SANYO FW257

注文コード No. N 7 6 8 6
FW257
No.
N7686
52004
新
FW257
特長
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
汎用スイッチングデバイス
・モータドライブ用。
・4V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
VDSS
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流（DC）
100
VGSS
ID
unit
V
± 20
2
V
A
ドレイン電流（PW ≦ 10s）
ID
ドレイン電流（PW ≦ 100ms） ID
ドレイン電流（PW ≦ 10µs） IDP
許容損失
PD
duty cycle ≦ 1%
duty cycle ≦ 1%
2.5
5
A
A
duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(1200mm2 × 0.8mm)装着時 1unit(PW ≦ 10s)
8
1.4
A
W
全損失
チャネル温度
PT
Tch
セラミック基板(1200mm2 × 0.8mm)装着時(PW ≦ 10s)
2.0
150
W
℃
保存周囲温度
Tstg
− 55 ∼＋ 150
℃
min
100
max
unit
V
1
± 10
µA
µA
2.6
V
S
220
310
mΩ
mΩ
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS ID=1mA, VGS=0
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
IDSS
IGSS
VDS=100V, VGS=0
VGS= ± 16V, VDS=0
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=1A
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)1
RDS(on)2
ID=1A, VGS=10V
ID=1A, VGS=4V
typ
1.2
1.8
3
175
220
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単体品名表示： W257
外形図 2129
(unit : mm)
5
4
1.8max
1
0.595
1.27
0.43
0.1
1.5
5.0
6.0
4.4
0.3
8
0.2
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Source2
4 : Gate2
5 : Drain2
6 : Drain2
7 : Drain1
8 : Drain1
SANYO : SOP8
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
52004PA TS IM ◎川浦 TA-100844 No.7686-1/4
FW257
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min
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
帰還容量
ターンオン遅延時間
Crss
td(on)
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
指定回路において
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
tr
td(off)
下降時間
総ゲート電荷量
typ
max
unit
530
45
pF
pF
35
9
pF
ns
〃
〃
4
58
ns
ns
tf
Qg
〃
25
13
ns
nC
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
Qgs
Qgd
VDS=50V, VGS=10V, ID=3A
2.1
2.8
nC
nC
ダイオード順電圧
VSD
IS=2A, VGS=0
0.82
1.2
V
スイッチングタイム測定回路図
VDD=50V
VIN
10V
0V
ID=1A
RL=50Ω
VIN
D
VOUT
PW=10µs
D.C.≦1%
G
FW257
P.G
50Ω
ID -- VDS
4.5
0.4
--25°C
2
75°C
0.8
0.6
3
25°C
1.0
4
Ta=
3.5V
5
ドレイン電流, ID -- A
1.2
V
4.0
6.0V
8.0V
1.4
VDS=10V
VGS=3.0V
10V
ドレイン電流, ID -- A
1.6
ID -- VGS
6
V
2.0
1.8
S
1
0.2
0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
1.8
2.0
IT05950
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
3.5
4.0
IT05952
No.7686-2/4
RDS(on) -- VGS
400
Ta=25°C
ID=1A
350
300
250
200
150
100
50
0
2
4
6
10
8
12
14
16
18
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
350
300
V
=4
GS
V
0V
=1
A,
1
S
=
VG
ID
A,
=1
ID
250
200
150
100
50
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
周囲温度, Ta -- °C
5
160
IT05956
IF -- VSD
10
7
5
VDS=10V
7
RDS(on) -- Ta
400
IT05954
yfs -- ID
10
VGS=0
3
2
2
C
C 5°
5° -2
2
°C
=
75
Ta
1.0
7
5
1.0
7
5
Ta=7
5°C
25°C
--25°C
3
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
20
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
FW257
3
2
3
0.1
7
5
2
3
2
0.1
0.01
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
td(off)
7
5
tf
3
2
td(on)
10
7
5
tr
0.6
0.8
1.0
1.2
IT05960
f=1MHz
7
Ciss
5
Ciss, Coss, Crss -- pF
スイッチングタイム, SW Time -- ns
100
0.4
Ciss, Coss, Crss -- VDS
1000
VDD=50V
VGS=10V
2
0.2
ダイオード順電圧, VSD -- V
SW Time -- ID
3
3
2
100
7
Coss
5
Crss
3
3
2
2
1.0
--0.1
10
2
3
5
7
2
--1.0
3
5
ドレイン電流, ID -- A
0
7
--10
IT05962
5
n
ドレイン電流, ID -- A
s
s
IT05966
io
14
at
総ゲート電荷量, Qg -- nC
12
0m
10
Operation in this area
is limited by RDS(on).
er
8
op
6
s
4
C
3
2
2
10
1
D
3
2
2
0
10
1.0
7
5
0.1
7
5
0
≦100µs
s
IDP=2A
3
IT05964
m
3
2
4
30
25
10
7
5
20
1m
IDP=8A
8
10
7
5
6
15
ASO
2
VDS=50V
ID=2A
9
10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VGS -- Qg
10
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0
5 7 10
IT05958
ドレイン電流, ID -- A
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(1200mm2×0.8mm)装着時
0.01
0.01 2 3 5 7 0.1
2 3 5 7 1.0
2 3 5 7 10
2 3 5 7100 2
IT06556
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
No.7686-3/4
FW257
PD -- Ta
2.5
1.5
1.4
全
損
失
1u
nit
1.0
0.5
セラミック基板(1200mm2×0.8mm)装着時,
PW≦10s
1.4
許容損失(FET 1), PD -- W
許容損失, PD -- W
2.0
PD(FET1) -- PD(FET2)
1.6
セラミック基板(1200mm2×0.8mm)装着時,
PW≦10s
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT05970
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
許容損失(FET 2), PD -- W
1.6
IT06557
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PS No.7686-4/4