または
モード
ディープスタンバイ
復帰直後
ストップモード
状態
状態
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
GPIO 選択
Hi-Z/
Hi-Z/
内部入力 内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
電源安定
INITX=1
-
GPIO 選択時
設定不可
設定不可
設定不可
直前状態
保持
直前状態
保持
メイン水晶
発振入力端子/
外部メイン
クロック入力
選択時
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
GPIO 選択時
設定不可
設定不可
設定不可
直前状態
保持
直前状態
保持
GPIO 選択
Hi-Z/
Hi-Z/
内部入力 内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
GPIO 選択
外部メイン
クロック入力
選択時
設定不可
設定不可
設定不可
直前状態
保持
直前状態
保持
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
直前状態
保持
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
直前状態 直前状態 直前状態 直前状態 直前状態 直前状態
保持/
保持/
保持/
保持/
保持/
保持/
発振
発振
発振
発振
発振
発振
Hi-Z/
内部入力 停止時*1 は 停止時*1 は 停止時*1 は 停止時*1 は 停止時*1 は 停止時*1 は
"0"固定 Hi-Z/内部 Hi-Z/内部 Hi-Z/内部 Hi-Z/内部 Hi-Z/内部 Hi-Z/内部
入力
入力
入力
入力
入力
入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
"0"固定
"0"固定
"0"固定
メイン水晶
発振出力端子
C
INITX
入力端子
D
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
または
入力可
入力可
入力可
入力可
直前状態
保持
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
GPIO 選択
入力可
プルアップ/ プルアップ/ プルアップ/ プルアップ/ プルアップ/ プルアップ/ プルアップ/ プルアップ/ プルアップ/
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
モード
入力端子
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
モード
入力端子
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
入力可
GPIO 選択時
設定不可
設定不可
設定不可
直前状態
保持
直前状態
保持
Hi-Z/
入力可
GPIO 選択
Hi-Z/
入力可
GPIO 選択
E
66
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
端子
状態
形式
グループ
機能名
パワーオン
リセット
または
低電圧検出
状態
INITX
入力
状態
デバイス
内部
リセット
状態
ランモード
または
スリープ
モード
状態
タイマモード,
RTC モード
または
ストップモード
状態
電源安定
INITX=1
‐
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
電源不安定
電源安定
INITX=0
INITX=1
‐
‐
‐
‐
NMIX 選択時
設定不可
設定不可
ディープスタンバイ
ディープ
RTC モード
スタンバイ
または
モード
ディープスタンバイ
復帰直後
ストップモード
状態
状態
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
電源安定
INITX=1
-
直前状態
保持
設定不可
GPIO 選択
F
上記以外の
リソース選択時
Hi-Z
Hi-Z/
入力可
Hi-Z/
入力可
直前状態
保持
直前状態
保持
GPIO 選択時
JTAG
選択時
Hi-Z
直前状態
保持
プルアップ/ プルアップ/
入力可
入力可
直前状態
保持
G
GPIO 選択時
設定不可
JTAG
選択時
Hi-Z
設定不可
直前状態
保持
設定不可
プルアップ/ プルアップ/
入力可
入力可
上記以外の
リソース選択時
直前状態
保持
H
設定不可
設定不可
設定不可
Hi-Z
Hi-Z/
入力可
Hi-Z/
入力可
設定不可
設定不可
設定不可
直前状態
保持
GPIO 選択時
リソース選択時
I
直前状態
保持
直前状態
保持
GPIO 選択時
アナログ出力
選択時
J
上記以外の
リソース選択時
*2
直前状態
保持
Hi-Z
Hi-Z/
入力可
Hi-Z/
入力可
GPIO 選択時
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
直前状態
保持
WKUP
入力可
Hi-Z/
WKUP
入力可
直前状態
保持
直前状態
保持
直前状態
保持
直前状態
保持
GPIO 選択
Hi-Z/
Hi-Z/
内部入力 内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
GPIO 選択
直前状態
保持
直前状態
保持
直前状態
保持
直前状態
保持
GPIO 選択
Hi-Z/
Hi-Z/
内部入力 内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
GPIO 選択
GPIO 選択
Hi-Z/
Hi-Z/
内部入力 内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
GPIO 選択
*3
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
GPIO 選択
Hi-Z/
内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
GPIO 選択
67
r1.0
MB9B360R シリーズ
端子
状態
形式
グループ
機能名
パワーオン
リセット
または
低電圧検出
状態
INITX
入力
状態
デバイス
内部
リセット
状態
ランモード
または
スリープ
モード
状態
タイマモード,
RTC モード
または
ストップモード
状態
電源安定
INITX=1
‐
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
電源不安定
電源安定
INITX=0
INITX=1
‐
‐
‐
‐
外部割込み
許可選択時
K
設定不可
上記以外の
リソース選択時
設定不可
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
電源安定
INITX=1
-
GPIO 選択
Hi-Z/
内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
GPIO 選択
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
直前状態
保持
設定不可
直前状態
保持
直前状態
保持
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
Hi-Z
Hi-Z/
入力可
Hi-Z/
入力可
Hi-Z
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
設定不可
設定不可
設定不可
直前状態
保持
直前状態
保持
GPIO 選択
Hi-Z/
Hi-Z/
内部入力 内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
GPIO 選択
Hi-Z
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
GPIO 選択
Hi-Z/
内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
GPIO 選択
GPIO 選択時
アナログ入力
選択時
ディープスタンバイ
ディープ
RTC モード
スタンバイ
または
モード
ディープスタンバイ
復帰直後
ストップモード
状態
状態
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
L
上記以外の
リソース選択時
GPIO 選択時
アナログ入力
選択時
M
外部割込み
許可選択時
上記以外の
設定不可
リソース選択時
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
直前状態
保持
設定不可
設定不可
直前状態
保持
直前状態
保持
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
GPIO 選択時
68
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
端子
状態
形式
グループ
機能名
パワーオン
リセット
または
低電圧検出
状態
ランモード
または
スリープ
モード
状態
タイマモード,
RTC モード
または
ストップモード
状態
電源不安定
電源安定
INITX=0
INITX=1
‐
‐
‐
‐
電源安定
INITX=1
‐
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
アナログ入力
選択時
Hi-Z
INITX
入力
状態
デバイス
内部
リセット
状態
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
ディープスタンバイ
ディープ
RTC モード
スタンバイ
または
モード
ディープスタンバイ
復帰直後
ストップモード
状態
状態
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
電源安定
INITX=1
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
トレース
出力
トレース選択時
N
設定不可
設定不可
設定不可
上記以外の
リソース選択時
直前状態
保持
直前状態
保持
GPIO 選択
Hi-Z/
内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
GPIO 選択
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
GPIO 選択時
アナログ入力
選択時
Hi-Z
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
外部割込み
許可選択時
設定不可
設定不可
設定不可
直前状態
保持
直前状態
保持
Hi-Z
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
上記以外の
リソース選択時
GPIO 選択時
アナログ入力
選択時
P
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
トレース
出力
トレース選択時
O
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
WKUP 許可時
上記以外の
設定不可
リソース選択時
設定不可
設定不可
GPIO 選択時
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
直前状態
保持
直前状態
保持
直前状態
保持
GPIO 選択
Hi-Z/
内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
直前状態
保持
WKUP
入力可
Hi-Z/
WKUP
入力可
GPIO 選択
Hi-Z/
Hi-Z/
内部入力 内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
GPIO 選択
Hi-Z/
内部入力
"0"固定/
アナログ
入力可
GPIO 選択
69
r1.0
MB9B360R シリーズ
端子
状態
形式
グループ
機能名
パワーオン
リセット
または
低電圧検出
状態
INITX
入力
状態
デバイス
内部
リセット
状態
ランモード
または
スリープ
モード
状態
タイマモード,
RTC モード
または
ストップモード
状態
電源安定
INITX=1
‐
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
電源不安定
電源安定
INITX=0
INITX=1
‐
‐
‐
‐
WKUP 許可時
設定不可
Q
設定不可
直前状態
保持
設定不可
外部割込み許可
選択時
直前状態
保持
上記以外の
リソース選択時
Hi-Z
Hi-Z/
入力可
Hi-Z/
入力可
Hi-Z
Hi-Z/
入力可
Hi-Z/
入力可
直前状態
保持
GPIO 選択時
GPIO 選択時
直前状態
保持
R
USB I/O 端子
設定不可
設定不可
設定不可
ディープスタンバイ
ディープ
RTC モード
スタンバイ
または
モード
ディープスタンバイ
復帰直後
ストップモード
状態
状態
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
WKUP
入力可
Hi-Z/
WKUP
入力可
GPIO 選択
Hi-Z/
内部入力 内部入力
Hi-Z/
"0"固定
内部入力 "0"固定
"0"固定
直前状態
保持
GPIO 選択
Hi-Z/
Hi-Z/
内部入力 内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
送信時は
送信時は
Hi-Z/
入力可/
受信時は
内部入力
"0"固定
Hi-Z/
入力可/
受信時は
内部入力
"0"固定
Hi-Z/
入力可
電源安定
INITX=1
-
Hi-Z/
入力可
GPIO 選択
GPIO 選択
Hi-Z/
入力可
*1 : サブタイマ, 低速 CR タイマモード, ストップモード, RTC モード, ディープスタンバイ RTC
モード, ディープスタンバイストップモードは発振が停止します。
*2 : タイマモード状態は直前状態保持、RTC モードまたはストップモード状態は GPIO 選択/内部入
力"0"固定です。
*3 : タイマモード状態は直前状態保持、RTC モードまたはストップモード状態は Hi-Z/内部入力"0"
固定です。
70
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DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
VBAT 端子状態形式
・ VBAT ドメイン端子状態一覧表
VBAT
パワーオン
グループ リセット
機能名
INITX
入力
状態
電源不安定 電源安定 電源安定 電源安定
INITX=0 INITX=1 INITX=1
‐
‐
‐
‐
‐
GPIO
選択時
タイマモード,
RTC モード
または
ストップモード
状態
ディープスタンバイ
RTC モード
または
ディープスタンバイ
ストップモード
状態
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
電源安定
INITX=1
SPL=0
SPL=1
ランモード
デバイス
または
内部
スリープ
リセット
モード
状態
状態
設定不可 設定不可 設定不可
直前状態
直前状態
保持
保持
入力可
入力可
直前状態
直前状態
保持
保持
直前状態
直前状態
保持
保持
Hi-Z/
GPIO 選択
内部入力
内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
入力可
入力可
入力可
ディープ
VBAT
スタンバイ
RTC
モード
モード
復帰直後
状態
状態
VBAT
RTC
モード
復帰直後
状態
電源安定 電源安定 電源安定
INITX=1
-
Hi-Z/
内部入力 GPIO 選択 設定禁止
-
サブ水晶
S
発振
入力端子/
外部サブ
入力可
入力可
入力可
入力可
クロック
直前状態 直前状態
保持
保持
入力選択
時
GPIO
選択時
設定不可 設定不可 設定不可
Hi-Z/
GPIO 選択
内部入力
内部入力
"0"固定
"0"固定
Hi-Z/
内部入力 GPIO 選択 設定禁止
-
"0"固定
外部サブ
クロック
入力
設定不可 設定不可 設定不可
選択時
T
発振出力
"0"固定
端子
または
Hi-Z/
Hi-Z/
内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
直前状態
保持
入力可
"0"固定
直前状態
保持
Hi-Z/
内部入力
"0"固定
直前状態 直前状態 直前状態
保持
直前状態
直前状態
直前状態
直前状態
直前状態
保持/
保持/
保持/
保持/
保持/
発振
発振
発振
発振
発振
Hi-Z/
サブ水晶 内部入力
Hi-Z/
内部入力
停止時*は 停止時*は 停止時*は 停止時*は 停止時*は
Hi-Z/
Hi-Z/
Hi-Z/
Hi-Z/
内部入力
内部入力
内部入力
"0"固定
"0"固定
"0"固定
直前状態
直前状態
直前状態
直前状態
保持
保持
保持
保持
保持
保持
直前状態 直前状態
保持
保持
Hi-Z/
内部入力 内部入力
"0"固定
"0"固定
リソース
選択時
U
直前状態 直前状態 直前状態
Hi-Z
GPIO
保持
保持
保持
直前状態 直前状態 直前状態
保持
保持
保持
選択時
* : ストップモード, ディープスタンバイストップモードは発振が停止します。
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FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
71
r1.0
MB9B360R シリーズ
 電気的特性
1.
絶対最大定格
項目
電源電圧*1 ,*2
電源電圧(USB 用) *1 ,*3
電源電圧(VBAT) *1 ,*4
アナログ電源電圧*1 ,*5
アナログ基準電圧*1 ,*5
記号
VCC
USBVCC
VBAT
AVCC
AVRH
定格値
最小
最大
VSS - 0.5
VSS - 0.5
VSS - 0.5
VSS - 0.5
VSS - 0.5
VSS + 6.5
VSS + 6.5
VSS + 6.5
VSS + 6.5
VSS + 6.5
VCC + 0.5
(≦6.5V)
USBVCC + 0.5
(≦6.5V)
VSS + 6.5
AVCC + 0.5
(≦6.5V)
VCC + 0.5
(≦6.5V)
10
20
20
22.4
4
8
12
20
100
50
- 10
- 20
- 20
-4
-8
- 12
- 100
- 50
+ 150
VSS - 0.5
入力電圧*1
VI
VSS - 0.5
VSS - 0.5
アナログ端子入力電圧*1
VIA
VSS - 0.5
出力電圧*1
VO
VSS - 0.5
"L"レベル最大出力電流*6
IOL
-
"L"レベル平均出力電流*7
IOLAV
-
∑IOL
∑IOLAV
-
"H"レベル最大出力電流*6
IOH
-
"H"レベル平均出力電流*7
IOHAV
-
"L"レベル最大総出力電流
"L"レベル平均総出力電流*8
単位
備考
V
V
V
V
V
V
USB 端子を除く
V
USB 端子
V
5V トレラント
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
°C
4mA タイプ
8mA タイプ
12mA タイプ
I2C Fm+
4mA タイプ
8mA タイプ
12mA タイプ
I2C Fm+
4mA タイプ
8mA タイプ
12mA タイプ
4mA タイプ
8mA タイプ
12mA タイプ
"H"レベル最大総出力電流
∑IOH
8
"H"レベル平均総出力電流*
∑IOHAV
保存温度
TSTG
- 55
*1 : VSS = AVSS = 0V を基準にした値です。
*2 : VCC は VSS - 0.5V より低くなってはいけません。
*3 : USBVCC は VSS - 0.5V より低くなってはいけません。
*4 : VBAT は VSS - 0.5V より低くなってはいけません。
*5 : 電源投入時など VCC + 0.5V を超えてはいけません。
*6 : 最大出力電流は、該当する端子 1 本のピーク値を規定します。
*7 : 平均出力電流は、該当する端子 1 本に流れる電流の 100ms の期間内での平均電流を規定します。
*8 : 平均総出力電流は、該当する端子すべてに流れる電流の 100ms の期間内での平均電流を規定します。
<注意事項>
絶対最大定格を超えるストレス (電圧, 電流, 温度など) の印加は、半導体デバイスを破壊する可
能性があります。したがって、定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
72
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
2.
