SANYO 2SJ646

2SJ646
注文コード No. N 8 2 8 2
2SJ646
P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
特長
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・4V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流
（DC）
記号
VDSS
VGSS
ID
ドレイン電流
（パルス）
IDP
許容損失
PD
チャネル温度
保存周囲温度
条件
定格値
− 30
unit
V
± 20
−8
V
A
− 32
1
A
W
Tch
15
150
W
℃
Tstg
− 55 ∼＋ 150
℃
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
Tc=25℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース降伏電圧
記号
条件
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID= − 1mA, VGS=0V
VGS(off)
ドレイン・ソース間オン抵抗
yfs
RDS(on)1
RDS(on)2
VDS= − 10V, ID= − 1mA
VDS= − 10V, ID= − 4A
ID= − 4A, VGS= − 10V
ID= − 2A, VGS= − 4.5V
入力容量
RDS(on)3
Ciss
出力容量
帰還容量
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
ターンオフ遅延時間
下降時間
定格値
min
− 30
typ
max
V
VDS= − 30V, VGS=0V
VGS= ± 16V, VDS=0V
− 1.2
3.3
unit
−1
± 10
µA
µA
− 2.6
V
S
5.5
58
97
75
136
mΩ
mΩ
ID= − 2A, VGS= − 4V
VDS= − 10V, f=1MHz
110
510
154
mΩ
pF
Coss
Crss
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
115
78
pF
pF
td(on)
tr
td(off)
tf
指定回路において
指定回路において
11
40
ns
ns
指定回路において
指定回路において
40
30
ns
ns
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本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
62005PA MS IM ◎川浦 TA-100575 No.8282-1/4
2SJ646
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項目
記号
定格値
条件
min
総ゲート電荷量
Qg
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
Qgs
Qgd
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 8A
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 8A
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 8A
ダイオード順電圧
VSD
IS= − 8A, VGS=0V
7518-004
7003-004
2.3
5.5
0.5
0.6
1
2
2.3
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
3
2.3
2
3
0 to 0.2
0.6
0.5
V
2.5
0.8
1
7.5
0.8
1.6
0.85
1.2
− 1.2
0.5
1.5
4
0.85
0.7
nC
nC
2.3
7.0
5.5
4
− 1.0
6.5
5.0
0.5
1.5
6.5
5.0
nC
2.4
1.7
1.2
外形図
unit : mm
unit
max
7.0
外形図
unit : mm
typ
11
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
1.2
2.3
2.3
SANYO : TP-FA
SANYO : TP
スイッチングタイム測定回路図
VDD= --15V
VIN
ID= --4A
RL=3.75Ω
0V
--10V
VOUT
D
VIN
PW=10µs
D.C.≦1%
G
P.G
50Ω
2SJ646
S
ID -- VDS
ID -- VGS
--6
VDS= --10V
V
.5V
-3
--5
--1.5
--1.0
--2
--1
VGS= --2.5V
--0.5
--3
--25°C
--3.0V
--2.0
--4
Ta=7
5°C
--2.5
25°C
--3.0
ドレイン電流, ID -- A
--4.5
ドレイン電流, ID -- A
V
--3.5
--4.0
--10.0
V
--8.0
V
--6.0
V
--4.0
0
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
--0.9
--1.0
IT04492
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
--4.5
--5.0
IT04493
No.8282-2/4
RDS(on) -- VGS
Ta=25°C
250
200
--4A
100
50
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
ソース電流, IS -- A
5°C
2
= --
Ta
7
5
C
°C 5°
75 2
3
7--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
ドレイン電流, ID -- A
--40
--20
0
20
60
80
100
120
140
160
IT09668
VGS=0V
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
ダイオード順電圧, VSD -- V
IT04497
Ciss, Coss, Crss -- VDS
1000
VDD= --15V
VGS= --10V
2
40
IS -- VSD
0
f=1MHz
7
Ciss
Ciss, Coss, Crss -- pF
スイッチングタイム, SW Time -- ns
0
--60
5 7 --10
IT04496
SW Time -- ID
3
V
--10.0
V GS=
50
--0.01
7
5
3
2
--0.001
2
0.1
7
100
7
td (off)
5
tf
3
2
tr
2
Coss
100
5
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
7
0
--10
--2
--4
--6
--8
--10
--12
VGS -- Qg
5
2
ドレイン電流, ID -- A
n
6
8
10
12
IT09669
µs
io
4
総ゲート電荷量, Qg -- nC
10
at
2
s
er
op
--1.0
7
5
2
0
m
C
2
Operation in this
area is limited by RDS(on).
3
--1
10
3
D
--2
s
--3
--20
IT04498
s
1m
--4
ID= --8A
0m
--5
--10
7
5
10
--6
--18
s
0µ
10
3
--7
--16
ASO
IDP= --32A
--8
0
--14
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT06907
VDS= --10V
ID= --8A
--9
3
7
ドレイン電流, ID -- A
--10
5
Crss
td(on)
10
7
--0.1
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
A,
I D= --4
--10
7
5
3
2
7
5
3
.5V
= --4
VGS
2A,
-I D=
2
VDS= --10V
1.0
-I D=
100
周囲温度, Ta -- °C
10
2
.0V
= --4
VGS
2A,
IT09667
yfs -- ID
2
順伝達アドミタンス, yfs -- S
--16
150
75°C
25°C
--25°C
ID= --2A
150
RDS(on) -- Ta
200
Ta=
300
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
2SJ646
Tc=25°C
1パルス
--0.1
--0.01 2 3
5 7--0.1
2 3
5 7--1.0
2 3
5 7 --10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2 3
5
IT09670
No.8282-3/4
2SJ646
PD -- Ta
1.5
PD -- Tc
20
許容損失, PD -- W
許容損失, PD -- W
15
1.0
0.5
10
5
0
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT09671
0
20
40
60
80
100
120
ケース温度, Tc -- °C
140
160
IT09672
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PS No.8282-4/4