SANYO 2SK3351

2SK3351
注文コード No. N 7 7 6 4
2SK3351
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
DC / DC コンバータ用
特長
・低オン抵抗。
・4V 駆動。
・超高速スイッチング用。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
ドレイン電流(DC)
記号
VDSS
VGSS
ID
ドレイン電流(パルス)
IDP
許容損失
PD
チャネル温度
保存周囲温度
条件
定格値
unit
V
30
± 20
30
V
A
60
1
A
W
Tch
30
150
W
℃
Tstg
− 55 ∼+ 150
℃
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
Tc=25℃
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
項目
ドレイン・ソース降伏電圧
記号
条件
定格値
min
30
typ
max
unit
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
V
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=15A
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)1
RDS(on)2
ID=15A, VGS=10V
ID=4A, VGS=4.5V
11
15
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
1450
420
pF
pF
帰還容量
ターンオン遅延時間
VDS=10V, f=1MHz
指定回路において
210
14
pF
ns
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
Crss
td(on)
tr
td(off)
指定回路において
指定回路において
355
110
ns
ns
下降時間
tf
指定回路において
120
ns
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VDS=30V, VGS=0
VGS= ± 16V, VDS=0
1.0
14
1
± 10
µA
µA
2.4
V
S
15
21
mΩ
mΩ
20
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途(生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
22004 TS IM ◎佐藤 TA-2617 No.7764-1/4
2SK3351
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項目
記号
定格値
条件
min
typ
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
Qg
Qgs
VDS=10V, VGS=10V, ID=30A
VDS=10V, VGS=10V, ID=30A
28
4.6
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
VDS=10V, VGS=10V, ID=30A
IS=30A, VGS=0
5
0.92
max
unit
nC
nC
1.2
nC
V
単体品名表示:K3351
外形図
外形図
unit : mm
2083B
unit : mm
2092B
0.5
6.5
5.0
4
2.3
1.5
2.3
0.5
2
3
2.3
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
2.3
2
2.5
1
0.6
1.2
0.5
0.85
0.8
0.6
7.0
5.5
5.5
1.2
7.5
0.8
1.6
0.85
0.7
1
0.5
7.0
1.5
6.5
5.0
4
3
1.2
0∼0.2
2.3
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP-FA
SANYO : TP
2.3
スイッチングタイム測定回路図
VDD=15V
10V
0V
VIN
PW=10µs
D.C.≦1%
ID=15A
RL=1Ω
VIN
D
VOUT
G
P.G
50Ω
S
2SK3351
No.7764-2/4
2SK3351
ID -- VDS
3.0V
14
VGS=2.5V
4
12
10
8
25°C --25°C
6
VDS=10V
Ta=75
°C
8
ID -- VGS
16
ドレイン電流, ID -- A
ドレイン電流, ID -- A
10
3 .5 V
10.0V 8.0V 6.0V 4.5V
12
6
4
2
2
0
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
Ta=25°C
ID=15A
35
4A
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
20
°C
25
1.0
7
5
3
2
=
Ta
5
-2
°C
75
°C
2 3 5 7 1.0
ドレイン電流, ID -- A
1000
7
5
SW Time -- ID
2.5
3.0
3.5
4.0
IT02767
RDS(on) -- Ta
25
20
V
=4.5
VGS
,
A
4
I D=
10V
S=
5A, V G
1
=
ID
15
10
5
0
--75
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
175
IT07200
IF -- VSD
100
7
5
3
2
VGS=0
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0.001
0.2
2 3 5 7 10 2 3
IT02770
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
ダイオード順電圧, VSD -- V
1.2
IT02771
Ciss, Coss, Crss -- VDS
10000
VDS=15V
VGS=10V
2.0
周囲温度, Ta -- °C
0.1
7
5
3
2
0.01
0.001 2 3 5 70.01 2 3 5 7 0.1
1.5
30
IT07199
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
18
VDS=10V
10
7
5
3
2
1.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
yfs -- ID
100
7
5
3
2
0.5
IT02766
45
40
0
1.0
RDS(on) -- VGS
50
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
f=1MHz
7
5
2
Ciss, Coss, Crss -- pF
3
td(off)
100
tf
7
5
tr
スイッチングタイム, SW Time -- ns
0.9
--25°
C
0.2
Ta=
75 °
C
25°
C
0.1
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
0
3
2
td(on)
3
2
Ciss
1000
7
5
Coss
3
Crss
2
10
7
100
5
3
0.1
7
5
2
3
5
7 1.0
2
3
5
ドレイン電流, ID -- A
7
10
2
3
IT02772
0
5
10
15
20
25
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
30
IT02773
No.7764-3/4
2SK3351
10
100
7
5
3
2
8
ドレイン電流, ID -- A
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
9
VGS -- Qg
VDS=10V
ID=30A
7
6
5
4
3
2
1
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
総ゲート電荷量, Qg -- nC
24
26
28
1m
op
er
10
s
0µ
on
s
10
ati
m
(T
s
c=
25
°C
)
1.0
7
5
3
2
Operation in this
area is limited by RDS(on).
0.1
7
5
3
2
Tc=25°C
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
5
IT07202
PD -- Tc
35
30
許容損失, PD -- W
1.0
許容損失, PD -- W
DC
10
7
5
3
2
IT07201
PD -- Ta
1.2
<10µs
IDP=60A
ID=30A
0.01 1パルス
0.01 2 3 5 7 0.1
0
0
ASO
0.8
0.6
0.4
0.2
25
20
15
10
5
0
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT07203
0
20
40
60
80
100
120
140
ケース温度, Tc -- °C
160
IT07204
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PS No.7764-4/4