推奨動作条件
項目
記号
条件
VCC
-
USBVCC
-
電源電圧
規格値
最小
最大
2.7
5.5
3.6
(≦VCC)
3.0
電源電圧(USB 用)
5.5
(≦VCC)
2.7
単位
備考
V
*1
V
*2
電源電圧(VBAT)
VBAT
2.7
5.5
V
アナログ電源電圧
AVCC
2.7
5.5
V
AVCC=VCC
アナログ基準電圧
AVRH
AVSS
AVCC
V
ジャンクション温度
Tj
- 40
+ 125
°C
動作温度
周囲温度
Ta
- 40
*3
°C
*1 : P81/UDP0, P80/UDM0 端子を USB 端子(UDP0, UDM0)として使用する場合
*2 : P81/UDP0, P80/UDM0 端子を GPIO 端子(P81, P80)として使用する場合
*3 : 周囲温度(Ta)の最大温度は、ジャンクション温度(Tj)を超えない範囲まで保証可能です。
周囲温度(Ta)の計算式を以下に示します。
Ta(Max) = Tj(Max) - Pd(Max) × θja
Pd : 消費電力(W)
θja : パッケージ熱抵抗(°C/W)
Pd(Max) = VCC × ICC (Max) + Σ (IOL×VOL) + Σ ((VCC-VOH) × (- IOH))
IOL : "L"レベル出力電流
IOH : "H"レベル出力電流
VOL : "L"レベル出力電圧
VOH : "H"レベル出力電圧
各パッケージにおけるパッケージ熱抵抗と最大許容電力を以下に示します。
半導体デバイスは最大許容電力以下で動作が保証されます。
・ パッケージ熱抵抗と最大許容電力表
パッケージ
FPT-80P-M37
(0.5mm pitch)
FPT-80P-M40
(0.65mm pitch)
FPT-100P-M23
(0.5mm pitch)
FPT-100P-M36
(0.65mm pitch)
FPT-120P-M37
(0.5mm pitch)
BGA-112P-M05
(0.5mm pitch)
BGA-144P-M09
(0.5mm pitch)
基板
熱抵抗 θja
(°C/W)
単層両面
4層
単層両面
4層
単層両面
4層
単層両面
4層
単層両面
4層
単層両面
4層
単層両面
4層
60
39
58
38
57
38
48
34
62
43
60
40
55
40
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
最大許容電力(mW)
Ta=+85°C
Ta=+105°C
667
1026
690
1053
702
1053
833
1177
645
930
667
1000
727
1000
333
513
335
526
351
526
417
588
323
465
333
500
364
500
73
r1.0
MB9B360R シリーズ
<注意事項>
推奨動作条件は、半導体デバイスの正常な動作を確保するための条件です。電気的特性の規格値
は、すべてこの条件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条
件を超えて使用すると、信頼性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目, 使用条件, 論理の組合せでの使用は、保証していません。
記載されている以外の条件での使用をお考えの場合は、必ず事前に営業部門までご相談くださ
い。
・消費電力(Pd)の算出方法
消費電力は以下の式で表されます。
Pd = VCC × ICC + Σ (IOL × VOL) + Σ ((VCC - VOH) × (- IOH))
IOL : "L"レベル出力電流
IOH : "H"レベル出力電流
VOL : "L"レベル出力電圧
VOH : "H"レベル出力電圧
ICC はデバイス内で消費される電流です。
以下に分解できます。
ICC = ICC(INT) + ΣICC(IO)
ICC(INT) : レギュレータを通して内部 Logic, メモリなどで消費される電流
ΣICC(IO) : 出力端子にて消費される電流(I/O スイッチング電流)の合計
ICC(INT)については「3.直流規格」の「(1)電流規格」によって予測できます (本規格の値は端子固
定時の値のため、ICC(IO)は含んでいません)。
ICC(IO)についてはお客様のシステムに依存します。
以下の計算式により算出してください。
ICC(IO) = (CINT + CEXT) × VCC × fsw
CINT : 端子内部負荷容量
CEXT : 出力端子の外部負荷容量
fSW : 端子スイッチング周波数
項目
端子内部負荷容量
記号
CINT
条件
容量値
4mA タイプ
1.93pF
8mA タイプ
3.45pF
12mA タイプ
3.42pF
お客様ご自身で消費電力を評価可能な場合には、ICC(Max)の値は以下のように算出してください。
(1) 常温(+25°C)にて電流値 ICC(Typ)を測定
(2) (1)の値に動作時最大リーク電流値 ICC(leak_max)を加算
ICC(Max) = ICC(Typ) + ICC(leak_max)
項目
動作時最大リーク電流
記号
条件
電流値
ICC(leak_max)
Tj = +125°C
Tj = +105°C
Tj = +85°C
45.5mA
26.8mA
16.2mA
74
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 電流説明図
Pd = VCC×ICC + Σ(IOL×VOL)+Σ((VCC-VOH)×(-IOH))
ICC = ICC(INT)+ΣICC(IO)
VCC
A
ICC
Chip
ICC(INT)
ΣICC(IO)
A IOL
Regulator
V VOL
・・・
Flash
VOH
A
IOH
・・・
Logic
V
RAM
ICC(IO)
CEXT
・・・
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
75
r1.0
MB9B360R シリーズ
3.
直流規格
(1) 電流規格
項目
電源電流
項目
電源電流
記号
ICC
記号
ICC
端子名
VCC
端子名
VCC
条件
周波数*4
通常動作*5,*6
(PLL)
160MHz
144MHz
120MHz
100MHz
80MHz
60MHz
40MHz
20MHz
8MHz
4MHz
160MHz
144MHz
120MHz
100MHz
80MHz
60MHz
40MHz
20MHz
8MHz
4MHz
条件
周波数*7
通常動作*8
(PLL)
160MHz
144MHz
120MHz
100MHz
80MHz
60MHz
40MHz
20MHz
8MHz
4MHz
160MHz
144MHz
120MHz
100MHz
80MHz
60MHz
40MHz
20MHz
8MHz
4MHz
76
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
規格値
標準*1 最大*2
54
103
49
98
41
90
35
84
28
77
22
71
16
64
8.9
58
5.1
54
3.8
53
34
83
31
80
26
75
22
71
18
67
14
63
10
59
6.2
55
3.8
53
3.1
52
規格値
標準*1 最大*2
74
126
68
120
59
112
52
104
44
97
36
89
27
79
17
67
8.3
58
5.4
55
51
103
47
100
42
94
37
90
33
85
28
80
21
73
13
64
6.9
56
4.6
54
単位
備考
mA
*3
周辺クロック
すべて ON 時
mA
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
単位
備考
mA
*3
周辺クロック
すべて ON 時
mA
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
*1:Ta=+25°C,VCC=3.3V
*2:Tj=+125°C,VCC=5.5V
*3:全ポート固定時
*4:周波数は HCLK の値です。PCLK0=PCLK1=PCLK2=HCLK/2。
*5: フラッシュアクセラレータモード, トレースバッファ機能動作
(FRWTR.RWT = 10, FBFCR.BE = 1)のとき
*6: メインフラッシュメモリへのデータアクセスなし。
*7:周波数は HCLK の値です。PCLK0=PCLK2=HCLK/2, PCLK1=HCLK。
*8: フラッシュアクセラレータモード, トレースバッファ機能停止
(FRWTR.RWT = 10, FBFCR.BE = 0)のとき
項目
電源電流
記号
ICC
端子名
VCC
条件
周波数*4
通常動作*5
(PLL)
72MHz
60MHz
48MHz
36MHz
24MHz
12MHz
8MHz
4MHz
72MHz
60MHz
48MHz
36MHz
24MHz
12MHz
8MHz
4MHz
規格値
標準*1 最大*2
46
98
40
92
33
85
27
78
19
70
11
61
8.5
58
5.5
55
33
85
29
81
25
76
20
71
15
65
9.2
59
6.9
56
4.6
54
単位
備考
mA
*3
周辺クロック
すべて ON 時
mA
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
*1:Ta=+25°C,VCC=3.3V
*2:Tj=+125°C,VCC=5.5V
*3:全ポート固定時
*4:周波数は HCLK の値です。PCLK0=PCLK1=PCLK2=HCLK。
*5: 0 wait-cycle (FRWTR.RWT = 00, FSYNDN.SD = 000)のとき
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
77
r1.0
MB9B360R シリーズ
項目
記号
端子名
条件
通常動作*5
(内蔵高速 CR)
電源電流
ICC
VCC
通常動作*5
(サブ発振)
通常動作*5
(内蔵低速 CR)
周波数*4
規格値
標準*1 最大*2
単位
3.3
51
mA
2.8
51
mA
0.64
48
mA
0.56
48
mA
0.64
48
mA
0.58
48
mA
4MHz
32kHz
100kHz
備考
*3
周辺クロック
すべて ON 時
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
*3
周辺クロック
すべて ON 時
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
*3
周辺クロック
すべて ON 時
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
*1:Ta=+25°C,VCC=3.3V
*2:Tj=+125°C,VCC=5.5V
*3:全ポート固定時
*4:周波数は HCLK の値です。PCLK0=PCLK1=PCLK2=HCLK/2。
*5: 0 wait-cycle (FRWTR.RWT = 00, FSYNDN.SD = 000)のとき
78
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
項目
電源電流
項目
電源電流
記号
ICCS
記号
ICCS
端子名
VCC
端子名
VCC
条件
周波数*4
SLEEP 動作
(PLL)
160MHz
144MHz
120MHz
100MHz
80MHz
60MHz
40MHz
20MHz
8MHz
4MHz
160MHz
144MHz
120MHz
100MHz
80MHz
60MHz
40MHz
20MHz
8MHz
4MHz
条件
周波数*5
SLEEP 動作
(PLL)
72MHz
60MHz
48MHz
36MHz
24MHz
12MHz
8MHz
4MHz
72MHz
60MHz
48MHz
36MHz
24MHz
12MHz
8MHz
4MHz
規格値
標準*1 最大*2
35
84
32
81
27
76
23
72
19
68
15
64
11
60
6.5
55
4.1
53
3.3
52
16
65
14
63
12
61
11
60
9.0
58
7.4
56
5.6
54
3.9
53
2.9
52
2.6
51
規格値
標準*1 最大*2
22
71
19
68
16
64
12
61
9.0
58
5.8
55
4.6
54
3.6
52
9.5
58
8.3
57
7.1
56
5.8
55
4.6
53
3.5
52
3.0
52
2.7
51
単位
備考
mA
*3
周辺クロック
すべて ON 時
mA
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
単位
備考
mA
*3
周辺クロック
すべて ON 時
mA
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
*1:Ta=+25°C,VCC=3.3V
*2:Tj=+125°C,VCC=5.5V
*3:全ポート固定時
*4:周波数は HCLK の値です。PCLK0=PCLK1=PCLK2=HCLK/2。
*5:周波数は HCLK の値です。PCLK0=PCLK1=PCLK2=HCLK。
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
79
r1.0
MB9B360R シリーズ
項目
記号
端子名
条件
SLEEP 動作
(内蔵高速 CR)
電源電流
ICCS
VCC
SLEEP 動作
(サブ発振)
SLEEP 動作
(内蔵低速 CR)
周波数*4
規格値
標準*1 最大*2
単位
1.5
49
mA
1.0
49
mA
0.59
48
mA
0.51
48
mA
4MHz
32kHz
備考
*3
周辺クロック
すべて ON 時
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
*3
周辺クロック
すべて ON 時
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
0.61
48
mA
*3
周辺クロック
すべて ON 時
0.53
48
mA
*3
周辺クロック
すべて OFF 時
100kHz
*1:Ta=+25°C, VCC=3.3V
*2:Tj=+125°C, VCC=5.5V
*3:全ポート固定時
*4:周波数は HCLK の値です。PCLK0=PCLK1=PCLK2=HCLK/2。
80
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
項目
記号
端子名
条件
ストップモード
ICCH
タイマモード
(内蔵高速 CR)
電源電流
ICCT
VCC
タイマモード
(サブ発振)
タイマモード
(内蔵低速 CR)
ICCR
RTC モード
(サブ発振)
周波数
-
4MHz
32kHz
100kHz
32kHz
規格値
標準*1 最大*2
単位
0.33
1.8
mA
-
15
mA
-
22
mA
0.70
2.2
mA
-
16
mA
-
22
mA
0.33
1.8
mA
-
15
mA
-
22
mA
0.34
1.8
mA
-
15
mA
-
22
mA
0.33
1.8
mA
-
15
mA
-
22
mA
備考
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*1:VCC=3.3V
*2:VCC=5.5V
*3:全ポート固定時
*4:LVD OFF 時
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
81
r1.0
MB9B360R シリーズ
項目
記号
端子名
条件
周波数
ディープ
スタンバイス
トップ
モード
(RAM OFF 時)
ICCHD
ディープ
スタンバイス
トップ
モード
(RAM ON 時)
規格値
単位
標準*1 最大*2
29
140
µA
-
644
µA
-
1011
µA
48
273
µA
-
2676
µA
-
4162
µA
29
140
µA
-
644
µA
-
1011
µA
48
273
µA
-
2676
µA
-
4162
µA
0.015
0.29
µA
-
5.77
µA
-
10.6
µA
1.53
22.6
µA
-
35.2
µA
-
41.8
µA
-
VCC
ディープ
スタンバイ
RTC モード
(RAM OFF 時)
電源電流
ICCRD
32kHz
ディープ
スタンバイ
RTC モード
(RAM ON 時)
RTC 停止
ICCVBAT
VBAT
-
RTC 動作
備考
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*3, *4, *5
Ta=+25°C
*3, *4, *5
Ta=+85°C
*3, *4, *5
Ta=+105°C
*3, *4
Ta=+25°C
*3, *4
Ta=+85°C
*3, *4
Ta=+105°C
*1:VCC=3.3V
*2:VCC=5.5V
*3:全ポート固定時
*4:LVD OFF 時
*5:サブ発振 OFF 時
82
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
項目
記号
低電圧
検出回路
(LVD)
電源電流
ICCLVD
メインフラッ
シュメモリ
書込み/消去
電流
ワークフラッ
シュメモリ
書込み/消去
電流
端子名
ICCFLASH
条件
VCC
ICCWFLASH
最小
規格値
単位
標準 最大
動作時
-
4
7
μA
書込み/
消去時
-
13.4
15.9
mA
書込み/
消去時
-
11.5
13.6
mA
備考
割込み発生用
・ ペリフェラル消費電流
クロック
系列
HCLK
PCLK1
PCLK2
周波数(MHz)
40
80
160
ペリフェラル
単位
GPIO
全ポート
0.22
0.43
0.85
DMAC
-
0.74
1.48
2.88
DSTC
-
0.32
0.61
1.17
外部バス I/F
-
0.14
0.27
0.55
SD カード I/F
-
0.93
1.81
3.63
USB
1ch.
0.34
0.67
1.33
ベースタイマ
4ch.
0.16
0.34
0.66
多機能タイマ/PPG
1unit/4ch.
0.55
1.09
2.17
クアッドカウンタ
1unit
0.04
0.09
0.17
A/DC
1unit
0.20
0.39
0.78
マルチファンク
ションシリアル
1ch.
0.31
0.62
-
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
単位
備考
mA
mA
mA
83
r1.0
MB9B360R シリーズ
(2) 端子特性
(VCC = USBVCC = AVCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = AVSS = 0V)
項目
"H"レベル
入力電圧
(ヒステリシ
ス入力)
"L"レベル
入力電圧
(ヒステリシ
ス入力)
記号
VIHS
VILS
端子名
CMOS
ヒステリシ
ス入力端子,
MD0, MD1
5V
トレラント
入力端子
I2C Fm+
兼用
入力端子
CMOS
ヒステリシ
ス入力端子,
MD0, MD1
5V
トレラント
入力端子
I2C Fm+
兼用
入力端子
4mA
タイプ
8mA
タイプ
"H"レベル
出力電圧
VOH
12mA
タイプ
USB I/O
兼用
I2C Fm+
兼用
最小
規格値
標準
最大
-
VCC×0.8
-
VCC + 0.3
V
-
VCC×0.8
-
VSS + 5.5
V
-
VCC×0.7
-
VSS + 5.5
V
-
VSS - 0.3
-
VCC×0.2
V
-
VSS- 0.3
-
VCC×0.2
V
-
VSS
-
VCC×0.3
V
VCC - 0.5
-
VCC
V
VCC - 0.5
-
VCC
V
VCC - 0.5
-
VCC
V
USBVCC 0.4
-
USBVCC
V
VCC - 0.5
-
VCC
V
条件
VCC ≧ 4.5 V,
IOH = - 4mA
VCC < 4.5 V,
IOH = - 2mA
VCC ≧ 4.5 V,
IOH = - 8mA
VCC < 4.5 V,
IOH = - 4mA
VCC ≧ 4.5 V,
IOH = - 12mA
VCC < 4.5 V,
IOH = - 8mA
USBVCC ≧ 4.5 V,
IOH = - 20.5mA
USBVCC < 4.5 V,
IOH = -13.0mA
VCC ≧ 4.5 V,
IOH = - 4mA
VCC < 4.5 V,
IOH = - 3mA
84
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
単位
備考
GPIO 時
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
項目
記号
端子名
4mA
タイプ
8mA
タイプ
"L"レベル
出力電圧
VOL
12mA
タイプ
USB I/O
兼用
I2C Fm+
兼用
条件
VCC ≧ 4.5 V,
IOL = 4mA
VCC < 4.5 V,
IOL = 2mA
VCC ≧ 4.5 V,
IOH = 8mA
Vcc < 4.5 V,
IOH = 4mA
VCC ≧ 4.5 V,
IOL = 12mA
VCC < 4.5 V,
IOL = 8mA
USBVCC ≧ 4.5 V,
IOL = 18.5mA
USBVCC < 4.5 V,
IOL = 10.5mA
VCC ≧ 4.5 V,
IOH = 4mA
VCC < 4.5 V,
IOH = 3mA
VCC ≦ 5.5 V,
IOH = 20mA
規格値
最小 標準 最大
VSS
-
0.4
V
VSS
-
0.4
V
VSS
-
0.4
V
VSS
-
0.4
V
VSS
-
0.4
V
I2C
Fm+時
IIL
-
-
-5
-
+5
プルアップ
抵抗値
RPU
プルアップ
端子
VCC ≧ 4.5 V
25
50
100
VCC < 4.5 V
30
80
200
CIN
VCC,
USBVCC
VBAT,
VSS,
AVCC,
AVSS, AVRH
以外
-
-
5
15
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
備考
GPIO 時
入力リーク
電流
入力容量
単位
μA
kΩ
pF
85
r1.0
MB9B360R シリーズ
4.
