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DA811A/K ... DA8110A/K (1.2 W)
DA811A/K ... DA8110A/K (1.2 W)
Rectifier Arrays
Gleichrichtersätze
Version 2011-07-08
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
±0.2
4.5
2.6
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Type / Typ
±0.2
2
6.5
0.25
3
23 x 2.6 x 4.5 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
4
5
6
0.6 g
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Dimensions - Maße [mm]
2
100...1000 V
9-pin Plastic case
9-Pin Kunststoffgehäuse
8 x 2.54
1
1.2 W
7
8
9
1
“DA811K...DA8110K”
common cathodes / gemeinsame Kathoden
2
3
4
5
6
7
8
“DA811A...DA8110A”
common anodes / gemeinsame Anoden
Maximum ratings
Type
Typ
9
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 1)
DA811A/K
100
120
DA814A/K
400
480
DA8110A/K
1000
1200
Max. power dissipation – max. Verlustleistung
TA = 25°C
Max. average forward rectified current, R-load
for one diode operation only
for simultaneous operation
TA = 25°C
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
für eine einzelne Diode
bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden
TA = 25°C
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
Ptot
1.2 W 1)
IFAV
IFAV
600 mA 2)
150 mA 2)
IFAV
IFAV
600 mA 2)
150 mA 2)
IFSM
30 A
Tj
TS
-50...+150°C
50...+150°C
Per diode – Pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
DA811A/K ... DA8110A/K (1.2 W)
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 1 A
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C VR = VRRM
Tj = 100°C VR = VRRM
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
VF
< 1.1 V 1)
IR
IR
< 10 µA
< 90 µA
< 85 K/W 2)
RthC
120
102
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
80
Tj = 25°C
1
60
40
10-1
20
IF
IFAV
0
10
0
TA
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature )
1
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
2
2
30a-(1a-1.1v)
-2
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Per diode – Pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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