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DAN208 / DAP208 (1.2 W)
DAN208 / DAP208 (1.2 W)
Silicon-Twin Rectifiers – Center Tap
Silizium-Doppeldiode – Mittelpunktschaltung
Version 2008-04-15
±0.2
±0.2
3.5
8.5
6.6
±0.2
Type
Typ
150 V
8.5 x 3.5 x 6.6 [mm]
0.7 g
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Dimensions - Maße [mm]
2
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Weight approx. – Gewicht ca.
2 x 2.54
1
1.2 W
3-pin Plastic case
3-Pin Kunststoffgehäuse
Ø 0.8
3.5
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
3
1
“DAN” common cathodes / gemeinsame Kathoden
2
3
“DAP” common anodes / gemeinsame Anoden
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 1)
DAN208
100
150
DAP208
100
150
Max. average forward rectified current, R-load
for one diode operation only
for simultaneous operation
TA = 25°C
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
für eine einzelne Diode
bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden
TA = 25°C
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
IFAV
IFAV
1 A 2)
2 A 2)
IFAV
IFAV
1 A 2)
2 A 2)
IFSM
10/11 A
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Per diode – Pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
DAN208 / DAP208 (1.2 W)
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 1 A
VF
< 1.2 V 1)
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = 100 V
IR
< 10 µA
RthC
< 45 K/W 2)
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
120
10
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
1
80
Tj = 25°C
60
10-1
40
10-2
20
IF
IFAV
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-3
0.4
1
Rated forward current versus ambient temperature )
1
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
2
2
10a-(1a-1.2v)
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Per diode – Pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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