交流規格
(1) メインクロック入力規格
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号 端子名
入力周波数
FCH
入力クロック周期
tCYLH
入力クロック
パルス幅
入力クロック
立上り, 立下り
時間
X0,
X1
tCF,
tCR
条件
規格値
最小
最大
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
PWH/tCYLH,
PWL/tCYLH
4
4
4
4
20.83
50
48
20
48
20
250
250
45
-
-
FCC
-
-
-
FCP0
FCP1
FCP2
-
-
-
tCYCC
-
-
6.25
1
内部動作クロック*
周波数
内部動作クロック*1
サイクル時間
tCYCP0
tCYCP1
tCYCP2
単位
備考
MHz
水晶発振子接続時
MHz
外部クロック時
ns
外部クロック時
55
%
外部クロック時
5
ns
外部クロック時
ベースクロック
(HCLK/FCLK)
80
MHz APB0 バスクロック*2
160
MHz APB1 バスクロック*2
80
MHz APB2 バスクロック*2
ベースクロック
ns
(HCLK/FCLK)
ns
APB0 バスクロック*2
ns
APB1 バスクロック*2
ns
APB2 バスクロック*2
ペリフェラルマニュアル』の『CHAPTER:
160
MHz
12.5
6.25
12.5
*1: 各内部動作クロックの詳細については、『FM4 ファミリ
クロック』を参照してください。
*2: 各ペリフェラルが接続されている APB バスについては「■ブロックダイヤグラム」を参照してく
ださい。
X0
86
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
(2) サブクロック入力規格
(VBAT = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号 端子名
1/
tCYLL
tCYLL
入力周波数
入力クロック周期
入力クロックパルス幅
条件
PWH/tCYLL,
PWL/tCYLL
X0A,
X1A
-
0.8 × VBAT
最小
規格値
標準
最大
32
10
32.768
-
45
-
単位
備考
100
31.25
kHz
kHz
μs
水晶発振接続時
外部クロック時
外部クロック時
55
%
外部クロック時
VBAT
X0A
VBAT
VBAT
VBAT
(3) 内蔵 CR 発振規格
・内蔵高速 CR
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
クロック周波数
記号
FCRH
条件
規格値
最小 標準 最大
Tj = -20°C ~ + 105°C
3.92
4
4.08
Tj = - 40°C ~ + 125°C
3.88
4
4.12
Tj = - 40°C ~ + 125°C
3
4
5
単位
備考
トリミング時*
MHz
非トリミング時
*: 出荷時に設定されるフラッシュメモリ内の CR トリミング領域の値を周波数トリミング値/温度トリ
ミング値に使用した場合
・内蔵低速 CR
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
条件
クロック周波数
FCRL
-
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
規格値
最小 標準 最大
50
100
150
単位
備考
kHz
87
r1.0
MB9B360R シリーズ
(4-1) メイン PLL の使用条件(PLL の入力クロックにメインクロックを使用)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
規格値
最小 標準 最大
単位
備考
PLL 発振安定待ち時間*1
tLOCK
200
μs
(LOCK UP 時間)
4
16
PLL 入力クロック周波数
FPLLI
MHz
13
80
PLL 逓倍率
逓倍
200
320 MHz
PLL マクロ発振クロック周波数
FPLLO
メイン PLL クロック周波数*2
FCLKPLL
160 MHz
*1: PLL の発振が安定するまでの待ち時間
*2: メイン PLL クロック(CLKPLL)の詳細については、『FM4 ファミリ ペリフェラルマニュアル』の
『CHAPTER:クロック』を参照してください。
(4-2) USB 用 PLL の使用条件(PLL の入力クロックにメインクロックを使用)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
規格値
単位
最小 標準 最大
備考
PLL 発振安定待ち時間*1
tLOCK
100
μs
(LOCK UP 時間)
4
16
PLL 入力クロック周波数
FPLLI
MHz
13
80
PLL 逓倍率
逓倍
200
320 MHz
PLL マクロ発振クロック周波数
FPLLO
USB クロック周波数*2
FCLKSPLL
48
MHz M 分周後の周波数
*1: PLL の発振が安定するまでの待ち時間
*2: USB クロックの詳細については、『FM4 ファミリ ペリフェラルマニュアル 通信マクロ編』の
『CHAPTER:USB クロック生成』を参照してください。
(4-3) メイン PLL の使用条件(メイン PLL の入力クロックに内蔵高速 CR クロックを使用)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
規格値
単位
最小 標準 最大
備考
PLL 発振安定待ち時間*1
tLOCK
200
μs
(LOCK UP 時間)
4.2 MHz
PLL 入力クロック周波数
FPLLI
3.8
4
75 逓倍
PLL 逓倍率
50
320 MHz
PLL マクロ発振クロック周波数
FPLLO
190
メイン PLL クロック周波数*2
FCLKPLL
160 MHz
*1: PLL の発振が安定するまでの待ち時間
*2: メイン PLL クロック(CLKPLL)の詳細については、『FM4 ファミリ ペリフェラルマニュアル』の
『CHAPTER:クロック』を参照してください。
(注意事項) メイン PLL のソースクロックには、必ず周波数トリミングおよび温度トリミングを行った
高速 CR クロック(CLKHC)を入力してください。
(5) リセット入力規格
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
リセット入力時間
記号
端子名
条件
tINITX
INITX
-
88
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
規格値
最小
最大
500
-
単位
備考
ns
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
(6) パワーオンリセットタイミング
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
電源立上り時間
規格値
端子名
最大
0
-
ms
1
-
ms
0.33
0.60
ms
Tr
電源断時間
Toff
パワーオンリセット
解除までの時間
Tprt
単位
最小
VCC
備考
VCC_minimum
VCC
VDL_minimum
0.2V
0.2V
0.2V
Tr
Tprt
Internal RST
Toff
RST Active
Release
CPU Operation
start
用語解説
・VCC_minimum: 推奨動作条件(VCC)の下限電圧
・VDL_minimum: 低電圧検出リセット検出電圧最小値。
「8.低電圧検出特性」を参照してください。
(7) GPIO 出力規格
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
出力周波数
記号
端子名
条件
tPCYCLE
Pxx*
VCC ≧ 4.5 V
VCC < 4.5 V
規格値
最小
最大
-
50
32
単位
MHz
MHz
*: GPIO が対象です。
Pxx
tPCYCLE
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
89
r1.0
MB9B360R シリーズ
(8) 外バスタイミング
・ 外バスクロック出力規格
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
端子名
条件
規格値
最小
最大
単位
VCC ≧ 4.5 V
50*2
MHz
VCC < 4.5 V
32*3
MHz
*1: 外バスクロック出力(MCLKOUT)は HCLK の分周クロックです。
設定の詳細は『FM4 ファミリ ペリフェラルマニュアル』の『CHAPTER:外部バスインタフェース』
を参照してください。
*2: AHB バスクロックが 100MHz を超えるときは 4 分周以上の設定で MCLKOUT を生成してくださ
い。
*3: AHB バスクロックが 64MHz を超えるときは 4 分周以上の設定で MCLKOUT を生成してください。
出力周波数
tCYCLE
MCLKOUT*1
0.8 × Vcc
0.8 × Vcc
MCLK
tCYCLE
・ 外バス信号入出力規格
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
条件
VIH
信号入力規格
VIL
VOH
信号出力規格
-
VOL
入力信号
出力信号
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
VOH
VOL
90
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
規格値
単位
0.8 × VCC
V
0.2 × VCC
V
0.8 × VCC
V
0.2 × VCC
V
備考
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ セパレートバスアクセス
非同期 SRAM モード
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
端子名
条件
MOEX
VCC≧4.5V
tOEW
MOEX
最小パルス幅
VCC < 4.5V
MCSX↓→アドレス
VCC≧4.5V
MCSX[7:0],
tCSL – AV
MAD[24:0]
出力遅延時間
VCC < 4.5V
MOEX↑→アドレス
VCC≧4.5V
MOEX,
tOEH - AX
MAD[24:0]
ホールド時間
VCC < 4.5V
MCSX↓→
VCC≧4.5V
tCSL - OEL
MOEX↓遅延時間
VCC < 4.5V
MOEX,
MCSX[7:0]
MOEX↑→
VCC≧4.5V
tOEH - CSH
MCSX↑時間
VCC < 4.5V
MCSX↓→MDQM↓
VCC≧4.5V
MCSX,
tCSL - RDQML
MDQM[1:0]
遅延時間
VCC < 4.5V
データセットアップ
VCC≧4.5V
MOEX,
tDS - OE
MADATA[15:0]
→MOEX↑時間
VCC < 4.5V
MOEX↑→
VCC≧4.5V
MOEX,
tDH - OE
MADATA[15:0]
データホールド時間
VCC < 4.5V
MWEX
VCC≧4.5V
tWEW
MWEX
最小パルス幅
VCC < 4.5V
MWEX↑→アドレ
VCC≧4.5V
MWEX,
tWEH - AX
MAD[24:0]
ス出力遅延時間
VCC < 4.5V
MCSX↓→MWEX↓
VCC≧4.5V
tCSL - WEL
遅延時間
VCC < 4.5V
MWEX,
MCSX[7:0]
MWEX↑→MCSX↑
VCC≧4.5V
tWEH - CSH
遅延時間
VCC < 4.5V
MCSX↓→MDQM↓
VCC≧4.5V
MCSX,
tCSL-WDQML
MDQM[1:0]
遅延時間
VCC < 4.5V
MCSX↓→
VCC≧4.5V
MCSX,
tCSL-DX
データ出力時間
MADATA[15:0]
VCC < 4.5V
MWEX↑→
VCC≧4.5V
MWEX,
tWEH - DX
MADATA[15:0]
データホールド時間
VCC < 4.5V
(注意事項) 外部負荷容量 CL= 30pF 時 (m=0~15, n=1~16)
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
規格値
単位
最小
最大
MCLK×n-3
-
-9
-12
MCLK×m-9
MCLK×m-12
20
38
+9
+12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
-
0
-
ns
MCLK×n-3
-
ns
0
MCLK×m-9
MCLK×m-12
0
0
MCLK×n-9
MCLK×n-12
0
MCLK×n-9
MCLK×n-12
MCLK-9
MCLK-12
0
MCLK×m+9
MCLK×m+12
MCLK×n+9
MCLK×n+12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
MCLK×n+9
MCLK×n+12
MCLK+9
MCLK+12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
91
r1.0
MB9B360R シリーズ
tCYCLE
MCLK
tOEH-CSH
MCSX[7:0]
tCSL-AV
MAD[24:0]
tWEH-CSH
tOEH-AX
Address
tWEH-AX
tCSL-AV
Address
tCSL-OEL
MOEX
tOEW
tCSL-WDQML
tCSL-RDQML
MDQM[1:0]
tCSL-WEL
tWEW
MWEX
MADATA[15:0]
tDS-OE
tDH-OE
RD
tWEH-DX
WD
Invalid
tCSL-DX
92
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ セパレートバスアクセス
同期 SRAM モード
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
アドレス遅延時間
端子名
条件
tAV
MCLK,
MAD[24:0]
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
tCSL
MCLK,
MCSX[7:0]
MCSX 遅延時間
tCSH
tREL
MCLK,
MOEX
MOEX 遅延時間
tREH
データセットアップ
→MCLK↑時間
MCLK↑→
データホールド時間
MCLK,
MADATA[15:0]
MCLK,
MADATA[15:0]
tDS
tDH
tWEL
MCLK,
MWEX
MWEX 遅延時間
tWEH
MDQM[1:0]
遅延時間
規格値
記号
tDQML
tDQMH
MCLK,
MDQM[1:0]
MCLK↑→
MCLK,
tODS
MADATA[15:0]
データ出力時間
MCLK↑→
MCLK,
tOD
データホールド時間
MADATA[15:0]
(注意事項) 外部負荷容量 CL= 30pF 時
最小
1
1
1
1
1
最大
9
12
9
12
9
12
9
12
9
12
単位
ns
ns
ns
ns
ns
19
37
-
ns
0
-
ns
1
1
1
1
MCLK+1
1
9
12
9
12
9
12
9
12
MCLK+18
MCLK+24
18
24
ns
ns
ns
ns
ns
ns
tCYCLE
MCLK
tCSL
tCSH
MCSX[7:0]
tAV
tAV
Address
MAD[24:0]
Address
tREL
tREH
tDQML
tDQMH
MOEX
tDQML
tDQMH
tWEL
tWEH
MDQM[1:0]
MWEX
MADATA[15:0]
tDS
tDH
RD
tOD
WD
Invalid
tODS
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
93
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ マルチプレクスバスアクセス 非同期 SRAM モード
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
マルチプレクス
アドレス遅延時間
マルチプレクス
アドレスホールド
時間
記号
端子名
tALE-CHMADV
tCHMADH
MALE,
MADATA[15:0]
条件
規格値
最小
最大
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
0
10
20
VCC≧4.5V
MCLK×n+0
MCLK×n+10
VCC < 4.5V
MCLK×n+0
MCLK×n+20
単位
ns
ns
(注意事項) 外部負荷容量 CL = 30pF 時 (m=0 ~ 15, n=1 ~ 16)
MCLK
MCSX[7:0]
MALE
MAD [24:0]
MOEX
MDQM [1:0]
MWEX
MADATA[15:0]
94
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ マルチプレクスバスアクセス 同期 SRAM モード
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
tCHAL
MALE 遅延時間
tCHAH
MCLK↑→
マルチプレクス
アドレス遅延時間
端子名
条件
MCLK,
ALE
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
規格値
最小
最大
単位 備考
9
12
9
12
ns
ns
ns
ns
1
tOD
ns
1
tOD
ns
1
1
VCC≧4.5V
tCHMADV
MCLK,
MADATA[15:0]
MCLK↑→
マルチプレクス
tCHMADX
データ出力時間
(注意事項) 外部負荷容量 CL= 30pF 時
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
MCLK
MCSX[7:0]
MALE
MAD [24:0]
MOEX
MDQM [1:0]
MWEX
MADATA[15:0]
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
95
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ NAND フラッシュモード
項目
記号
端子名
条件
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
規格値
単位
最小
最大
MNREX
VCC≧4.5V
tNREW
MNREX
MCLK×n-3
最小パルス幅
VCC < 4.5V
データセットアップ
VCC≧4.5V
20
MNREX,
tDS – NRE
MADATA[15:0] VCC < 4.5V
→MNREX↑時間
38
MNREX↑→
VCC≧4.5V
MNREX,
tDH – NRE
0
MADATA[15:0] VCC < 4.5V
データホールド時間
MNALE↑→
VCC≧4.5V MCLK×m-9
MNALE,
tALEH - NWEL
MNWEX
MNWEX 遅延時間
VCC < 4.5V MCLK×m-12
MNALE↓→
VCC≧4.5V MCLK×m-9
MNALE,
tALEL - NWEL
MNWEX
MNWEX 遅延時間
VCC < 4.5V MCLK×m-12
MNCLE↑→
VCC≧4.5V MCLK×m-9
MNCLE,
tCLEH - NWEL
MNWEX
MNWEX 遅延時間
VCC < 4.5V MCLK×m-12
MNWEX↑→
VCC≧4.5V
MNCLE,
tNWEH - CLEL
0
MNWEX
MNCLE 遅延時間
VCC < 4.5V
MNWEX
VCC≧4.5V
tNWEW
MNWEX
MCLK×n-3
最小パルス幅
VCC < 4.5V
MNWEX↓→
VCC≧4.5V
-9
MNWEX,
tNWEL – DV
MADATA[15:0]
データ出力時間
VCC < 4.5V
-12
MNWEX↑→
VCC≧4.5V
MNWEX,
t
0
データホールド時間 NWEH – DX MADATA[15:0] VCC < 4.5V
(注意事項) 外部負荷容量 CL= 30pF 時 (m=0 ~ 15, n=1 ~ 16)
96
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
-
ns
-
ns
-
ns
MCLK×m+9
MCLK×m+12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
+9
+12
MCLK×m+9
MCLK×m+12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
NAND フラッシュリード
MCLK
MNREX
MADATA[15:0]
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
リード
97
r1.0
MB9B360R シリーズ
NAND フラッシュアドレスライト
MCLK
MNALE
MNCLE
MNWEX
MADATA[15:0]
ライト
NAND フラッシュコマンドライト
MCLK
MNALE
MNCLE
MNWEX
MADATA[15:0]
98
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
ライト
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 外部 RDY 入力タイミング
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
MCLK↑
MRDY 入力
セットアップ時間
記号
端子名
tRDYI
MCLK,
MRDY
条件
規格値
最小
VCC≧4.5V
19
VCC < 4.5V
37
最大
単位 備考
-
ns
RDY 入力時
···
MCLK
Over 2cycle
Original
MOEX
MWEX
tRDYI
MRDY
RDY 解除時
MCLK
··· ···
2 cycles
Extended
MOEX
MWEX
MRDY
tRDYI
0.5×VCC
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
99
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ SDRAM モード
(VCC = 2.7V ~ 3.6V, VSS = 0V)
項目
記号
端子名
出力周波数
tCYCSD
アドレス遅延時間
tAOSD
MSDCLK
MSDCLK,
MAD[15:0]
MSDCLK,
MADATA[31:0]
MSDCLK,
MADATA[31:0]
MSDCLK,
MDQM[1:0]
MSDCLK,
MCSX8
MSDCLK,
MRASX
MSDCLK,
MCASX
MSDCLK,
MSDWEX
MSDCLK,
MSDCKE
MSDCLK,
MADATA[31:0]
MSDCLK,
MADATA[31:0]
MSDCLK↑→データ
出力遅延時間
MSDCLK↑→データ
出力 Hi-Z 時間
tDOSD
tDOZSD
MDQM[1:0]遅延時間
tWROSD
MCSX 遅延時間
tMCSSD
MRASX 遅延時間
tRASSD
MCASX 遅延時間
tCASSD
MSDWEX 遅延時間
tMWESD
MSDCKE 遅延時間
tCKESD
データセットアップ時間
tDSSD
データホールド時間
tDHSD
規格値
単位
最小
最大
-
32
MHz
2
12
ns
2
12
ns
2
20
ns
1
12
ns
2
12
ns
2
12
ns
2
12
ns
2
12
ns
2
12
ns
23
-
ns
0
-
ns
(注意事項) 外部負荷容量 CL= 30pF 時
100
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
SDRAM アクセス
tCYCSD
MSDCLK
tAOSD
Address
MAD[24:0]
MDQM[1:0]
MCSX
MRASX
MCASX
MSDWEX
MSDCKE
tWROSD
tMCSSD
tRASSD
tCASSD
tMWESD
tCKESD
tDSSD
MADATA[15:0]
tDHSD
RD
tDOSD
MADATA[15:0]
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
tDOZSD
WD
101
r1.0
MB9B360R シリーズ
(9) ベースタイマ入力タイミング
・ タイマ入力タイミング
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
入力パルス幅
記号
端子名
条件
tTIWH,
tTIWL
TIOAn/TIOBn
(ECK, TIN として
使用するとき)
-
tTIWH
規格値
最小
最大
2tCYCP
-
単位
備考
ns
tTIWL
ECK
TIN
VIHS
VIHS
VILS
VILS
・ トリガ入力タイミング
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
端子名
条件
入力パルス幅
tTRGH,
tTRGL
TIOAn/TIOBn
(TGIN として
使用するとき)
-
tTRGH
TGIN
VIHS
規格値
最小
最大
2tCYCP
-
単位
備考
ns
tTRGL
VIHS
VILS
VILS
(注意事項) tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
ベースタイマが接続されている APB バス番号については「■ブロックダイヤグラム」を
参照してください。
102
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
(10) UART タイミング
・ 同期シリアル(SPI = 0, SCINV = 0)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号 端子名
シリアルクロック
サイクルタイム
tSCYC
SCK↓→SOT 遅延時間
tSLOVI
SIN→SCK↑
セットアップ時間
tIVSHI
SCK↑→SIN ホールド時間
tSHIXI
シリアルクロック
"L"パルス幅
シリアルクロック
"H"パルス幅
SCKx,
SOTx 内部シフト
SCKx, クロック動作
SINx
SCKx,
SINx
SCKx
tSHSL
SCKx
tSLOVE
SIN→SCK↑
セットアップ時間
tIVSHE
SCK↑→SIN ホールド時間
tSHIXE
SCK 立下り時間
SCK 立上り時間
SCKx
tSLSH
SCK↓→SOT 遅延時間
tF
tR
条件
SCKx,
SOTx 外部シフト
SCKx, クロック動作
SINx
SCKx,
SINx
SCKx
SCKx
VCC < 4.5V
最小
最大
VCC≧4.5V
単位
最小
最大
4tCYCP
-
4tCYCP
-
ns
-30
+30
- 20
+ 20
ns
50
-
30
-
ns
0
-
0
-
ns
-
ns
-
ns
2tCYCP 10
tCYCP +
10
-
2tCYCP 10
tCYCP +
10
-
50
-
30
ns
10
-
10
-
ns
20
-
20
-
ns
-
5
5
-
5
5
ns
ns
(注意事項) ・CLK 同期モード時の交流規格です。
・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・本規格は同リロケート・ポート番号のみの保証です。
例えば SCLKx_0, SOTx_1 の組み合わせは保証外です。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
103
r1.0
MB9B360R シリーズ
tSCYC
VOH
SCK
VOL
VOL
tSLOVI
VOH
VOL
SOT
tIVSHI
tSHIXI
VIH
VIL
VIH
VIL
SIN
MS ビット = 0
tSLSH
SCK
VIH
tF
SOT
SIN
tSHSL
VIL
VIL
VIH
VIH
tR
tSLOVE
VOH
VOL
tIVSHE
VIH
VIL
tSHIXE
VIH
VIL
MS ビット = 1
104
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 同期シリアル(SPI = 0, SCINV = 1)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号 端子名
シリアルクロック
サイクルタイム
tSCYC
SCK↑→SOT 遅延時間
tSHOVI
SIN→SCK↓
セットアップ時間
tIVSLI
SCK↓→SIN ホールド時間
tSLIXI
シリアルクロック
"L"パルス幅
シリアルクロック
"H"パルス幅
SCKx,
内部シフト
SOTx
SCKx, クロック動作
SINx
SCKx,
SINx
SCKx
tSHSL
SCKx
tSHOVE
SIN→SCK↓
セットアップ時間
tIVSLE
SCK↓→SIN ホールド時間
tSLIXE
SCK 立下り時間
SCK 立上り時間
SCKx
tSLSH
SCK↑→SOT 遅延時間
tF
tR
条件
SCKx,
SOTx
外部シフト
SCKx, クロック動作
SINx
SCKx,
SINx
SCKx
SCKx
VCC < 4.5V
最小 最大
VCC≧4.5V
単位
最小 最大
4tCYCP
-
4tCYCP
-
ns
-30
+ 30
- 20
+ 20
ns
50
-
30
-
ns
0
-
0
-
ns
-
ns
-
ns
2tCYCP 10
tCYCP +
10
-
2tCYCP 10
tCYCP +
10
-
50
-
30
ns
10
-
10
-
ns
20
-
20
-
ns
-
5
5
-
5
5
ns
ns
(注意事項) ・CLK 同期モード時の交流規格です。
・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・本規格は同リロケート・ポート番号のみの保証です。
例えば SCLKx_0, SOTx_1 の組み合わせは保証外です。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
105
r1.0
MB9B360R シリーズ
tSCYC
VOH
SCK
VOH
VOL
tSHOVI
VOH
VOL
SOT
tIVSLI
VIH
VIL
SIN
tSLIXI
VIH
VIL
MS ビット = 0
tSHSL
SCK
VIL
tR
SOT
tSLSH
VIH
VIH
VIL
VIL
tF
tSHOVE
VOH
VOL
tIVSLE
VIH
VIL
SIN
tSLIXE
VIH
VIL
MS ビット = 1
106
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 同期シリアル(SPI = 1, SCINV = 0)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号 端子名
シリアルクロック
サイクルタイム
tSCYC
SCK↑→SOT 遅延時間
tSHOVI
SIN→SCK↓
セットアップ時間
tIVSLI
SCK↓→SIN ホールド時間
tSLIXI
SOT→SCK↓遅延時間
tSOVLI
シリアルクロック
"L"パルス幅
シリアルクロック
"H"パルス幅
SCKx,
SOTx
SCKx, 内部シフト
SINx クロック動作
SCKx,
SINx
SCKx,
SOTx
SCKx
tSHSL
SCKx
tSHOVE
SIN→SCK↓
セットアップ時間
tIVSLE
SCK↓→SIN ホールド時間
tSLIXE
SCK 立下り時間
SCK 立上り時間
SCKx
tSLSH
SCK↑→SOT 遅延時間
tF
tR
条件
SCKx,
SOTx 外部シフト
SCKx, クロック動作
SINx
SCKx,
SINx
SCKx
SCKx
VCC < 4.5V
最小
最大
VCC≧4.5V
単位
最小
最大
4tCYCP
-
4tCYCP
-
ns
-30
+ 30
- 20
+ 20
ns
50
-
30
-
ns
0
-
0
-
ns
-
ns
-
ns
-
ns
2tCYCP 30
2tCYCP 10
tCYCP +
10
-
2tCYCP 30
2tCYCP 10
tCYCP +
10
-
50
-
30
ns
10
-
10
-
ns
20
-
20
-
ns
-
5
5
-
5
5
ns
ns
(注意事項) ・CLK 同期モード時の交流規格です。
・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・本規格は同リロケート・ポート番号のみの保証です。
例えば SCLKx_0, SOTx_1 の組み合わせは保証外です。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
107
r1.0
MB9B360R シリーズ
tSCYC
VOH
SCK
SOT
VOL
tSOVLI
VOH
VOL
VOH
VOL
tIVSLI
tSLIXI
VIH
VIL
SIN
VOL
tSHOVI
VIH
VIL
MS ビット = 0
tSLSH
SCK
VIH
tR
VIH
tSHOVE
VOH
VOL
VOH
VOL
tIVSLE
SIN
VIH
VIL
tF
*
SOT
VIL
tSHSL
tSLIXE
VIH
VIL
VIH
VIL
MS ビット = 1
* : TDR レジスタにライトすると変化
108
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 同期シリアル(SPI = 1, SCINV = 1)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号 端子名
シリアルクロック
サイクルタイム
tSCYC
SCK↓→SOT 遅延時間
tSLOVI
SIN→SCK↑
セットアップ時間
tIVSHI
SCK↑→SIN ホールド時間
tSHIXI
SOT→SCK↑遅延時間
tSOVHI
シリアルクロック
"L"パルス幅
シリアルクロック
"H"パルス幅
SCKx,
SOTx
SCKx, 内部シフト
SINx クロック動作
SCKx,
SINx
SCKx,
SOTx
SCKx
tSHSL
SCKx
tSLOVE
SIN→SCK↑
セットアップ時間
tIVSHE
SCK↑→SIN ホールド時間
tSHIXE
SCK 立下り時間
SCK 立上り時間
SCKx
tSLSH
SCK↓→SOT 遅延時間
tF
tR
条件
SCKx,
外部シフト
SOTx
SCKx, クロック動作
SINx
SCKx,
SINx
SCKx
SCKx
VCC < 4.5V
最小
最大
VCC≧4.5V
単位
最小 最大
4tCYCP
-
4tCYCP
-
ns
- 30
+ 30
- 20
+ 20
ns
50
-
30
-
ns
0
-
0
-
ns
-
ns
-
ns
-
ns
2tCYCP 30
2tCYCP 10
tCYCP +
10
-
2tCYCP 30
2tCYCP 10
tCYCP +
10
-
50
-
30
ns
10
-
10
-
ns
20
-
20
-
ns
-
5
5
-
5
5
ns
ns
(注意事項) ・CLK 同期モード時の交流規格です。
・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・本規格は同リロケート・ポート番号のみの保証です。
例えば SCLKx_0, SOTx_1 の組み合わせは保証外です。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
109
r1.0
MB9B360R シリーズ
tSCYC
VOH
SCK
tSOVHI
SOT
tSLOVI
VOH
VOL
VOH
VOL
tSHIXI
tIVSHI
VIH
VIL
SIN
VOH
VOL
VIH
VIL
MS ビット = 0
tSHSL
tR
SCK
VIL
VIH
tSLSH
VIH
VIL
tF
VIL
VIH
tSLOVE
SOT
VOH
VOL
VOH
VOL
tIVSHE
SIN
tSHIXE
VIH
VIL
VIH
VIL
MS ビット = 1
110
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 同期シリアル
チップセレクト使用時(SPI = 1, SCINV = 0, MS=0, CSLVL=1)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
条件
tCSSI
内部
シフト
クロック
動作
SCS↓→SCK↓セットアップ
時間
SCK↑→SCS↑ホールド時間
tCSHI
SCS ディセレクト時間
tCSDI
SCS↓→SCK↓セットアップ
時間
SCK↑→SCS↑ホールド時間
SCS ディセレクト時間
SCS↓→SOT 遅延時間
SCS↑→SOT 遅延時間
tCSSE
tCSHE
tCSDE
tDSE
tDEE
外部
シフト
クロック
動作
VCC < 4.5V
最小
最大
VCC≧4.5V
最小
最大
単位
(*1)-50
(*1)+0
(*1)-50
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*3)-50
+5tCYCP
(*2)+50
(*3)+50
+5tCYCP
(*2)+0
(*3)-50
+5tCYCP
(*2)+50
(*3)+50
+5tCYCP
ns
3tCYCP+30
-
3tCYCP+30
-
ns
0
3tCYCP+30
0
40
-
0
3tCYCP+30
0
40
-
ns
ns
ns
ns
ns
(*1):CSSU ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*2):CSHD ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*3):CSDS ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(注意事項) ・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・CSSU, CSHD, CSDS, シリアルチップセレクトタイミング動作クロックは『FM4
ファミリ ペリフェラルマニュアル』を参照してください。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
111
r1.0
MB9B360R シリーズ
SCS 出力
tCSDI
tCSSI
tCSHI
tCSSE
tCSHE
SCK 出力
SOT
(SPI=0)
SOT
(SPI=1)
SCS 入力
tCSDE
SCK 入力
tDEE
SOT
(SPI=0)
tDSE
SOT
(SPI=1)
112
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 同期シリアル
チップセレクト使用時(SPI = 1, SCINV = 1, MS=0, CSLVL=1)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
条件
tCSSI
内部シフト
クロック
動作
SCS↓→SCK↑セットアップ
時間
SCK↓→SCS↑ホールド時間
tCSHI
SCS ディセレクト時間
tCSDI
SCS↓→SCK↑セットアップ
時間
SCK↓→SCS↑ホールド時間
SCS ディセレクト時間
SCS↓→SOT 遅延時間
SCS↑→SOT 遅延時間
tCSSE
tCSHE
tCSDE
tDSE
tDEE
外部シフト
クロック
動作
VCC < 4.5V
最小
最大
VCC≧4.5V
最小
最大
単
位
(*1)-50
(*1)+0
(*1)-50
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*3)-50
+5tCYCP
(*2)+50
(*3)+50
+5tCYCP
(*2)+0
(*3)-50
+5tCYCP
(*2)+50
(*3)+50
+5tCYCP
ns
3tCYCP+30
-
3tCYCP+30
-
ns
0
3tCYCP+30
0
40
-
0
3tCYCP+30
0
40
-
ns
ns
ns
ns
ns
(*1):CSSU ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*2):CSHD ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*3):CSDS ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(注意事項) ・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・CSSU, CSHD, CSDS, シリアルチップセレクトタイミング動作クロックは『FM4
ファミリ ペリフェラルマニュアル』を参照してください。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
113
r1.0
MB9B360R シリーズ
SCS 出力
tCSDI
tCSSI
tCSHI
SCK 出力
SOT
(SPI=0)
SOT
(SPI=1)
SCS 入力
tCSDE
tCSSE
tCSHE
SCK 入力
tDEE
SOT
(SPI=0)
tDSE
SOT
(SPI=1)
114
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 同期シリアル
チップセレクト使用時(SPI = 1, SCINV = 0, MS=0, CSLVL=0)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
条件
tCSSI
内部シフト
クロック
動作
SCS↑→SCK↓セットアップ
時間
SCK↑→SCS↓ホールド時間
tCSHI
SCS ディセレクト時間
tCSDI
SCS↑→SCK↓セットアップ
時間
SCK↑→SCS↓ホールド時間
SCS ディセレクト時間
SCS↑→SOT 遅延時間
SCS↓→SOT 遅延時間
tCSSE
tCSHE
tCSDE
tDSE
tDEE
外部シフト
クロック
動作
VCC < 4.5V
最小
最大
VCC≧4.5V
最小
最大
単
位
(*1)-50
(*1)+0
(*1)-50
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*3)-50
+5tCYCP
(*2)+50
(*3)+50
+5tCYCP
(*2)+0
(*3)-50
+5tCYCP
(*2)+50
(*3)+50
+5tCYCP
ns
3tCYCP+30
-
3tCYCP+30
-
ns
0
40
-
0
40
-
ns
ns
ns
ns
3tCYCP+30
0
3tCYCP+30
0
ns
(*1):CSSU ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*2):CSHD ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*3):CSDS ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(注意事項) ・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・CSSU, CSHD, CSDS, シリアルチップセレクトタイミング動作クロックは『FM4
ファミリ ペリフェラルマニュアル』を参照してください。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
115
r1.0
MB9B360R シリーズ
tCSDI
SCS 出力
tCSSI
tCSHI
SCK 出力
SOT
(SPI=0)
SOT
(SPI=1)
tCSDE
SCS 入力
tCSSE
tCSHE
SCK 入力
tDEE
SOT
(SPI=0)
SOT
(SPI=1)
tDSE
116
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 同期シリアル
チップセレクト使用時(SPI = 1, SCINV = 1, MS=0, CSLVL=0)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
条件
tCSSI
内部シフト
クロック
動作
SCS↑→SCK↑セットアップ
時間
SCK↓→SCS↓ホールド時間
tCSHI
SCS ディセレクト時間
tCSDI
SCS↑→SCK↑セットアップ
時間
SCK↓→SCS↓ホールド時間
SCS ディセレクト時間
SCS↑→SOT 遅延時間
SCS↓→SOT 遅延時間
tCSSE
tCSHE
tCSDE
tDSE
tDEE
外部シフト
クロック
動作
VCC < 4.5V
最小
最大
VCC≧4.5V
最小
最大
単
位
(*1)-50
(*1)+0
(*1)-50
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*3)-50
+5tCYCP
(*2)+50
(*3)+50
+5tCYCP
(*2)+0
(*3)-50
+5tCYCP
(*2)+50
(*3)+50
+5tCYCP
ns
3tCYCP+30
-
3tCYCP+30
-
ns
0
40
-
0
40
-
ns
ns
ns
ns
3tCYCP+30
0
3tCYCP+30
0
ns
(*1):CSSU ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*2):CSHD ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*3):CSDS ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(注意事項) ・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・CSSU, CSHD, CSDS, シリアルチップセレクトタイミング動作クロックは『FM4
ファミリ ペリフェラルマニュアル』を参照してください。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
117
r1.0
MB9B360R シリーズ
tCSDI
SCS 出力
tCSSI
tCSHI
SCK 出力
SOT
(SPI=0)
SOT
(SPI=1)
SCS 入力
tCSDE
tCSSE
tCSHE
SCK 入力
tDEE
SOT
(SPI=0)
SOT
(SPI=1)
tDSE
118
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 高速同期シリアル(SPI = 0, SCINV = 0)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
Vcc≧4.5V
最小 最大
単
位
4tCYCP
-
4tCYCP
-
ns
-10
+10
-10
+10
ns
14
12.5*
-
12.5
-
ns
記号
端子名
シリアルクロック
サイクルタイム
tSCYC
SCKx
SCK↓→SOT 遅延時間
tSLOVI
SCKx,
SOTx
SIN→SCK↑
セットアップ時間
tIVSHI
SCKx,
SINx
SCK↑→SIN ホールド時間
tSHIXI
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
tSLSH
SCKx
2tCYCP
-5
-
2tCYCP
-5
-
ns
tSHSL
SCKx
tCYCP +
10
-
tCYCP +
10
-
ns
SCK↓→SOT 遅延時間
tSLOVE
SCKx,
SOTx
-
15
-
15
ns
SIN→SCK↑
セットアップ時間
tIVSHE
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
SCK↑→SIN ホールド時間
tSHIXE
5
-
5
-
ns
-
5
5
-
5
5
ns
ns
シリアルクロック
"L"パルス幅
シリアルクロック
"H"パルス幅
SCK 立下り時間
SCK 立上り時間
tF
tR
SCKx,
SINx
SCKx
SCKx
条件
Vcc < 4.5V
最小 最大
内部シフト
クロック動作
外部シフト
クロック動作
(注意事項) ・CLK 同期モード時の交流規格です。
・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・本規格は以下の端子のみの保証です。
・チップセレクトなし:SIN4_1, SOT4_1, SCK4_1
・チップセレクトあり:SIN6_1, SOT6_1, SCK6_1, SCS6_1
・外部負荷容量 CL = 30pF 時(*は CL=10pF 時)
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
119
r1.0
MB9B360R シリーズ
tSCYC
VOH
SCK
VOL
VOL
tSLOVI
VOH
VOL
SOT
tIVSHI
tSHIXI
VIH
VIL
VIH
VIL
SIN
MS ビット = 0
tSLSH
SCK
VIH
tF
SOT
SIN
tSHSL
VIL
VIL
VIH
VIH
tR
tSLOVE
VOH
VOL
tIVSHE
VIH
VIL
tSHIXE
VIH
VIL
MS ビット = 1
120
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 高速同期シリアル(SPI = 0, SCINV = 1)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
VCC≧4.5V
最小 最大
単
位
4tCYCP
-
4tCYCP
-
ns
-10
+10
-10
+10
ns
14
12.5*
-
12.5
-
ns
記号
端子名
シリアルクロック
サイクルタイム
tSCYC
SCKx
SCK↑→SOT 遅延時間
tSHOVI
SCKx,
SOTx
SIN→SCK↓
セットアップ時間
tIVSLI
SCKx,
SINx
SCK↓→SIN ホールド時間
tSLIXI
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
シリアルクロック
"L"パルス幅
tSLSH
SCKx
2tCYCP
-5
-
2tCYCP
-5
-
ns
シリアルクロック
"H"パルス幅
tSHSL
SCKx
tCYCP +
10
-
tCYCP +
10
-
ns
SCK↑→SOT 遅延時間
tSHOVE
SCKx,
SOTx
-
15
-
15
ns
SIN→SCK↓
セットアップ時間
tIVSLE
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
SCK↓→SIN ホールド時間
tSLIXE
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
tF
tR
SCKx
SCKx
-
5
5
-
5
5
ns
ns
SCK 立下り時間
SCK 立上り時間
条件
VCC < 4.5V
最小 最大
内部シフト
クロック動作
外部シフト
クロック動作
(注意事項) ・CLK 同期モード時の交流規格です。
・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・本規格は以下の端子のみの保証です。
・チップセレクトなし:SIN4_1, SOT4_1, SCK4_1
・チップセレクトあり:SIN6_1, SOT6_1, SCK6_1, SCS6_1
・外部負荷容量 CL = 30pF 時(*は CL=10pF 時)
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
121
r1.0
MB9B360R シリーズ
tSCYC
VOH
SCK
VOH
VOL
tSHOVI
VOH
VOL
SOT
tIVSLI
VIH
VIL
SIN
tSLIXI
VIH
VIL
MS ビット = 0
tSHSL
SCK
VIL
tR
SOT
tSLSH
VIH
VIH
VIL
VIL
tF
tSHOVE
VOH
VOL
tIVSLE
VIH
VIL
SIN
tSLIXE
VIH
VIL
MS ビット = 1
122
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 高速同期シリアル(SPI = 1, SCINV = 0)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
VCC≧4.5V
最小 最大
単
位
記号
端子名
シリアルクロック
サイクルタイム
tSCYC
SCKx
4tCYCP
-
4tCYCP
-
ns
SCK↑→SOT 遅延時間
tSHOVI
SCKx,
SOTx
-10
+10
-10
+10
ns
SIN→SCK↓
セットアップ時間
tIVSLI
SCKx,
SINx
14
12.5*
-
12.5
-
ns
SCK↓→SIN ホールド時間
tSLIXI
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
SOT→SCK↓遅延時間
tSOVLI
SCKx,
SOTx
2tCYCP
-10
-
2tCYCP
-10
-
ns
シリアルクロック
"L"パルス幅
tSLSH
SCKx
2tCYCP
-5
-
2tCYCP
-5
-
ns
シリアルクロック
"H"パルス幅
tSHSL
SCKx
tCYCP +
10
-
tCYCP +
10
-
ns
SCK↑→SOT 遅延時間
tSHOVE
SCKx,
SOTx
-
15
-
15
ns
SIN→SCK↓
セットアップ時間
tIVSLE
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
SCK↓→SIN ホールド時間
tSLIXE
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
tF
tR
SCKx
SCKx
-
5
5
-
5
5
ns
ns
SCK 立下り時間
SCK 立上り時間
条件
VCC < 4.5V
最小 最大
内部シフト
クロック動作
外部シフト
クロック動作
(注意事項) ・CLK 同期モード時の交流規格です。
・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・本規格は以下のリロケート・ポート番号組み合わせのみの保証です。
・チップセレクトなし:SIN4_1, SOT4_1, SCK4_1
・チップセレクトあり:SIN6_1, SOT6_1, SCK6_1, SCS6_1
・外部負荷容量 CL = 30pF 時(*は CL=10pF 時)
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
123
r1.0
MB9B360R シリーズ
tSCYC
VOH
SCK
SOT
VOL
tSOVLI
VOH
VOL
VOH
VOL
tIVSLI
tSLIXI
VIH
VIL
SIN
VOL
tSHOVI
VIH
VIL
MS ビット = 0
tSLSH
SCK
VIH
tR
VIH
tSHOVE
VOH
VOL
VOH
VOL
tIVSLE
SIN
VIH
VIL
tF
*
SOT
VIL
tSHSL
tSLIXE
VIH
VIL
VIH
VIL
MS ビット = 1
* : TDR レジスタにライトすると変化
124
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 高速同期シリアル(SPI = 1, SCINV = 1)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
VCC≧4.5V
最小 最大
単
位
記号
端子名
シリアルクロック
サイクルタイム
tSCYC
SCKx
4tCYCP
-
4tCYCP
-
ns
SCK↓→SOT 遅延時間
tSLOVI
SCKx,
SOTx
-10
+10
-10
+10
ns
SIN→SCK↑
セットアップ時間
tIVSHI
SCKx,
SINx
14
12.5*
-
12.5
-
ns
SCK↑→SIN ホールド時間
tSHIXI
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
SOT→SCK↑遅延時間
tSOVHI
SCKx,
SOTx
2tCYCP
-10
-
2tCYCP
-10
-
ns
シリアルクロック
"L"パルス幅
tSLSH
SCKx
2tCYCP
-5
-
2tCYCP
-5
-
ns
シリアルクロック
"H"パルス幅
tSHSL
SCKx
tCYCP +
10
-
tCYCP +
10
-
ns
SCK↓→SOT 遅延時間
tSLOVE
SCKx,
SOTx
-
15
-
15
ns
SIN→SCK↑
セットアップ時間
tIVSHE
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
SCK↑→SIN ホールド時間
tSHIXE
SCKx,
SINx
5
-
5
-
ns
tF
tR
SCKx
SCKx
-
5
5
-
5
5
ns
ns
SCK 立下り時間
SCK 立上り時間
条件
VCC < 4.5V
最小 最大
内部シフト
クロック動作
外部シフト
クロック動作
(注意事項) ・CLK 同期モード時の交流規格です。
・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・本規格は以下のリロケート・ポート番号組み合わせのみの保証です。
・チップセレクトなし:SIN4_1, SOT4_1, SCK4_1
・チップセレクトあり:SIN6_1, SOT6_1, SCK6_1, SCS6_1
・外部負荷容量 CL = 30pF 時(*は CL=10pF 時)
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
125
r1.0
MB9B360R シリーズ
tSCYC
VOH
SCK
tSOVHI
SOT
tSLOVI
VOH
VOL
VOH
VOL
tSHIXI
tIVSHI
VIH
VIL
SIN
VOH
VOL
VIH
VIL
MS ビット = 0
tSHSL
tR
SCK
VIL
VIH
tSLSH
VIH
VIL
tF
VIL
VIH
tSLOVE
SOT
VOH
VOL
VOH
VOL
tIVSHE
SIN
tSHIXE
VIH
VIL
VIH
VIL
MS ビット = 1
126
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 高速同期シリアル
チップセレクト使用時(SPI = 1, SCINV = 0, MS=0, CSLVL=1)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
条件
tCSSI
内部シフト
クロック
動作
SCS↓→SCK↓セットアップ
時間
SCK↑→SCS↑ホールド時間
tCSHI
SCS ディセレクト時間
tCSDI
SCS↓→SCK↓セットアップ
時間
SCK↑→SCS↑ホールド時間
SCS ディセレクト時間
SCS↓→SOT 遅延時間
SCS↑→SOT 遅延時間
tCSSE
tCSHE
tCSDE
tDSE
tDEE
外部シフト
クロック
動作
VCC < 4.5V
最小
最大
VCC≧4.5V
最小
最大
単
位
(*1)-20
(*1)+0
(*1)-20
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*3)-20
+5tCYCP
(*2)+20
(*3)+20
+5tCYCP
(*2)+0
(*3)-20
+5tCYCP
(*2)+20
(*3)+20
+5tCYCP
ns
3tCYCP+15
-
3tCYCP+15
-
ns
0
3tCYCP+15
0
25
-
0
3tCYCP+15
0
25
-
ns
ns
ns
ns
ns
(*1):CSSU ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*2):CSHD ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*3):CSDS ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(注意事項) ・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・CSSU, CSHD, CSDS, シリアルチップセレクトタイミング動作クロックは『FM4
ファミリ ペリフェラルマニュアル』を参照してください。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
127
r1.0
MB9B360R シリーズ
SCS 出力
tCSDI
tCSSI
tCSHI
tCSSE
tCSHE
SCK 出力
SOT
(SPI=0)
SOT
(SPI=1)
SCS 入力
tCSDE
SCK 入力
tDEE
SOT
(SPI=0)
tDSE
SOT
(SPI=1)
128
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 高速同期シリアル
チップセレクト使用時(SPI = 1, SCINV = 1, MS=0, CSLVL=1)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
条件
tCSSI
内部シフト
クロック
動作
SCS↓→SCK↑セットアップ
時間
SCK↓→SCS↑ホールド時間
tCSHI
SCS ディセレクト時間
tCSDI
SCS↓→SCK↑セットアップ
時間
SCK↓→SCS↑ホールド時間
SCS ディセレクト時間
SCS↓→SOT 遅延時間
SCS↑→SOT 遅延時間
tCSSE
tCSHE
tCSDE
tDSE
tDEE
外部シフト
クロック
動作
VCC < 4.5V
最小
最大
VCC≧4.5V
最小
最大
単
位
(*1)-20
(*1)+0
(*1)-20
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*3)-20
+5tCYCP
(*2)+20
(*3)+20
+5tCYCP
(*2)+0
(*3)-20
+5tCYCP
(*2)+20
(*3)+20
+5tCYCP
ns
3tCYCP+15
-
3tCYCP+15
-
ns
0
3tCYCP+15
0
25
-
0
3tCYCP+15
0
25
-
ns
ns
ns
ns
ns
(*1):CSSU ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*2):CSHD ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*3):CSDS ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(注意事項) ・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・CSSU, CSHD, CSDS, シリアルチップセレクトタイミング動作クロックは『FM4
ファミリ ペリフェラルマニュアル』を参照してください。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
129
r1.0
MB9B360R シリーズ
SCS 出力
tCSDI
tCSSI
tCSHI
SCK 出力
SOT
(SPI=0)
SOT
(SPI=1)
SCS 入力
tCSDE
tCSSE
tCSHE
SCK 入力
tDEE
SOT
(SPI=0)
tDSE
SOT
(SPI=1)
130
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 高速同期シリアル
チップセレクト使用時(SPI = 1, SCINV = 0, MS=0, CSLVL=0)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
条件
tCSSI
内部シフト
クロック
動作
SCS↑→SCK↓セットアップ
時間
SCK↑→SCS↓ホールド時間
tCSHI
SCS ディセレクト時間
tCSDI
SCS↑→SCK↓セットアップ
時間
SCK↑→SCS↓ホールド時間
SCS ディセレクト時間
SCS↑→SOT 遅延時間
SCS↓→SOT 遅延時間
tCSSE
tCSHE
tCSDE
tDSE
tDEE
外部シフト
クロック
動作
VCC < 4.5V
最小
最大
VCC≧4.5V
最小
最大
単
位
(*1)-20
(*1)+0
(*1)-20
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*3)-20
+5tCYCP
(*2)+20
(*3)+20
+5tCYCP
(*2)+0
(*3)-20
+5tCYCP
(*2)+20
(*3)+20
+5tCYCP
ns
3tCYCP+15
-
3tCYCP+15
-
ns
0
25
-
0
25
-
ns
ns
ns
ns
3tCYCP+15
0
3tCYCP+15
0
ns
(*1):CSSU ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*2):CSHD ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*3):CSDS ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(注意事項) ・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・CSSU, CSHD, CSDS, シリアルチップセレクトタイミング動作クロックは『FM4
ファミリ ペリフェラルマニュアル』を参照してください。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
131
r1.0
MB9B360R シリーズ
tCSDI
SCS 出力
tCSSI
tCSHI
SCK 出力
SOT
(SPI=0)
SOT
(SPI=1)
tCSDE
SCS 入力
tCSSE
tCSHE
SCK 入力
tDEE
SOT
(SPI=0)
SOT
(SPI=1)
tDSE
132
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 高速同期シリアル
チップセレクト使用時(SPI = 1, SCINV = 1, MS=0, CSLVL=0)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
条件
tCSSI
内部シフト
クロック
動作
SCS↑→SCK↑セットアップ
時間
SCK↓→SCS↓ホールド時間
tCSHI
SCS ディセレクト時間
tCSDI
SCS↑→SCK↑セットアップ
時間
SCK↓→SCS↓ホールド時間
SCS ディセレクト時間
SCS↑→SOT 遅延時間
SCS↓→SOT 遅延時間
tCSSE
tCSHE
tCSDE
tDSE
tDEE
外部シフト
クロック
動作
VCC < 4.5V
最小
最大
VCC≧4.5V
最小
最大
単
位
(*1)-20
(*1)+0
(*1)-20
(*1)+0
ns
(*2)+0
(*3)-20
+5tCYCP
(*2)+20
(*3)+20
+5tCYCP
(*2)+0
(*3)-20
+5tCYCP
(*2)+20
(*3)+20
+5tCYCP
ns
3tCYCP+15
-
3tCYCP+15
-
ns
0
25
-
0
25
-
ns
ns
ns
ns
3tCYCP+15
0
3tCYCP+15
0
ns
(*1):CSSU ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*2):CSHD ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(*3):CSDS ビット値×シリアルチップセレクトタイミング動作クロック周期[ns]
(注意事項) ・tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
UART が接続されている APB バス番号については「ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
・CSSU, CSHD, CSDS, シリアルチップセレクトタイミング動作クロックは『FM4
ファミリ ペリフェラルマニュアル』を参照してください。
・外部負荷容量 CL = 30pF 時
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
133
r1.0
MB9B360R シリーズ
tCSDI
SCS 出力
tCSSI
tCSHI
SCK 出力
SOT
(SPI=0)
SOT
(SPI=1)
SCS 入力
tCSDE
tCSSE
tCSHE
SCK 入力
tDEE
SOT
(SPI=0)
SOT
(SPI=1)
tDSE
134
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ 外部クロック(EXT = 1) : 非同期時のみ
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
シリアルクロック"L"パルス幅
シリアルクロック"H"パルス幅
SCK 立下り時間
SCK 立上り時間
tSLSH
tSHSL
tF
tR
tR
SCK
VIL
規格値
最小
最大
条件
CL = 30pF
tCYCP + 10
tCYCP + 10
-
tSHSL
VIH
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
5
5
VIL
備考
ns
ns
ns
ns
tF
tSLSH
VIH
単位
VIL
VIH
135
r1.0
MB9B360R シリーズ
(11) 外部入力タイミング
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
端子名
条件
規格値
単位
最小
最大
備考
A/D コンバータトリガ
入力
1
2tCYCP*
ns
フリーランタイマ入力
FRCKx
クロック
インプットキャプチャ
ICxx
tINH,
入力パルス幅
1
tINL
DTTIxX
2tCYCP*
ns
波形ジェネレータ
2tCYCP + 100*1 ns
外部割込み,
INT00 ~ INT31,
NMIX
500*2
ns
NMI
ディープスタンバイ
WKUPx
500*3
ns
ウェイクアップ
*1 : tCYCP は APB バスクロックのサイクル時間です(タイマモード, ストップモードの停止時を除く)。
A/D コンバータ, 多機能タイマ, 外部割込みが接続されている APB バス番号については
「■ブロックダイヤグラム」を参照してください。
*2 : タイマモード, ストップモード時
*3 : ディープスタンバイ RTC モード, ディープスタンバイストップモード時
ADTG
136
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
(12) クアッドカウンタ タイミング
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
規格値
条件
最小値
最大値
単位
AIN 端子"H"幅
tAHL
AIN 端子"L"幅
tALL
BIN 端子"H"幅
tBHL
BIN 端子"L"幅
tBLL
AIN"H"レベルから
PC_Mode2 または
tAUBU
BIN 立上り時間
PC_Mode3
BIN"H"レベルから
PC_Mode2 または
tBUAD
AIN 立下り時間
PC_Mode3
AIN"L"レベルから
PC_Mode2 または
tADBD
BIN 立下り時間
PC_Mode3
BIN"L"レベルから
PC_Mode2 または
tBDAU
AIN 立上り時間
PC_Mode3
BIN"H"レベルから
PC_Mode2 または
tBUAU
2tCYCP*
ns
AIN 立上り時間
PC_Mode3
AIN"H"レベルから
PC_Mode2 または
tAUBD
BIN 立下り時間
PC_Mode3
BIN"L"レベルから
PC_Mode2 または
tBDAD
AIN 立下り時間
PC_Mode3
AIN"L"レベルから
PC_Mode2 または
tADBU
BIN 立上り時間
PC_Mode3
ZIN 端子"H"幅
tZHL
QCR:CGSC="0"
ZIN 端子"L"幅
tZLL
QCR:CGSC="0"
ZIN レベル確定から
AIN/BIN 立下り立上り
tZABE
QCR:CGSC="1"
時間
AIN/BIN 立下り立上り
tABEZ
QCR:CGSC="1"
時間から ZIN レベル確定
* : tCYCP は APB バスクロックのサイクル時間です(タイマモード, ストップモード時を除く)。
クアッドカウンタが接続されている APB バス番号については「■ブロックダイヤグラム」を
参照してください。
tALL
tAHL
AIN
tAUBU
tADBD
tBUAD
tBDAU
BIN
tBHL
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
tBLL
137
r1.0
MB9B360R シリーズ
tBLL
tBHL
BIN
tBUAU
tBDAD
tAUBD
tADBU
AIN
tAHL
tALL
ZIN
ZIN
AIN/BIN
138
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
2
(13) I C タイミング
・標準モード, 高速モード
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
高速モード
最小
最大
記号
SCL クロック周波数
(反復)「スタート」条件
ホールド時間
SDA↓→SCL↓
SCL クロック"L"幅
SCL クロック"H"幅
反復「スタート」条件
セットアップ時間
SCL↑→SDA↓
データホールド時間
SCL↓→SDA↓↑
データセットアップ時間
SDA↓↑→SCL↑
「ストップ」条件
セットアップ時間
SCL↑→SDA↑
「ストップ」条件と
「スタート」条件との間の
バスフリー時間
FSCL
0
100
0
400
kHz
tHDSTA
4.0
-
0.6
-
μs
tLOW
tHIGH
4.7
4.0
-
1.3
0.6
-
μs
μs
tSUSTA
4.7
-
0.6
-
μs
0
3.45*2
0
0.9*3
μs
tSUDAT
250
-
100
-
ns
tSUSTO
4.0
-
0.6
-
μs
tBUF
4.7
-
1.3
-
μs
tHDDAT
条件
標準モード
最小
最大
項目
CL = 30pF,
R = (Vp/IOL)*1
単位 備考
2MHz ≦
2tCYCP*4
2tCYCP*4
ns
tCYCP<40MHz
40MHz ≦
4tCYCP*4
4tCYCP*4
ns
tCYCP<60MHz
60MHz ≦
6tCYCP*4
6tCYCP*4
ns
tCYCP<80MHz
80MHz ≦
8tCYCP*4
8tCYCP*4
ns
tCYCP<100MHz
ノイズフィルタ
tSP
*5
100MHz ≦
10tCYCP*4
10tCYCP*4
ns
tCYCP<120MHz
120MHz ≦
12tCYCP*4
12tCYCP*4
ns
tCYCP<140MHz
140MHz ≦
14tCYCP*4
14tCYCP*4
ns
tCYCP<160MHz
160MHz ≦
16tCYCP*4
16tCYCP*4
ns
tCYCP<180MHz
*1 : R, CL は、SCL, SDA ラインのプルアップ抵抗、負荷容量です。Vp はプルアップ抵抗の電源電圧,
IOL は VOL 保証電流を示します。
*2 : 最大 tHDDAT は少なくともデバイスの SCL 信号の"L"区間(tLOW)を延長していないということを満た
していなければなりません。
*3 : 高速モード I2C バスデバイスは標準モード I2C バスシステムに使用できますが、要求される条件
tSUDAT≧250ns を満足しなければなりません。
*4 : tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
I2C が接続されている APB バス番号については「■ブロックダイヤグラム」を参照してください。
標準モード使用時は、周辺バスクロックは 2MHz 以上にしてください。
高速モード使用時は、周辺バスクロックは 8MHz 以上にしてください。
*5 : ノイズフィルタ時間はレジスタの設定により切り換えることができます。
APB バスクロック周波数に応じて、ノイズフィルタ段数の変更をしてください。
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
139
r1.0
MB9B360R シリーズ
・高速モードプラス(Fm+)
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
記号
SCL クロック周波数
(反復)「スタート」条件
ホールド時間
SDA↓→SCL↓
SCL クロック"L"幅
SCL クロック"H"幅
反復「スタート」条件
セットアップ時間
SCL↑→SDA↓
データホールド時間
SCL↓→SDA↓↑
データセットアップ時間
SDA↓↑→SCL↑
「ストップ」条件
セットアップ時間
SCL↑→SDA↑
「ストップ」条件と
「スタート」条件との間の
バスフリー時間
FSCL
0
1000
kHz
tHDSTA
0.26
-
μs
tLOW
tHIGH
0.5
0.26
-
μs
μs
tSUSTA
0.26
-
μs
0
0.45*2, *3
μs
tSUDAT
50
-
ns
tSUSTO
0.26
-
μs
tBUF
0.5
-
μs
tHDDAT
条件
高速モード
プラス(Fm+)*6
最小
最大
項目
CL = 30pF,
R = (Vp/IOL)*1
単位
備考
60MHz ≦
6 tCYCP*4
ns
tCYCP<80MHz
80MHz ≦
8 tCYCP*4
ns
tCYCP<100MHz
100MHz ≦
10 tCYCP*4
ns
tCYCP<120MHz
ノイズフィルタ
tSP
*5
120MHz ≦
12 tCYCP*4
ns
tCYCP<140MHz
140MHz ≦
14 tCYCP*4
ns
tCYCP<160MHz
160MHz ≦
16 tCYCP*4
ns
tCYCP<180MHz
*1 : R, CL は、SCL, SDA ラインのプルアップ抵抗、負荷容量です。Vp はプルアップ抵抗の電源電圧,
IOL は VOL 保証電流を示します。
*2 : 最大 tHDDAT は少なくともデバイスの SCL 信号の"L"区間(tLOW)を延長していないということを満た
していなければなりません。
*3 : 高速モード I2C バスデバイスは標準モード I2C バスシステムに使用できますが、要求される条件
tSUDAT≧250ns を満足しなければなりません。
*4 : tCYCP は、APB バスクロックのサイクル時間です。
I2C が接続されている APB バス番号については「■ブロックダイヤグラム」を参照してください。
高速モードプラス(Fm+)使用時は、周辺バスクロックは 64MHz 以上にしてください。
*5 : ノイズフィルタ時間はレジスタの設定により切り換えることができます。
APB バスクロック周波数に応じて、ノイズフィルタ段数の変更をしてください。
*6 : 高速モードプラス(Fm+)使用時は、I/O 端子を EPFR レジスタにて I2C Fm+に対応したモードに設定
してください。詳細は『FM4 ファミリ ペリフェラルマニュアル』の『CHAPTER: I/O ポート』の
章を参照してください。
140
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
SDA
SCL
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
141
r1.0
MB9B360R シリーズ
(14) SD カードインタフェースタイミング
・Default-Speed Mode
・ クロック CLK (規格は VIH, VIL レベルでの値となります。)
(VCC = 2.7V ~ 3.6V, VSS = 0V)
項目
記号
端子名
クロック周波数データ転送
モード
fPP
S_CLK
クロック周波数識別モード
fOD
S_CLK
規格値
条件
CCARD≦10pF
(1card)
単位
最小
最大
0
16
MHz
0*/100
400
kHz
クロック低時間
tWL
S_CLK
10
クロック高時間
tWH
S_CLK
10
クロック立上り時間
tTLH
S_CLK
10
クロック立下り時間
tTHL
S_CLK
10
*: 0Hz はクロック停止を示します。継続動作させる場合、最小周波数の値となります。
ns
ns
ns
ns
・ Card 入力 CMD, DAT (クロックの項目を参照してください。)
項目
記号
入力セットアップ時間
tISU
入力ホールド時間
tIH
端子名
条件
S_CMD,
S_DATA3:0
S_CMD,
S_DATA3:0
CCARD≦
10pF
(1card)
規格値
単位
最小
最大
5
-
ns
5
-
ns
・ Card 出力 CMD, DAT (クロックの項目を参照してください。)
項目
記号
データ転送モード時の出力
遅延時間
識別モード時の出力遅延時
間
tODLY
tODLY
端子名
条件
S_CMD,
S_DATA3:0
S_CMD,
S_DATA3:0
CCARD≦
40pF
(1card)
規格値
最大
0
22
ns
0
50
ns
tWH
tWL
S_CLK
(SD Clock)
S_CMD,
S_DATA3:0
(Card Input)
S_CMD,
S_DATA3:0
(Card Output)
VIH
tTHL
単位
最小
VIL
VIL
tISU
VIH
VIH
tTLH
tIH
VIH
VIH
VIL
VIL
tODLY(Max)
tODLY(Min)
VOH
VOH
VOL
VOL
Defalt-Speed Mode
(注意事項) 本製品は Host です。Card Input が Host Output, Card Output が Host Input に対応します。
142
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・High-Speed Mode
・ クロック CLK (規格は VIH, VIL レベルでの値となります。)
(VCC = 2.7V ~ 3.6V, VSS = 0V)
項目
クロック周波数データ転送
モード
クロック低時間
クロック高時間
クロック立上り時間
クロック立下り時間
記号
端子名
fPP
S_CLK
tWL
tWH
tTLH
tTHL
S_CLK
S_CLK
S_CLK
S_CLK
規格値
条件
単位
最小
最大
0
32
MHz
7
7
-
3
3
ns
ns
ns
ns
CCARD≦
10pF
(1card)
・ Card 入力 CMD, DAT (クロックの項目を参照してください。)
項目
記号
入力セットアップ時間
tISU
入力ホールド時間
tIH
端子名
条件
S_CMD,
S_DATA3:0
S_CMD,
S_DATA3:0
CCARD≦
10pF
(1card)
規格値
単位
最小
最大
8
-
ns
2
-
ns
・ Card 出力 CMD, DAT (クロックの項目を参照してください。)
項目
記号
データ転送モード時の出力
遅延時間
tODLY
端子名
規格値
条件
最小
最大
S_CMD,
CL≦40pF
22
S_DATA3:0
(1card)
CL≧15pF
S_CMD,
出力ホールド時間
tOH
2.5
S_DATA3:0
(1card)
配線間のシステム総容量*
CL
1card
40
*: 厳しいタイミングを満たすために、Host は 1 枚のカードのみ動作させるものとします。
S_CMD,
S_DATA3:0
(Card Input)
50%VCC
VIH
tTHL
50%VCC
tTLH
tISU
tODLY(Max)
S_CMD,
S_DATA3:0
(Card Output)
VIH
VIL
VIL
ns
ns
pF
tWH
tWL
S_CLK
(SD Clock)
単位
VIH
tIH
VIH
VIH
VIL
VIL
tOH(Min)
VOH
VOH
VOL
VOL
High-Speed Mode
(注意事項) ・ 本製品は Host です。Card Input が Host Output, Card Output が Host Input に対応します。
・ High-Speed Mode では、Clock 周波数(fPP)と AHB Bus Clock 周波数を同じ値に設定してく
ださい。
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
143
r1.0
MB9B360R シリーズ
(15) ETM タイミング
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
規格値
最小
最大
項目
記号
端子名
条件
データホールド
tETMH
TRACECLK,
TRACED[3:0]
VCC≧4.5V
2
9
VCC < 4.5V
2
15
TRACECLK
周波数
1/
tTRACE
VCC≧4.5V
-
50
MHz
VCC < 4.5V
-
32
MHz
VCC≧4.5V
20
-
ns
VCC < 4.5V
31.25
-
ns
TRACECLK
TRACECLK
クロック周期
tTRACE
単位
備考
ns
(注意事項) 外部負荷容量 CL= 30pF 時
HCLK
TRACECLK
TRACED[3:0]
144
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
(16) JTAG タイミング
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
TMS, TDI
セットアップ時間
TMS, TDI
ホールド時間
記号
端子名
TCK,
TMS, TDI
TCK,
tJTAGH
TMS, TDI
TCK
TDO 遅延時間
tJTAGD
TDO
(注意事項) 外部負荷容量 CL = 30pF 時
tJTAGS
条件
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
VCC≧4.5V
VCC < 4.5V
規格値
最小
最大
単位
15
-
ns
15
-
ns
-
25
45
ns
備考
TCK
TMS/TDI
TDO
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
145
r1.0
MB9B360R シリーズ
5.
12 ビット A/D コンバータ
・A/D 変換部電気的特性
(VCC = AVCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = AVSS = AVRL = 0V)
項目
記号
端子名
分解能
積分直線性誤差
微分直線性誤差
ゼロトランジショ
ン電圧
フルスケールトラ
ンジション電圧
変換時間
-
AN00 ~
AN23
AN00 ~
AN23
VZT
VFST
-
-
サンプリング時間
Ts
-
コンペアクロック
周期*3
Tcck
-
Tstt
-
動作許可状態遷移
時間
電源電流
(アナログ + デジタ
ル)
最小
規格値
標準
最大
- 4.5
- 2.5
-
12
+ 4.5
+ 2.5
bit
LSB
LSB
- 15
-
+ 15
mV
AVRH - 15
-
AVRH + 15
mV
0.5*1
-
-
μs
*2
*2
25
50
-
10
μs
1000
1000
ns
1.0
-
-
μs
-
0.69
0.92
mA
A/D 1unit 動作時
-
1.0
18
μA
A/D 停止時
1.1
1.97
mA
0.3
6.3
μA
単位
AVCC≧4.5V
AVCC < 4.5V
AVCC≧4.5V
AVCC < 4.5V
AVCC
基準電源電流
(AVRH ~ AVSS 間)
-
AVRH
アナログ入力容量
CAIN
-
-
-
12.05
pF
アナログ入力抵抗
RAIN
-
-
-
1.2
1.8
kΩ
-
-
-
-
4
LSB
チャネル間ばらつ
き
アナログポート入
力電流
AVRH = 2.7V ~
5.5V
AVCC≧4.5V
-
-
備考
A/D 1unit 動作時
AVRH=5.5V
A/D 停止時
AVCC≧4.5V
AVCC < 4.5V
AN00 ~
5
μA
AN23
AN00 ~
アナログ入力電圧
AVSS
AVRH
V
AN23
基準電圧
AVRH
2.7
AVCC
V
*1: 変換時間は サンプリング時間 (Ts) + コンペア時間 (Tc) の値です。
最小変換時間の条件は、サンプリング時間 : 150ns, コンペア時間 : 350ns (AVCC≧4.5V)の値です。
必ずサンプリング時間(Ts), コンペアクロック周期(Tcck)の規格を満足するようにしてください。
サンプリング時間, コンペアクロック周期の設定*4 については、『FM4 ファミリ ペリフェラルマ
ニュアル アナログマクロ編』の『CHAPTER: A/D コンバータ』の章を参照してください。
A/D コンバータのレジスタの設定は周辺クロックタイミングで反映されます。
サンプリングおよびコンペアクロックはベースクロック(HCLK)にて設定されます。
*2: 外部インピーダンスにより必要なサンプリング時間は変わります。
必ず(式 1)を満たすようにサンプリング時間を設定してください。
*3: コンペア時間(Tc) は (式 2)の値です。
*4: A/D コンバータのレジスタの設定は APB バスクロックのタイミングで反映されます。
サンプリングおよびコンペアクロックはベースクロック(HCLK)にて設定されます。
A/D コンバータが接続されている APB バス番号については「■ブロックダイヤグラム」を参照し
てください。
-
146
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
アナログ
信号発生源
Rext
AN00 ~ AN23
アナログ入力端子
コンパレータ
RAIN
CAIN
(式 1) Ts ≧ ( RAIN + Rext ) × CAIN × 9
Ts : サンプリング時間
RAIN : A/D の入力抵抗 = 1.2kΩ 4.5V ≦ AVCC ≦ 5.5V の場合
A/D の入力抵抗 = 1.8kΩ 2.7V ≦ AVCC ≦ 4.5V の場合
CAIN : A/D の入力容量 = 12.05pF
2.7V ≦ AVCC ≦ 5.5V の場合
Rext : 外部回路の出力インピーダンス
(式 2) Tc=Tcck × 14
Tc : コンペア時間
Tcck : コンペアクロック周期
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
147
r1.0
MB9B360R シリーズ
・12 ビット A/D コンバータの用語の定義
・ 分解能
: A/D コンバータにより識別可能なアナログ変化
・ 積分直線性誤差 : ゼロトランジション点(0b000000000000 ←→ 0b000000000001)とフルス
ケールトランジション点(0b111111111110 ←→ 0b111111111111)を結んだ
直線と実際の変換特性との偏差
・ 微分直線性誤差 : 出力コードを 1LSB 変化させるのに必要な入力電圧の理想値からの偏差
積分直線性誤差
0xFFF
微分直線性誤差
実際の変換特性
0xFFE
実際の変換特性
{1 LSB(N-1) + VZT}
VFST
(実測値)
VNT
0x004
(実測値)
0x003
デジタル出力
デジタル出力
0xFFD
0x(N+1)
0xN
理想特性
V(N+1)T
0x(N-1)
(実測値)
実際の変換特性
0x002
VNT
理想特性
(実測値)
0x(N-2)
0x001
VZT (実測値)
実際の変換特性
AVss
AVRH
AVss
アナログ入力
デジタル出力 N の積分直線性誤差
=
デジタル出力 N の微分直線性誤差
=
1LSB =
N
VZT
VFST
VNT
:
:
:
:
AVRH
アナログ入力
VNT - {1LSB × (N - 1) + VZT}
1LSB
V(N + 1) T - VNT
1LSB
[LSB]
- 1 [LSB]
VFST - VZT
4094
A/D コンバータデジタル出力値
デジタル出力が 0x000 から 0x001 に遷移する電圧
デジタル出力が 0xFFE から 0xFFF に遷移する電圧
デジタル出力が 0x (N - 1)から 0xN に遷移する電圧
148
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
6.
12 ビット D/A コンバータ
・D/A 変換部電気的特性
(VCC = AVCC = 2.7V~5.5V, VSS = AVSS = 0V)
項目
記号
分解能
積分直線性誤差*
微分直線性誤差*
INL
DNL
出力電圧オフセット
VOFF
アナログ出力イン
ピーダンス
電源電流*
端子名
DAx
RO
IDDA
最小
規格値
標準 最大
単位
- 16
- 0.98
- 20.0
3.10
2.0
3.80
-
12
+ 16
+ 1.5
10.0
+ 1.4
4.50
-
bit
LSB
LSB
mV
mV
kΩ
MΩ
260
330
410
μA
400
510
620
μA
-
-
14
μA
AVCC
IDSA
備考
0x000 設定時
0xFFF 設定時
D/A 動作時
D/A 停止時
D/A 1unit 動作時
AVCC=3.3V
D/A 1unit 動作時
AVCC=5.0V
D/A 停止時
*: 無負荷時
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
149
r1.0
MB9B360R シリーズ
7.
USB 特性
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, USBVCC = 3.0V ~ 3.6V, VSS = 0V)
項目
記号 端子名
条件
規格値
最小
最大
入力"H"レベル電圧
VIH
-
2.0
入力特性 入力"L"レベル電圧
差動入力感度
VIL
-
VSS - 0.3
USBVCC +
0.3
0.8
VDI
-
0.2
差動コモンモードレンジ
VCM
出力"H"レベル電圧
VOH
出力"L"レベル電圧
VOL
外部
プルダウン
抵抗= 15kΩ
外部
プルアップ
UDP0,
抵抗=
1.5kΩ
UDM0
Full-Speed
Full-Speed
単位 備考
V
*1
V
*1
-
V
*2
0.8
2.5
V
*2
2.8
3.6
V
*3
0.0
0.3
V
*3
クロスオーバ電圧
VCRS
1.3
2.0
V *4
立上り時間
tFR
4
20
ns *5
出力特性
立下り時間
tFF
4
20
ns *5
立上り/立下り時間
tFRFM
Full-Speed
90
111.11
% *5
マッチング
出力インピーダンス
ZDRV
Full-Speed
28
44
Ω *6
立上り時間
tLR
Low-Speed
75
300
ns *7
立下り時間
tLF
Low-Speed
75
300
ns *7
立上り/立下り時間
tLRFM
Low-Speed
80
125
% *7
マッチング
*1 : USB I/O の Single-End-Receiver のスイッチング・スレッショルド電圧は VIL(Max)=0.8V,
VIH(Min)=2.0V(TTL 入力規格)の範囲内に設定されています。また、ノイズ感度を低下させるため
ヒステリシス特性を持たせています。
最小差動入力感度[V]
*2 : USB 差動データ信号の受信には、Differential-Receiver を使用します。
Differential-Receiver は、差動データ入力がローカル・グランド・リファレンス レベルに対し、
0.8V ~ 2.5V の範囲内にあるときには、200mV の差動入力感度があります。
上記電圧範囲は、コモン・モード入力電圧範囲と言われています。
コモン・モード入力電圧 [V]
150
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
*3 :ドライバの出力駆動能力は、Low-State(VOL)で 0.3V 以下(対 3.6V, 1.5kΩ 負荷)、High-State(VOH)で
2.8V 以上(対グランド, 15kΩ 負荷)です。
*4 : USB I/O の外部差動出力信号(D+/D-)のクロス電圧は、1.3V ~ 2.0V の範囲内にあります。
VCRS 規格範囲
*5 : Full-Speed 差動データ信号の立上り(Trise)と立下り(Tfall)時間規定です。
出力信号電圧の 10% ~ 90%間の時間で定義されます。
また Full-speed Buffer に関しては、Tr/Tf は、RFI 放射を最小にするために、Tr/Tf 比を±10%以内と
規定されています。
立上り時間
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
立下り時間
151
r1.0
MB9B360R シリーズ
*6 : USB Full-speed 接続は、90Ω ± 15%の特性インピーダンス(Differential Mode)で、シールドされた
ツイスト・ペアケーブルを介して行われます。
USB 規格は、USB Driver の出力インピーダンスは 28Ω ~ 44Ω の範囲内になければならないことを
規定しており、上記規格を満足し、バランスをとるために、ディスクリート直列抵抗器(Rs)を
付加することを規定しています。
本 USB I/O をご使用の際には、直列抵抗 Rs として 25Ω ~ 30Ω(推奨値 27Ω)を付加しご使用くださ
い。
28Ω ~ 44Ω Equiv. Imped.
28Ω ~ 44Ω Equiv. Imped.
外付け抵抗として実装してください。
Rs 直列抵抗値 25Ω ~ 30Ω
推奨値として 27Ω の直列抵抗を付加してください。
また、「E24 系列で誤差 5%以内の抵抗」をご使用ください。
*7 : Low-Speed 差動データ信号の立上り(Trise)と立下り(Tfall)時間規定です。
出力信号電圧の 10% ~ 90%間の時間で定義されます。
立上り時間
立下り時間
・ 外部負荷条件は、「・Low-Speed Load (Compliance Load)」を参照してください。
152
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・ Low-Speed Load (Upstream Port Load) - Reference 1
CL = 50pF ~ 150pF
CL = 50pF ~ 150pF
・ Low-Speed Load (Downstream Port Load) - Reference 2
CL =
200pF ~ 600pF
CL =
200pF ~ 600pF
・ Low-Speed Load (Compliance Load)
CL = 200pF ~ 450pF
CL = 200pF ~ 450pF
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
153
r1.0
MB9B360R シリーズ
8.
低電圧検出特性
(1) 低電圧検出リセット
項目
検出電圧
解除電圧
記号
条件
VDL
VDH
-
規格値
最小 標準 最大
2.25
2.30
2.45
2.50
2.65
2.70
単位
V
V
備考
電圧降下時
電圧上昇時
(2) 低電圧検出割込み
項目
記号
検出電圧
解除電圧
検出電圧
解除電圧
検出電圧
解除電圧
検出電圧
解除電圧
検出電圧
解除電圧
検出電圧
解除電圧
検出電圧
解除電圧
検出電圧
解除電圧
VDL
VDH
VDL
VDH
VDL
VDH
VDL
VDH
VDL
VDH
VDL
VDH
VDL
VDH
VDL
VDH
LVD 安定待ち時間
TLVDW
条件
SVHI = 00111
SVHI = 00100
SVHI = 01100
SVHI = 01111
SVHI = 01110
SVHI = 01001
SVHI = 01000
SVHI = 11000
最小
規格値
単位
標準 最大
2.58
2.67
2.76
2.85
2.94
3.04
3.31
3.40
3.40
3.50
3.68
3.77
3.77
3.86
3.86
3.96
2.8
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
3.6
3.7
3.7
3.8
4.0
4.1
4.1
4.2
4.2
4.3
3.02
3.13
3.24
3.34
3.45
3.56
3.88
3.99
3.99
4.10
4.32
4.42
4.42
4.53
4.53
4.64
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
-
-
4480×
tCYCP*
μs
-
備考
電圧降下時
電圧上昇時
電圧降下時
電圧上昇時
電圧降下時
電圧上昇時
電圧降下時
電圧上昇時
電圧降下時
電圧上昇時
電圧降下時
電圧上昇時
電圧降下時
電圧上昇時
電圧降下時
電圧上昇時
*: tCYCP は APB2 バスクロックのサイクル時間です。
154
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DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
9.
メインフラッシュメモリ書込み/消去特性
(VCC = 2.7V ~ 5.5V)
項目
セクタ消去
時間
Large Sector
Small Sector
書込み
サイクル
ハーフワード
≦100
(16 ビット)
書込み
書込み時間
サイクル
>100
チップ消去時間
規格値
最小 標準 最大
単位
0.7
0.3
s
内部での消去前書込み時間を含む
μs
システムレベルのオーバヘッド時間は
除く
s
内部での消去前書込み時間を含む
-
3.7
1.1
備考
100
-
12
200
-
13.6
68
書込みサイクルとデータ保持時間
消去/書込みサイクル(cycle)
保持時間(年)
1,000
20 *
10,000
10 *
100,000
5*
* : 信頼性評価結果からの換算値です(アレニウスの式を使用し、高温加速試験結果を平均温度+85°C
へ換算しています)。
10. ワークフラッシュメモリ書込み/消去特性
(VCC = 2.7V ~ 5.5V)
項目
最小
規格値
標準 最大
単位
備考
セクタ消去時間
-
0.3
1.5
s
内部での消去前書込み時間を含む
ハーフワード(16 ビット)
書込み時間
-
20
200
μs
システムレベルのオーバヘッド時間は
除く
チップ消去時間
-
1.2
6
s
内部での消去前書込み時間を含む
書込みサイクルとデータ保持時間
消去/書込みサイクル(cycle)
保持時間(年)
1,000
20 *
10,000
10 *
100,000
5*
* : 信頼性評価結果からの換算値です(アレニウスの式を使用し、高温加速試験結果を平均温度+85°C
へ換算しています)。
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
155
r1.0
MB9B360R シリーズ
11. スタンバイ復帰時間
(1)復帰要因: 割込み/WKUP
内部回路の復帰要因受付からプログラム動作開始までの時間を示します。
・復帰カウント時間
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
スリープモード
高速 CR タイマモード
メインタイマモード
PLL タイマモード
低速 CR タイマモード
サブタイマモード
RTC モード
ストップモード
(メイン/高速 CR/PLL ランモード復帰)
RTC モード
ストップモード
(サブ/低速 CR ランモード復帰)
Ticnt
ディープスタンバイ RTC モード
ディープスタンバイストップモード
規格値
標準
最大*
単位
HCLK×1
μs
備考
40
80
μs
450
900
μs
881
1136
μs
270
581
μs
240
480
308
667
μs
RAM 保持なし
308
667
μs
RAM 保持あり
*: 規格値の最大値は内蔵 CR の精度に依存します。
・スタンバイ復帰動作例(外部割込み復帰時*)
Ext.INT
Interrupt factor
accept
Active
Ticnt
CPU
Operation
Interrupt factor
clear by CPU
Start
*: 外部割込みは立下りエッジ検出設定時
156
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・スタンバイ復帰動作例(内部リソース割込み復帰時*)
Internal
Resource INT
Interrupt factor
accept
Active
Ticnt
CPU
Operation
Interrupt factor
clear by CPU
Start
*:低消費電力モードのとき、内部リソースからの割込みは復帰要因に含まれません。
(注意事項) ・復帰要因は低消費電力モードごとに異なります。
各低消費電力モードからの復帰要因は『FM4 ファミリ ペリフェラルマニュアル』の
『CHAPTER: 低消費電力モード』のスタンバイモード動作説明を参照してください。
・割込み復帰時、CPU が復帰する動作モードは低消費電力モード遷移前の状態に依存
します。詳細は『FM4 ファミリ ペリフェラルマニュアル』の『CHAPTER: 低消費
電力モード』を参照してください。
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
157
r1.0
MB9B360R シリーズ
(2)復帰要因: リセット
リセット解除からプログラム動作開始までの時間を示します。
・復帰カウント時間
(VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V)
項目
記号
スリープモード
高速 CR タイマモード
メインタイマモード
PLL タイマモード
低速 CR タイマモード
サブタイマモード
RTC モード
ストップモード
Trcnt
ディープスタンバイ RTC モード
ディープスタンバイストップモード
規格値
標準
最大*
単位
備考
116
266
μs
116
266
μs
258
567
μs
258
567
μs
258
567
μs
308
667
μs
RAM 保持なし
308
667
μs
RAM 保持あり
:
* 規格値の最大値は内蔵 CR の精度に依存します。
・スタンバイ復帰動作例(INITX 復帰時)
INITX
Internal RST
RST Active
Release
Trcnt
CPU
Operation
158
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
Start
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
・スタンバイ復帰動作例(内部リソースリセット復帰時*)
Internal
Resource RST
Internal RST
RST Active
Release
Trcnt
CPU
Operation
Start
*:低消費電力モードのとき、内部リソースからのリセット発行は復帰要因に含まれません。
(注意事項) ・復帰要因は低消費電力モードごとに異なります。
各低消費電力モードからの復帰要因は『FM4 ファミリ ペリフェラルマニュアル』の
『CHAPTER:低消費電力モード』のスタンバイモード動作説明を参照してください。
・パワーオンリセット/低電圧検出リセット時は、復帰要因には含まれません。パワー
オンリセット/低電圧検出リセット時は、
「■電気的特性 4. 交流規格 (6)パワーオンリ
セットタイミング」を参照してください。
・リセットからの復帰時、CPU は高速 CR ランモードに遷移します。
メインクロックや PLL クロックを使用する場合、追加でメインクロック発振安定待
ち時間や、メイン PLL クロックの安定待ち時間が必要になります。
・内部リソースリセットとはウォッチドッグリセット, CSV リセットを指します。
DS709-00003-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
159
r1.0
MB9B360R シリーズ
 オーダ型格
型格
パッケージ
MB9BF368MPMC
プラスチック・LQFP (0.5mm ピッチ), 80 ピン
(FPT-80P-M37)
MB9BF367MPMC
MB9BF366MPMC
MB9BF368MPMC1
MB9BF367MPMC1
プラスチック・LQFP (0.65mm ピッチ), 80 ピン
(FPT-80P-M40)
MB9BF366MPMC1
MB9BF368NPMC
MB9BF367NPMC
プラスチック・LQFP (0.5mm ピッチ), 100 ピン
(FPT-100P-M23)
MB9BF366NPMC
MB9BF368RPMC
MB9BF367RPMC
プラスチック・LQFP (0.5mm ピッチ), 120 ピン
(FPT-120P-M37)
MB9BF366RPMC
MB9BF368NBGL
MB9BF367NBGL
プラスチック・PFBGA (0.5mm ピッチ), 112 ピン
(BGA-112P-M05)
MB9BF366NBGL
MB9BF368RBGL
MB9BF367RBGL
プラスチック・PFBGA (0.5mm ピッチ), 144 ピン
(BGA-144P-M09)
MB9BF366RBGL
MB9BF368NPQC
MB9BF367NPQC
プラスチック・QFP (0.65mm ピッチ), 100 ピン
(FPT-100P-M36)
MB9BF366NPQC
160
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r2.1
MB9B360R シリーズ
 パッケージ・外形寸法図
プラスチック・LQFP, 120ピン
(FPT-120P-M37)
リードピッチ
0.50 mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
16.0 mm × 16.0 mm
リード形状
ガルウィング
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.70 mm Max
質量
0.88 g
コード(参考)
P-LFQFP120-16 × 16-0.50
プラスチック・LQFP, 120ピン
(FPT-120P-M37)
注 1)* 印寸法はレジン残りを含まず。
注 2)端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注 3)端子幅はタイバ切断残りを含まず。
18.00 ± 0.20(.709 ± .008) SQ
* 16.00 ± 0.10(.630 ± .004) SQ
90
61
91
Details of "A" part
60
+0.20
+.008
1.50 –0.10 .059 –.004
(Mounting height)
0.25(.010)
0.08(.003)
0˚~8˚
INDEX
0.60 ± 0.15
(.024 ± .006)
"A"
120
LEAD No.
1
30
0.50(.020)
C
0.10 ± 0.05
(.004 ± .002)
(Stand off)
31
0.22 ± 0.05
(.009 ± .002)
0.08(.003)
2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F120037Sc(1)-1-1
+0.05
0.145–0.03
( .006+.002
–.001 )
M
単位:mm(inches)
注意:括弧内の値は参考値です。
DS709-00003-1v0-J
161
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
r1.0
MB9B360R シリーズ
プラスチック・LQFP, 100 ピン
(FPT-100P-M23)
プラスチック・LQFP, 100ピン
(FPT-100P-M23)
リードピッチ
0.50 mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
14.00 mm × 14.00 mm
リード形状
ガルウィング
リード曲げ方向
正曲げ
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.70 mm Max.
質量
0.65 g
注 1)* 印寸法はレジン残りを含まず。
注 2)端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注 3)端子幅はタイバ切断残りを含まず。
16.00±0.20(.630±.008)SQ
* 14.00±0.10(.551±.004)SQ
75
51
76
50
0.08(.003)
Details of "A" part
1.50 +0.20
- 0.10
(.059+.008
-.004)
(Mounting height)
INDEX
100
26
"A"
1
C
0.60±0.15
(.024±.006)
25
0.50(.020)
0.22±0.05
(.009±.002)
0.08(.003)
0°~8°
0.50±0.20
(.020±.008)
M
0.10±0.10
(.004±.004)
(Stand off)
0.25(.010)
0.145 ±0.055
(.006 ±.002)
2009-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F100034S-c-3-4
単位:mm(inches)
注意:括弧内の値は参考値です。
最新の外形寸法図については、下記の URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
162
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
プラスチック・QFP, 100ピン
リードピッチ
0.65 mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
14.00 mm × 20.00 mm
リード形状
ガルウィング
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
3.35 mm Max.
コード(参考)
P-QFP100-14 × 20-0.65
(FPT-100P-M36)
プラスチック・QFP,100ピン
(FPT-100P-M36)
注 1)* 印寸法はレジン残りを含まず。
注 2)端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注 3)端子幅はタイバ切断残りを含まず。
23.90±0.40(.941±.016)
*20.00±0.20(.787±.008)
80
51
81
50
0.10(.004)
17.90±0.40
(.705±.016)
*14.00±0.20
(.551±.008)
INDEX
Details of "A" part
100
1
30
0.65(.026)
0.32±0.05
(.013±.002)
0.13(.005)
"A"
C
0.25(.010)
+0.35
3.00 –0.20
+.014
.118 –.008
(Mounting height)
0~8°
31
2011 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED HMbF100-36Sc-1-1
M
0.17±0.06
(.007±.002)
0.80±0.20
(.031±.008)
0.88±0.15
(.035±.006)
0.25±0.20
(.010±.008)
(Stand off)
単位:mm(inches)
注意:括弧内の値は参考値です。
DS709-00003-1v0-J
163
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
r1.0
MB9B360R シリーズ
プラスチック・LQFP, 80ピン
リードピッチ
0.50 mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
12.00 mm × 12.00 mm
リード形状
ガルウィング
リード曲げ方向
正曲げ
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.70 mm Max.
質量
0.47 g
(FPT-80P-M37)
プラスチック・LQFP, 80ピン
(FPT-80P-M37)
注1)*印寸法はレジン残りを含まず。
注2)端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注3)端子幅はタイバ切断残りを含まず。
14.00± 0.20 (.551 ± .008)SQ
*12.00± 0.10 (.472 ± .004)SQ
60
0.145± 0.055
(.006± .002)
41
Details of "A" part
61
40
+0.20
1.50 –0.10
(Mounting height)
+.008
.059 –.004
0.25(.010)
0~8°
0.08(.003)
INDEX
80
0.50 ± 0.20
(.020 ± .008)
0.60 ± 0.15
(.024 ± .006)
0.10 ± 0.05
(.004 ± .002)
(Stand off)
21
"A"
1
20
0.50(.020)
0.22± 0.05
(.009± .002)
C
0.08(.003)
M
2009-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F80037S-c-1-2
単位:mm(inches)
注意:括弧内の値は参考値です。
最新の外形寸法図については、下記の URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
164
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS709-00003-1v0-J
r1.0
MB9B360R シリーズ
プラスチック・LQFP, 80ピン
リードピッチ
0.65 mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
14.00 mm × 14.00 mm
リード形状
ガルウィング
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.60 mm Max
コード(参考)
P-LQFP80-14 × 14-0.65
(FPT-80P-M40)
プラスチック・LQFP, 80ピン
(FPT-80P-M40)
注 1)* 印寸法はレジン残りを含まず。
注 2)端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注 3)端子幅はタイバ切断残りを含まず。
16.00±0.20(.630±.008)SQ
*14.00±0.10(.551±.004)SQ
60
0.145±0.055
(.006±.002)
41
Details of "A" part
40
61
1.50±0.10
(.059±.004)
0.25(.010)
0.10(.004)
0˚~7˚
INDEX
0.50±0.20
(.020±.008)
21
80
0.65(.026)
C
0.60±0.15
(.024±.006)
20
1
0.32±0.06
(.013±.002)
0.10±0.05
(.004±.002)
0.13(.005)
M
2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED HMbF80-40Sc-1-1
単位:mm(inches)
注意:括弧内の値は参考値です。
最新の外形寸法図については、下記の URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
DS709-00003-1v0-J
165
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
r1.0
MB9B360R シリーズ
リードピッチ
0.50 mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
7.00 mm × 7.00 mm
リード形状
ボール
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.35 mm Max.
質量
0.10 g
プラスチック・FBGA, 112ピン
(BGA-112P-M05)
プラスチック・FBGA, 112ピン
(BGA-112P-M05)
6.00(.236)REF
7.00±0.10(.276±.004)
0.20(.008) S B
B
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
A
7.00±0.10
(.276±.004)
6.00(.236)
REF
0.50(.020)
TYP
0.20(.008) S A
(INDEX AREA)
S
0.10(.004) S
C
0.25±0.10
(.010±.004)
(Stand off)
0.50(.020)
TYP
N M L K J H G F E D C B A
INDEX
(NO BALL)
112-ø0.30±0.10
ø0.05(.002) M S A B
(112-ø.012±.004)
1.15±0.20
(.045±.008)
(Seated height)
2008-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED B112005S-c-2-3
単位:mm(inches)
注意:括弧内の値は参考値です 。
最新の外形寸法図については、下記の URL にてご確認ください。
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r1.0
MB9B360R シリーズ
プラスチック・FBGA, 144ピン
リードピッチ
0.5 mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
7.0 mm × 7.0 mm
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.3 mm Max.
質量
0.11 g
(BGA-144P-M09)
プラスチック・FBGA, 144ピン
(BGA-144P-M09)
7.00±0.10(.276±.004)
0.20(.008) S A
6.00(.236)
0.50(.020)
A
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
B
7.00±0.10
(.276±.004)
6.00(.236)
0.50(.020)
N M L K J H G F E D C B A
INDEX AREA
INDEX
(No Ball)
0.20(.008) S B
S
0.08(.003) S
C
0.25±0.10
(.010±.004)
(STAND OFF)
144-ø0.30±0.10
(144-ø.012±.004)
ø0.05(.002)
M
S A B
1.15±0.15
(.045±.006)
(SEATED HEIGHT)
2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED HMbB144-09Sc-1-1
単位:mm(inches)
注意:括弧内の値は参考値です。
最新の外形寸法図については、下記の URL にてご確認ください。
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r1.0
MB9B360R シリーズ
 本版での主な変更内容
変更箇所は、本文中のページ左側の|によって示しています。
ページ
場所
-
-
3
■特長
・USB インタフェース
[USB ファンクション]
変更箇所
PRELIMINARY → 正式版
下記の記述を追加
・各エンドポイントのサイズは下記のとおり
- エンドポイント 0, 2~5:64 バイト
- エンドポイント 1:256 バイト
■特長
・マルチファンクションシリアル
インタフェース
[I2C]
下記の記述を変更
高速モードプラス(Fm+)(最大 1000kbps, ch.3, ch.7
のみ)に対応
→高速モードプラス(Fm+)(最大 1000kbps, ch.3=ch.A,
ch.7=ch.B のみ)に対応
8
■特長
・ユニーク ID
項目追加
10
■品種構成
・ファンクション
「ユニーク ID」を追加
■入出回路形式
分類 O, P, Q の備考を変更
■デバイス使用上の注意
・デバッグ機能を兼用している端子
について
項目追加
60
61
■ブロックダイヤグラム
ブロック図を変更
73
■電気的特性
2.推奨動作条件
“パッケージ熱抵抗と最大許容電力表”を変更
■電気的特性
3.直流規格
(1)電流規格
・規格値の TBD を変更
・「ICCHD」,「ICCRD」,「ICCVBAT」の単位変更
mA → µA
・「ICCVBAT」の「RTC 停止」に注記追加
■電気的特性
4.交流規格
(2)サブクロック入力規格
波形図を変更
87
87
■電気的特性
4.交流規格
(3)内蔵 CR 発振規格
・規格値の TBD を変更
・「内蔵高速 CR」の表と注記を変更
・規格値の TBD を変更
・表と注記を変更
88
■電気的特性
4.交流規格
(4-3)メイン PLL の使用条件(メイン
PLL クロックに内蔵高速 CR クロッ
クを使用)
146
■電気的特性
5.12 ビット A/D コンバータ
・A/D 変換部電気的特性
・規格値の TBD を変更
・特性表の条件を変更
4
52, 53
76~82
168
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r1.0
MB9B360R シリーズ
ページ
場所
変更箇所
149
■電気的特性
6.12 ビット D/A コンバータ
・D/A 変換部電気的特性
・規格値の TBD を変更
・特性表の条件と備考を変更
156
■電気的特性
11.スタンバイ復帰時間
(1)復帰要因: 割込み/WKUP
・規格値の TBD を変更
・復帰カウント時間の表を変更
158
■電気的特性
11.スタンバイ復帰時間
(2)復帰要因: リセット
・規格値の TBD を変更
・復帰カウント時間の表を変更
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MB9B360R シリーズ
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子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御, 航空交通管制, 大量輸送システムにおける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵
器システムにおけるミサイル発射制御など), または極めて高い信頼性が要求される用途(海底中継器, 宇宙衛星など)に使用されるよう設
計・製造されたものではありません。したがって,これらの用途へのご使用をお考えのお客様は, 必ず事前に当社営業窓口までご相談くださ
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